JPS60239019A - Ｘ線露光用マスクおよびｘ線露光方法 - Google Patents
Ｘ線露光用マスクおよびｘ線露光方法Info
- Publication number
- JPS60239019A JPS60239019A JP59092894A JP9289484A JPS60239019A JP S60239019 A JPS60239019 A JP S60239019A JP 59092894 A JP59092894 A JP 59092894A JP 9289484 A JP9289484 A JP 9289484A JP S60239019 A JPS60239019 A JP S60239019A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- ray
- pattern
- trapezoid
- ray exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の分野）
本発明は、Ｘ線リソグラフィに用いられるＸ線露光用マ
スクに関する。
スクに関する。
（発明の背景）
従来のＸ線露光用マスクを用いた露光装置の模式図を第
１図に示す。第１図の装置は、点線源を用いて放射状の
Ｘ線により露光するもので、マスク１１は点線源２から
放射されたＸ線３を選択的に吸収してこのＸ線吸収パタ
ーン５の影をレジスト６上に選択的に投影する働きを有
している。
１図に示す。第１図の装置は、点線源を用いて放射状の
Ｘ線により露光するもので、マスク１１は点線源２から
放射されたＸ線３を選択的に吸収してこのＸ線吸収パタ
ーン５の影をレジスト６上に選択的に投影する働きを有
している。
ところで、実際に用いられる点線源２はある面積を有し
ている二また、従来のＸ線露光用マスクは、第１図中に
示されるように、Ｘ線吸収パターン５がマスク基板４に
対して垂直の側壁を有するように、すなわち断面が略矩
形となるように形成されていた。このため、点線源２か
ら放射されたＸ線３をマスク１１上に照射し、Ｘ線吸収
パターン５の影をレジスト６上に選択的に投影させると
、レジスト６上には点線源２の一部からのＸ線３に対し
ては影となり、他部からのＸ線３には照射される部分す
なわち半影部δが形成されるという不都合があった。こ
の半影部δはＸ線露光の解像カを決定するもので、この
半影部が小さい程解像度は向上する。
ている二また、従来のＸ線露光用マスクは、第１図中に
示されるように、Ｘ線吸収パターン５がマスク基板４に
対して垂直の側壁を有するように、すなわち断面が略矩
形となるように形成されていた。このため、点線源２か
ら放射されたＸ線３をマスク１１上に照射し、Ｘ線吸収
パターン５の影をレジスト６上に選択的に投影させると
、レジスト６上には点線源２の一部からのＸ線３に対し
ては影となり、他部からのＸ線３には照射される部分す
なわち半影部δが形成されるという不都合があった。こ
の半影部δはＸ線露光の解像カを決定するもので、この
半影部が小さい程解像度は向上する。
一方、第２図に示すように面線源１およびソーラスリッ
１〜１０を用い、この面線源１から任意の方向に放射さ
れるＸ線３のうちソーラスリット１０を透過する所望方
向のもののみで露光させて解像度を上げるようにしたも
のも提案されている。しかしながら、このようにソーラ
スリット１０により平行化したとしても完全に平行では
ないので、第２図中に示すように、第１図の点線源２の
場合と同様の半影部が生じるという欠点は未だ解決され
ていない。
１〜１０を用い、この面線源１から任意の方向に放射さ
れるＸ線３のうちソーラスリット１０を透過する所望方
向のもののみで露光させて解像度を上げるようにしたも
のも提案されている。しかしながら、このようにソーラ
スリット１０により平行化したとしても完全に平行では
ないので、第２図中に示すように、第１図の点線源２の
場合と同様の半影部が生じるという欠点は未だ解決され
ていない。
なお、特開昭５６−９４３５１号には、マスクパターン
による半影部を減少させ解像度を上げる目的でマスクパ
ターンの側壁を実質的な共通点へ向けて傾斜させること
が提案されている。しかし、この提案は点線源から放射
状に放射されるＸ線に対して半影部を減少させる場合は
効果があるが、ソーラスリット１０等を用いた擬似平行
Ｘ線に対しては何ら効果を示さない。擬似平行Ｘ線に対
しては半影 ３一 部を減少させる方法は未だ提案されていない。また、こ
の提案で減少させようとしている半影部とは点線源から
放射されるＸ線がマスクパターンの不十分な厚さを透過
することにより生ずるもので、本願のような点線源が実
際にはある大きさを持つことに由来する半影部とは別異
のものである。
による半影部を減少させ解像度を上げる目的でマスクパ
ターンの側壁を実質的な共通点へ向けて傾斜させること
が提案されている。しかし、この提案は点線源から放射
状に放射されるＸ線に対して半影部を減少させる場合は
効果があるが、ソーラスリット１０等を用いた擬似平行
Ｘ線に対しては何ら効果を示さない。擬似平行Ｘ線に対
しては半影 ３一 部を減少させる方法は未だ提案されていない。また、こ
の提案で減少させようとしている半影部とは点線源から
放射されるＸ線がマスクパターンの不十分な厚さを透過
することにより生ずるもので、本願のような点線源が実
際にはある大きさを持つことに由来する半影部とは別異
のものである。
（発明の目的）
本発明は、上述の従来形における問題点に鑑みてなされ
たもので、擬似平行Ｘ線を用いてＸ線露光を行なうマス
クにおいて、Ｘ線吸収パターンによる半影部の領域を減
少させ解像度を向上させたＸ線露光用マスクを提供する
ことを目的とする。
たもので、擬似平行Ｘ線を用いてＸ線露光を行なうマス
クにおいて、Ｘ線吸収パターンによる半影部の領域を減
少させ解像度を向上させたＸ線露光用マスクを提供する
ことを目的とする。
（発明の構成）
上記目的を達成するため本発明では、面または線状のＸ
線源を有する軟Ｘ線露光装置に用いられるＸ線露光用マ
スクであって、軟Ｘ線吸収材料で形成されたマスクパタ
ーンの少なくとも線幅方向の断面形状が上記Ｘ線源から
遠い側の辺の両端からそれぞれ上記Ｘ線源の実質的に全
体を見渡せるような台形または台形に近い形であること
を特徴どする。
線源を有する軟Ｘ線露光装置に用いられるＸ線露光用マ
スクであって、軟Ｘ線吸収材料で形成されたマスクパタ
ーンの少なくとも線幅方向の断面形状が上記Ｘ線源から
遠い側の辺の両端からそれぞれ上記Ｘ線源の実質的に全
体を見渡せるような台形または台形に近い形であること
を特徴どする。
（実施例の説明）
以下図面を用いて本発明の詳細な説明する。
なお、従来例と共通する部分については同一の符号で表
わす。
わす。
第３図は本発明の１実施例に係るＸ線露光用マスクを用
いて露光する場合の模式図を示す。同図において、Ｘ線
露光用マスク１３はマスク基板９どＸ線吸収パターン８
によって構成され、その特徴は、Ｘ線吸収パターン８が
マスク基板９に対して垂直ではなく傾斜した側面を有す
ることであり、線幅方向の断面は台形または台形に近い
形状をしている。
いて露光する場合の模式図を示す。同図において、Ｘ線
露光用マスク１３はマスク基板９どＸ線吸収パターン８
によって構成され、その特徴は、Ｘ線吸収パターン８が
マスク基板９に対して垂直ではなく傾斜した側面を有す
ることであり、線幅方向の断面は台形または台形に近い
形状をしている。
このマスクは、面線源または線絵源１によって放射され
たＸ線をソーラスリット１０によって平行化した擬似平
行Ｘ線による露光において、従来マスクに比べ半影部を
減少させ、微細パターンを形成するのに有効である。平
行化手段は別にソーラスリットに限定されるわけではな
く、分光結晶でもよいし又Ｘｌ１１ｍ：ｔ３ＳＯＲ等で
も効果は同じであ４− る。又前述の傾斜角度はＸ線の平行化度合により適切に
選択出来る。例えばソーラスリットの口径をδ１厚さを
ｊとなれば台形の底角θはｔａｎ−’（Ｊ／ｄ）近辺ま
たはこれより小さ目に選択すればよい。第４図は第３図
にお１プるマスク１３およびウェハ６部分の拡大図を示
す。同図において、破線は、従来のマスク基板９に対し
て垂直の側壁をもつＸ線吸収パターン５を表わしている
。この従来のＸ線吸収パターン５による半影部は入射Ｘ
線Ｂ、Ｃがつくり出す部分で、その大きさはδ１である
。一方、本発明によるＸ線吸収パターン８による半影部
は入射ＸＩＡ、Ｃでつくり出される部分でその大きさは
δ２である。
たＸ線をソーラスリット１０によって平行化した擬似平
行Ｘ線による露光において、従来マスクに比べ半影部を
減少させ、微細パターンを形成するのに有効である。平
行化手段は別にソーラスリットに限定されるわけではな
く、分光結晶でもよいし又Ｘｌ１１ｍ：ｔ３ＳＯＲ等で
も効果は同じであ４− る。又前述の傾斜角度はＸ線の平行化度合により適切に
選択出来る。例えばソーラスリットの口径をδ１厚さを
ｊとなれば台形の底角θはｔａｎ−’（Ｊ／ｄ）近辺ま
たはこれより小さ目に選択すればよい。第４図は第３図
にお１プるマスク１３およびウェハ６部分の拡大図を示
す。同図において、破線は、従来のマスク基板９に対し
て垂直の側壁をもつＸ線吸収パターン５を表わしている
。この従来のＸ線吸収パターン５による半影部は入射Ｘ
線Ｂ、Ｃがつくり出す部分で、その大きさはδ１である
。一方、本発明によるＸ線吸収パターン８による半影部
は入射ＸＩＡ、Ｃでつくり出される部分でその大きさは
δ２である。
（発明の効果）
このように、本発明によるＸ線露光用マスクパターン８
がつ（り出す半影部の大きさは従来のマスクパターン５
に比べ明らかに小さくなっている。
がつ（り出す半影部の大きさは従来のマスクパターン５
に比べ明らかに小さくなっている。
従って半影部が減少することで解像度が上がり、微細パ
ターンを形成するのに有効である。
ターンを形成するのに有効である。
なお、マクスパターンを等脚台形に形成して擬似平行Ｘ
線を用いる場合、マスクとウェハは相対位置を合わせれ
ばよく、特開昭５６−９４３５１の点線源を基準として
絶対位置合わせを行なう場合に比べて位置合わせが容易
である。
線を用いる場合、マスクとウェハは相対位置を合わせれ
ばよく、特開昭５６−９４３５１の点線源を基準として
絶対位置合わせを行なう場合に比べて位置合わせが容易
である。
第１および第２図はそれぞれ従来のＸ線露光用マスクを
用いて露光する状態を示す模式図、第４図は本発明の１
実施例に係るＸ線露光用マスクを用いて露光する状態を
示す模式図、そして、第４図は第３図における要部の拡
大図である。 １・・・面線源、３・・・Ｘ線、４・・・マスク基板、
７・・・ウェハ、８・・・マスクパターン、９・・・レ
ジスト、１０・・・ソーラスリット、１３・・・マスク
。 特許出願人 キャノン株式会社 代理人 弁理士 伊東辰雄 代理人 弁理士 伊東哲也 ７− 第１図 第２図 第３図
用いて露光する状態を示す模式図、第４図は本発明の１
実施例に係るＸ線露光用マスクを用いて露光する状態を
示す模式図、そして、第４図は第３図における要部の拡
大図である。 １・・・面線源、３・・・Ｘ線、４・・・マスク基板、
７・・・ウェハ、８・・・マスクパターン、９・・・レ
ジスト、１０・・・ソーラスリット、１３・・・マスク
。 特許出願人 キャノン株式会社 代理人 弁理士 伊東辰雄 代理人 弁理士 伊東哲也 ７− 第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、面または線状のＸ線源を有する軟Ｘ線露光装置に用
いられるＸ線露光用マスクであって、軟Ｘ線吸収材料で
形成されたマスクパターンの少なくとも線幅方向の断面
形状が上記Ｘ線源から遠い側の辺の両端からそれぞれ上
記Ｘ線源の実質的に全体を見渡せるような台形または台
形に近い形であることを特徴とするＸ線露光用マスク。 ２、前記軟Ｘ線露光装置はＸ線を平行化させる平行化手
段を有し前記台形は等脚台形である特許請求の範囲第１
項記載のＸ線露光用マスク。 ３、前記マスクパターンがｘｓｉ＋照射源と反対の側に
形成されている特許請求の範囲第１または２項記載のＸ
線露光用マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59092894A JPS60239019A (ja) | 1984-05-11 | 1984-05-11 | Ｘ線露光用マスクおよびｘ線露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59092894A JPS60239019A (ja) | 1984-05-11 | 1984-05-11 | Ｘ線露光用マスクおよびｘ線露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60239019A true JPS60239019A (ja) | 1985-11-27 |
| JPH0546696B2 JPH0546696B2 (ja) | 1993-07-14 |
Family
ID=14067164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59092894A Granted JPS60239019A (ja) | 1984-05-11 | 1984-05-11 | Ｘ線露光用マスクおよびｘ線露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60239019A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0252416A (ja) * | 1988-08-16 | 1990-02-22 | Agency Of Ind Science & Technol | 平行ｘ線用露光マスク |
| KR100501768B1 (ko) * | 2002-11-30 | 2005-07-18 | 엘지전자 주식회사 | Ｘ-선 마스크 및 그 제조 방법 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07101392A (ja) * | 1993-09-30 | 1995-04-18 | Techno Suupaa Liner Gijutsu Kenkyu Kumiai | ２段式ウォータージェット式ジェット推進船 |
-
1984
- 1984-05-11 JP JP59092894A patent/JPS60239019A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0252416A (ja) * | 1988-08-16 | 1990-02-22 | Agency Of Ind Science & Technol | 平行ｘ線用露光マスク |
| KR100501768B1 (ko) * | 2002-11-30 | 2005-07-18 | 엘지전자 주식회사 | Ｘ-선 마스크 및 그 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0546696B2 (ja) | 1993-07-14 |
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