KR970071145A - 포토마스크 및 이를 이용한 노광 방법 - Google Patents

포토마스크 및 이를 이용한 노광 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR970071145A
KR970071145A KR1019960012488A KR19960012488A KR970071145A KR 970071145 A KR970071145 A KR 970071145A KR 1019960012488 A KR1019960012488 A KR 1019960012488A KR 19960012488 A KR19960012488 A KR 19960012488A KR 970071145 A KR970071145 A KR 970071145A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
photomask
planes
exposure
photomask substrate
same
Prior art date
Application number
KR1019960012488A
Other languages
English (en)
Inventor
이동선
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김광호, 삼성전자 주식회사 filed Critical 김광호
Priority to KR1019960012488A priority Critical patent/KR970071145A/ko
Publication of KR970071145A publication Critical patent/KR970071145A/ko

Links

Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

본 발명은 포토마스크 및 이를 이용한 노광 방법에 관한 것으로, 본 발명에 의한 포토마스크에서 투명한 포토마스크 기판은 크롬막이 형성된 쪽의 표면에서 각각 두께가 서로 다른 복수의 평면을 포함한다. 이와 같이 구성된 본 발명에 의한 포토마스크를 사용하여 포토리그래피 공정에서 노광을 행하는 경우에는, 1회의 노광으로 서로 다른 포커스 오프셋을 가지는 패턴을 형성하는 것이 가능하다.

Description

포토마스크 및 이를 이용한 노광 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에 따른 포토마스크를 개략적으로 도시한 것이다, 제5도는 본 발명의 방법에 의해 노광을 행하는 방법을 설명하는 도면이다, 제6도는 본 발명의 방법에 의해 노광을 행한 결과를 도시한 도면이다.

Claims (3)

  1. 투명한 포토마스크 기판과, 상기 포토마스크 기판상에 차광 영역과 한정하기 위하여 소정 패턴으로 형성된 크롬막을 포함하는 포토마스크에 있어서, 상기 포토마스크 기판은 상기 크롬막이 형성된 쪽의 표면에서 각각 두께가 서로 다른 복수의 평면을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  2. 제1항에 있어서, 상기 포토마스크 기판상의 각 평면중 연속되는 2개의 평면 사이의 두께차는 각 평면이 배치된 위치에서 원하는 포커스 오프셋 차이에 따른 웨이퍼로부터 포토마스크까지의 거리차의 정수배에 해당하는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  3. 소정의 패턴이 형성된 포토마스크를 사용하여 웨이퍼상에 서로 다른 포커스 오프셋으로 노광시키는 포토리소그래피 공정의 노광 방법에 있어서, 상기 노광에 사용되는 포토마스크는 소정의 패턴이 형성된 쪽의 표면에서 각각 두께가 서로 다른 복수의 평면을 포함하는 포토마스크 기판을 포함하는 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960012488A 1996-04-24 1996-04-24 포토마스크 및 이를 이용한 노광 방법 KR970071145A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960012488A KR970071145A (ko) 1996-04-24 1996-04-24 포토마스크 및 이를 이용한 노광 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960012488A KR970071145A (ko) 1996-04-24 1996-04-24 포토마스크 및 이를 이용한 노광 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR970071145A true KR970071145A (ko) 1997-11-07

Family

ID=66216968

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960012488A KR970071145A (ko) 1996-04-24 1996-04-24 포토마스크 및 이를 이용한 노광 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR970071145A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950006541A (ko) 감소형 투영 프린팅 장치에 사용되는 공간 필터
KR960032090A (ko) 패턴 형성 방법
KR910019132A (ko) 영상 노출 시스템 및 방법
KR960032099A (ko) 투영 광학 시스템 및 그 투영 광학 시스템을 갖는 투영 노광 장치
JPH03252659A (ja) フォトマスク及びその製造方法
KR910008486A (ko) 노광마스크
KR980003804A (ko) 해프톤 위상반전 마스크
KR940012496A (ko) 위상쉬프트 포토마스크
KR970071145A (ko) 포토마스크 및 이를 이용한 노광 방법
KR960005756A (ko) 반도체 소자 제조용 포토 마스크 제작 방법
KR970072003A (ko) 모의 패턴을 갖는 레티클
KR970012016A (ko) 2차 이상의 노광에 의한 포토레지스트 패턴 형성방법
KR950019909A (ko) 포토마스크 및 포토마스크 블랭크
KR970016789A (ko) 위상반전 마스크 및 그 제조방법
KR960035153A (ko) 투영 노광 방법, 이에 사용되는 마스크
KR980005324A (ko) 위상반전 마스크 및 그 제조방법
KR970016762A (ko) 하프-톤 위상 반전 마스크 제작 방법
KR980003882A (ko) 위상반전 마스크 제조방법
KR970007485A (ko) 하프톤막이 구비된 위상반전 마스크의 제조방법
KR980003802A (ko) 반도체 소자 제조용 마스크
KR950021041A (ko) 변형 미해상 회절마스크 구조 및 제작방법
KR960024679A (ko) 노광촛점 검사용 마스크
KR950003914A (ko) 반도체 제조용 위상반전 마스크 제조방법
KR930010653A (ko) 고효율의 홀로그래픽 광학소자 제조방법
KR960029912A (ko) 정렬방법 및 이 정렬방법에 사용되는 노광장치

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination