JPS596508B2 - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS596508B2 JPS596508B2 JP1886180A JP1886180A JPS596508B2 JP S596508 B2 JPS596508 B2 JP S596508B2 JP 1886180 A JP1886180 A JP 1886180A JP 1886180 A JP1886180 A JP 1886180A JP S596508 B2 JPS596508 B2 JP S596508B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- electron beam
- layer
- resist
- patterned
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はパターン形成方法、特に各部膜厚の異なるテ
ーパー付膜厚からなるＳｉ、Ｃｒ、Ａｌなどの薄膜によ
るパターン形成方法に関するものである。
ーパー付膜厚からなるＳｉ、Ｃｒ、Ａｌなどの薄膜によ
るパターン形成方法に関するものである。
従来、この種のテーパー付膜厚をもつパターンを形成す
るのには、例えば被パターニング材料がＳｉの場合、こ
のＳｉのエッチングレートが結晶軸の方向により異なる
ことを利用して、Ｖ字状パターンなどを得ることが可能
であつたが、任意のテーパー付膜厚のパターン形状を形
成するのは極めて困難なものであつた。
るのには、例えば被パターニング材料がＳｉの場合、こ
のＳｉのエッチングレートが結晶軸の方向により異なる
ことを利用して、Ｖ字状パターンなどを得ることが可能
であつたが、任意のテーパー付膜厚のパターン形状を形
成するのは極めて困難なものであつた。
すなわち、第１図ａに示したようにＳｉからなる被パタ
ーニング材料層１上にレジスト層２を塗布し、このレジ
スト層２を電子ビーム３で照射露光し、現像後にエッチ
ングする場合、Ｓｉの結晶軸の方向によつて、エッチン
グレートの異なること、換言すると異方性のあることが
知られており、この性質を利用して同図ｂのように、Ｖ
字状のパターン４を形成できるのであるが、このテーパ
ーはＳｉの結晶構造によつて決まつているので、これと
は異なつたテーパーをもつパターンを形成することはで
きないものであつた。この発明は従来のこのような実情
に鑑み、イオンビームまたはプラズマエッチングに対し
て、マスク材料としての電子線レジストとほゞ等しいエ
ッチングレートをもつ被パターニング材料を選択して用
ιゝ、マスク材料としての電子線レジストをあらかじめ
所定の得ようとするパターンと同等のテーパー付膜厚を
もつ形状に形成しておき、これを被パターニング材料層
と共々にイオンビームまたはプラズマエッチングにより
エッチングして、マスク材料形状に対応するパターン形
状、すなわち任意のテーパー付膜厚形状からなる被パタ
ーニング材料層を得るようにしたものである。
ーニング材料層１上にレジスト層２を塗布し、このレジ
スト層２を電子ビーム３で照射露光し、現像後にエッチ
ングする場合、Ｓｉの結晶軸の方向によつて、エッチン
グレートの異なること、換言すると異方性のあることが
知られており、この性質を利用して同図ｂのように、Ｖ
字状のパターン４を形成できるのであるが、このテーパ
ーはＳｉの結晶構造によつて決まつているので、これと
は異なつたテーパーをもつパターンを形成することはで
きないものであつた。この発明は従来のこのような実情
に鑑み、イオンビームまたはプラズマエッチングに対し
て、マスク材料としての電子線レジストとほゞ等しいエ
ッチングレートをもつ被パターニング材料を選択して用
ιゝ、マスク材料としての電子線レジストをあらかじめ
所定の得ようとするパターンと同等のテーパー付膜厚を
もつ形状に形成しておき、これを被パターニング材料層
と共々にイオンビームまたはプラズマエッチングにより
エッチングして、マスク材料形状に対応するパターン形
状、すなわち任意のテーパー付膜厚形状からなる被パタ
ーニング材料層を得るようにしたものである。
以下、この発明方法の実施例につき、第２図、第３図ａ
、ｂ、ｃおよび第４図ａ、ｂ、ｃを参照して詳細に説明
する。
、ｂ、ｃおよび第４図ａ、ｂ、ｃを参照して詳細に説明
する。
第２図は一般的なネガ型電子線レジストの、電子線照射
量と、その現像後の残膜率（残存膜厚を初期媒厚で割つ
た値）との関係を示す図である。
量と、その現像後の残膜率（残存膜厚を初期媒厚で割つ
た値）との関係を示す図である。
この第２図から明らかなように、ネガ型電子線レジスト
は、電子ビームの照射量によつて現像後に残存する膜厚
が異なるものであり、このことからパターン内で照射量
を適宜調整して変化させることによつて、現像後のレジ
スト膜厚を制御できるのである。また一方、例えば１Ｋ
ｅＶ，１ｍＡ／（７１（７）Ａｒイオンビームによつて
イオンエツチングを行なう場合のエツチングレートは、
Ｓｉ，ＳｉＯ２で３５０〜４００八／ＭｌＡｌ，Ｎｉで
５００〜５５０人／ｍ１ネガ型電子線レジスト〔ＣＯＰ
〕でほぼ８００Ｖｍである。
は、電子ビームの照射量によつて現像後に残存する膜厚
が異なるものであり、このことからパターン内で照射量
を適宜調整して変化させることによつて、現像後のレジ
スト膜厚を制御できるのである。また一方、例えば１Ｋ
ｅＶ，１ｍＡ／（７１（７）Ａｒイオンビームによつて
イオンエツチングを行なう場合のエツチングレートは、
Ｓｉ，ＳｉＯ２で３５０〜４００八／ＭｌＡｌ，Ｎｉで
５００〜５５０人／ｍ１ネガ型電子線レジスト〔ＣＯＰ
〕でほぼ８００Ｖｍである。
このように材質によつては、イオンエツチングを行なう
場合のエツチングレートが異なつてくるが、レジストの
膜厚にテーパーがついている状態でエツチングを行なう
と、レジストの表面形状をある程度まで反映した形状の
パターンを形成することができる。特にマスク材料とな
る電子線レジストと、被パターニング材料層の材質との
エツチングレートに差がないときには、当初に形成され
るレジスト形状、なかでも厚さ形状と同一形状のパター
ンを形成し得るのである。第３図はこの発明方法の一実
施例を示しており、この実施例では基板１１土に例えば
Ａｌなどによる被パターニング材料層１２と、例えば〔
ＣＯＰ〕などのネガ型電子線レジスト層１３とを順次に
形成した試料に対し、電子ビーム１４を得ようとす 二
るパターンの輪廓形状範囲内で、その照射量を制御して
照射露光させる（同図ａ）。
場合のエツチングレートが異なつてくるが、レジストの
膜厚にテーパーがついている状態でエツチングを行なう
と、レジストの表面形状をある程度まで反映した形状の
パターンを形成することができる。特にマスク材料とな
る電子線レジストと、被パターニング材料層の材質との
エツチングレートに差がないときには、当初に形成され
るレジスト形状、なかでも厚さ形状と同一形状のパター
ンを形成し得るのである。第３図はこの発明方法の一実
施例を示しており、この実施例では基板１１土に例えば
Ａｌなどによる被パターニング材料層１２と、例えば〔
ＣＯＰ〕などのネガ型電子線レジスト層１３とを順次に
形成した試料に対し、電子ビーム１４を得ようとす 二
るパターンの輪廓形状範囲内で、その照射量を制御して
照射露光させる（同図ａ）。
ついでこれを現像処理することにより、所期の断面形状
、この場合は漸次に厚さの減少した片側コンケープ状断
面のレジストパターン１３ａを形成させることができ（
同図ｂ）、これをイオンビーム１５によりエツチングす
ることにより、結果的にはレジストパターン１３ａと同
様な形状の目的とするパターニング層１２ａを得られる
のである。また同様に第４図に示した他の実施例のよう
に、片側コンベツクス状断面のレジストパターン１３ｂ
により、同形状のパターニング層１２ｂを形成すること
もできるもので、各層１２，１３の材料のエツチングレ
ートを可及的に等しくなるように選択することで、レジ
ストパターン１３ａ，１３ｂの形状を被パターニング材
料層１２にそのま＼忠実に転写した形状のパターニング
層１２ａ，１２ｂを得られるのである。
、この場合は漸次に厚さの減少した片側コンケープ状断
面のレジストパターン１３ａを形成させることができ（
同図ｂ）、これをイオンビーム１５によりエツチングす
ることにより、結果的にはレジストパターン１３ａと同
様な形状の目的とするパターニング層１２ａを得られる
のである。また同様に第４図に示した他の実施例のよう
に、片側コンベツクス状断面のレジストパターン１３ｂ
により、同形状のパターニング層１２ｂを形成すること
もできるもので、各層１２，１３の材料のエツチングレ
ートを可及的に等しくなるように選択することで、レジ
ストパターン１３ａ，１３ｂの形状を被パターニング材
料層１２にそのま＼忠実に転写した形状のパターニング
層１２ａ，１２ｂを得られるのである。
以上詳述したようにこの発明方法によるときは、パター
ン各部の膜厚を任意に制御したパターンを容易に形成で
きる特長を有するものである。
ン各部の膜厚を任意に制御したパターンを容易に形成で
きる特長を有するものである。
第１図Ａ，ｂは従来例によるパターン形成方法を工程順
に示す断面図、第２図はネガ型電子線レジストの照射量
に対する残膜率を示す図、第３図Ａ，ｂ，ｃおよび第４
図Ａ，ｂ，ｃはこの発明のパターン形成方法の各別の実
施例をそれぞれ工程順に示す断面図である。 １１・・・・・・基板、１２・・・・・・被パターニン
グ材料層、１２ａ・・・・・・パターニング層、１３・
・・・・・電子線レジスト層、１３ａ・・・・・ルジス
トパターン、１４・・・・・・電子ビーム、１５・・・
・・・イオンビーム。
に示す断面図、第２図はネガ型電子線レジストの照射量
に対する残膜率を示す図、第３図Ａ，ｂ，ｃおよび第４
図Ａ，ｂ，ｃはこの発明のパターン形成方法の各別の実
施例をそれぞれ工程順に示す断面図である。 １１・・・・・・基板、１２・・・・・・被パターニン
グ材料層、１２ａ・・・・・・パターニング層、１３・
・・・・・電子線レジスト層、１３ａ・・・・・ルジス
トパターン、１４・・・・・・電子ビーム、１５・・・
・・・イオンビーム。
Claims (1)
- １ イオンビームまたはプラズマエッチングに対して、
マスク材料としての電子線レジストとほゞ等しいエッチ
ングレートをもつ被パターニング材料を選択し、まずこ
の被パターニング材料層上に塗布された電子線レジスト
に、得ようとするパターンの輪廓形状範囲で、パターン
各部の厚さ形状に対応制御された照射量の電子ビームを
照射して露光させ、かつ現像して得ようとするパターン
と同等のマスク層を形成させ、ついでイオンビームまた
はプラズマエッチングにより、マスク層を含む被パター
ニング材料層をエッチングして、マスク層に対応する被
パターニング材料層を形成することを特徴とするパター
ン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1886180A JPS596508B2 (ja) | 1980-02-18 | 1980-02-18 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1886180A JPS596508B2 (ja) | 1980-02-18 | 1980-02-18 | パタ−ン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56115534A JPS56115534A (en) | 1981-09-10 |
| JPS596508B2 true JPS596508B2 (ja) | 1984-02-13 |
Family
ID=11983315
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1886180A Expired JPS596508B2 (ja) | 1980-02-18 | 1980-02-18 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS596508B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100891403B1 (ko) | 2002-08-01 | 2009-04-02 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법과 그것을 이용한 발광장치 |
| JP5173254B2 (ja) * | 2007-05-15 | 2013-04-03 | キヤノン株式会社 | 基板の加工方法 |
-
1980
- 1980-02-18 JP JP1886180A patent/JPS596508B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56115534A (en) | 1981-09-10 |
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