KR970054283A - 고체촬상소자의 제조방법 - Google Patents

고체촬상소자의 제조방법 Download PDF

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KR970054283A
KR970054283A KR1019950048240A KR19950048240A KR970054283A KR 970054283 A KR970054283 A KR 970054283A KR 1019950048240 A KR1019950048240 A KR 1019950048240A KR 19950048240 A KR19950048240 A KR 19950048240A KR 970054283 A KR970054283 A KR 970054283A
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백의현
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문정환
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    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
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Abstract

본 발명은 고체촬상소자에 관한 것으로, 특히, 웨이퍼상에 복수개 형성된 CCD를 패키지화(化)가 가능하게 개별화하는 SAW 공정을 웨이퍼 전면에 수용성 물질을 도포한 후에 실시하여 패키지 어셈블리 공정에서 SAW 공정으로 발생하는 소자의 오염을 줄여 소자의 생산수율 및 특성을 높이는데 적당하도록 한 고체촬상소자의 제조방법에 관한 것이다.

Description

고체촬상소자의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 고체촬상소자의 공정단면도.

Claims (2)

  1. 고체촬상소자의 제조공정에 있어서, 웨이퍼상에 복수개 형성된 CCD를 패키지화(化)가 가능하게 개별화하는 SAW 공정을 웨이퍼 전면에 수용성 물질을 도포한 후에 실시하는 것을 특징으로 하는 고체촬상소자의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 수용성 물질은 감광성 물질이 포함되지 않은 카제인을 사용하는 것을 특징으로 하는 고체촬상소자의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950048240A 1995-12-11 1995-12-11 고체촬상소자의 제조방법 KR0166808B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7144060B2 (en) 2003-11-19 2006-12-05 Hyundai Mobis Co., Ltd. Damper assembly for a glove box

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