JPH02103920A - パターン形成方法及びパターン形成用マスク - Google Patents
パターン形成方法及びパターン形成用マスクInfo
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- JPH02103920A JPH02103920A JP63277984A JP27798488A JPH02103920A JP H02103920 A JPH02103920 A JP H02103920A JP 63277984 A JP63277984 A JP 63277984A JP 27798488 A JP27798488 A JP 27798488A JP H02103920 A JPH02103920 A JP H02103920A
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- JP
- Japan
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- aerial wiring
- wiring pattern
- pattern
- thickness
- exposure
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- Granted
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
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- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、パターン形成方法及びこの方法に用いるパ
ターン形成用マスクに関し、特に半導体装置の空中配線
パターン形成方法及びパターン形成用マスクに関するも
のである。
ターン形成用マスクに関し、特に半導体装置の空中配線
パターン形成方法及びパターン形成用マスクに関するも
のである。
高速動作をねらった半導体集積回路、例えばＧａＡＳを
基板とした半導体集積回路では、回路内の配線の浮遊容
量をできるだけ小さくするために、空中配線が使われて
いる。
基板とした半導体集積回路では、回路内の配線の浮遊容
量をできるだけ小さくするために、空中配線が使われて
いる。
第４図は光リソグラフィーを用いた従来の空中＾−線パ
ターン形成方法を示す斜視図である。
ターン形成方法を示す斜視図である。
図において、１は半導体基板、２．３は光感応ポジレジ
スト膜により形成されたレジストパターン、４は空中配
線パターンである。
スト膜により形成されたレジストパターン、４は空中配
線パターンである。
まず、半導体基板１上に光感応ポジレジスト膜を形成し
、これを露光し、その後現像することにより第４図（ａ
）に示すような空中配線パターンの空中配線部分のレジ
ストパターン２を形成する。
、これを露光し、その後現像することにより第４図（ａ
）に示すような空中配線パターンの空中配線部分のレジ
ストパターン２を形成する。
次に、半導体基板１上に形成されたレジストパターン２
上にざらに光感応ポジレジスト膜を形成し、これを露光
してその侵、レジストパターン２が現像されない現像液
を用い現像することにより、第４図（ｂ）に示すような
空中配線パターンに対応するレジストパターン３を形成
する。
上にざらに光感応ポジレジスト膜を形成し、これを露光
してその侵、レジストパターン２が現像されない現像液
を用い現像することにより、第４図（ｂ）に示すような
空中配線パターンに対応するレジストパターン３を形成
する。
このようにして形成されたレジストパターン上に金属膜
を形成し、その後光感応ポジレジスト膜を除去するとと
もに空中配線パターン以外の金属膜を除去して第４図（
Ｃ）に示すような、空中配線パターン４を形成する。
を形成し、その後光感応ポジレジスト膜を除去するとと
もに空中配線パターン以外の金属膜を除去して第４図（
Ｃ）に示すような、空中配線パターン４を形成する。
従来の光リソグラフィーを用いたパターン形成方法は以
上のような工程で行なわれ、レジストパターンを形成す
るのに２回の露光工程が必要であり、パターン形成工程
が複雑になるという問題点があった。
上のような工程で行なわれ、レジストパターンを形成す
るのに２回の露光工程が必要であり、パターン形成工程
が複雑になるという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、１回の露光工程により所望の空中配線レジス
トパターンを得ることができるパターン形成方法を提供
することを目的とする。
たもので、１回の露光工程により所望の空中配線レジス
トパターンを得ることができるパターン形成方法を提供
することを目的とする。
この発明に係るパターン形成方法は、半導体装置の空中
配線パターンを露光線吸収体より成る露光線マスクを用
いて形成するパターン形成方法に適用される。まず、半
導体基板上にレジスト膜を形成する。その後、レジスト
膜がポジ型の場合、空中配線パターンに対応しない領域
の露光線吸収体の厚さを最も厚くし、空中配線パターン
に対応する領域のうち空中配線部以外の領域の露光線吸
収体がなく、空中配線パターンに対応する領域のうち空
中配線部に対応する露光線吸収体の厚さが、空中配線パ
ターンに対応しない領域の厚さより薄い露光線マスクを
用いレジスト膜を露光する。
配線パターンを露光線吸収体より成る露光線マスクを用
いて形成するパターン形成方法に適用される。まず、半
導体基板上にレジスト膜を形成する。その後、レジスト
膜がポジ型の場合、空中配線パターンに対応しない領域
の露光線吸収体の厚さを最も厚くし、空中配線パターン
に対応する領域のうち空中配線部以外の領域の露光線吸
収体がなく、空中配線パターンに対応する領域のうち空
中配線部に対応する露光線吸収体の厚さが、空中配線パ
ターンに対応しない領域の厚さより薄い露光線マスクを
用いレジスト膜を露光する。
方、レジスト膜がネガ型の場合、空中配線パターンに対
応しない領域の露光線吸収体がなく、空中配線パターン
に対応する領域のうち空中配線部以外の領域の露光線吸
収体の厚さを最も厚く、空中配線パターンに対応する領
域のうち空中配線部に対応する露光線吸収体の厚さが、
空中配線パターンに対応する領域のうち空中配線部以外
の領域の厚さより薄い露光線マスクを用いてレジスト膜
を露光する。その後、露光線マスクを用い露光されたレ
ジスト膜を現像することにより、空中配線パターンに対
応しない領域のレジスト膜の厚さを最も厚くし、空中配
線パターンに対応する領域のうち空中配線部以外の領域
のレジスト膜を除去し、空中配線パターンに対応する領
域のうち空中配線部に対応するレジスト膜の厚さを前記
空中配線パターンに対応しない領域のレジスト膜の厚さ
よりｉｉ’Ｊ くする。そして、現像されたレジスト股
上に所定材料Ｊ：りなる膜を形成し、次にレジスト膜を
除去するとともに、前記空中配線バタ〜ンに対応しない
領域のレジスト股上の前記膜を除去し、前記空中配線パ
ターンを形成するようにしている。
応しない領域の露光線吸収体がなく、空中配線パターン
に対応する領域のうち空中配線部以外の領域の露光線吸
収体の厚さを最も厚く、空中配線パターンに対応する領
域のうち空中配線部に対応する露光線吸収体の厚さが、
空中配線パターンに対応する領域のうち空中配線部以外
の領域の厚さより薄い露光線マスクを用いてレジスト膜
を露光する。その後、露光線マスクを用い露光されたレ
ジスト膜を現像することにより、空中配線パターンに対
応しない領域のレジスト膜の厚さを最も厚くし、空中配
線パターンに対応する領域のうち空中配線部以外の領域
のレジスト膜を除去し、空中配線パターンに対応する領
域のうち空中配線部に対応するレジスト膜の厚さを前記
空中配線パターンに対応しない領域のレジスト膜の厚さ
よりｉｉ’Ｊ くする。そして、現像されたレジスト股
上に所定材料Ｊ：りなる膜を形成し、次にレジスト膜を
除去するとともに、前記空中配線バタ〜ンに対応しない
領域のレジスト股上の前記膜を除去し、前記空中配線パ
ターンを形成するようにしている。
この発明に係る第１のパターン形成用マスクは、ポジ型
レジスト膜を露光するのに用いられる場合、空中配線パ
ターンに対応しない領域の露光線吸収体の厚さが最も厚
く、空中配線パターンに対応する領域のうち空中配線部
以外の領域には露光線吸収体がなく、空中配線パターン
に対応する領域のうら空中配線部に対応する露光線吸収
体の厚さが空中配線パターンに対応しない領域の厚さよ
り幼くなっている。
レジスト膜を露光するのに用いられる場合、空中配線パ
ターンに対応しない領域の露光線吸収体の厚さが最も厚
く、空中配線パターンに対応する領域のうち空中配線部
以外の領域には露光線吸収体がなく、空中配線パターン
に対応する領域のうら空中配線部に対応する露光線吸収
体の厚さが空中配線パターンに対応しない領域の厚さよ
り幼くなっている。
この発明に係る第２のパターン形成用マスクは、ネガ型
レジスト膜を露光するのに用いられる場合、空中配線パ
ターンに対応しない領域の露光線吸収体がなく、空中配
線パターンに対応する領域のうち空中配線部以外の領域
の露光線吸収体の厚さが最も厚く、空中配線パターンに
対応する領域のうち空中配線部に対応する露光線吸収体
の厚さが、空中配線パターンに対応する領域のうら空中
配線部以外の領域の厚さより薄くなっている。
レジスト膜を露光するのに用いられる場合、空中配線パ
ターンに対応しない領域の露光線吸収体がなく、空中配
線パターンに対応する領域のうち空中配線部以外の領域
の露光線吸収体の厚さが最も厚く、空中配線パターンに
対応する領域のうち空中配線部に対応する露光線吸収体
の厚さが、空中配線パターンに対応する領域のうら空中
配線部以外の領域の厚さより薄くなっている。
（作用）
この発明でのパターン形成用マスクたる露光線マスクの
露光線吸収体の厚さは、露光すべきレジスト膜がポジ型
の場合、空中配線パターンに対応しない領域で最も厚く
、空中配線パターンに対応する領域のうち空中配線部以
外に対応する領域においては存在せず、空中配線パター
ンに対応する領域のうち空中配線部に対応する領域では
空中配線パターンに対応しない領域の厚さより薄くなっ
ている。一方、露光すべきレジスト族がネガ型の場合、
露光線吸収体の厚さは、空中配線パターンに対応しない
領域では存在せず、空中配線パターンに対応する領域の
うち空中配線部以外に対応する領域で最も厚く、空中配
線パターンに対応する領域のうち空中配線部に対応する
領域においては空中配線パターンに対応する領域のうち
空中配線部以外に対応する領域の厚さより薄くなってい
る。
露光線吸収体の厚さは、露光すべきレジスト膜がポジ型
の場合、空中配線パターンに対応しない領域で最も厚く
、空中配線パターンに対応する領域のうち空中配線部以
外に対応する領域においては存在せず、空中配線パター
ンに対応する領域のうち空中配線部に対応する領域では
空中配線パターンに対応しない領域の厚さより薄くなっ
ている。一方、露光すべきレジスト族がネガ型の場合、
露光線吸収体の厚さは、空中配線パターンに対応しない
領域では存在せず、空中配線パターンに対応する領域の
うち空中配線部以外に対応する領域で最も厚く、空中配
線パターンに対応する領域のうち空中配線部に対応する
領域においては空中配線パターンに対応する領域のうち
空中配線部以外に対応する領域の厚さより薄くなってい
る。
そのため、該露光線マスクを用いると１回の露光で所望
の空中配線レジストパターンを得ることができる。
の空中配線レジストパターンを得ることができる。
第１図はこの発明に係るパターン形成用マスクの一実施
例であるＸ線マスク５を示す図である。
例であるＸ線マスク５を示す図である。
第２図はこの発明に係るパターン形成方法の一実施例を
用いた空中配線パターン形成工程の斜視図である。図に
おいて、５ａはＳｉＮなどより成るＸ線マスク薄膜基板
である。５ｂはＸ線マスク薄膜塁板５ａ上に形成され、
△Ｕ又はＷなどより成るＸ線吸収体である。ａ、ｂの溝
部分が空中配線パターンにあたるＸ線吸収体５ｂのパタ
ーンであり、１ｊｌａにはＸ線吸収体５ｂが全く存在せ
ず、溝すには厚さ約０．３〜０．５μｍのＸ線吸収体５
ｂが存在する。Ｃの部分には溝すのＸ線吸収体５ｂより
厚いＸ線吸収体５ｂ（厚さ約１．０〜１．２μＴｒＬ）
が存在する。
用いた空中配線パターン形成工程の斜視図である。図に
おいて、５ａはＳｉＮなどより成るＸ線マスク薄膜基板
である。５ｂはＸ線マスク薄膜塁板５ａ上に形成され、
△Ｕ又はＷなどより成るＸ線吸収体である。ａ、ｂの溝
部分が空中配線パターンにあたるＸ線吸収体５ｂのパタ
ーンであり、１ｊｌａにはＸ線吸収体５ｂが全く存在せ
ず、溝すには厚さ約０．３〜０．５μｍのＸ線吸収体５
ｂが存在する。Ｃの部分には溝すのＸ線吸収体５ｂより
厚いＸ線吸収体５ｂ（厚さ約１．０〜１．２μＴｒＬ）
が存在する。
次に、このＸ線マスク５を用いた空中配線パターン形成
方法について第２図、第３図を用いて説明する。まず、
第２図（ａ）のように半導体基板１上全面にＸ線感応ポ
ジレジスト膜６（厚さ約１〜２μ′ｒｒＬ）を形成する
。次に、Ｘ線マスク５を用いてポジレジスト膜６を露光
線としてＸ線を用い露光する。この場合、例えばＸ線吸
収体５ｂの厚さが第３図（ａ）のようであれば、Ｘ線感
応ポジレジスト膜６のＸ線吸収分布は第３図（ｂ）（Ｄ
ｌ＞Ｄ２〉Ｄ３）のようになる。そして、Ｘ線感応ポジ
レジスト膜６を現像すると、第３図（Ｃ）に示すように
Ｘ線吸収分布に応じたレジストパターンができる。この
原理に基づきＸ線マスク５を用いてＸ線露光したＸ線感
応ポジレジストＩｌ！Ｊ６を一定の時間で現像すると、
第２図（ｂ）に示すようなレジストパターンが形成され
る。このレジストパターン上に真空蒸着法で金属膜を形
成し、その後、リフトオフ法によりＸ線感応ポジレジス
ト膜６を除去するとともにＸ線感応ポジレジスト膜６上
の金属膜も一緒に除去すると第２図（Ｃ）に示すような
空中配線パターン４が形成される。
方法について第２図、第３図を用いて説明する。まず、
第２図（ａ）のように半導体基板１上全面にＸ線感応ポ
ジレジスト膜６（厚さ約１〜２μ′ｒｒＬ）を形成する
。次に、Ｘ線マスク５を用いてポジレジスト膜６を露光
線としてＸ線を用い露光する。この場合、例えばＸ線吸
収体５ｂの厚さが第３図（ａ）のようであれば、Ｘ線感
応ポジレジスト膜６のＸ線吸収分布は第３図（ｂ）（Ｄ
ｌ＞Ｄ２〉Ｄ３）のようになる。そして、Ｘ線感応ポジ
レジスト膜６を現像すると、第３図（Ｃ）に示すように
Ｘ線吸収分布に応じたレジストパターンができる。この
原理に基づきＸ線マスク５を用いてＸ線露光したＸ線感
応ポジレジストＩｌ！Ｊ６を一定の時間で現像すると、
第２図（ｂ）に示すようなレジストパターンが形成され
る。このレジストパターン上に真空蒸着法で金属膜を形
成し、その後、リフトオフ法によりＸ線感応ポジレジス
ト膜６を除去するとともにＸ線感応ポジレジスト膜６上
の金属膜も一緒に除去すると第２図（Ｃ）に示すような
空中配線パターン４が形成される。
以上のように、１回の露光工程により所望の空中配線パ
ターン４を（ｑることかできる。
ターン４を（ｑることかできる。
なお、上記実施例ではＸ線感応ポジレジスト膜６を用い
た場合について説明したが、Ｘ線感応ネガレジスト膜を
用いても上記実施例と同様の効果が［７られる。この場
合、Ｘ線マスク５のＸ線吸収体５ｂの厚さを空中配線領
域に対応する部分を基準として反転させる必要がある。
た場合について説明したが、Ｘ線感応ネガレジスト膜を
用いても上記実施例と同様の効果が［７られる。この場
合、Ｘ線マスク５のＸ線吸収体５ｂの厚さを空中配線領
域に対応する部分を基準として反転させる必要がある。
つまり、空中配線パターン４に対応しない領域のＸ線吸
収体５ｂをなくし、空中配線パターン４に対応する領域
のうち空中配線部以外の領域のＸ線吸収体５ｂの厚さを
最も厚くし、空中配線パターン４に対応する領域のうち
空調配線部に対応するＸ線吸収体５ｂの厚さを空中配線
パターン４に対応する領域のうち空中配線部以外の領域
の厚さよりも簿くする必要がある。
収体５ｂをなくし、空中配線パターン４に対応する領域
のうち空中配線部以外の領域のＸ線吸収体５ｂの厚さを
最も厚くし、空中配線パターン４に対応する領域のうち
空調配線部に対応するＸ線吸収体５ｂの厚さを空中配線
パターン４に対応する領域のうち空中配線部以外の領域
の厚さよりも簿くする必要がある。
また、上記実施例では露光線としてＸ線を用いた場合に
ついて説明したが、その他の露光線、たとえば光あるい
は電子線等を用いても上記実施例と同様の効果が得られ
る。ただし、この場合、露光線に応じたレジスミ−膜及
び露光線に応じた露光線吸収体より成る露光線マスクを
用いる必要がある。
ついて説明したが、その他の露光線、たとえば光あるい
は電子線等を用いても上記実施例と同様の効果が得られ
る。ただし、この場合、露光線に応じたレジスミ−膜及
び露光線に応じた露光線吸収体より成る露光線マスクを
用いる必要がある。
以上のように、この発明によれば、レジスト膜がポジ型
の場合に、空中配線パターンに対応しない領域の露光線
吸収体の厚さを最も厚くし、空中配線パターンに対応す
る領域のうち空中配線部以外に対応する領域の露光線吸
収体をなくし、空中配線パターンに対応する領域のうち
空中配線部に対応する露光線吸収体の厚さを空中配線パ
ターンに対応しない領域の厚さより薄クシたパターン形
成用マスクを用い、また、レジスト膜がネガ型の場合、
空中配線パターンに対応しない領域では露光線吸収体が
存在せず、空中配線パターンに対応する領域のうち空中
配線部以外に対応する領域の露光線吸収体の９さを最も
厚くし、空中配線パターンに対応する領域のうち空中配
線部に対応する領域の露光線吸収体の厚さを空中配線パ
ターンに対応する領域のうち空中配線部以外に対応する
領域の厚さより薄いパターン形成用マスクを用いて１回
の露光で所望の空中配線レジストパターンを得ることが
できるので、従来のように２回の露光工程を設ける必要
がなく、空中配線パターンを形成する工程が簡単になる
という効果がある。
の場合に、空中配線パターンに対応しない領域の露光線
吸収体の厚さを最も厚くし、空中配線パターンに対応す
る領域のうち空中配線部以外に対応する領域の露光線吸
収体をなくし、空中配線パターンに対応する領域のうち
空中配線部に対応する露光線吸収体の厚さを空中配線パ
ターンに対応しない領域の厚さより薄クシたパターン形
成用マスクを用い、また、レジスト膜がネガ型の場合、
空中配線パターンに対応しない領域では露光線吸収体が
存在せず、空中配線パターンに対応する領域のうち空中
配線部以外に対応する領域の露光線吸収体の９さを最も
厚くし、空中配線パターンに対応する領域のうち空中配
線部に対応する領域の露光線吸収体の厚さを空中配線パ
ターンに対応する領域のうち空中配線部以外に対応する
領域の厚さより薄いパターン形成用マスクを用いて１回
の露光で所望の空中配線レジストパターンを得ることが
できるので、従来のように２回の露光工程を設ける必要
がなく、空中配線パターンを形成する工程が簡単になる
という効果がある。
第１図はこの発明に係るパターン形成用マスクの一構成
例を示す図、第２図はこの発明に係るパターン形成方法
の一実施例を示す工程図、第３図はＸ線マスクを用いて
レジストパターンを形成する場合の原理図、第４図は従
来のパターン形成方法を示す工程図である。 図において、１は半導体基板、４は空中配線パターン、
５ ｔ、ｔ Ｘ線マスク、５ｂはＸＩＱ吸収体、６はＸ
線感応ポジレジスト膜である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
例を示す図、第２図はこの発明に係るパターン形成方法
の一実施例を示す工程図、第３図はＸ線マスクを用いて
レジストパターンを形成する場合の原理図、第４図は従
来のパターン形成方法を示す工程図である。 図において、１は半導体基板、４は空中配線パターン、
５ ｔ、ｔ Ｘ線マスク、５ｂはＸＩＱ吸収体、６はＸ
線感応ポジレジスト膜である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (3)
- （１）半導体装置の空中配線パターンを露光線吸収体よ
り成る露光線マスクを用いて形成するパターン形成方法
であって、 半導体基板上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジ
スト膜がポジ型の場合、前記空中配線パターンに対応し
ない領域の前記露光線吸収体の厚さを最も厚くし、前記
空中配線パターンに対応する領域のうち空中配線部以外
の領域の前記露光線吸収体がなく、前記空中配線パター
ンに対応する領域のうち前記空中配線部に対応する前記
露光線吸収体の厚さが、前記空中配線パターンに対応し
ない領域の厚さより薄い前記露光線マスクを用い、また
前記レジスト膜がネガ型の場合、前記空中配線パターン
に対応しない領域の前記露光線吸収体がなく、前記空中
配線パターンに対応する領域のうち前記空中配線部以外
の領域の前記露光線吸収体の厚さを最も厚くし、前記空
中配線パターンに対応する領域のうち前記空中配線部に
対応する前記露光線吸収体の厚さが、前記空中配線パタ
ーンに対応する領域のうち前記空中配線部以外の領域の
厚さより薄い前記露光線マスクを用いて前記レジスト膜
を露光する工程と、 前記露光線マスクを用い露光された前記レジスト膜を現
像することにより、前記空中配線パターンに対応しない
領域の前記レジスト膜の厚さを最も厚くし、前記空中配
線パターンに対応する領域のうち前記空中配線部以外の
領域の前記レジスト膜を除去し、前記空中配線パターン
に対応する領域のうち前記空中配線部に対応する前記レ
ジスト膜の厚さを前記空中配線パターンに対応しない領
域の前記レジスト膜の厚さより薄くする工程と、現像さ
れた前記レジスト膜上に所定材料よりなる膜を形成する
工程と、 前記レジスト膜を除去するとともに、前記空中配線パタ
ーンに対応しない領域の前記レジスト膜上の前記膜を除
去し、前記空中配線パターンを形成する工程とを備えた
パターン形成方法。 - （２）半導体装置の空中配線パターン形成時にポジ型レ
ジスト膜を露光するのに用いられる露光線吸収体より成
るパターン形成用マスクであつて、前記空中配線パター
ンに対応しない領域の前記露光線吸収体の厚さを最も厚
くし、前記空中配線パターンに対応する領域のうち空中
配線部以外の領域の前記露光線吸収体がなく、前記空中
配線パターンに対応する領域のうら前記空中配線部に対
応する前記露光線吸収体の厚さが、前記空中配線パター
ンに対応しない領域の厚さより薄いことを特徴とするパ
ターン形成用マスク。 - （３）半導体装置の空中配線パターン形成時にネガ型レ
ジスト膜を露光するのに用いられる露光線吸収体より成
るパターン形成用マスクであつて、前記空中配線パター
ンに対応しない領域の前記露光線吸収体がなく、前記空
中配線パターンに対応する領域のうち空中配線部以外の
領域の前記露光線吸収体の厚さを最も厚くし、前記空中
配線パターンに対応する領域のうち前記空中配線部に対
応する前記露光線吸収体の厚さが、前記空中配線パター
ンに対応する領域のうち前記空中配線部以外の領域の厚
さより薄いことを特徴とするパターン形成用マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27798488A JPH0682760B2 (ja) | 1988-06-10 | 1988-11-01 | パターン形成方法及びパターン形成用マスク |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14432688 | 1988-06-10 | ||
| JP63-144326 | 1988-06-10 | ||
| JP27798488A JPH0682760B2 (ja) | 1988-06-10 | 1988-11-01 | パターン形成方法及びパターン形成用マスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02103920A true JPH02103920A (ja) | 1990-04-17 |
| JPH0682760B2 JPH0682760B2 (ja) | 1994-10-19 |
Family
ID=26475764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27798488A Expired - Fee Related JPH0682760B2 (ja) | 1988-06-10 | 1988-11-01 | パターン形成方法及びパターン形成用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0682760B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0773360A1 (en) | 1995-11-02 | 1997-05-14 | TAG Co. LTD. | An exhaust gas purification system for a combustion apparatus |
-
1988
- 1988-11-01 JP JP27798488A patent/JPH0682760B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0773360A1 (en) | 1995-11-02 | 1997-05-14 | TAG Co. LTD. | An exhaust gas purification system for a combustion apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0682760B2 (ja) | 1994-10-19 |
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