KR970060606A - 반도체소자의 미러면 코팅방법 - Google Patents

반도체소자의 미러면 코팅방법 Download PDF

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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers

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Abstract

본 발명은 반도체소자의 미러면 코팅방법에 관한 것으로, 레이저 다이오드의 금속면에 미러 코팅물질이 코팅되지 않도록 하므로써 레이저 다이오드의 연결은 물론 열특성을 개선할 수 있도록 한 것이다.
본 발명에 따른 반도체소자의 미러면 코팅방법은 상, 하 양면에 감광막이 도포된 반도체 웨이퍼를 준비하는 단계; 상기 반도체 웨이퍼를 복수개의 레이저 다이오드 바아들로 나누는 단계; 상기 복수개의 레이저 다이오드 바아들과 함께 제1 및 제2스페이서와, 상기 제1 및 제2스페이서를 포함한 상기 복수개의 레이저 다이오드 바아를 고정시켜 주기 위한 지그를 준비하는 단계; 상기 지그내부에 상기 제1스페이서와 제2스페이서 및 상기 복수개의 레이저 다이오드 바아들을 각각 적층하여 고정시키는 단계; 상기 복수개의 레이저 다이오드 바아들 각각의 양쪽 미러면에 미러코팅 물질을 코팅하는 단계; 상기 지그내에서 상기 복수개의 레이저 다이오드 바아들을 분리하여 이들 각 상,하면에 남아 있는 감광막을 제거하는 단계를 포함하여 이루어진다.

Description

반도체 소자의 미러면 코팅방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a~2f도는 본 발명에 따른 반도체소자의 미러면 코팅처리 공정도.

Claims (1)

  1. 상,하 양면에 감광막이 도포된 반도체 웨이퍼를 준비하는 단계; 상기 반도체 웨이퍼를 복수개의 레이저 다이오드 바아들로 나누는 단계; 상기 복수개의 레이저 다이오드 바아들과 함께 제1 및 제2스페이서와, 상기 제1 및 제2스페이서를 포함한 상기 복수개의 레이저 다이오드 바아를 고정시켜 주기 위한 지그를 준비하는 단계; 상기 지그내부에 상기 제1스페이서와 제2스페이서 및 상기 복수개의 레이저 다이오드 바아들을 각각 적층하여 고정시키는 단계; 상기 복수개의 레이저 다이오드 바아들 각각의 양쪽 미러면에 미러코팅 물질을 코팅하는 단계; 상기 지그내에서 상기 복수개의 레이저 다이오드 바아들을 분리하여 이들 각 상,하면에 남아 있는 감광막을 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 미러면 코팅방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040041259A (ko) * 2002-11-09 2004-05-17 엘지전자 주식회사 반도체 레이저 다이오드 칩바의 벽개면에 반사막을증착하는 방법
KR100556451B1 (ko) * 1998-07-02 2006-04-21 엘지전자 주식회사 레이저 다이오드의 반사막 제조방법

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KR20040041259A (ko) * 2002-11-09 2004-05-17 엘지전자 주식회사 반도체 레이저 다이오드 칩바의 벽개면에 반사막을증착하는 방법

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