JP2639168B2 - 荷電ビーム露光方法 - Google Patents
荷電ビーム露光方法Info
- Publication number
- JP2639168B2 JP2639168B2 JP2093420A JP9342090A JP2639168B2 JP 2639168 B2 JP2639168 B2 JP 2639168B2 JP 2093420 A JP2093420 A JP 2093420A JP 9342090 A JP9342090 A JP 9342090A JP 2639168 B2 JP2639168 B2 JP 2639168B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- charged beam
- shot size
- desired pattern
- exposure method
- resist film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は荷電ビーム露光方法に関するものである。
従来、半導体基板もしくは薄膜に設けた荷電ビームエ
ネルギーを吸収し反応するレジスト膜を、矩形荷電ビー
ムの用いて露光し、所望パターンを形成する場合、所望
パターンサイズに関わらず、最大ショットサイズを一定
にして露光している。
ネルギーを吸収し反応するレジスト膜を、矩形荷電ビー
ムの用いて露光し、所望パターンを形成する場合、所望
パターンサイズに関わらず、最大ショットサイズを一定
にして露光している。
第３図は従来の荷電ビーム露光方法を説明するための
レイアウト図である。
レイアウト図である。
第３図に示すように、半導体基板上もしくは薄膜上に
設けた電子ビームレジスト膜に4.0μｍ×4.0μｍの最大
ショットサイズパターンを有する電子ビームを用いて、
4.0μｍ×12.0μｍの所望パターン２を露光する場合
に、所望パターン２を最大ショットサイズと同じ4.0μ
ｍ×4.0μｍとした矩形電子ビームでショットサイズパ
ターン4a,4b,4cに分割して露光する。
設けた電子ビームレジスト膜に4.0μｍ×4.0μｍの最大
ショットサイズパターンを有する電子ビームを用いて、
4.0μｍ×12.0μｍの所望パターン２を露光する場合
に、所望パターン２を最大ショットサイズと同じ4.0μ
ｍ×4.0μｍとした矩形電子ビームでショットサイズパ
ターン4a,4b,4cに分割して露光する。
熱伝導率の低い下地基板上に塗布されたレジスト膜
に、荷電ビームを照射して所望パターンを露光する場
合、荷電ビームの照射によってレジスト膜内に蓄積され
る熱量は下地を通して放熱されにくくなる。また、この
熱量は、下地基板方向だけでなく、レジスト膜面内方向
にも拡散されるため、所望のパターンサイズが最大ショ
ットサイズ以上となるとレジスト膜面内方向同士の熱量
が重なり、通常の最大ショットサイズ以下のショット分
割の無い一活のパターン露光と比較して、レジスト膜面
内の熱量が増大されてしまう。つまり、上記２点の理由
によりこの熱量が、レジスト膜内で起きる通常の架橋、
もしくは、せん断反応に影響を及ぼし、良好な所望パタ
ーンが得られなくなってしまう。
に、荷電ビームを照射して所望パターンを露光する場
合、荷電ビームの照射によってレジスト膜内に蓄積され
る熱量は下地を通して放熱されにくくなる。また、この
熱量は、下地基板方向だけでなく、レジスト膜面内方向
にも拡散されるため、所望のパターンサイズが最大ショ
ットサイズ以上となるとレジスト膜面内方向同士の熱量
が重なり、通常の最大ショットサイズ以下のショット分
割の無い一活のパターン露光と比較して、レジスト膜面
内の熱量が増大されてしまう。つまり、上記２点の理由
によりこの熱量が、レジスト膜内で起きる通常の架橋、
もしくは、せん断反応に影響を及ぼし、良好な所望パタ
ーンが得られなくなってしまう。
本発明の目的は、縮小ショットサイズの荷電ビームに
より良好な所望パターンを得る露光方法を提供すること
にある。
より良好な所望パターンを得る露光方法を提供すること
にある。
本発明の荷電ビーム露光方法は、半導体基板上もしく
は薄膜上に設けた荷電ビームエネルギーを吸収し反応す
るレジスト膜を矩形荷電ビームを用いて露光し、所望の
パターンを形成する荷電ビーム露光方法において、最大
ショットサイズ以上のサイズの所望パターンを露光する
際、最大ショットサイズ以下に分割した縮小ショットサ
イズの矩形荷電ビームを用いて露光する事を特徴とす
る。
は薄膜上に設けた荷電ビームエネルギーを吸収し反応す
るレジスト膜を矩形荷電ビームを用いて露光し、所望の
パターンを形成する荷電ビーム露光方法において、最大
ショットサイズ以上のサイズの所望パターンを露光する
際、最大ショットサイズ以下に分割した縮小ショットサ
イズの矩形荷電ビームを用いて露光する事を特徴とす
る。
最大ショットサイズ以上のパターンを露光する際にお
いても、最大ショットサイズ以下に縮小したショットサ
イズを有する荷電ビームを用いることで、荷電ビームが
一度に与える前記レジスト膜面内方向の熱量をコントロ
ールすることが出来、熱によって生じる、レジスト膜内
で起きる通常の架橋、もしくは、せん断反応への影響を
無くすことが出来、良好な所望パターンが得られるよう
になった。
いても、最大ショットサイズ以下に縮小したショットサ
イズを有する荷電ビームを用いることで、荷電ビームが
一度に与える前記レジスト膜面内方向の熱量をコントロ
ールすることが出来、熱によって生じる、レジスト膜内
で起きる通常の架橋、もしくは、せん断反応への影響を
無くすことが出来、良好な所望パターンが得られるよう
になった。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第１図（ａ），（ｂ）は本発明の一実施例を説明する
ためのレイアウト図である。
ためのレイアウト図である。
第１図（ａ），（ｂ）に示すように、半導体基板上も
しくは薄膜上に設けた電子ビームレジスト膜に、4.0μ
ｍ×4.0μｍの最大ショットサイズパターン１を有する
電子ビームを用いて、4.0μｍ×12.0μｍの所望パター
ン２を露光する場合に、電子ビームのショットサイズを
2.0μｍ×2.0μｍに設定して所望パターン２を縮小ショ
ットサイズパターン3a,3b,3c,3d,3e,3f,3g,3h,3i,3j,3
k,3lのそれぞれに分割して露光する。
しくは薄膜上に設けた電子ビームレジスト膜に、4.0μ
ｍ×4.0μｍの最大ショットサイズパターン１を有する
電子ビームを用いて、4.0μｍ×12.0μｍの所望パター
ン２を露光する場合に、電子ビームのショットサイズを
2.0μｍ×2.0μｍに設定して所望パターン２を縮小ショ
ットサイズパターン3a,3b,3c,3d,3e,3f,3g,3h,3i,3j,3
k,3lのそれぞれに分割して露光する。
第２図は本発明の荷電ビーム露光方法による感度特性
を示す図である。
を示す図である。
第２図に示すように、ノボラック系ポジ型電子ビーム
レジスト膜を用いて50μｍ×50μｍのパターンを従来例
の最大ショットサイズ4.0μｍ×4.0μｍに設定して露光
した場合には約10μc/cm2の露光量でポジネガ反転現象
を生じさせてしまい、レジスト残膜がゼロとなる最適露
光量が見いだせなくなり、所望のパターンが得られなく
なる。しかし、本発明は、最大ショットサイズ以下のシ
ョットサイズで露光させることで最適露光量の範囲が約
20から約180μC/cm2と広がり、容易に良好なパターンが
得られることとなる。
レジスト膜を用いて50μｍ×50μｍのパターンを従来例
の最大ショットサイズ4.0μｍ×4.0μｍに設定して露光
した場合には約10μc/cm2の露光量でポジネガ反転現象
を生じさせてしまい、レジスト残膜がゼロとなる最適露
光量が見いだせなくなり、所望のパターンが得られなく
なる。しかし、本発明は、最大ショットサイズ以下のシ
ョットサイズで露光させることで最適露光量の範囲が約
20から約180μC/cm2と広がり、容易に良好なパターンが
得られることとなる。
以上のように本発明は、荷電ビームの最大ショットサ
イズ以上の所望パターンを露光する際、露光するショッ
トサイズを最大ショットサイズより小さくすることで荷
電ビームの露光によってレジスト膜に与える熱量をコン
トロールすることが出来、熱によって生じる、レジスト
膜内で起きる通常の架橋、もしくは、せん断反応への影
響を無くすことが可能となり、良好な所望パターンが得
られるようになった。
イズ以上の所望パターンを露光する際、露光するショッ
トサイズを最大ショットサイズより小さくすることで荷
電ビームの露光によってレジスト膜に与える熱量をコン
トロールすることが出来、熱によって生じる、レジスト
膜内で起きる通常の架橋、もしくは、せん断反応への影
響を無くすことが可能となり、良好な所望パターンが得
られるようになった。
第１図（ａ），（ｂ）は本発明の一実施例を説明するた
めのレイアウト図、第２図は本発明の荷電ビーム露光方
法による感光特性を示す図、第３図は従来の荷電ビーム
露光方法を説明するためのレイアウト図である。 １……最大ショットサイズパターン、２……所望のパタ
ーン、3a,3b,3c,3d,3e,3f,3g,3h,3i,3j,3k,3l……縮小
ショットサイズパターン、4a,4b,4c……ショットサイズ
パターン。
めのレイアウト図、第２図は本発明の荷電ビーム露光方
法による感光特性を示す図、第３図は従来の荷電ビーム
露光方法を説明するためのレイアウト図である。 １……最大ショットサイズパターン、２……所望のパタ
ーン、3a,3b,3c,3d,3e,3f,3g,3h,3i,3j,3k,3l……縮小
ショットサイズパターン、4a,4b,4c……ショットサイズ
パターン。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板上もしくは薄膜上に設けた荷電
ビームエネルギーを吸収し反応するレジスト膜を矩形荷
電ビームを用いて露光し、所望のパターンを形成する荷
電ビーム露光方法において、前記荷電ビームの最大ショ
ットサイズ以上の所望パターンを露光する際、前記最大
ショットサイズ以下に分割した縮小ショットサイズの矩
形荷電ビームを用いて露光する事を特徴とする荷電ビー
ム露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2093420A JP2639168B2 (ja) | 1990-04-09 | 1990-04-09 | 荷電ビーム露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2093420A JP2639168B2 (ja) | 1990-04-09 | 1990-04-09 | 荷電ビーム露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03291911A JPH03291911A (ja) | 1991-12-24 |
| JP2639168B2 true JP2639168B2 (ja) | 1997-08-06 |
Family
ID=14081810
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2093420A Expired - Lifetime JP2639168B2 (ja) | 1990-04-09 | 1990-04-09 | 荷電ビーム露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2639168B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5350978A (en) * | 1976-10-20 | 1978-05-09 | Fujitsu Ltd | Electron beam exposure method |
| JPS53145477A (en) * | 1977-05-24 | 1978-12-18 | Jeol Ltd | Electron beam exposure method |
-
1990
- 1990-04-09 JP JP2093420A patent/JP2639168B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03291911A (ja) | 1991-12-24 |
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