KR20040041259A - 반도체 레이저 다이오드 칩바의 벽개면에 반사막을증착하는 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 레이저 다이오드 칩바의 벽개면에 반사막을 증착하는 방법에 관한 것으로, 반도체 레이저 다이오드 칩바 표면에 GaAs와 같은 1차 스페이서로 밀착하여 보호하고, Si과 같은 2차 스페이서를 상기 1차 스페이서의 상부에 적층시켜 강도를 보완하여 칩바의 탈락을 방지함으로써, 미러 벽개면에 반사막을 증착하기가 용이하고, 증착된 반사막의 특성 및 소자특성 저하를 방지할 수 있는 효과가 발생한다.

Description

반도체 레이저 다이오드 칩바의 벽개면에 반사막을 증착하는 방법{Method for depositing reflection layer on the facet of semiconductor laser diode chip bar}

본 발명은 반도체 레이저 다이오드 칩바의 벽개면에 반사막을 증착하는 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 레이저 다이오드 칩바(Chip bar) 표면에 GaAs와 같은 1차 스페이서(Spacer)로 밀착하여 보호하고, Si과 같은 2차 스페이서를 상기 1차 스페이서의 상부에 적층시켜 강도를 보완하여 칩바의 탈락을 방지함으로써, 미러 벽개면에 반사막을 증착하기가 용이하고, 증착된 반사막의 특성 및 소자특성 저하를 방지할 수 있는 반도체 레이저 다이오드 칩바의 벽개면에 반사막을 증착하는 방법에 관한 것이다.

최근, 반도체 레이저 다이오드는 CD(Compact disk)-RW(Rewritable) 혹은 DVD(Digital Versatile Disk)-RAM(Random Access Memory)등의 대용량 고속 저장장치의 픽업(Pick up)용으로 사용되고 있다.

도 1은 일반적인 반도체 레이저 다이오드 칩바(Chip bar)의 사시도로써, 반도체 레이저 다이오드 칩바(10)는 P-메탈에 전류가 주입되면, 활성층(8)에서는 레이저광을 방출하게 된다.

이러한 반도체 레이저 다이오드 칩바는 프론트(Front) 미러 벽개면(Mirror facet)으로만 레이저광이 방출되도록 구성되며, 이를 위하여, 프론트 벽개면에는 AR(Anti Reflection)막(11)이 코팅되어 있고, 백(Back) 벽개면에는 HR(High Reflection)막(12)이 코팅되어 있다.

상기 AR막(11)은 활성층(8)에서 발생되어, 반도체 레이저 다이오드 칩바의 외부로 방출되는 광을 소자의 내부로 반사되는 것을 방지하기 위한 것이고, 상기 HR막(12)은 활성층(8)에서 발생된 광이 백 벽개면으로 방출하는 것을 방지하고, 전달되는 광을 반사시켜 프론트 벽개면에서만 광이 방출된다.

이러한 AR막과 HR막은 반도체 레이저 다이오드 칩바가 완성된 후에 코팅을 하게 된다.

도 2a 내지 2e는 종래 기술에 따른 반도체 레이저 다이오드 칩바의 미러 벽개면에 반사막을 코팅하기 위한 공정도로써, 먼저, 홈이 형성되어 있고, 그 홈의 일측면이 개방된 코팅용 지그(20)를 준비하고(도 2a), 그 코팅용 지그(20)의 홈에 제 1 스페이서(Spacer)(21)를 장입하고(도 2b), 상기 제 1 스페이서(21)의 상부에 반도체 레이저 다이오드 칩바(22)를 장입한다.(도 2c)

그 후에, 상기 반도체 레이저 다이오드 칩바(22)의 상부에 제 2 스페이서(23)를 장입한다.(도 2d)

여기서, 상기 제 1과 2 스페이서(21,23)는 GaAs 또는 Si으로 이루어진 상기 반도체 레이저 다이오드 칩바(22)의 크기와 동일한 것을 사용한다.

그리고, 상기 반도체 레이저 다이오드 칩바(22)의 반사막 코팅을 위한 미러 벽개면은 상기 코팅용 지그(20)의 개방된 일측면으로 노출된다.

그 후, 상기 제 2 스페이서(23)의 상부에 밀착판(26)을 올려놓고, 상기 제 1과 2 스페이서(21,23)와 반도체 레이저 다이오드 칩바(22)가 밀착되도록, 코팅용 지그(20)에 형성된 나사와 같은 조임부재로 밀착시킨다.(도 2e)

그러나, 이런 종래의 방법에서는 GaAs로 이루어진 스페이서 또는 Si으로 이루어진 스페이서를 각각 1개를 사용함으로, 미러 벽개면에 반사막을 증착하기 위해 반도체 레이저 다이오드 칩바를 적층시키는 과정에서 상기 GaAs로 이루어진 스페이서는 표면 밀착도는 좋으나 강도가 약하여 탈락이 발생하거나 반도체 레이저 다이오드 칩바와의 틈새에 증착물질이 스며드는 문제점을 야기시킨다.

그리고, 상기 Si으로 이루어진 스페이서는 강도가 높아 탈락 발생이 비교적 적으나, 소자 특성이 변하는 등의 불량 요인이 발생하였다.

이에 본 발명은 상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 반도체 레이저 다이오드 칩바 표면에 GaAs와 같은 1차 스페이서로 밀착하여 보호하고, Si과 같은 2차 스페이서를 상기 1차 스페이서의 상부에 적층시켜 강도를 보완하여 칩바의 탈락을 방지함으로써, 미러 벽개면에 반사막을 증착하기가 용이하고, 증착된 반사막의 특성 및 소자특성 저하를 방지할 수 있는 반도체 레이저 다이오드 칩바의 벽개면에 반사막을 증착하는 방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.

상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 바람직한 양태(樣態)는, 코팅용 지그를 이용하여 반도체 레이저 다이오드 칩바의 벽개면에 반사막을 증착하는 방법에 있어서,

상기 코팅용 지그의 홈에 제 1과 2 스페이서(Spacer), 반도체 레이저 다이오드 칩바와 제 3과 4 스페이서를 순차적으로 장입하고, 상기 반도체 레이저 다이오드 칩바 미러 벽개면을 상기 코팅용 지그의 개방된 일측면으로 노출시켜 반사막을 증착하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 칩바의 벽개면에 반사막을 증착하는 방법이 제공된다.

도 1은 일반적인 반도체 레이저 다이오드 칩바(Chip bar)의 사시도이다.

도 2a 내지 2e는 종래 기술에 따른 반도체 레이저 다이오드 칩바의 미러 벽개면에 반사막을 코팅하기 위한 공정도이다.

도 3a 내지 3e는 본 발명에 따른 반도체 레이저 다이오드 칩바의 미러 벽개면에 반사막을 코팅하기 위한 공정도이다.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

8 : 활성층 10,22,123 : 반도체 레이저 다이오드 칩바

11 : AR막 12 : HR막

20,120 : 코팅용 지그

21,23,121,122,124,125 : 스페이서

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하면 다음과 같다.

도 3a 내지 3e는 본 발명에 따른 반도체 레이저 다이오드 칩바의 미러 벽개면에 반사막을 코팅하기 위한 공정도로써, 도 3a에 도시된 바와 같이, 홈이 형성되어 있고, 그 홈의 일측면이 개방된 코팅용 지그(120)의 홈에 제 1과 2 스페이서(Spacer)(121,122)를 순차적으로 장입하고(도 3b), 상기 제 2 스페이서(122)의 상부에 반도체 레이저 다이오드 칩바(123)를 장입한다.(도 3c)

그 후에, 상기 반도체 레이저 다이오드 칩바(123)의 상부에 제 3과 4 스페이서(124,125)를 순차적으로 장입한다.(도 3d)

이 때, 상기 제 1과 4 스페이서(121,125)는 GaAs으로 이루어지며, 상기 제 2와 3 스페이서(122,124)는 Si으로 형성된다.

본 발명에서 종래 기술과 마찬가지로, 상기 반도체 레이저 다이오드 칩바(123)의 반사막 코팅을 위한 미러 벽개면은 상기 코팅용 지그(120)의 개방된 일측면으로 노출된다.

그리고, 상기 제 4 스페이서(125)의 상부에 밀착판(126)을 올려놓고, 상기 제 1 내지 4 스페이서(121,122,124,125)와 반도체 레이저 다이오드 칩바(123)가 밀착되도록, 코팅용 지그(120)에 형성된 나사와 같은 조임부재로 밀착시킨다.(도 3e)

그 후에, 상기 코팅용 지그(120)에 노출된 반도체 레이저 다이오드 칩바(123)의 미러 벽개면에 반사막을 증착한다.

따라서, 본 발명은 매끄럽고 밀착 특성이 좋은 GaAs와 같은 1차 스페이서로 반도체 레이저 다이오드 칩바의 표면을 바깥쪽으로 배치하고, 강도가 높은 Si과 같은 2차 스페이서를 배치함으로써, 반도체 레이저 다이오드 칩바의 벽개면에 반사막을 증착할 때, 증착 물질이 칩바의 표면에 스며들거나 스페이서가 깨져서 칩바가 코팅용 지그에서 탈락될 우려가 없으며, 동시에 칩바의 상부와 하부를 감싼 형태가 되어 안정적으로 반사막을 증착할 수 있는 장점이 있다.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 발명은 반도체 레이저 다이오드 칩바 표면에 GaAs와 같은 1차 스페이서로 밀착하여 보호하고, Si과 같은 2차 스페이서를 상기 1차 스페이서의 상부에 적층시켜 강도를 보완하여 칩바의 탈락을 방지함으로써, 미러 벽개면에 반사막을 증착하기가 용이하고, 증착된 반사막의 특성 및 소자특성 저하를 방지할 수 있는 효과가 발생된다.

본 발명은 구체적인 예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

Claims (2)

1. 코팅용 지그를 이용하여 반도체 레이저 다이오드 칩바의 벽개면에 반사막을 증착하는 방법에 있어서,

   상기 코팅용 지그의 홈에 제 1과 2 스페이서(Spacer), 반도체 레이저 다이오드 칩바와 제 3과 4 스페이서를 순차적으로 장입하고, 상기 반도체 레이저 다이오드 칩바 미러 벽개면을 상기 코팅용 지그의 개방된 일측면으로 노출시켜 반사막을 증착하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 칩바의 벽개면에 반사막을 증착하는 방법.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 제 1과 4 스페이서는 GaAs으로 형성되며,

   상기 제 2와 3 스페이서는 Si으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 칩바의 벽개면에 반사막을 증착하는 방법.