KR950009993A - 반도체 소자의 패턴 해상도 향상 방법 - Google Patents
반도체 소자의 패턴 해상도 향상 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 제조공정중 다이결합(die bonding)부위의 경계를 명확히 하기 위한 최종마스크(PIX mask) 공정인 폴리미드막 도포(polyimide coating) 공정에 관한 것으로, 제조완료 된 웨이퍼의 다이결합 부위의 경계를 명확히 하기 위해 폴리미드막(2)을 도포하는 최종마스크(PIX mask) 공정에 있어서, 상기 폴리미드막 상부에 포토레지스트(3)를 도포하는 단계와; 상기 포토레지스트를 노광시켜 현상하는 단계와; 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함하여 이루어짐으로써 폴리미드막에서의 정제파 현상(standing wave)을 방지하여 패턴의 해상도 향상 효과를 도모하는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 최종마스크 공정 단면도.
Claims (2)
- 재료완료된 웨이퍼의 다이결합 부위의 경계를 명확히 하기 위해 폴리미드막(2)을 도포하는 최종마스크(PIX mask) 공정에 있어서, 상기 폴리미드막 상부에 포토레지스트(3)를 도포하는 단계와; 상기 포토레지스트를 노광시켜 현상하는 단계와; 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 패턴 해상도 향상 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 포토레지스트(3)는 솔벤트(solvent), 광감응물질(photo active component), 중합체(polymer)를 포함하는 물질인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 패턴 해상도 향상 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930019545A KR950009993A (ko) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | 반도체 소자의 패턴 해상도 향상 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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| KR1019930019545A KR950009993A (ko) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | 반도체 소자의 패턴 해상도 향상 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950009993A true KR950009993A (ko) | 1995-04-26 |
Family
ID=66824407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930019545A KR950009993A (ko) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | 반도체 소자의 패턴 해상도 향상 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950009993A (ko) |
-
1993
- 1993-09-24 KR KR1019930019545A patent/KR950009993A/ko not_active Application Discontinuation
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