JPS5984518A - 電子ビーム・リングラフィの近接効果補正方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔本発明の分野〕 本発明は、電子ビーム・リソグラフィにおける近接の影
＃を補正する方法に関するものであり、特に、電子ビー
ムの照射量を変えることなく、電子ビームの近接の影響
を押える又は無くす方法に関するものである。

〔背景技術〕

電子ビームは、非常に小さな径にすることができるので
、マイクロ回路の製造において高分解能パターン形成す
るのに使用されてきた。このようた小さな径の電子ビー
ムは、高集積マイクロ回路の製造における直接描画の手
段として使用されてきたばかりでなく、マイクロ回路製
造時に用いる高分解能マスクを形成することにもまた使
用されてきた。

電子ビームが電子ビーム感応レジストのような物質ヲ頁
通ずるときには、ビーム中の高エネルギ１次電子が物質
中の分子と衝突して、横方向に偏向する即ち散乱するこ
とになる。このような価突によって、２次電子がまた放
出され、この２次電子は、前方ばかシでなく、横方向並
びに後方にも、進む。

この２次電子の後方散乱は、電子ビーム感応レジスト支
持板との間の境界をなす物質界面において、特に良く起
きる。１次電子及び２次電子の横方向の広が９によって
、散乱電子は、近くの横領域に当ってしまう。２つの照
射すべき領域が互いに近接しているときには、各領域は
、その領域の照射の間に直接電子ビームで照射されるば
かりでなく、近接領域の照射の間に電子の横方向散乱則
ち広がりによる余分な電子で照射されることにもなる。

この結果、近接領域は、同じ入射量では、分離された領
域に比べてより多く照射されることになる。従って、入
射量を補正しなければ、電子ビーム感応レジストは、他
の電子ビーム照射領域に近接している電子ビーム照射領
域と、分離されている電子ビーム領域とでは、異なって
現像されることになる。これが、電子ビーム・リングラ
フィにおける近接の影響である。

近接の影響を避ける先行技術の方法としては、次のよう
なものがある。即ち、近接領域からの散乱電子によって
なされる予ル］される余分な照射を、入射量を対応して
減らすことにより、補正する方法である。パターンの至
る所で総照射量が実質的に一様となるように、１つの複
雑なパターンを構成する各領域に対して必要な入射量を
計算するコンピュータ・プログラムが、開発された。分
１碓された領域には、他の領域に近接する領域よりも、
多（の入射が行なわれる。

・こ）のような技術は大変有効であるが、次のようなこ
とのために、むしろ高価なものになっている。

即ち、そのようなプログラムの開発に高いコストがかか
るばかりでな（、高価なコンピュータ演算を必要とする
こと、入射量のデータをストアすること、現像１′−る
こと、製造すること、並ひにコンピュータ制御によって
入射量を変えろことができるような電子ビーム装置を保
守することに余分な出費がかかるからである。

近接の影響を補正するために照射量を変えるよ５な先行
技術における他の問題は、次のようなことである′。即
ち、照射プロセスが本質的に照射パターンの至る所で入
射に対して一様な照射量を生じるものであるときには、
このような技術を用いることは全くできない。このよう
な事態は、通常、例えば、電子ビームをベクトル・スキ
ャンするよりもむしろマスク・スキャンするときに、起
きる。

それは、また、マスクに電子ビームを照射して電子ビー
ム照射パターンを形成するとき、並びに、パターン化し
た層から直接パターン状に′Ｆ１３、子が放出されると
きにも、起きる。このような電子ビーム投影マスク並び
にパターン状に電子を放出するものは、現時点では実際
に使用されていないが、将来、このような技術を開発す
ることは可能である。

〔本発明の概要〕

本発明の目的は、適用照射量ケ変えることなく、１［子
ビームの近接の影響を゛減らす又は無くす方法を提供す
ることである。

このような目的をなす本発明は、横方向の散乱の影響に
よる近接形状部分からの照射への寄与を計算することな
（、電子ビームの近接の影響を減らす又は無（す方法を
も、提供する。

本発明では、所期の電子ビームリングラフィ・パターン
の各照射形状部分を２つの部分、例えばリングラフィ・
パターンの最小線幅程度の幅をなす周囲部分と、この周
囲部分により完全に囲ま、れた中央部分（もし、存在す
るなら）とに分割することにより、近接の影響を減らす
か又は無くす。

非常に狭い形状部分（幅が最小線幅程度の線状部分のよ
うな）には、中央部分は存在しないことになる。多くの
形状部分には、少な（とも１つの中央部分が存在するで
あろう。それから、各中央部分の縁すその中央部分を囲
んでいる周囲部分から離し７て内側に移動即ち設定して
（中央部分のサイズを縮小することに類似する）、中央
部分を囲んでいる周囲部分から谷中央部分を分離するよ
うな公称未照射の帯状領域を形成することにより、所期
のりソグラフイ・パターンを補正する。

この補正した照射パターンで直接照射した放射線感応層
な現像するときに、公称未照射の帯状領域がまるで照射
されたかのように実質的に現像される限り、補正したり
ソグラフイ・パターンにおける公称未照射の帯状領域の
幅を、できる限り大きく選ぶことが、好ましい。実際、
公称未照射の帯状領域には、形状部分（周囲部分子もし
存在するなら中央部分）の直接照射したところから散乱
した電子が、当たる。公称未照射の帯状領域の適切７よ
幅は、通常、各形状部分の外周縁に施す縁バイアスの約
２倍であることが、わかった。中央部分が非常に太きい
ときには、この適Ｑノな幅幻：さらに太き（なる。

公称未照射の帯状領域のために形状部分の照射によって
生じる後方散乱及び偏向した２次電子が形状部分のうち
の周囲部分の外周領域に達する数は減る。特に、形状部
分のうちの中央部分の照射によって生じるそのような２
次電子の数は減る。

この結果、近接する形状部分間の不都合な近接の影響は
、著しく、減らされる。

さらに近接の影響を減らす為に、大きな中央部分の各々
を小周囲部分と小中央部分（もし存在するなら）とに分
割することにより、大きな形状部分をさらに細分するこ
とができる。各小中央部分の縁を、再びそれを囲んでい
る小周囲部分から離して内側に設定し、各小中央部分を
その回りの小周囲部分から分離するような公称未照射の
帯状領域をさらに形成する。この結果、公称未照射の帯
状領域により互いに分離されている入れ子のような線状
の周囲部分からｌ成るパターンが生じる。そのような帯
状領域は、その内側に形状部分が残れば七〇内仙ｊ部分
を囲むことになる。

〔本発明の実施例〕

第１図に、典型的な所期のりソグラフイ・ノくターン１
０を示す。このリソグラフィ・パターン１０を変更して
近接補正した照射パターンを作ることになる。それで、
ポジ型の電子ビーム・レジストのような放射線感応層を
補正したパターンで直接に照射して現像すると、リソグ
ラフィ・ノくターン１０に相当するパターンが形成され
る。

本発明に従って、所期のリングラフィ・パターンの各形
状部分を、リングラフィ・パターンの最小線幅程度の幅
をなす周辺部分と、１つ又は複数の中央部分とに、分割
する。このように分割された所期のりソグラライ・パタ
ーンが、第１図に示すような陰影部分１１１．１２及び
１３かも成ると１−る。そして、ポジ型で照射及び現像
するプロセスを用いるとする。

第２図では、パターンの周囲部分１４．１５及び１６に
は、陰影が施されている。点線１９及び２０の内側の陰
影を施していない部分が、中央部分である。第２図に示
したパターンは、次のようにして形成した。即゛ち、第
１図の陰影を施したパターンの全ての縁から所定寸法だ
け垂直に内側へ入って、その位置に中央部分を規定する
点線で示した境界＆！を形成することによってである。

パターンを構成する部分のうち、幅がそのような所定寸
法の２倍にもならない部分は、周囲部分をな′すに過ぎ
ず、このような部分には、そのような境界線は存在しな
い。周囲の縁部分の幅は、適宜定められるが、所定寸法
は、第１図のりソグラフイ・パターン１０の狭い一部分
の幅に等しくした。その幅よりもさらに広い又は狭い寸
法も、その寸法が照射パターンの最小線幅程度である限
り、選択できる。

照射パターンの最小線幅は、リングラフィ・パターンの
最小線幅と同じではない。照射パターンの最小線幅は、
照射パターン中の最も狭い縁部分の幅（照射線節分又は
未照射線部分の最小の幅）であり、一方、リソグラフィ
・パターンの最小線幅は、現像されたパターン中の最も
狭い線部分の幅（現像された線部分又はスペース部分の
最小の＋１ｇ）である。両者は、一般的に、縁バイアス
景の２倍はど異なっている。

放射線感応層を、放射線で所定のパターンに照射し、そ
れから現像すると、パターン中の照射された形状は、直
に照射された形状のサイズよりも多少太ぎなサイズ（幅
及び長さ）に、現像される。

この拡大の影響ヲ補正するために、照射する形状の縁を
、予め、拡大するのとは反対のノ月１りに、対応する寸
法だけ戻しておく即ちずらせておくのである。これが、
いわゆる”縁バイアス′″である。

現像の間に、照射した形状の縁は、所定の位置に達する
。一般頼、縁バイアスの適切な量は、層の厚さ及び組成
、現像液の濃度及び組成、並びに照射する形状について
の実効照射量のような、プロセス変数によって変化する
。

どのリソグラフィ照射・現像プロセスでも、ある時点で
、縁バイアスを導入している。例えば、縁バイアスなり
ソグラフイ・パターンの縁に導入する前又は導入した後
のいずれかで、周囲部分又は中央部分を定めることがで
きる。第２図の周囲部分及び中央部分は、縁バイアスを
第１図のりソグラフイ・パターンに導入する前に、定め
である。

縁バイアスは、次のステップで導入する。

１ｔｕ常、縁バイアスは、リソグラフィ・パターンの全
ての縁に導入する。本発明による１つの方法では、リン
グラフィ・パターン中に既に存在していたｈ部分ばかり
でなく、そのパターンを周囲部分及び中央部分に分割す
ることにより形成された新しい縁部分即ち、新たに定ま
った、周囲部分の内側縁部分（１つの中央部分火規定す
るそれに近接した周囲部分の縁部分）及び中央部分の外
周縁部分にも、縁バイアスを導入する。

第６図に、このようにして縁バイアスを導入することを
、示しである。第６図の点線２１が、第１図のパターン
の境界を表わしている。これらの境界の各々を、所定の
寸法（縁バイアス量）だけ垂直に内側へ移動させて、新
しい境界２２を形成している。第６図の点線１９及び２
０が、各々、第２図の中央部分１７及び１日とそれらを
囲む周囲部分との間の境界を表わしている。従って、境
界１９及び２０は、各々、同時に、周囲部分の新たに規
ボされた内側縁部分並ひに中央部分の新たに規定された
外周縁部分をも表わしている。第６図では、照射パター
ンにおける周囲節分の縁部分２４及び２５を形成するた
めに、周囲部分の新しい内側縁部分は、対応する境界の
線から垂直に所定寸法だり゛内側に移動しである。また
、照射パターンにおける中央部分の縁部分２６及び２７
′ｆｔ：形成するために、中央部分の新しい外周縁部分
は、対応する境界の線から垂直に所定寸法だり゛内側に
移動しである。このように、周囲部分の新しい内側縁部
分及び中央部分の新しい外周縁部分をバイアスすること
により、公称未照射の帯状領域２８及び２９が、周囲部
分のバイアスされた縁部分２４及び２５と中央部分のバ
イアスされた縁部分２６及び２７との間に、形成される
。

近接補正した照射パターンには、周囲部分のバイアスさ
れた縁部分と中央部分のバイアスされた縁部分とが含ま
れる。帯状領域２８及び２９は、プことえそれらがリン
グラフィ・パターン内の領域に対応していても、直接的
には照射されない。帯状領域２８及び２９は、公称上は
未照射であるが、それにもかかわらず、それらには、中
央部分及び周囲部分の照射の間に、近接する中央部分と
周囲部分からの散乱電子が、当たる。バイアスした縁部
分は、当然、現像の際にそれらの予めバイアスされた位
置へ戻ることになる（このようなことが起きるように、
縁バイアスの量を選択するのであるが）ので、第３図の
陰影パターンに従って照射した放射線感応ｊ−は、第１
図に示した所望のリングラフィ・パターンに現像される
ことになる。

通常、形状部分の外側並びに中央部分と周囲部分との間
の境界Ｈの両側における縁部分のバイアネ作用は、大概
同じになる。しかしながら、バイアスが広かったり又は
狭かったりする方が、より適切となるような特別の場合
も、起きることがある。例えば、第２図に示すパターン
では、中央部分１７のアーム部３６の幅は、大変狭いの
で、他の縁部分と同じ量だけこのアーム部の両側な縁バ
イアスすると、結果的に、中央部分のアーム部２８（第
６図）には、幅が残らないことになることは、明らかで
ある。このアーム部の縁バイアスは、最小幅の狭い部分
３８（第６図）が残るように、減少させた。中央部分の
幅が非常に広いときには、中央部分に導入する縁バイア
スを増加させるのには適していることになる。なぜなら
、大きな中央部分によって、相対的により多くの散乱が
生じ、そして、この散乱を幅のより広い公称未照射領域
に当てることができるからである。

第１図乃至第６図を用いて既に説明した方法を第４図に
、工程図で示す。第１図には、６つの形状部分１１１．
１２及び１６を有するパターンが示されている。これら
の形状部分の各々は、１つの形状γ′ｉｉ（分を２つ以
上の基本的な形状部分に分割したときに得られる個々の
形状部分とそのような形状部分を区別するために、連続
形状？ＸＩｓ分と呼ぶことにする。このような連続形状
部分は、例えば、他の形状部分にはつながっていない１
つの連続した領域とし７て定義することもできる。連続
形状部分の特徴は、この部分の形を定める周囲の縁が連
続しており、この周囲の縁が１つのパターン部分の内側
を貫通していないことである。分割した形状ｔ１β分に
は、このような特徴はない。

第１図乃至第３図を用いて示した、Ｊｉ望のりソグラフ
イ・パターンにおける各連続形状１＋　１％分について
の方法では、周囲部分を、最小線幅程度の幅、りで有す
るように定め、残りの部分（もしあるなら）を、中央部
分として定める。それから、各周囲部分並びに各中央部
分について、イ１ω・７の縁ノくイアス補正した照射パ
ターンを、まるで各部分が他の全ての部分から分離され
たように、形成する。最後に、個々のバイアス補正した
照射ノくターンの全てを、重ね合せる。このようにして
、所望のリソグラフィ・パターンに現像されるような近
接補正した照射パターンを形成することになる。

第５．７図乃至第５．１０図に、このような方法を、幅
が徐々に太きく１ヨっている恒数の矩形形状部分にどの
ように適用するかを示す。第５．７図の所望形状部分４
０（点線で示した部分）の幅は、リソグラフィ・パター
ンの最小線幅になっているとする。適切な縁バイアス量
は、この幅の４分の１であるとする。

第５．２図乃至第５．１０図に示している形状部分４１
乃至４７（点線で示した部分）の幅は、次第に広（なっ
ている。形状部分４６は、第５．７図と第５．８図の両
方に示されているし、形状部分４７も４ｇ５．９図と第
５．１０図の両方に示されている。

最初に、各矩形形状部分を、周囲部分と可能なら中央部
分とに細分した。第５．７図乃至第５．６図における形
状部分は、余りにも幅が狭いので、中央部分を設けるこ
とはできない。第５．４図の中央部分は、幅のない領域
となっており、何ら領域を取り囲んでいない境界線（点
線）４８で示しである。第５．５図乃至第５．１０図に
は、中央ＩＢ分を取り囲むような境界部が存在する。こ
れらの境界線ハ、谷々点線４９乃至５４で示］７である
。このような境界線は、矩形形状部分の外周縁（点線で
示したところ）から等距離（最小線幅）にあり、同じ幅
ラフ、仁す周囲部分を形成している。

周囲部分（点線矩形形状部分４０乃至４７ともしあるな
ら点線境界部分４８乃至５４との間の部分ンに、同じ鉦
（最小線幅の４分の１）だけ縁バイアスを施して、照射
パターン５５乃至６４を形成した。シた、幅のある各中
央部分（点線境界部分４９乃至５４の内側の部分）にも
縁バイアスを１ｔｄｉして、照射パターン６５乃至７０
を形成した。

各中央部分の外周縁に対する縁バイアスもまた、第５．
５図及び第５．９図ケ除いて、最小線幅の４分の１にな
っている。第５．５図の中央台１′・分は、余りにも小
さいので、同じ量のバイアスを施すことができない。第
５．４図における公称未照射の中央領域７１は、できる
限り幅を広くしであるが、それでも、次のパターン照射
の間に必要な散乱電子の照射を受けるようになっている
。未照射の中央領域が大きくなってくると（第５．５図
）、少なくとも中央の狭い線部分６５を照射支る必要が
生じて（る。第ｉ）９図で（ｒＪ、、中央の照射領域６
９が大変大きいので、大きなバイアスを用いることがで
きる。従って、第５．９図の中央部分の外周縁のバイア
スを、最小線幅の半分だけ増大させである。

第５．８図及び第５．１０図では、中央部分をさらに小
周囲部分と小中央竹ｉ）分とに細分丁ン）ことにより、
中央品分をさらに個・ンの形状ｆ・１１）分として処理
している。こうしてできた境界部分７Ｂ及び８０によっ
て、小中央１７１５分が定まっている。小周囲部分は、
境界部分５２と７８との向（第５．８図）並びに境界部
分ｂ４と８０との間（′ｉ；ｆ、５．１０図）に存在す
る。第５．４図の境界部分４８のように、境界部分７８
によって何ら領域を生じていない小中央部分が規定され
ている。形状部分ケ先に細分したように、さらに中央部
分を細分しても良い。小中央部分をさらに細分すること
は、可能であるが、近接補正を実質的に向上させること
にはならない。

第５．１図乃至第５．１Ｄ図においては、公称未照射の
帯状領域は、７１乃至７７．８１及び８２と示しである
。

第２図及び第３図並びに第５．７図乃至第５．１０図に
示した実施例では、縁バイアスを施す前に、周囲部分と
゛中央部分とを細分することを行なっている。周囲ｋＩ
Ｓ分と中央部分とを細分する前に、ある程度の縁バイア
スを施すことも可能である。このことを〜第６図乃至第
８図に示す。第６図には１、賢小４Ａ　Ｉ′＋ｆの４分
の１の縁バイアスを、存在する各縁１４１ｐ分に〃山し
たことを除いて、第１図のパターンに全く対厄している
パ”ターン９０が示しである。

ｑｇ　６図に７４マしたパターン９０は、第１図のりソ
グラフイ・パターンを得るために先行技術で一般に使用
されているような照射パターンに対応している。もし、
先行技術の方法で近接の影響を避けようとするなら、第
６図のパターンを分割して、分割したパターンの柚・マ
の部分ケ、橿・マの入射量で照射することになる。

本発明の方法では、縁バイデスを施したパターン（第６
図）を分割しても良いし、所望するなら、分割しな（て
も良い。非常に太ぎなパターンについては、パターンを
分割することにより、処理するデータが軽減されるので
、祿バイアスを施したパターンを、第７図に示すような
矩形形状部分に分割する。台形、平行４辺形、３角形等
のような他の基本的な形状部分に分割う゛ることも、ま
た可能である。第７図には、１１個の矩形形状部分１０
０乃至１１０が示しである。分割した形状部分の各々を
、周囲部分と、可能なら中央部分とに、分割しである。

点線１１１乃至１１４が、周囲部分と中央部タヨとの間
の境界であり、１２０乃至１６０が周囲ｂ（６分で、１
６１乃至１５４が中央ｉｔｓ分である。各周囲部分の幅
は、パターンの最小線幅の半分程度であるので、現像の
際に最小線幅の４分の１程度の広がりが緑で生じると、
ｆｌｕ、Ｉパターンの周囲部分の幅は、最小線幅程度に
なる。

パターンを周囲部分と中央部分とに細分する前に、パタ
ーンに縁バイアスを既にｈ（ｌ１１／て、し、るので、
外周に縁バイアスをさらに施す必要はない。なお、公称
未照射の帯状領域を作ることになるが、それらの幅は、
典型的には、縁バイアス寸法の約２倍になるであろう。

この実力１１１例では、中央部分に倍の縁バイアスを施
すことにより、公称未照射の帯状領域を作る。

しかし、次のことに注意されたい。即ち、代わりに、１
．！、Ｊ囲部分をより幅の広い＋１１９分（１列え４゛
ｙ１最小−幅の４分の６程度）として規定していた／、
ｃも、境界部分に沿って縁バイアスを施すことがｉｊＪ
能である。

第８図に、この実施例によって完成させた照射パターン
を示す。周囲部分１２０乃至１３０には、さらに縁バイ
アスを施すようなことは何らしなかったが、中央４ｘｌ
Ｓ分には、第６図のパターンを生じるために最初のパタ
ーンに施したバイアスの２倍を施した。最初の中央部分
１６１乃至１６４を、公称未照射の帯状領域１４１乃至
１４４と照射パターンの中央部分１５１乃至１５４とに
分割した。

ポジ型の放射線感応層を、第８図に示した１有形部分か
ら成る゛近接補正した照射パターンで照射して、現像す
るときには、第１図に示したようなりソグラフイ・パタ
ーンが形成される。

第８図の近接補正したパターンを形成するのに　　用い
た方法を、第９図の工程図によって詣１明する。

最初に、所望のリングラフィ・パターンの連続形状部分
に、縁バイアスを施す。それから、望むなら、縁バイア
スを施したパターンを分割しても良い。結果として生じ
た各形状部分（分割した形状部分又はバイアス補正した
遅絖形状ＮＸ分のいずれか）は、照射パターンの最小線
幅程度の幅をなす部分がＸ四相・分として規定されると
ともに、残りの部分（もしあるなら）が、中央部分とし
て規定される。次に、各中央Ｒ１５分の縁ヲ、その中央
部分を囲む周囲１市分から離して内側に収定し、中央部
分を有する各周囲部分の内側に近接して、公称未照射の
帯状領域を形成する。中央部分には、そのリーイズによ
るが、内側に照射すべき残りの部分が存在したり、存在
しなかったりする。中央部分の縁を内側に設定する量は
、バイアスの寸法の約２倍程度であｌ）と良い。最後に
、周囲部分と中央部分の残った照射すべき部分とを重ね
合せて、近接補正した照射パターンを形成する。

周囲部分は、バイアスを施す前に定めても良いし、バイ
アスを施した後に定めても良い。、明らかに、バイアス
を施す前の周囲部分の幅、は、バイアスを施した彼の幅
に比べて大きくなっている。好ましくは、照射パターン
における周囲’ＪＩＶ、分に対応する部分の幅が、照射
パターンの最小線幅となるように、ｊ６」開部分の幅を
定めると良い。明らかに、その幅を多少増減させること
は可能である。しかし７よがも、容易にわかるように、
照射する周囲部分の幅は、近接の影＃を減らすために、
照射パターンの最小編幅程度内でなければならない。そ
１〜て、通常の縁バイアスは例示した程大きくはないの
で、リングラフィ・パターンを形成するために用いられ
る、リングラフィ・パターンの最小線幅と照射パターン
の最小線幅とは、通常、互いに大差ない。従って、例え
ば周囲部分の幅を、代わりに、照射パターンというより
もむしろリソグラフィ・パターンの最小Ｈ幅程度とみる
こともできる。

ネガ型で照射及び現像するプロセスを、次のことを除い
て、ポジ型のプロセスと同じ（、用いることができる。

即ち、近接補正のパターンに後で補正することになる最
初のパターンが、所望のりソグラフイ・パターンの反転
即ちネガとなっていることである。

【図面の簡単な説明】

第１図は、形成されるリングラフィ・パターンの１例を
示す平面図、第２図は、不発り」の１実施例によって周
囲部分と中央部分とに分割された第１図のりソグラフイ
・パターンを示す平面図、第６図は、第２図に示した部
分から本発明によって形成される近接補正した照射パタ
ーンを示す平面図、第４図は、第３図の照射バター゛形
成する方法を示す工程図、第５．１図乃至第５．１０図
は、釉々の幅の線形状部分の照射パターンを示す平面図
、第６図は第１図のパターンに縁バイアスを施したパタ
ーンを示す平面図、第７図は第６図のパターンを本発明
の他の実施例によって矩形形状の周囲部分と中央部分と
に分割することを示す平面図、第８図は、第７図に示し
た部分から本発明に〜　よって形成される近接補正した
照射パターンを示す平面図、弔９図は、第８図の照射パ
ターンを形成する方法を示す工程図である。 １４．１５．１６・・・・周囲部分、１７．１８・・・
・中央部分。 出願人　　インターナショナル・ビジネス・マシーンズ
・コゴ１υ−ジョン８ ″）ｒ− Ｑ し− Ｌｌ− Ｌｌ− （＝） Ｌｒ）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 所期の電子ビーム・リングラフィ・パターンの照射形状
   部分を、 少な（とも一方が前記パターンにおける最小線１１％位
   の幅を′１【す領域となっている２つの近接する惧域で
   あって、間に、一方の領域から散乱する２次電子による
   他方の領域へ及ぼす影響が減少するように、そして両方
   の領域から散乱する２次電子によって照射されるように
   、未照射領域を設けたものに、′ 補正して、電子ビームを照射するようにしたことを特徴
   とする、電子ビーム・リソグラフィの近接補正方法。