KR960024681A - 감광막 노광 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 웨이퍼 상부에 도포된 감광막(2,4)의 노광 방법에 있어서, 상기 감광막(2,4) 두께중 적어도 2지점 (A,B 또는 C,D)에 최적촛점을 차례로 변경·설정하며, 각 지점마다 전체 노광시간 중 일부시간 동안 노광시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하여, 촛점심도를 향상시키고, 이에 따라 제조 수율을 향상시키는 특유의 효과가 있는 감광막 노광 방법에 관한 것이다.

Description

감광막 노광 방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제2도는 본 발명의 일실시예에 따른 노광시 웨이퍼의 단면도, 제3도는 본 발명의 다른 실시예에 따른 노광시 웨이퍼의 단면도.

Claims (7)

1. 웨이퍼 상부에 도포된 감광막 노광 방법에 있어서, 상기 감광막 두께중 적어도 2지점에 최적촛점을 차례로 변경·설정하며, 각 지점마다 전체 노광시간 중 일부시간 동안 노광시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 감광막 노광 방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 감광막 두께중 어느 한 지점의 최적촛점은, 전체 감광막 두께중 그 표면으로부터 1/4 두께 내부에 설정되는 것을 특징으로 하는 감광막 노광 방법.
3. 제2항에 있어서, 상기 감광막 두께중 어느 한 지점의 노광은, 전체 노광시간 중 반 시간동안 실시하는 것을 특징으로 하는 감광막 노광 방법.
4. 제2항에 있어서, 상기 감광막 두께중 다른 어느 한 지점의 최적촛점은, 전체 감광막 두께중 그 표면으로부터 3/4 두께 내부에 설정되는 것을 특징으로 하는 감광막 노광 방법.
5. 제1항에 있어서, 상기 감광막의 하부층이 반사도가 큰 경우 상기 감광막 두께중 어느 한 지점의 최적촛점은, 전체 감광막 두께중 그 표면에 설정되는 것을 특징으로 하는 감광막 노광 방법.
6. 제5항에 있어서, 상기 감광막의 하부층이 반사도가 큰 경우 상기 감광막 두께중 다른 어느 한 지점의 최적촛점은, 전체 감광막 두께중 그 바닥에 설정되는 것을 특징으로 하는 감광막 노광 방법.
7. 제1항에 있어서, 상기 최적촛점 지점은, 웨이퍼의 위치를 상·하로 이동시키면서 변경시키는 것을 특징으로 하는 감광막 노광 방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.