FR2494461A1 - Masque pour rayons x - Google Patents
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- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 claims 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
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-
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/167—X-ray
- Y10S430/168—X-ray exposure process
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract
L'INVENTION CONCERNE LA TECHNOLOGIE DES CIRCUITS INTEGRES. UN MASQUE POUR L'EXPOSITION PAR RAYONS X EST FORME SUR UNE LAME DE SIO ET IL EST DEFINI PAR DES REVETEMENTS EN METAL REFRACTAIRE 14A, 14B FORMES PAR DEPOT OBLIQUE SUR LES SURFACES DE LA LAME AINSI QUE LES PAROIS LATERALES DE SILLONS 12A, 12B FORMES DANS LES FACES OPPOSEES DE LA LAME. LES SILLONS DES DEUX FACES SONT MUTUELLEMENT CROISES DE FACON A DEFINIR LE MOTIF DESIRE POUR LE MASQUE. APPLICATION A LA FABRICATION DES CIRCUITS INTEGRES COMPLEXES.
Description
La présente invention concerne une structure pour un masque destiné à
l'exposition avec des rayons X. Il a été proposé récemment un procédé destiné à la fabrication d'un masque pour rayons X comportant un motif subminiature de moins de 2 nm, obtenu de la manière indiquée ci-après. Comme le montre la figure 1, on dépose un revêtement de métal 4 en tungstène (w), en molybdène (Mo), etc, dans un sillon 2 à partir de la surface supérieure d'une lame de SiO2, 1. On donne à ce revêtement de métal une forme définissant un certain motif, par dépôt oblique 3. Par conséquent, dans le cas o la surface de paroi du sillon est formée perpendiculairemen le pouvoir d'absorption des rayons X du revêtement de tungstène, du revêtement de molybdène, etc, qui se trouve sur la paroi du sillon est plus grand que le pouvoir d'absorption des rayons X du revêtement de tungstène ou du revêtement de molybdène qui est formé sur la surface du SiO2, comme le montre la figure 2. On peut ainsi fabriquer un masque pour rayons X qui présente un motif linéaire de moins de 2 nm. Incidemment, la référence sur la figure 1 désigne la direction d'irradiation par les rayons X. Cependant, le procédé mentionné ci-dessus est limité uniquement à un motif linéaire en bande formé dans une seule direction. Il existe de plus un inconvénient qui consiste en ce qu'on ne peut pas appliquer le procédé mentionné ci-dessus à un masque portant un motif compliqué, comme par exemple un
masque pour un circuit intégré complexe.
L'invention a pour but d'améliorer le procédé mentionné ci-dessus et de réaliser un masque pour rayons X destiné à un circuit intégré complexe dans lequel on puisse
définir un motif dans n'importe quelle direction.
L'invention sera mieux comprise à la lecture de la
description qui va suivre d'un mode de réalisation et en se
référant aux dessins annexés sur lesquels: La figure 1 est une coupe d'un masque pour rayons X. La figure 2 est un graphique qui montre le pouvoir
d'absorption du masque représenté sur la figure 1.
La figure 3 est une représentation en perspective destinée à l'explication de la structure du masque pour rayons X
correspondant à l'invention.
Sur la figure 3, un revêtement 14a, définissant un motif et formé par la première couche de revêtement en tungstène, est formé dans le sillon 12a de la première couche qui est formée sur la lame de SiO2 il par dépôt oblique 13a. Un revêtement l4b, définissant un motif, constitué par la seconde couche de revêtement de tungstène, est formé dans le sillon 12b de la seconde couche qui est formée sur le SiO2 par dépôt oblique 13b. On peut ainsi former un motif pour rayons X de forme matricielle, et le motif de masque de la première couche et le motif de masque de la seconde couche sont croisés pour l'irradiation par les rayons X parallèles 15, dans une direction
perpendiculaire à la surface du masque précité.
Dans le mode de réalisation ci-dessus, on explique que le masque de la première couche et le masque de la seconde couche sont formés sur une seule et même lame. On peut cependant également atteindre le but de l'invention en réalisant séparément et en-appliquant l'un sur l'autre le masque de la première couche et le masque de la seconde couche, et en réunissant les masques en un seul ensemble. De plus, dans le mode de réalisation ci-dessus, on explique que le masque de la première couche et le masque de la seconde couche sont réalisés de façon à former un seul ensemble. Cependant, on peut également fabriquer séparément le masque de la première couche et le masque de la seconde couche et les disposer avec
un intervalle prédéterminé.
Dans le masque pour rayons X fabriqué de la manière indiquée ci-dessus, on dispose de plus de liberté pour former le motif du masque pour rayons X et on peut réaliser un motif subminiature. Par conséquent, le masque pour rayons X peut être utilisé pour des circuits intégrés complexes, etc. Il va de soi que de nombreuses modifications peuvent être apportées au dispositif décrit et représenté, sans sortir
du cadre de l'invention.
Claims (1)
- REVENDICATIONMasque destiné à l'exposition par des rayons X qui forme un motif de matière absorbant les rayons X sur une lame mince, caractérisé en ce qu'il comporte des première et seconde couches de formation de motif qui ont un pouvoir d'absorption des rayons X.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55162395A JPS6057217B2 (ja) | 1980-11-18 | 1980-11-18 | Ｘ線露光用マスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2494461A1 true FR2494461A1 (fr) | 1982-05-21 |
| FR2494461B1 FR2494461B1 (fr) | 1988-06-10 |
Family
ID=15753767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR8120315A Expired FR2494461B1 (fr) | 1980-11-18 | 1981-10-29 | Masque pour rayons x |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4401738A (fr) |
| JP (1) | JPS6057217B2 (fr) |
| DE (1) | DE3145211A1 (fr) |
| FR (1) | FR2494461B1 (fr) |
| GB (1) | GB2088085B (fr) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3245868A1 (de) * | 1982-12-11 | 1984-06-14 | EUROSIL electronic GmbH, 8057 Eching | Thermisch unempfindliche bestrahlungsmaske fuer roentgenlithographie und verfahren zur herstellung derartiger masken |
| CA1270934C (fr) * | 1985-03-20 | 1990-06-26 | Masques a modulation de phase spatiale et methodes de fabrication de ces masques et de reseaux de diffraction a dephasage | |
| DE3529966C1 (de) * | 1985-08-22 | 1987-01-15 | Kernforschungsz Karlsruhe | Verfahren zur Herstellung von Masken fuer die Roentgentiefenlithographie |
| CA1313792C (fr) * | 1986-02-28 | 1993-02-23 | Junji Hirokane | Methode de fabrication de photomasques et photomasque fabrique selon cette methode |
| US5020083A (en) * | 1989-04-21 | 1991-05-28 | Lepton Inc. | X-ray masks, their fabrication and use |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
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- 1980-11-18 JP JP55162395A patent/JPS6057217B2/ja not_active Expired
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- 1981-10-29 FR FR8120315A patent/FR2494461B1/fr not_active Expired
- 1981-11-13 DE DE19813145211 patent/DE3145211A1/de not_active Ceased
- 1981-11-16 US US06/321,997 patent/US4401738A/en not_active Expired - Lifetime
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| Title |
|---|
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4401738A (en) | 1983-08-30 |
| GB2088085B (en) | 1984-07-18 |
| GB2088085A (en) | 1982-06-03 |
| FR2494461B1 (fr) | 1988-06-10 |
| JPS5785237A (en) | 1982-05-27 |
| DE3145211A1 (de) | 1982-07-01 |
| JPS6057217B2 (ja) | 1985-12-13 |
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