JPS6057217B2 - Ｘ線露光用マスク - Google Patents

Ｘ線露光用マスク

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Publication number
JPS6057217B2
JPS6057217B2 JP55162395A JP16239580A JPS6057217B2 JP S6057217 B2 JPS6057217 B2 JP S6057217B2 JP 55162395 A JP55162395 A JP 55162395A JP 16239580 A JP16239580 A JP 16239580A JP S6057217 B2 JPS6057217 B2 JP S6057217B2
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JP
Japan
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groove
mask
ray
pattern
exposure mask
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Expired
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JP55162395A
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English (en)
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JPS5785237A (en
Inventor
誠一 岩松
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Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Suwa Seikosha KK
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Publication date
Application filed by Suwa Seikosha KK filed Critical Suwa Seikosha KK
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Priority to GB8131106A priority patent/GB2088085B/en
Priority to FR8120315A priority patent/FR2494461B1/fr
Priority to DE19813145211 priority patent/DE3145211A1/de
Priority to US06/321,997 priority patent/US4401738A/en
Publication of JPS5785237A publication Critical patent/JPS5785237A/ja
Publication of JPS6057217B2 publication Critical patent/JPS6057217B2/ja
Expired legal-status Critical Current

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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/167—X-ray
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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    • Y10S430/167—X-ray
    • Y10S430/168—X-ray exposure process

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はＸ線露光用マスクの構造に関する。
最近、２０八程度以下の微細パターンを有するＸ線マス
クの製造として次の如き方法が提案されている。すなわ
ち、第１図に示す如く、平坦なＳｉＯ。材１の表面から
、図形状に形成された溝２に斜め蒸着３によりタングス
テン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）等の金属膜４に蒸着す
る事により、溝の壁面が垂直に形成されている場合には
、壁面のＷ、Ｍｏの膜等のＸ線吸収能は、第２図に示す
ように、ＳｉＯ。の表面に形成されたＷ、Ｍｏ膜のＸ線
吸収能より大となり、２０八程度以下の線状図形をもつ
たＸ線マスクが製作できるということである。なお、図
中５はＸ線照射方向を示している。しカルながら、この
方法は、ストライプ状の一方向の線図形のみに限られ、
例えばＬＳＩ用マスク等複雑な図形を有するマスクには
適用できないという欠点がある。本発明は上記の方法を
改良し、任意の方向のパターン形成の可能なＬＳＩ用の
Ｘ線マスクを提供することを目的とする。
以下、本発明に係るＸ線露光用マスクを実施例を用いて
説明する。
第３図は本発明の一実施例としてのＸ線マスクの立体図
を示すもので、５１００膜に形成された第１層の溝１２
ａと第２層の蒔１２ｂに対し斜め蒸着１３ａおよび１３
ｂによりＷ膜による第１層の図形状態１４ａと第２層の
図形状膜１４ｂを形成し、該マスク表面に対し垂直に平
行なＸ線１５を照射することにより、第１層のマスクに
よる図形と第２層のマスクによる図形とが交叉したマト
リックス状のＸ線の図形が形成できる。
上記実施例のように、マトリクス状のパターン形成など
、ストライフ状の一方向の線図形ではなく、任意の方向
のパターン形成が可能であり、第１層マスクと第２層マ
スクを連続した同一の薄いタップラン膜の基板に形成し
、１つのマスクとすることができ、しかも、１回の露光
て所望のマス’ク形成ができるという格別の効果がある
ことがわかる。
また、薄いタップラン膜の基板の両側の面に、それぞれ
異なる方向のパターン形成用のマスクを形成することに
より、同一面に重ねてそれぞれ異なる方向のパターン形
成用のマスクを形成す・ることとくらべて、マトリクス
状のパターンにおける格子点の解像力がきわめて高くな
り、微細でしかも正確なパターン形成を行えるという格
別の効果も有するものてある。この様にして形成された
Ｘ線マスクはＸ線マスクの図形形成の自由度が増大し微
細パターンの形成が可能となるのてＬＳＩ用マスクとし
て用いることができる。
等の効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第１図はＸ線マスクの断面図、第２図は第１図のマスク
のＸ線吸収能を示す特性図、第３図は本発明に係るＸ線
マスクの構造を説明するための立体図を示すものてある
。 １，１１・・・ＳｉＯ２メンブラン膜、２，１２ａ，１
２ｂ・・・エッチング溝、３，１３ａ，１３ｂ・・・Ｗ
斜め蒸着処理、４，１４ａ，１４ｂ・・・Ｗ蒸着膜、５
，１５・・・Ｘ線照射。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 薄いメンブラン膜の第１面には第１の溝が形成され
    ており、前記第１面の反対側の第２面には前記第１の溝
    とは異なる方向となるように、第２の溝が形成されてお
    り、前記第１の溝と第２の溝の側壁に沿つてＸ線吸収能
    を有する薄膜が形成されており、前記第１面の第１のパ
    ターン形成用マスク及び前記第２面の第２のパターン形
    成用マスクが、前記薄いメンブラン膜に一体として形成
    されたことを特徴とするＸ線露光用マスク。
JP55162395A 1980-11-18 1980-11-18 Ｘ線露光用マスク Expired JPS6057217B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP55162395A JPS6057217B2 (ja) 1980-11-18 1980-11-18 Ｘ線露光用マスク
GB8131106A GB2088085B (en) 1980-11-18 1981-10-15 X-ray masks
FR8120315A FR2494461B1 (fr) 1980-11-18 1981-10-29 Masque pour rayons x
DE19813145211 DE3145211A1 (de) 1980-11-18 1981-11-13 Roentgenstrahlenmaske
US06/321,997 US4401738A (en) 1980-11-18 1981-11-16 X-Ray lithography mask

Applications Claiming Priority (1)

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JP55162395A JPS6057217B2 (ja) 1980-11-18 1980-11-18 Ｘ線露光用マスク

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5785237A JPS5785237A (en) 1982-05-27
JPS6057217B2 true JPS6057217B2 (ja) 1985-12-13

Family

ID=15753767

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP55162395A Expired JPS6057217B2 (ja) 1980-11-18 1980-11-18 Ｘ線露光用マスク

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US (1) US4401738A (ja)
JP (1) JPS6057217B2 (ja)
DE (1) DE3145211A1 (ja)
FR (1) FR2494461B1 (ja)
GB (1) GB2088085B (ja)

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Also Published As

Publication number Publication date
JPS5785237A (en) 1982-05-27
US4401738A (en) 1983-08-30
GB2088085A (en) 1982-06-03
GB2088085B (en) 1984-07-18
FR2494461A1 (fr) 1982-05-21
FR2494461B1 (fr) 1988-06-10
DE3145211A1 (de) 1982-07-01

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