JPH1012524A - 露光装置および露光方法 - Google Patents

露光装置および露光方法

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JPH1012524A
JPH1012524A JP8162732A JP16273296A JPH1012524A JP H1012524 A JPH1012524 A JP H1012524A JP 8162732 A JP8162732 A JP 8162732A JP 16273296 A JP16273296 A JP 16273296A JP H1012524 A JPH1012524 A JP H1012524A
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exposure
aperture
pattern
light
patterns
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JP8162732A
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Inventor
Tetsuo Hanawa
哲郎 塙
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 変形照明露光法における焦点深度のパターン
依存性を低減する。 【解決手段】 異なる種類の第1と第2のパターンを形
成するに際し変形照明法を用いる場合、第1のパターン
に対する第1の露光を行なった後に、変形照明アパーチ
ャ1を所定角度回転させて、その後に第2のパターンの
露光のための第2の露光を行なう。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、露光装置および
露光方法に関し、特に、変形照明法を用いてデバイス上
に複数の種類のパターンを形成する場合でも、特定のパ
ターンに対する焦点深度の極端な低下を効果的に抑制す
ることが可能となる露光装置および露光方法に関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】従来から、露光装置の2次光源面形状を
最適化することにより露光光の波長およびそれ以下の寸
法の微細パターンの焦点深度を向上させることができ
る、変形照明法あるいは斜入射照明法は知られている。
図10(a)には、変形照明法において用いられるアパ
ーチャ(以下、「変形照明アパーチャ」と称する)1の
一例が示されている。
【0003】変形照明アパーチャ1は、遮光部1aと透
光部1bとを備えている。この場合であれば、遮光部1
aは、直交する座標系13a,13bに沿って延在する
ように形成されている。このような変形照明アパーチャ
1を用いた場合、遮光部1aの寸法Xを大きくすること
により、座標系13a,13bと平行あるいは直交する
方向に延びるパターン(以下単に「0°/90°パター
ン」と称する)に対する焦点深度を増大させることが可
能となる.それにより、この0°/90°パターンに対
する焦点深度を向上させることが可能となる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、デバイ
ス上には、上記の0°/90°パターン以外の種類のパ
ターンが形成される場合がある。たとえば、座標系13
a,13bと45°あるいは135°の角度をなすパタ
ーン(以下単に「45°/135°パターン」と称す
る)が形成される場合がある。この45°/135°パ
ターンはデバイスの集積度の向上のため必要不可欠であ
るが、このような45°/135°パターンが存在する
場合には、上記のように、変形照明アパーチャ1の遮光
部1aの寸法Xを大きくすることにより、45°/13
5°パターンの焦点深度は減少してしまう。
【0005】図10(b)には、0°/90°パターン
と45°/135°パターンとについての焦点深度とパ
ターンピッチとの関係が示されている。この図10
(b)に示されるように、図10(a)に示される変形
照明アパーチャ1を用いた場合、特にパターンピッチの
小さい領域において、45°/135°パターンの焦点
深度が0°/90°パターンの焦点深度よりも格段に小
さいのがわかる。この傾向は、図10(b)において矢
印で示されるように、変形照明アパーチャ1の遮光部1
aの寸法Xを増大させるにつれてさらに顕著なものとな
る。したがって、従来の変形照明法では、デバイス上に
複数の種類のパターン(0°/90°パターンや45°
/135°パターンなど)が形成された場合に、そのす
べてのパターンに対して焦点深度を向上させることはで
きないという問題点があった。
【0006】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたものである。この発明の目的は、デバイス
上に複数の種類のパターンが形成された場合において
も、変形照明法を用いたことによるある特定のパターン
に対する焦点深度の極端な低下を効果的に抑制すること
が可能となる、露光装置および露光方法を提供すること
にある。
【0007】
【課題を解決するための手段】この発明に係る露光装置
は、変形照明用のアパーチャ(絞り)を有するものであ
ることを前提とする。そして、この発明に係る露光装置
は、露光プロセス中にアパーチャを選択的に光軸を中心
として回転させる回転機構を備えている。
【0008】上記のように、回転機構を有することによ
り、1つの露光プロセス中に必要に応じてアパーチャを
回転させることが可能となる。それにより、たとえば、
1つの露光プロセス中において、0°/90°パターン
に対して露光を行なった後に、アパーチャを45°回転
させ、引続いて45°/135°パターンに対して露光
を行なうことが可能となる。つまり、1つの露光プロセ
スを多段階に分割し、0°/90°パターンや45°/
135°パターンといった異なる種類のパターンに対
し、適切な条件で露光を行なうことが可能となる。その
結果、0°/90°パターンや45°/135°パター
ンといった異なる種類の配線パターンがデバイス上に形
成された場合においても、ある特定の種類のパターンに
対し焦点深度が極端に低下することを効果的に抑制する
ことが可能となる。
【0009】なお、露光装置は光源を有するとともに、
この光源と回転機構とに接続される制御部をさらに備え
ることが好ましい。この制御部は、光源からの光の照射
を一旦中断させた後に、回転機構を作動させる機能を有
する。このような制御部を有することにより、1つの露
光プロセス中において、上記のような多段階の露光を行
なうことが可能となる。
【0010】上記の制御部は、好ましくは、デバイス上
のパターンに応じて露光ドーズ量を変化させるための露
光ドーズ量制御手段を含む。このような露光ドーズ量制
御手段を有することにより、上記の多段階の露光工程に
おいて、各段階の露光ドーズ量を適切に調整することが
可能となる。それにより、寸法規制のあまり厳しくない
パターンに対する露光ドーズ量を、寸法規制の厳しいパ
ターンに対する露光ドーズ量よりも低減することが可能
となる。その結果、各パターンの要求に応じた露光を行
なうことが可能となる。
【0011】また、上記の露光装置は、さらに、光軸か
らのアパーチャの位置ずれを補正するための位置補正機
構を備えることが好ましい。それにより、アパーチャを
回転させた後にアパーチャが光軸に対して位置ずれした
としても、その位置ずれを補正することが可能となる。
それにより、アパーチャを回転させた後においても、高
精度な露光を行なうことが可能となる。
【0012】この発明に係る露光方法は、変形照明用の
アパーチャを用いる露光方法であることを前提とする。
そして、この発明に係る露光方法は、露光プロセス中
に、光軸を中心としてアパーチャを回転させるステップ
を備える。
【0013】このように、露光プロセス中にアパーチャ
を回転させるステップを備えることにより、1つの露光
プロセス中において多段階の露光を行なうことが可能と
なる。この場合の多段階とは、0°/90°パターンや
45°/135°パターンといった異なる種類のパター
ンに対する露光のことを意味するものとする。このよう
な多段階の露光を行なうことにより、上記のような種類
の異なるパターンに対してそれぞれ適切な条件での露光
を行なうことが可能となる。その結果、デバイス上に複
数の種類のパターンが形成された場合においても、ある
特定のパターンに対する焦点深度が極端に低下するのを
効果的に抑制することが可能となる。
【0014】なお、半導体デバイス上に第1と第2の異
なる種類のパターンが形成された場合には、上記の露光
プロセス中に第1と第2の露光ステップを組込むことが
好ましい。この場合、第1と第2の露光ステップの間
に、上記のアパーチャを回転させるステップを組込む。
【0015】また、上記の第1と第2の露光ステップの
露光ドーズ量は、第1と第2のパターンに対して要求さ
れる焦点深度などの特性に応じて調整されることが好ま
しい。それにより、第1と第2のパターンに対して要求
される寸法規制に応じて、それぞれのパターンに対する
露光における焦点深度の向上の程度を調整することが可
能となる。
【0016】また、上記の露光プロセスで使用される露
光装置の光源がパルス源である場合には、アパーチャの
回転数は、パルス源から発せられる光のパルス間でアパ
ーチャが所定の角度回転するように光のパルス発振周波
数に応じて決定されることが好ましい。それにより、光
源から発せられる光のパルス間でアパーチャを所定の角
度だけ回転させることができるので、1つの露光プロセ
ス中において、露光を中断することなく多段階の露光ス
テップを行なうことが可能となる。その結果、上記の各
露光方法の場合よりもスループットを向上させることが
可能となる。
【0017】また、上記のアパーチャは遮光部と透光部
とを有しており、遮光部の上面の面積がアパーチャの中
央部から周縁部に向かうにつれて徐々に変化することが
好ましい。このようなアパーチャを用いることにより、
このアパーチャを回転させることによってアパーチャの
中央部から周縁部に向かって段階的に光の透過率を変化
させることが可能となる。従来の輪帯照明法のようにア
パーチャを透過する光の透過率が急激に変化した場合に
は、遮光部と透光部の境界付近のパターンのピッチによ
り回折光の干渉条件が断続的に変化する。それにより、
光近接効果による寸法変動量が大きく変化するため、結
果として転写特性や寸法の制御が困難となってしまう。
それに対し、上記のように、アパーチャの光の透過率を
段階的にかつ徐々に変化させることにより、転写特性や
寸法の制御性の低下を抑制することが可能となる。それ
に伴い、図7に示されるように、密集パターン(パター
ンピッチの小さいパターン)と孤立パターン(パターン
ピッチの大きいパターン)との中間領域のパターンの焦
点深度をも改善することが可能となるばかりでなく、露
光パワーの低下量を抑制することができる。
【0018】
【発明の実施の形態】以下、図1〜図9を用いて、この
発明の実施の形態について説明する。
【0019】(実施の形態1)図1は、この発明の実施
の形態1における露光方法を示す図である。図1を参照
して、通常フォトマスク上の大部分を占めるパターンと
同一の座標系に沿うように変形照明アパーチャ1の遮光
部1aを配置した状態で第1の露光を行なった後、一旦
光源からのエネルギの照射を中断して変形照明アパーチ
ャ1を他の種類のパターンの座標系に合せて角度θだけ
回転させて第2の露光を行なう。それにより、デバイス
上に異なる種類のパターンが存在する場合においても、
一方のパターンの焦点深度が極端に低下することを効果
的に阻止することが可能となる。その結果、変形照明法
において従来から問題とされてきた焦点深度のパターン
依存性の程度を低減することが可能となる。
【0020】次に、図2を用いて、図1に示された本発
明の思想についてより具体的に説明する。図2(a)
は、ある座標系に沿って延在する主となるパターン12
aを示す平面図であり、図2(b)は、パターン12a
の座標系に対し45°回転した座標系に沿って延在する
パターン12bを示す平面図である。図2(a)に示さ
れるパターン12aを、0°/90°パターンと称し、
図2(b)に示されるパターン12bを45°/135
°パターンと称する。この0°/90°パターンと45
°/135°パターンのように異なる座標系を有するパ
ターンを、本明細書において異なる種類のパターンと称
する。
【0021】上記のような2種類のパターン12a,1
2bをデバイス上に形成する場合には、まず、図2
(c)に示されるように、主となるパターン12aの座
標系に沿うように変形照明アパーチャ1の遮光部1aを
配置した状態で第1の露光を行なう。その後、第1の露
光を中断して変形照明アパーチャ1を45°回転させ第
2の露光を行なう。このとき、第1と第2の露光におけ
る露光量の設定は、各々のパターン12a,12bに必
要とされる寸法制御性,必要焦点深度を勘案して決定さ
れる。
【0022】図3は、露光量の設定条件と得られる各パ
ターンの焦点深度の関係を示した図である。なお図3に
おいて、第1の露光の際の露光ドーズ量をE1で示し、
第2の露光における露光ドーズ量をE2で示している。
図3に示されるように、E2の割合の増加に伴い、0°
/90°パターンの焦点深度が減少し、代わりに45°
/135°パターンの焦点深度は増加する。通常、45
°/135°パターンの寸法制御性は0°/90°パタ
ーンほど厳しくないことから、E2/(E1+E2)
は、0.1以上0.5未満の値をとることとする。それ
により、0°/90°パターンの焦点深度は若干減少す
るが、45°/135°パターンの焦点深度は増加す
る。その結果、45°/135°パターンの焦点深度を
改善でき、断線やブリッジマージンなどの形状焦点深度
が大きく改善され、結果として転写マージンの拡大が達
成される。
【0023】図4は、上記のような2種類のパターン以
外の異なるパターンが存在する場合の露光方法を示す図
である。図4を参照して、たとえば3種類のパターンが
存在する場合には、上記の第2の露光の後にさらに第2
の露光を中断して変形照明アパーチャ1を角度θ′だけ
回転させる。その後、第3の露光を行なう。それによ
り、3つの異なるパターンに対して極端な焦点深度の低
下を抑制することが可能となる。
【0024】なお、上記の思想は、4種類以上のパター
ンがデバイス上に形成される場合にも当然適用できる
が、この場合には少なくとも4段階以上の露光を行なう
必要がある。そのため、スループットの低下が懸念され
る。また、4分割照明の効果も減少する可能性がある。
したがって、露光量の割振りに次のような工夫を施すも
のとする。すなわち、主となるパターン(たとえば0°
/90°パターン)の露光ドーズ量の割合を、全露光ド
ーズ量(ΣE)に対し0.5以上に設定し、他のパター
ンへの露光ドーズ量の全露光ドーズ量に対する割合を
0.1〜0.2程度に設定する。それにより、0°/9
0°パターンや45°/135°パターン以外のパター
ンの焦点深度をわずかでも増加させ、特に断線やブリッ
ジマージンなどの形状焦点深度を改善することが可能と
なる。その結果、転写マージンの拡大を達成することが
できる。
【0025】次に、図5を用いて、上記の実施の形態1
の変形例について説明する。図5は、実施の形態1の変
形例における露光方法を示す図である。
【0026】本変形例は、露光エネルギ源がレーザなど
のパルス状のもの(パルス源)である場合に適用可能で
ある。図5を参照して、本変形例では、常に変形照明ア
パーチャ1を回転させておき、変形照明アパーチャ1の
回転数を適切に調整することによりパルス間で変形照明
アパーチャ1が所定角度だけ回転し得るようにする。す
なわち、2次光源面に設置される変形照明アパーチャ1
の回転を、パルス発振に同期させて行なう。具体的に
は、パルス発振数が1000Hz程度の場合に、4分割
照明で0°/90°パターンと45°/135°パター
ンに限定したとき、変形照明アパーチャ1の回転数は1
5000rpmとなる。この場合には、回転機構が複雑
になる可能性があるが、上記の実施の形態1の場合の露
光方法と同様の効果が、スループットの低下なしに達成
できる。
【0027】(実施の形態2)次に、図6および図7を
用いて、この発明の実施の形態2における露光方法につ
いて説明する。図6(a)は、この実施の形態2におい
て使用可能な変形照明アパーチャ1の一例を示す平面図
である。図6(b)は、図6(a)に示される変形照明
アパーチャ1を回転させた場合の光透過率分布を示す平
面図である。
【0028】従来から一般に2次光源面の中央部に遮光
体を設ける輪帯照明法が用いられてきたが、2次光源面
の透過率が極端に変化するため、遮光部と透光部の境界
付近の回折光の干渉条件も極端に変化していた。そのた
め、光近接効果による寸法変動量が大きくなり、結果と
して転写特性や寸法の制御が困難なものとなっていた。
本実施の形態2は上記のような問題に対処すべく考案さ
れたものである。
【0029】本実施の形態2では、図6(a)に示され
る変形照明アパーチャ1を露光プロセス中に高速回転さ
せる。図6(a)に示される変形照明アパーチャ1で
は、その中央部から周縁部に向かうにつれて遮光部1a
の上面の面積が徐々に小さくなるように調整されてい
る。具体的には、遮光部1aは扇形を重ねたような形状
を有している。それにより、この変形照明アパーチャ1
を高速回転させた場合に、図6(b)に示されるよう
に、2次光源面における光の透過率を徐々に変化させる
ことが可能となる。この場合であれば、6段階に変化し
た光の透過率分布が得られる。このように段階的にかつ
徐々に光の透過率を変化させることにより、図7に示さ
れるように、パターンピッチの小さい密集パターンとパ
ターンピッチの大きい孤立パターンとの間の中間領域の
パターンに対する焦点深度を改善することが可能とな
る。また、露光パワーの低下量をも減少させることが可
能となる。
【0030】なお、本実施の形態における変形照明アパ
ーチャ1の遮光部1aの形状は図6(a)に示されるも
のに限定されるものではない。変形照明アパーチャ1の
遮光部1aの形状は、目的とするパターンに応じて、す
なわち必要とされる2次光源面の光の透過率分布に応じ
て変化させることができる。また、図6(b)では、6
つのゾーンに分けた場合が示されているが、ゾーン数は
2以上の任意の整数をとり得るものとする。また、変形
照明アパーチャ1の回転数は、約2000〜約1500
0rpm程度の間で任意に選択できる。
【0031】(実施の形態3)次に、図8および図9を
用いて、この発明の実施の形態3について説明する。本
実施の形態3では、上記の実施の形態1および実施の形
態2で示した露光方法を実現するための露光装置の一例
が示されている。図8を参照して、露光装置は、光源1
0と、フライアイレンズ8と、変形照明アパーチャ1
と、アパーチャ支持部2と、アパーチャ回転機構3と、
センサ5と、ステージ6と、投影レンズ9と、制御部1
1とを備える。
【0032】変形照明アパーチャ1は、アパーチャ支持
部2上に載置される。このアパーチャ支持部2にはスリ
ット4が設けられ、このスリット4下には複数個のセン
サ5が配置される。このセンサ5はステージ6に取付け
られる。ステージ6は、XYZ(3次元)方向に微動動
作可能なステージである。このステージ6上に、アパー
チャ支持部2を回転させることにより変形照明アパーチ
ャ1を回転させるための回転機構3が設置される。この
回転機構3は、制御部11に接続される。この制御部1
1は、光源10に接続されており、光源10からのエネ
ルギの照射を中断させた後に、回転機構3を作動させて
アパーチャ支持部2とともに変形照明アパーチャ1を回
転させる機能を有する。
【0033】上記のような構成を有する露光装置を用い
てたとえば実施の形態1で説明した露光方法を実施する
には、まず、変形照明アパーチャ1を所定位置に設置し
て第1の露光を行なう。そして、制御部11によって光
源10からのエネルギの照射を中断させ、それに伴い制
御部11によってアパーチャ回転機構3を作動させる。
それにより、アパーチャ支持部2とともに変形照明アパ
ーチャ1を光軸7のまわりに所定角度だけ回転させる。
その後、再び制御部11によって光源10を作動させ、
第2の露光を行なう。
【0034】なお、光源10は、パルス源であってもよ
く、この場合には、変形照明アパーチャ1を高速回転さ
せることが必要となる。そのため、変形照明アパーチャ
1の回転数が目的に応じて1〜15000rpmの間で
変化させ得るようなアパーチャ回転機構3を設置するこ
とが好ましい。また、制御部11内には、パターンの種
類によって露光ドーズ量を変化させる露光ドーズ量制御
手段(図示せず)が設けられることが好ましい。
【0035】変形照明アパーチャ1をたとえば高速回転
させた後には、光軸7や投影レンズ9に対する変形照明
アパーチャ1の位置ずれが生じることも考えられる。そ
こで、フライアイレンズ8を通った平行光線をスリット
4を通してセンサ5に導き、位相差や光強度分布の変動
を観測する。そして、その情報をステージ6にフィード
バックし、変形照明アパーチャ1の位置ずれを補正する
ことが可能となる。
【0036】なお、変形照明アパーチャ1としては、図
9に示される各種のものが使用可能である。図9(a)
には、十字遮光タイプの変形照明アパーチャ1が示さ
れ、図9(b)には4眼照明タイプの変形照明アパーチ
ャ1が示され、図9(c)には投影レンズの瞳面におけ
る開口数(NA)に応じた曲率を有する紡錘遮光タイプ
の変形照明アパーチャ1が示されている。このような変
形照明アパーチャ1を用いることにより、上述の各実施
の形態における露光方法を実施可能である。なお、この
図9に示された変形照明アパーチャ1は、あくまでも例
示でありこれに限られるものではない。偶数個の透光部
が変形照明アパーチャ1の中心に対して点対称な位置に
配置されるものであれば図9に示される形状以外のもの
であっても使用可能である。
【0037】以上本発明の実施の形態について説明を行
なったが、今回開示された実施の形態はすべての点で例
示であって制限的なものではないと考えられるべきであ
る。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示され、特
許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変
更が含まれることが意図される。
【0038】
【発明の効果】以上説明したように、この発明に係る露
光装置によれば、露光プロセス中に変形照明用のアパー
チャを選択的に回転させることが可能となる。それによ
り、異なる種類の複数のパターンに対して露光を行なう
場合に、ある特定の種類のパターンに対する焦点深度の
低下を効果的に抑制することが可能となる。その結果、
焦点深度のパターン依存性が低減され、寸法制御性よく
レジストパターンの形成を行なうことが可能となる。
【0039】なお、露光装置が制御部を備えた場合に
は、この制御部によって光源からの光の照射を中断させ
た後に回転機構を作動させることが可能となる。
【0040】また、制御部が露光ドーズ量制御手段を有
する場合には、デバイス上のパターンに応じて露光ドー
ズ量を変化させることが可能となる。それにより、各種
のデバイスパターンに対して適切な量の露光ドーズ量を
選択できるので、ある特定のパターンに対する断線やブ
リッジマージンなどの形状焦点深度を大きく改善するこ
とが可能となり、結果として転写マージンの拡大が可能
となる。
【0041】また、露光装置が位置補正機構を備えた場
合には、アパーチャを回転させた後に、光軸や投影レン
ズに対してアパーチャの位置を適正な位置に補正するこ
とが可能となる。それにより、アパーチャを回転させた
後においても精度の高い変形照明露光が行なえる。
【0042】この発明に係る露光方法によれば、1つの
露光プロセス中に、光軸を中心としてアパーチャを回転
させる。それにより、ある種類のパターンに対する露光
を行なった後に、アパーチャを回転させ、他の種類のパ
ターンに対する露光を行なうことが可能となる。それに
より、焦点深度のパターン依存性を低減することが可能
となり、寸法制御性よくレジストパターン形成が行なえ
る。
【0043】なお、第1と第2の異なる種類のパターン
が半導体デバイス上に形成される場合には、各々に対し
第1と第2の露光ステップを設け、この第1と第2の露
光ステップ間にアパーチャを回転させるステップを設け
ることが好ましい。それにより、第1と第2の異なるパ
ターンに対しそれぞれ適切な露光が行なえるので、焦点
深度のパターン依存性を低減することが可能となる。
【0044】また、第1と第2の露光ステップの露光ド
ーズ量の割合を適切に調整した場合には、第1と第2の
パターンに対して要求される焦点深度などの特性を満足
させることが可能となる。
【0045】また、露光プロセスで使用される露光装置
の光源をパルス源とした場合には、パルス間でアパーチ
ャが所定の角度だけ回転し得るようにアパーチャの回転
数を調整すればよい。そのため、上記の場合のように、
露光プロセスを中断させてアパーチャを回転させる必要
がなくなる。そのため、スループットを向上させること
が可能となる。
【0046】また、アパーチャの遮光部の上面の面積
を、アパーチャの中央部から周縁部に向かうにつれて徐
々に変化させた場合には、アパーチャを回転させること
により光の透過率をアパーチャの中央部から周縁部に向
かって徐々に変化させることが可能となる。それによ
り、密集パターンと孤立パターンとの間の中間領域のパ
ターンの焦点深度を改善することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の実施の形態1における露光方法を
示す図である。
【図2】 (a)は0°/90°パターンの一例を示す
平面図である。(b)は45°/135°パターンの一
例を示す平面図である。(c)は(a)および(b)に
示されるパターンを有する場合の露光方法を示す図であ
る。
【図3】 この発明の実施の形態1における露光ドーズ
量の設定条件と得られる各パターンの焦点深度との関係
を示す図である。
【図4】 3種類以上の異なるパターンが存在する場合
の本発明に係る露光方法を示す図である。
【図5】 露光エネルギ源がレーザなどのパルス源であ
る場合の本発明に係る露光方法を示す図である。
【図6】 (a)は従来の輪帯照明法の欠点を解決する
ために考案された、変形照明アパーチャの一例を示す平
面図である。(b)は、(a)に示される変形照明アパ
ーチャを高速回転させた場合の2次光源面における光の
透過率分布を示す図である。
【図7】 図6に示される変形照明アパーチャを用いた
場合のパターンピッチと焦点深度との関係を示す図であ
る。
【図8】 本発明に係る露光装置の特徴部分の構成を示
す図である。
【図9】 (a)〜(c)は、本発明において使用可能
な変形照明アパーチャの形状例を示す図である。
【図10】 (a)は変形照明アパーチャの一例を示す
図である。(b)は、従来の変形照明法における焦点深
度のパターン依存性を示す図である。
【符号の説明】
1 変形照明アパーチャ、1a 遮光部、1b 透光
部、2 アパーチャ支持部、3 回転機構、4 スリッ
ト、5 センサ、6 ステージ、7 光軸、8フライア
イレンズ、9 投影レンズ、10 光源、11 制御
部、12a,12b パターン、13a,13b 座標
系。

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 変形照明用のアパーチャ(絞り)を有す
    る露光装置において、露光プロセス中に前記アパーチャ
    を選択的に光軸を中心として回転させる回転機構を備え
    たことを特徴とする、露光装置。
  2. 【請求項2】 前記露光装置は光源を有しており、 前記光源と前記回転機構とに接続され、前記光源からの
    光の照射を中断させた後に前記回転機構を作動させるた
    めの制御部をさらに備えた、請求項1に記載の露光装
    置。
  3. 【請求項3】 前記制御部は、デバイス上のパターンに
    応じて露光ドーズ量を変化させるための露光ドーズ量制
    御手段を含む、請求項2に記載の露光装置。
  4. 【請求項4】 前記露光装置は、さらに、前記光軸から
    の前記アパーチャの位置ずれを補正するための位置補正
    機構を備える、請求項1に記載の露光装置。
  5. 【請求項5】 変形照明用のアパーチャ(絞り)を用い
    る露光方法であって、 露光プロセス中に、光軸を中心として前記アパーチャを
    回転させるステップを備えることを特徴とする露光方
    法。
  6. 【請求項6】 半導体デバイス上には、第1のパターン
    と、前記第1のパターンとは異なる種類の第2のパター
    ンとが形成され、 前記露光方法は、 前記第1のパターンに適した条件での第1の露光ステッ
    プと、 前記第1の露光ステップの後に前記アパーチャを所定角
    度回転させるステップと、 前記アパーチャを所定角度回転させた後に行なわれ、前
    記第2のパターンに適した条件での第2の露光ステップ
    とをさらに備える、請求項5に記載の露光方法。
  7. 【請求項7】 前記第1と第2のパターンに対して要求
    される焦点深度などの特性に応じて、前記露光プロセス
    中における全露光ドーズ量に対する前記第1の露光ステ
    ップの露光ドーズ量と前記第2の露光ステップの露光ド
    ーズ量との割合を決定する、請求項6に記載の露光方
    法。
  8. 【請求項8】 前記露光プロセスで使用される露光装置
    の光源はパルス源であり、 前記アパーチャの回転数は、前記パルス源から発せられ
    る光のパルス間で前記アパーチャが所定の角度回転する
    ように前記光のパルス発振周波数に応じて決定される、
    請求項5に記載の露光方法。
  9. 【請求項9】 前記アパーチャは遮光部と透光部とを有
    しており、 前記遮光部の上面の面積が前記アパーチャの中央部から
    周縁部に向かうにつれて徐々に変化した前記アパーチャ
    を使用することにより、前記アパーチャを回転させた際
    の光の透過率を前記アパーチャの中央部から周縁部に向
    かって徐々に変化させる、請求項5に記載の露光方法。
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