JPH0546696B2 - - Google Patents
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- JPH0546696B2 JPH0546696B2 JP9289484A JP9289484A JPH0546696B2 JP H0546696 B2 JPH0546696 B2 JP H0546696B2 JP 9289484 A JP9289484 A JP 9289484A JP 9289484 A JP9289484 A JP 9289484A JP H0546696 B2 JPH0546696 B2 JP H0546696B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ray
- mask
- exposure
- ray source
- penumbra
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 claims description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の分野）
本発明は、Ｘ線リソグラフイに用いられるＸ線
露光用マスクおよびＸ線露光方法に関する。
露光用マスクおよびＸ線露光方法に関する。
（発明の背景）
従来のＸ線露光用マスクを用いた露光装置の模
式図を第１図に示す。第１図の装置は、点線源を
用いて放射状のＸ線により露光するもので、マス
ク１１は点線源２から放射されたＸ線３を選択的
に吸収してこのＸ線吸収パターン５の影をレジス
ト６上に選択的に投影する働きを有している。
式図を第１図に示す。第１図の装置は、点線源を
用いて放射状のＸ線により露光するもので、マス
ク１１は点線源２から放射されたＸ線３を選択的
に吸収してこのＸ線吸収パターン５の影をレジス
ト６上に選択的に投影する働きを有している。
ところで、実際に用いられる点線源２はある面
積を有している。また、従来のＸ線露光用マスク
は、第１図中に示されるように、Ｘ線吸収パター
ン５がマスク基板４に対して垂直の側壁を有する
ように、すなわち断面が略矩形となるように形成
されていた。このため、点線源２から放射された
Ｘ線３をマスク１１上に照射し、Ｘ線吸収パター
ン５の影をレジスト６上に選択的に投影させる
と、レジスト６上には点線源２の一部からのＸ線
３に対しては影となり、他部からのＸ線３は照射
される部分すなわち半影部δが形成されるという
不都合があつた。この半影部δはＸ線露光の解像
力を決定するので、この半影部が小さい程解像度
は向上する。
積を有している。また、従来のＸ線露光用マスク
は、第１図中に示されるように、Ｘ線吸収パター
ン５がマスク基板４に対して垂直の側壁を有する
ように、すなわち断面が略矩形となるように形成
されていた。このため、点線源２から放射された
Ｘ線３をマスク１１上に照射し、Ｘ線吸収パター
ン５の影をレジスト６上に選択的に投影させる
と、レジスト６上には点線源２の一部からのＸ線
３に対しては影となり、他部からのＸ線３は照射
される部分すなわち半影部δが形成されるという
不都合があつた。この半影部δはＸ線露光の解像
力を決定するので、この半影部が小さい程解像度
は向上する。
一方、第２図に示すように面線源１およびソー
ラスリツト１０を用い、この面線源１から任意の
方向に放射されるＸ線３のうちソーラスリツト１
０を透過する所望方向のもののみで露光させて解
像度を上げるようにしたものも提案されている。
しかしながら、このようにソーラスリツト１０に
より平行化したとしても完全に平行ではないの
で、第２図中に示すように、第１図の点線源２の
場合と同様の半影部が生じるという欠点は未だ解
決されていない。
ラスリツト１０を用い、この面線源１から任意の
方向に放射されるＸ線３のうちソーラスリツト１
０を透過する所望方向のもののみで露光させて解
像度を上げるようにしたものも提案されている。
しかしながら、このようにソーラスリツト１０に
より平行化したとしても完全に平行ではないの
で、第２図中に示すように、第１図の点線源２の
場合と同様の半影部が生じるという欠点は未だ解
決されていない。
なお、特開昭56−94351号には、マスクパター
ンによる半影部を減少させ解像度を上げる目的で
マスクパターンの側壁を実質的な共通点へ向けて
傾斜させることが提案されている。しかし、この
提案は点線源から放射状に放射されるＸ線に対し
て半影部を減少させる場合は効果があるが、ソー
ラスリツト１０等を用いた擬似平行Ｘ線に対して
は何ら効果を示さない。擬似平行Ｘ線に対しては
半影部を減少させる方法は未だ提案されていな
い。また、この提案で減少させようとしている半
影部とは点線源から放射されるＸ線がマスクパタ
ーンの不十分な暑さを透過することにより生ずる
もので、本願のような点線源が実際にはある大き
さを持つことに由来する半影部とは別異のもので
ある。
ンによる半影部を減少させ解像度を上げる目的で
マスクパターンの側壁を実質的な共通点へ向けて
傾斜させることが提案されている。しかし、この
提案は点線源から放射状に放射されるＸ線に対し
て半影部を減少させる場合は効果があるが、ソー
ラスリツト１０等を用いた擬似平行Ｘ線に対して
は何ら効果を示さない。擬似平行Ｘ線に対しては
半影部を減少させる方法は未だ提案されていな
い。また、この提案で減少させようとしている半
影部とは点線源から放射されるＸ線がマスクパタ
ーンの不十分な暑さを透過することにより生ずる
もので、本願のような点線源が実際にはある大き
さを持つことに由来する半影部とは別異のもので
ある。
（発明の目的）
本発明は、上述の従来形における問題点に鑑み
てなされたもので、擬似平行Ｘ線を用いてＸ線露
光を行なうマスクにおいて、Ｘ線吸収パターンに
よる半影部の領域を減少させ解像度を向上させた
Ｘ線露光用マスクおよびＸ線露光方法を提供する
ことを目的とする。
てなされたもので、擬似平行Ｘ線を用いてＸ線露
光を行なうマスクにおいて、Ｘ線吸収パターンに
よる半影部の領域を減少させ解像度を向上させた
Ｘ線露光用マスクおよびＸ線露光方法を提供する
ことを目的とする。
（発明の構成）
上記目的を達成するため本発明のＸ線露光用マ
スクは、Ｘ線源を有するＸ線露光装置に用いられ
るＸ線露光用マスクであつて、Ｘ線吸収材料で形
成されたマスクパターンの線幅方向の断面形状
が、上記Ｘ線源側の辺よりもこれと対向する辺の
方が長い形状であることを特徴とする。
スクは、Ｘ線源を有するＸ線露光装置に用いられ
るＸ線露光用マスクであつて、Ｘ線吸収材料で形
成されたマスクパターンの線幅方向の断面形状
が、上記Ｘ線源側の辺よりもこれと対向する辺の
方が長い形状であることを特徴とする。
また、本発明のＸ線露光方法は、Ｘ線源から放
射されたＸ線を、Ｘ線吸収材料のマスクパターン
が形成されたＸ線マスクに照射し、ウエハにマス
クパターンを露光転写するＸ線露光方法におい
て、前記マスクパターンの線幅方向の断面形状
が、上記Ｘ線源側の辺よりもこれと対向する辺の
方が長い形状であることを特徴とする。
射されたＸ線を、Ｘ線吸収材料のマスクパターン
が形成されたＸ線マスクに照射し、ウエハにマス
クパターンを露光転写するＸ線露光方法におい
て、前記マスクパターンの線幅方向の断面形状
が、上記Ｘ線源側の辺よりもこれと対向する辺の
方が長い形状であることを特徴とする。
（実施例の説明）
以下図面を用いて本発明の実施例を説明する。
なお、従来例と共通する部分については同一の符
号で表わす。
なお、従来例と共通する部分については同一の符
号で表わす。
第３図は本発明の１実施例に係るＸ線露光用マ
スクを用いて露光する場合の模式図を示す。同図
において、Ｘ線露光用マスク１３はマスク基板９
とＸ線吸収パターン８によつて構成され、その特
徴は、Ｘ線吸収パターン８がマスク基板９に対し
て垂直ではなく傾斜した側面を有することであ
り、線幅方向の断面は台形または台形に近い形状
をしている。
スクを用いて露光する場合の模式図を示す。同図
において、Ｘ線露光用マスク１３はマスク基板９
とＸ線吸収パターン８によつて構成され、その特
徴は、Ｘ線吸収パターン８がマスク基板９に対し
て垂直ではなく傾斜した側面を有することであ
り、線幅方向の断面は台形または台形に近い形状
をしている。
このマスクは、面線源または線線源１によつて
放射されたＸ線をソーラスリツト１０によつて平
行化した擬似平行Ｘ線による露光において、従来
マスクに比べ半影部を減少させ、微細パターンを
形成するのに有効である。平行化手段は別にソー
ラスリツトに限定されるわけではなく、分光結晶
でもよいし又Ｘ線源もSOR等でも効果は同じで
ある。又前述の傾斜角度はＸ線の平行化度合によ
り適切に選択出来る。例えばソーラスリツトの口
径をｄ、厚さをｌとすれば台形の底角θはtan-1
（ｌ／ｄ）近辺またはこれより小さ目に選択すれ
ばよい。第４図は第３図におけるマスク１３およ
びウエハ６部分の拡大図を示す。同図において、
破線は、従来のマスク基板９に対して垂直の側壁
をもつＸ線吸収パターン５を表わしている。この
従来のＸ線吸収パターン５による半影部は入射Ｘ
線Ｂ，Ｃがつくり出す部分で、その大きさはδ1で
ある。一方、本発明によるＸ線吸収パターン８に
よる半影部は入射Ｘ線Ａ，Ｃでつくり出される部
分でその大きさはδ2である。
放射されたＸ線をソーラスリツト１０によつて平
行化した擬似平行Ｘ線による露光において、従来
マスクに比べ半影部を減少させ、微細パターンを
形成するのに有効である。平行化手段は別にソー
ラスリツトに限定されるわけではなく、分光結晶
でもよいし又Ｘ線源もSOR等でも効果は同じで
ある。又前述の傾斜角度はＸ線の平行化度合によ
り適切に選択出来る。例えばソーラスリツトの口
径をｄ、厚さをｌとすれば台形の底角θはtan-1
（ｌ／ｄ）近辺またはこれより小さ目に選択すれ
ばよい。第４図は第３図におけるマスク１３およ
びウエハ６部分の拡大図を示す。同図において、
破線は、従来のマスク基板９に対して垂直の側壁
をもつＸ線吸収パターン５を表わしている。この
従来のＸ線吸収パターン５による半影部は入射Ｘ
線Ｂ，Ｃがつくり出す部分で、その大きさはδ1で
ある。一方、本発明によるＸ線吸収パターン８に
よる半影部は入射Ｘ線Ａ，Ｃでつくり出される部
分でその大きさはδ2である。
（発明の効果）
このように、本発明によるＸ線露光用マスクパ
ターン８がつくり出す半影部の大きさは従来のマ
スクパターン５に比べ明らかに小さくなつてい
る。従つて半影部が減少することで解像度が上が
り、微細パターンを形成するのに有効である。
ターン８がつくり出す半影部の大きさは従来のマ
スクパターン５に比べ明らかに小さくなつてい
る。従つて半影部が減少することで解像度が上が
り、微細パターンを形成するのに有効である。
なお、マスクパターンを等脚台形に形成して擬
似平行Ｘ線を用いる場合、マスクとウエハは相対
位置を合わせればよく、特開昭56−94351の点線
源を基準として絶対位置合わせを行なう場合に比
べて位置合わせが容易である。
似平行Ｘ線を用いる場合、マスクとウエハは相対
位置を合わせればよく、特開昭56−94351の点線
源を基準として絶対位置合わせを行なう場合に比
べて位置合わせが容易である。
第１および第２図はそれぞれ従来のＸ線露光用
マスクを用いて露光する状態を示す模式図、第３
図は本発明の１実施例に係るＸ線露光用マスクを
用いて露光する状態を示す模式図、そして、第４
図は第３図における要部の拡大図である。 １……面線源、３……Ｘ線、４……マスク基
板、７……ウエハ、８……マスクパターン、９…
…レジスト、１０……ソーラスリツト、１３……
マスク。
マスクを用いて露光する状態を示す模式図、第３
図は本発明の１実施例に係るＸ線露光用マスクを
用いて露光する状態を示す模式図、そして、第４
図は第３図における要部の拡大図である。 １……面線源、３……Ｘ線、４……マスク基
板、７……ウエハ、８……マスクパターン、９…
…レジスト、１０……ソーラスリツト、１３……
マスク。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ Ｘ線源を有するＸ線露光装置に用いられるＸ
線露光用マスクであつて、Ｘ線吸収材料で形成さ
れたマスクパターンの線幅方向の断面形状が、上
記Ｘ線源側の辺よりもこれと対向する辺の方が長
い形状であることを特徴とするＸ線露光用マス
ク。 ２ Ｘ線源から照射されたＸ線を、Ｘ線吸収材料
のマスクパターンが形成されたＸ線マスクに照射
し、ウエハにマスクパターンを露光転写するＸ線
露光方法において、前記マスクパターンの線幅方
向の断面形状が、上記Ｘ線源側の辺よりもこれと
対向する辺の方が長い形状であることを特徴とす
るＸ線露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59092894A JPS60239019A (ja) | 1984-05-11 | 1984-05-11 | Ｘ線露光用マスクおよびｘ線露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59092894A JPS60239019A (ja) | 1984-05-11 | 1984-05-11 | Ｘ線露光用マスクおよびｘ線露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60239019A JPS60239019A (ja) | 1985-11-27 |
| JPH0546696B2 true JPH0546696B2 (ja) | 1993-07-14 |
Family
ID=14067164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59092894A Granted JPS60239019A (ja) | 1984-05-11 | 1984-05-11 | Ｘ線露光用マスクおよびｘ線露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60239019A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07101392A (ja) * | 1993-09-30 | 1995-04-18 | Techno Suupaa Liner Gijutsu Kenkyu Kumiai | ２段式ウォータージェット式ジェット推進船 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2645347B2 (ja) * | 1988-08-16 | 1997-08-25 | 工業技術院長 | 平行ｘ線用露光マスク |
| KR100501768B1 (ko) * | 2002-11-30 | 2005-07-18 | 엘지전자 주식회사 | Ｘ-선 마스크 및 그 제조 방법 |
-
1984
- 1984-05-11 JP JP59092894A patent/JPS60239019A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07101392A (ja) * | 1993-09-30 | 1995-04-18 | Techno Suupaa Liner Gijutsu Kenkyu Kumiai | ２段式ウォータージェット式ジェット推進船 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60239019A (ja) | 1985-11-27 |
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