JPH0682760B2 - パターン形成方法及びパターン形成用マスク - Google Patents
パターン形成方法及びパターン形成用マスクInfo
- Publication number
- JPH0682760B2 JPH0682760B2 JP27798488A JP27798488A JPH0682760B2 JP H0682760 B2 JPH0682760 B2 JP H0682760B2 JP 27798488 A JP27798488 A JP 27798488A JP 27798488 A JP27798488 A JP 27798488A JP H0682760 B2 JPH0682760 B2 JP H0682760B2
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- JP
- Japan
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- aerial wiring
- wiring pattern
- region
- pattern
- resist film
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、パターン形成方法及びこの方法に用いるパ
ターン形成用マスクに関し、特に半導体装置の空中配線
パターン形成方法及びパターン形成用マスクに関するも
のである。
ターン形成用マスクに関し、特に半導体装置の空中配線
パターン形成方法及びパターン形成用マスクに関するも
のである。
高速動作をねらった半導体集積回路、例えばGaAsを基板
とした半導体集積回路では、回路内の配線の浮遊容量を
できるだけ小さくするために、空中配線が使われてい
る。
とした半導体集積回路では、回路内の配線の浮遊容量を
できるだけ小さくするために、空中配線が使われてい
る。
第４図は光リソグラフィーを用いた従来の空中配線パタ
ーン形成方法を示す斜視図である。
ーン形成方法を示す斜視図である。
図において、１は半導体基板、2,3は光感応ポジレジス
ト膜により形成されたレジストパターン、４は空中配線
パターンである。
ト膜により形成されたレジストパターン、４は空中配線
パターンである。
まず、半導体基板１上に光感応ポジレジスト膜を形成
し、これを露光し、その後現像することにより第４図
（ａ）に示すような空中配線パターンの空中配線部分の
レジストパターン２を形成する。
し、これを露光し、その後現像することにより第４図
（ａ）に示すような空中配線パターンの空中配線部分の
レジストパターン２を形成する。
次に、半導体基板１上に形成されたレジストパターン２
上にさらに光感応ポジレジスト膜を形成し、これを露光
してその後、レジストパターン２が現像されない現像液
を用い現像することにより、第４図（ｂ）に示すような
空中配線パターンに対応するレジストパターン３を形成
する。
上にさらに光感応ポジレジスト膜を形成し、これを露光
してその後、レジストパターン２が現像されない現像液
を用い現像することにより、第４図（ｂ）に示すような
空中配線パターンに対応するレジストパターン３を形成
する。
このようにして形成されたレジストパターン上に金属膜
を形成し、その後光感応ポジレジスト膜を除去するとと
もに空中配線パターン以外の金属膜を除去して第４図
（ｃ）に示すような、空中配線パターン４を形成する。
を形成し、その後光感応ポジレジスト膜を除去するとと
もに空中配線パターン以外の金属膜を除去して第４図
（ｃ）に示すような、空中配線パターン４を形成する。
従来の光リソグラフィーを用いたパターン形成方法は以
上のような工程で行なわれ、レジストパターンを形成す
るのに２回の露光工程が必要であり、パターン形成工程
が複雑になるという問題点があった。
上のような工程で行なわれ、レジストパターンを形成す
るのに２回の露光工程が必要であり、パターン形成工程
が複雑になるという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、１回の露光工程により所望の空中配線レジス
トパターンを得ることができるパターン形成方法を提供
することを目的とする。
たもので、１回の露光工程により所望の空中配線レジス
トパターンを得ることができるパターン形成方法を提供
することを目的とする。
この発明に係るパターン形成方法は、半導体装置の空中
配線パターンを露光線吸収体より成る露光線マスクを用
いて形成するパターン形成方法に適用される。まず、半
導体基板上にレジスト膜を形成する。その後、レジスト
膜がポジ型の場合、空中配線パターンに対応しない領域
の露光線吸収体の厚さを最も厚くし、空中配線パターン
に対応する領域のうち空中配線部以外の領域の露光線吸
収体がなく、空中配線パターンに対応する領域のうち空
中配線部に対応する露光線吸収体の厚さが、空中配線パ
ターンに対応しない領域の厚さより薄い露光線マスクを
用いレジスト膜を露光する。一方、レジスト膜がネガ型
の場合、空中配線パターンに対応しない領域の露光線吸
収体がなく、空中配線パターンに対応する領域のうち空
中配線部以外の領域の露光線吸収体の厚さを最も厚く、
空中配線パターンに対応する領域のうち空中配線部に対
応する露光線吸収体の厚さが、空中配線パターンに対応
する領域のうち空中配線部以外の領域の厚さより薄い露
光線マスクを用いてレジスト膜を露光する。その後、露
光線マスクを用い露光されたレジスト膜を現像すること
により、空中配線パターンに対応しない領域のレジスト
膜の厚さを最も厚くし、空中配線パターンに対応する領
域のうち空中配線部以外の領域のレジスト膜を除去し、
空中配線パターンに対応する領域のうち空中配線部に対
応するレジスト膜の厚さを前記空中配線パターンに対応
しない領域のレジスト膜の厚さより薄くする。そして、
現像されたレジスト膜上に所定材料よりなる膜を形成
し、次にレジスト膜を除去するとともに、前記空中配線
パターンに対応しない領域のレジスト膜上の前記膜を除
去し、前記空中配線パターンを形成するようにしてい
る。
配線パターンを露光線吸収体より成る露光線マスクを用
いて形成するパターン形成方法に適用される。まず、半
導体基板上にレジスト膜を形成する。その後、レジスト
膜がポジ型の場合、空中配線パターンに対応しない領域
の露光線吸収体の厚さを最も厚くし、空中配線パターン
に対応する領域のうち空中配線部以外の領域の露光線吸
収体がなく、空中配線パターンに対応する領域のうち空
中配線部に対応する露光線吸収体の厚さが、空中配線パ
ターンに対応しない領域の厚さより薄い露光線マスクを
用いレジスト膜を露光する。一方、レジスト膜がネガ型
の場合、空中配線パターンに対応しない領域の露光線吸
収体がなく、空中配線パターンに対応する領域のうち空
中配線部以外の領域の露光線吸収体の厚さを最も厚く、
空中配線パターンに対応する領域のうち空中配線部に対
応する露光線吸収体の厚さが、空中配線パターンに対応
する領域のうち空中配線部以外の領域の厚さより薄い露
光線マスクを用いてレジスト膜を露光する。その後、露
光線マスクを用い露光されたレジスト膜を現像すること
により、空中配線パターンに対応しない領域のレジスト
膜の厚さを最も厚くし、空中配線パターンに対応する領
域のうち空中配線部以外の領域のレジスト膜を除去し、
空中配線パターンに対応する領域のうち空中配線部に対
応するレジスト膜の厚さを前記空中配線パターンに対応
しない領域のレジスト膜の厚さより薄くする。そして、
現像されたレジスト膜上に所定材料よりなる膜を形成
し、次にレジスト膜を除去するとともに、前記空中配線
パターンに対応しない領域のレジスト膜上の前記膜を除
去し、前記空中配線パターンを形成するようにしてい
る。
この発明に係る第１のパターン形成用マスクは、ポジ型
レジスト膜を露光するのに用いられる場合、空中配線パ
ターンに対応しない領域の露光線吸収体の厚さが最も厚
く、空中配線パターンに対応する領域のうち空中配線部
以外の領域には露光線吸収体がなく、空中配線パターン
に対応する領域のうち空中配線部に対応する露光線吸収
体の厚さが空中配線パターンに対応しない領域の厚さよ
り薄くなっている。
レジスト膜を露光するのに用いられる場合、空中配線パ
ターンに対応しない領域の露光線吸収体の厚さが最も厚
く、空中配線パターンに対応する領域のうち空中配線部
以外の領域には露光線吸収体がなく、空中配線パターン
に対応する領域のうち空中配線部に対応する露光線吸収
体の厚さが空中配線パターンに対応しない領域の厚さよ
り薄くなっている。
この発明に係る第２のパターン形成用マスクは、ネガ型
レジスト膜を露光するのに用いられる場合、空中配線パ
ターンに対応しな領域の露光線吸収体がなく、空中配線
パターンに対応する領域のうち空中配線部以外の領域の
露光線吸収体の厚さが最も厚く、空中配線パターンに対
応する領域のうち空中配線部に対応する露光線吸収体の
厚さが、空中配線パターンに対応する領域のうち空中配
線部以外の領域の厚さより薄くなっている。
レジスト膜を露光するのに用いられる場合、空中配線パ
ターンに対応しな領域の露光線吸収体がなく、空中配線
パターンに対応する領域のうち空中配線部以外の領域の
露光線吸収体の厚さが最も厚く、空中配線パターンに対
応する領域のうち空中配線部に対応する露光線吸収体の
厚さが、空中配線パターンに対応する領域のうち空中配
線部以外の領域の厚さより薄くなっている。
この発明でのパターン形成用マスクたる露光線マスクの
露光線吸収体の厚さは、露光すべきレジスト膜がポジ型
の場合、空中配線パターンに対応しない領域で最も厚
く、空中配線パターンに対応する領域のうち空中配線部
以外に対応する領域においては存在せず、空中配線パタ
ーンに対応する領域のうち空中配線部に対応する領域で
は空中配線パターンに対応しない領域の厚さより薄くな
っている。一方、露光すべきレジスト膜がネガ型の場
合、露光線吸収体の厚さは、空中配線パターンに対応し
ない領域では存在せず、空中配線パターンに対応する領
域のうち空中配線部以外に対応する領域で最も厚く、空
中配線パターンに対応する領域のうち空中配線部に対応
する領域においては空中配線パターンに対応する領域の
うち空中配線部以外に対応する領域の厚さより薄くなっ
ている。そのため、該露光線マスクを用いると１回の露
光で所望の空中配線レジストパターンを得ることができ
る。
露光線吸収体の厚さは、露光すべきレジスト膜がポジ型
の場合、空中配線パターンに対応しない領域で最も厚
く、空中配線パターンに対応する領域のうち空中配線部
以外に対応する領域においては存在せず、空中配線パタ
ーンに対応する領域のうち空中配線部に対応する領域で
は空中配線パターンに対応しない領域の厚さより薄くな
っている。一方、露光すべきレジスト膜がネガ型の場
合、露光線吸収体の厚さは、空中配線パターンに対応し
ない領域では存在せず、空中配線パターンに対応する領
域のうち空中配線部以外に対応する領域で最も厚く、空
中配線パターンに対応する領域のうち空中配線部に対応
する領域においては空中配線パターンに対応する領域の
うち空中配線部以外に対応する領域の厚さより薄くなっ
ている。そのため、該露光線マスクを用いると１回の露
光で所望の空中配線レジストパターンを得ることができ
る。
第１図はこの発明に係るパターン形成用マスクの一実施
例であるＸ線マスク５を示す図である。第２図はこの発
明に係るパターン形成方法の一実施例を用いた空中配線
パターン形成工程の斜視図である。図において、5aはSi
Nなどより成るＸ線マスク薄膜基板である。5bはＸ線マ
スク薄膜基板5a上に形成され、Au又はＷなどより成るＸ
線吸収体である。a,bの溝部分が空中配線パターンにあ
たるＸ線吸収体5bのパターンであり、溝ａにはＸ線吸収
体5bが全く存在せず、溝ｂには厚さ約0.3〜0.5μｍのＸ
線吸収体5bが存在する。ｃの部分には溝ｂのＸ線吸収体
5bより厚いＸ線吸収体5b（厚さ約1.0〜1.2μｍ）が存在
する。
例であるＸ線マスク５を示す図である。第２図はこの発
明に係るパターン形成方法の一実施例を用いた空中配線
パターン形成工程の斜視図である。図において、5aはSi
Nなどより成るＸ線マスク薄膜基板である。5bはＸ線マ
スク薄膜基板5a上に形成され、Au又はＷなどより成るＸ
線吸収体である。a,bの溝部分が空中配線パターンにあ
たるＸ線吸収体5bのパターンであり、溝ａにはＸ線吸収
体5bが全く存在せず、溝ｂには厚さ約0.3〜0.5μｍのＸ
線吸収体5bが存在する。ｃの部分には溝ｂのＸ線吸収体
5bより厚いＸ線吸収体5b（厚さ約1.0〜1.2μｍ）が存在
する。
次に、このＸ線マスク５を用いた空中配線パターン形成
方法について第２図，第３図を用いて説明する。まず、
第２図（ａ）のように半導体基板１上全面にＸ線感応ポ
ジレジスト間６（厚さ約１〜２μｍ）を形成する。次
に、Ｘ線マスク５を用いてポジレジスト膜６を露光線と
してＸ線を用い露光する。この場合、例えばＸ線吸収体
5bの厚さが第３図（ａ）のようであれば、Ｘ線感応ポジ
レジスト膜６のＸ線吸収分布は第３図（ｂ）（D1＞D2＞
D3）のようになる。そして、Ｘ線感応ポジレジスト膜６
を現像すると、第３図（ｃ）に示すようにＸ線吸収分布
に応じたレジストパターンができる。この原理に基づき
Ｘ線マスク５を用いてＸ線露光したＸ線感応ポジレジス
ト膜６を一定の時間で現像すると、第２図（ｂ）に示す
ようなレジストパターンが形成される。このレジストパ
ターン上に真空蒸着方で金属膜を形成し、その後、リフ
トオフ方によりＸ線感応ポジレジスト膜６を除去すると
ともにＸ線感応ポジレジスト膜６上の金属膜も一緒に除
去すると第２図（ｃ）に示すような空中配線パターン４
が形成される。
方法について第２図，第３図を用いて説明する。まず、
第２図（ａ）のように半導体基板１上全面にＸ線感応ポ
ジレジスト間６（厚さ約１〜２μｍ）を形成する。次
に、Ｘ線マスク５を用いてポジレジスト膜６を露光線と
してＸ線を用い露光する。この場合、例えばＸ線吸収体
5bの厚さが第３図（ａ）のようであれば、Ｘ線感応ポジ
レジスト膜６のＸ線吸収分布は第３図（ｂ）（D1＞D2＞
D3）のようになる。そして、Ｘ線感応ポジレジスト膜６
を現像すると、第３図（ｃ）に示すようにＸ線吸収分布
に応じたレジストパターンができる。この原理に基づき
Ｘ線マスク５を用いてＸ線露光したＸ線感応ポジレジス
ト膜６を一定の時間で現像すると、第２図（ｂ）に示す
ようなレジストパターンが形成される。このレジストパ
ターン上に真空蒸着方で金属膜を形成し、その後、リフ
トオフ方によりＸ線感応ポジレジスト膜６を除去すると
ともにＸ線感応ポジレジスト膜６上の金属膜も一緒に除
去すると第２図（ｃ）に示すような空中配線パターン４
が形成される。
以上のように、１回の露光工程により所望の空中配線パ
ターン４を得ることができる。
ターン４を得ることができる。
なお、上記実施例ではＸ線感応ポジレジスト膜６を用い
た場合について説明したが、Ｘ線感応ネガレジスト膜を
用いても上記実施例と同様の効果が得られる。この場
合、Ｘ線マスク５のＸ線吸収体5bの厚さを空中配線領域
に対応する部分を基準として反転させる必要がある。つ
まり、空中配線パターン４に対応しない領域のＸ線吸収
体5bをなくし、空中配線パターン４に対応する領域のう
ち空中配線部以外の領域のＸ線吸収体5bの厚さも最も厚
くし、空中配線パターン４に対応する領域のうち空調配
線部に対応するＸ線吸収体5bの厚さを空中配線パターン
４に対応する領域のうち空中配線部以外の領域の厚さよ
りも薄くする必要がある。
た場合について説明したが、Ｘ線感応ネガレジスト膜を
用いても上記実施例と同様の効果が得られる。この場
合、Ｘ線マスク５のＸ線吸収体5bの厚さを空中配線領域
に対応する部分を基準として反転させる必要がある。つ
まり、空中配線パターン４に対応しない領域のＸ線吸収
体5bをなくし、空中配線パターン４に対応する領域のう
ち空中配線部以外の領域のＸ線吸収体5bの厚さも最も厚
くし、空中配線パターン４に対応する領域のうち空調配
線部に対応するＸ線吸収体5bの厚さを空中配線パターン
４に対応する領域のうち空中配線部以外の領域の厚さよ
りも薄くする必要がある。
また、上記実施例では露光線としてＸ線を用いた場合に
ついて説明したが、その他の露光線、たとえば光を用い
ても上記実施例と同様の効果が得られる。ただし、この
場合、露光線に応じたレジスト膜及び露光線に応じた露
光線吸収体より成る露光線マスクを用いる必要がある。
ついて説明したが、その他の露光線、たとえば光を用い
ても上記実施例と同様の効果が得られる。ただし、この
場合、露光線に応じたレジスト膜及び露光線に応じた露
光線吸収体より成る露光線マスクを用いる必要がある。
以上のように、この発明によれば、レジスト膜がポジ型
の場合に、空中配線パターンに対応しない領域の露光線
吸収体の厚さを最も厚くし、空中配線パターンに対応す
る領域のうち空中配線部以外に対応する領域の露光線吸
収体をなくし、空中配線パターンに対応する領域のうち
空中配線部に対応する露光線吸収体の厚さを空中配線パ
ターンに対応しない領域の厚さより薄くしたパターン形
成用マスクを用い、また、レジスト膜がネガ型の場合、
空中配線パターンに対応しない領域では露光線吸収体が
存在せず、空中配線パターンに対応する領域のうち空中
配線部以外に対応する領域の露光線吸収体の厚さを最も
厚くし、空中配線パターンに対応する領域のうち空中配
線部に対応する領域の露光線吸収体の厚さを空中配線パ
ターンに対応する領域のうち空中配線部以外に対応する
領域の厚さより薄いパターン形成用マスクを用いて１回
の露光で所望の空中配線レジストパターンを得ることが
でるので、従来のように２回の露光工程を設ける必要が
なく、空中配線パターンを形成する工程が簡単になると
いう効果がある。
の場合に、空中配線パターンに対応しない領域の露光線
吸収体の厚さを最も厚くし、空中配線パターンに対応す
る領域のうち空中配線部以外に対応する領域の露光線吸
収体をなくし、空中配線パターンに対応する領域のうち
空中配線部に対応する露光線吸収体の厚さを空中配線パ
ターンに対応しない領域の厚さより薄くしたパターン形
成用マスクを用い、また、レジスト膜がネガ型の場合、
空中配線パターンに対応しない領域では露光線吸収体が
存在せず、空中配線パターンに対応する領域のうち空中
配線部以外に対応する領域の露光線吸収体の厚さを最も
厚くし、空中配線パターンに対応する領域のうち空中配
線部に対応する領域の露光線吸収体の厚さを空中配線パ
ターンに対応する領域のうち空中配線部以外に対応する
領域の厚さより薄いパターン形成用マスクを用いて１回
の露光で所望の空中配線レジストパターンを得ることが
でるので、従来のように２回の露光工程を設ける必要が
なく、空中配線パターンを形成する工程が簡単になると
いう効果がある。
第１図はこの発明に係るパターン形成用マスクの一構成
例を示す図、第２図はこの発明に係るパターン形成方法
の一実施例を示す工程図、第３図はＸ線マスクを用いて
レジストパターンを形成する場合の原理図、第４図は従
来のパターン形成方法を示す工程図である。 図において、１は半導体基板、４は空中配線パターン、
５はＸ線マスク、5bはＸ線吸収体、６はＸ線感応ポジレ
ジスト膜である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
例を示す図、第２図はこの発明に係るパターン形成方法
の一実施例を示す工程図、第３図はＸ線マスクを用いて
レジストパターンを形成する場合の原理図、第４図は従
来のパターン形成方法を示す工程図である。 図において、１は半導体基板、４は空中配線パターン、
５はＸ線マスク、5bはＸ線吸収体、６はＸ線感応ポジレ
ジスト膜である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/027
Claims (3)
- 【請求項１】半導体装置の空中配線パターンを露光線吸
収体より成る露光線マスクを用いて形成するパターン形
成方法であって、 半導体基板上にレジスト膜を形成する工程と、 前記レジスト膜がポジ型の場合、前記空中配線パターン
に対応しない領域の前記露光線吸収体の厚さを最も厚く
し、前記空中配線パターンに対応する領域のうち空中配
線部以外の領域の前記露光線吸収体がなく、前記空中配
線パターンに対応する領域のうち前記空中配線部に対応
する前記露光線吸収体の厚さが、前記空中配線パターン
に対応しない領域の厚さより薄い前記露光線マスクを用
い、また前記レジスト膜がネガ型の場合、前記空中配線
パターンに対応しない領域の前記露光線吸収体がなく、
前記空中配線パターンに対応する領域のうち前記空中配
線部以外の領域の前記露光線吸収体の厚さを最も厚く
し、前記空中配線パターンに対応する領域のうち前記空
中配線部に対応する前記露光線吸収体の厚さが、前記空
中配線パターンに対応する領域のうち前記空中配線部以
外の領域の厚さより薄い前記露光線マスクを用いて前記
レジスト膜を露光する工程と、 前記露光線マスクを用い露光された前記レジスト膜を現
像することにより、前記空中配線パターンに対応しない
領域の前記レジスト膜の厚さを最も厚くし、前記空中配
線パターンに対応する領域のうち前記空中配線部以外の
領域の前記レジスト膜を除去し、前記空中配線パターン
に対応する領域のうち前記空中配線部に対応する前記レ
ジスト膜の厚さを前記空中配線パターンに対応しない領
域の前記レジスト膜の厚さより薄くする工程と、 現像された前記レジスト膜上に所定材料よりなる膜を形
成する工程と、 前記レジスト膜を除去するとともに、前記空中配線パタ
ーンに対応しない領域の前記レジスト膜上の前記膜を除
去し、前記空中配線パターンを形成する工程とを備えた
パターン形成方法。 - 【請求項２】半導体装置の空中配線パターン形成時にポ
ジ型レジスト膜を露光するのに用いられる露光線吸収体
より成るパターン形成用マスクであって、 前記空中配線パターンに対応しない領域の前記露光線吸
収体の厚さを最も厚くし、前記空中配線パターンに対応
する領域のうち空中配線部以外の領域の前記露光線吸収
体がなく、前記空中配線パターンに対応する領域のうち
前記空中配線部に対応する前記露光線吸収体の厚さが、
前記空中配線パターンに対応しない領域の厚さより薄い
ことを特徴とするパターン形成用マスク。 - 【請求項３】半導体装置の空中配線パターン形成時にネ
ガ型レジスト膜を露光するのに用いられる露光線吸収体
より成るパターン形成用マスクであって、 前記空中配線パターンに対応しない領域の前記露光線吸
収体がなく、前記空中配線パターンに対応する領域のう
ち空中配線部以外の領域の前記露光線吸収体の厚さを最
も厚くし、前記空中配線パターンに対応する領域のうち
前記空中配線部に対応する前記露光線吸収体の厚さが、
前記空中配線パターンに対応する領域のうち前記空中配
線部以外の領域の厚さより薄いことを特徴とするパター
ン形成用マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27798488A JPH0682760B2 (ja) | 1988-06-10 | 1988-11-01 | パターン形成方法及びパターン形成用マスク |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14432688 | 1988-06-10 | ||
| JP63-144326 | 1988-06-10 | ||
| JP27798488A JPH0682760B2 (ja) | 1988-06-10 | 1988-11-01 | パターン形成方法及びパターン形成用マスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02103920A JPH02103920A (ja) | 1990-04-17 |
| JPH0682760B2 true JPH0682760B2 (ja) | 1994-10-19 |
Family
ID=26475764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27798488A Expired - Fee Related JPH0682760B2 (ja) | 1988-06-10 | 1988-11-01 | パターン形成方法及びパターン形成用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0682760B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5730109A (en) | 1995-11-02 | 1998-03-24 | Tag Co., Ltd. | Exhaust gas purification system in combustion engine |
-
1988
- 1988-11-01 JP JP27798488A patent/JPH0682760B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02103920A (ja) | 1990-04-17 |
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