JP2000214574A - パタ―ン描画用デ―タ作成方法 - Google Patents
パタ―ン描画用デ―タ作成方法Info
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- JP2000214574A JP2000214574A JP1438299A JP1438299A JP2000214574A JP 2000214574 A JP2000214574 A JP 2000214574A JP 1438299 A JP1438299 A JP 1438299A JP 1438299 A JP1438299 A JP 1438299A JP 2000214574 A JP2000214574 A JP 2000214574A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光露光用マスクに微細なパターンを精度良く
かつスループットの低下なしに形成することができるパ
ターン描画用データ作成方法を提供する。 【解決手段】 電子線描画装置によって光露光装置の光
露光用マスク上にパターンを形成するためのパターン描
画用データの作成方法で、パターンの内側に解像限界の
微細スペースを挿入あるいはパターンの外側に解像限界
の微細ラインを配置した描画用データを用いることで、
描画時の電子線量が変化し描画時のグリッド以下のパタ
ーンを描画することができる。
かつスループットの低下なしに形成することができるパ
ターン描画用データ作成方法を提供する。 【解決手段】 電子線描画装置によって光露光装置の光
露光用マスク上にパターンを形成するためのパターン描
画用データの作成方法で、パターンの内側に解像限界の
微細スペースを挿入あるいはパターンの外側に解像限界
の微細ラインを配置した描画用データを用いることで、
描画時の電子線量が変化し描画時のグリッド以下のパタ
ーンを描画することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子線描画装置に
よって光露光用マスクにパターンを形成するためのパタ
ーン描画用データ作成方法に関するものである。
よって光露光用マスクにパターンを形成するためのパタ
ーン描画用データ作成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在、ＤＲＡＭを始めとする半導体装置
の製造に用いられる光露光装置では、実際の半導体装置
の回路パターンを５〜１０倍に拡大して作成された光露
光用マスク（レチクルとも呼ぶ）を用い、レジストを塗
布したウェハー上に回路パターンを結像させる縮小投影
露光が主流になっている。しかしながら、半導体装置の
回路パターンの微細化が進み光露光装置の露光光の波長
が半導体装置の回路パターンの幅に近づいてきているた
め、光露光用マスクに形成されたパターンの角部や辺の
周辺部で光の回折や干渉が起こり解像度や焦点深度が不
足して光学像が歪む光の近接効果による問題が顕著にな
ってきている。通常の光露光用マスクでは、近接効果に
よって、例えば回路パターン長辺部の縮みや角部の膨ら
み等、露光後のレジストパターンの変形が起こるため、
ウェハー上に所望のサイズの半導体装置の回路パターン
を形成することが困難になっている。そこで、光露光後
の回路パターンの変形をなくすため、光学像の歪み量を
予め考慮して光露光用マスクのパターンを補正しておく
近接効果補正が必須になる。
の製造に用いられる光露光装置では、実際の半導体装置
の回路パターンを５〜１０倍に拡大して作成された光露
光用マスク（レチクルとも呼ぶ）を用い、レジストを塗
布したウェハー上に回路パターンを結像させる縮小投影
露光が主流になっている。しかしながら、半導体装置の
回路パターンの微細化が進み光露光装置の露光光の波長
が半導体装置の回路パターンの幅に近づいてきているた
め、光露光用マスクに形成されたパターンの角部や辺の
周辺部で光の回折や干渉が起こり解像度や焦点深度が不
足して光学像が歪む光の近接効果による問題が顕著にな
ってきている。通常の光露光用マスクでは、近接効果に
よって、例えば回路パターン長辺部の縮みや角部の膨ら
み等、露光後のレジストパターンの変形が起こるため、
ウェハー上に所望のサイズの半導体装置の回路パターン
を形成することが困難になっている。そこで、光露光後
の回路パターンの変形をなくすため、光学像の歪み量を
予め考慮して光露光用マスクのパターンを補正しておく
近接効果補正が必須になる。
【０００３】一般に、光露光用マスクに形成するパター
ンの形状を設計もしくは補正する際には、ある一定間隔
の幅をもって格子状に規則正しく並べられた線を用いこ
の線上で行う。パターンの形状を設計する際に半導体装
置の回路パターンを配置する場所は任意ではなく、上述
した一定間隔の幅をもって格子状に規則正しく並べられ
た線の交点に配置する。以下、この一定間隔の幅をもっ
て格子状に規則正しく並んだ線の様子をグリッド、線を
グリッド線、グリッド線とグリッド線の間隔をグリッド
間隔と称す。
ンの形状を設計もしくは補正する際には、ある一定間隔
の幅をもって格子状に規則正しく並べられた線を用いこ
の線上で行う。パターンの形状を設計する際に半導体装
置の回路パターンを配置する場所は任意ではなく、上述
した一定間隔の幅をもって格子状に規則正しく並べられ
た線の交点に配置する。以下、この一定間隔の幅をもっ
て格子状に規則正しく並んだ線の様子をグリッド、線を
グリッド線、グリッド線とグリッド線の間隔をグリッド
間隔と称す。
【０００４】上述したグリッドは、光露光用マスクにパ
ターンを描画するときに用いる電子線描画装置の走査ピ
ッチ（以下描画グリッドと称す）を、半導体装置のリソ
グラフィ工程で使用する光露光装置の投影縮小率で縮小
した値となる。例えば光露光装置の投影縮小率が１／５
の場合、光露光用マスクに配置するパターンを設計する
際に用いるグリッドは、光露光用マスクへパターンを描
画する描画グリッドの１／５となる。
ターンを描画するときに用いる電子線描画装置の走査ピ
ッチ（以下描画グリッドと称す）を、半導体装置のリソ
グラフィ工程で使用する光露光装置の投影縮小率で縮小
した値となる。例えば光露光装置の投影縮小率が１／５
の場合、光露光用マスクに配置するパターンを設計する
際に用いるグリッドは、光露光用マスクへパターンを描
画する描画グリッドの１／５となる。
【０００５】また、前述した光近接効果により光露光用
マスクに形成されているパターンを微調整する場合、例
えばパターンの中央位置を変えないようにパターンの幅
を微調整するには、グリッドの２倍を１単位にして微調
整する。具体的には、最小幅が０．２μｍのパターンを
０．０１μｍのグリッドで設計した後このパターン幅を
微調整するには、微調整する間隔をグリッド０．０１μ
ｍの２倍の０．０２μｍとする。これにより、パターン
の幅を広げるように微調整するには、微調整後のパター
ン幅を０．２２μｍ、０．２４μｍ、０．２６μ
ｍ．．．とする。一方、パターン幅を狭くする方向に微
調整するには微調整後のパターン幅を０．１８μｍ、
０．１６μｍ、０．１４μｍ．．．とする。このとき、
パターンの微調整の間隔はパターンの幅０．２μｍの１
０％である。
マスクに形成されているパターンを微調整する場合、例
えばパターンの中央位置を変えないようにパターンの幅
を微調整するには、グリッドの２倍を１単位にして微調
整する。具体的には、最小幅が０．２μｍのパターンを
０．０１μｍのグリッドで設計した後このパターン幅を
微調整するには、微調整する間隔をグリッド０．０１μ
ｍの２倍の０．０２μｍとする。これにより、パターン
の幅を広げるように微調整するには、微調整後のパター
ン幅を０．２２μｍ、０．２４μｍ、０．２６μ
ｍ．．．とする。一方、パターン幅を狭くする方向に微
調整するには微調整後のパターン幅を０．１８μｍ、
０．１６μｍ、０．１４μｍ．．．とする。このとき、
パターンの微調整の間隔はパターンの幅０．２μｍの１
０％である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このように、光露光用
マスクのパターンを修正する場合は、パターン幅の１０
％の寸法間隔で調整しなければならない。パターンの幅
を修正する寸法間隔が大きいと寸法間隔以下の微細な寸
法の調整は不可能となり、光露光用マスクのパターンの
寸法精度は低下する。
マスクのパターンを修正する場合は、パターン幅の１０
％の寸法間隔で調整しなければならない。パターンの幅
を修正する寸法間隔が大きいと寸法間隔以下の微細な寸
法の調整は不可能となり、光露光用マスクのパターンの
寸法精度は低下する。
【０００７】また、光露光用マスクにパターンを電子線
描画装置で描画する際に用いるグリッドが制限されてい
るため、描画グリッドに対応しないパターンを寸法通り
に描画することは難しくなる。また、パターンを寸法通
りに形成しようとすると電子線描画装置の描画グリッド
をパターンを修正した際に用いたグリッド程度に設定し
なければならず、元来低スループットであるマスク電子
線描画装置のスループットが益々低下する問題が発生す
る。
描画装置で描画する際に用いるグリッドが制限されてい
るため、描画グリッドに対応しないパターンを寸法通り
に描画することは難しくなる。また、パターンを寸法通
りに形成しようとすると電子線描画装置の描画グリッド
をパターンを修正した際に用いたグリッド程度に設定し
なければならず、元来低スループットであるマスク電子
線描画装置のスループットが益々低下する問題が発生す
る。
【０００８】本発明は、上記したような従来の技術が有
する問題点を解決するためになされたものであり、光露
光用マスクに微細なパターンを精度良くかつスループッ
トの低下なしに形成することができるパターン描画用デ
ータ作成方法を提供することを目的とする。
する問題点を解決するためになされたものであり、光露
光用マスクに微細なパターンを精度良くかつスループッ
トの低下なしに形成することができるパターン描画用デ
ータ作成方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明のパターン描画用データの作成方法は、光露光装
置で用いる光露光用マスクに所望のパターンを形成する
ためのパターン描画用データ作成方法であって、半導体
装置の回路パターンを前記パターンとして形成するため
に所定のグリッド間隔を有する第１のグリッドを用いて
所定の形状を有する第１のパターンを設計し、前記第１
のグリッドを前記光露光装置の投影縮小率の逆数を拡大
倍率として拡大した第２のグリッドに変換し、前記第１
のパターンを前記光露光装置の投影縮小率の逆数を拡大
倍率として拡大した第２のパターンに変換し、前記第２
のグリッドを２倍に拡大して第３のグリッドに変換し、
前記第３のグリッドの中間に位置する第２のパターンの
辺を伸長もしくは縮小して前記第３のグリッドのグリッ
ド線上に移動させて第３のパターンを形成し、前記第３
のパターンの辺から前記第３のグリッドの１グリッド間
隔分内側に所定の形状を有する微細スペースを挿入して
第４のパターンを形成する方法である。
本発明のパターン描画用データの作成方法は、光露光装
置で用いる光露光用マスクに所望のパターンを形成する
ためのパターン描画用データ作成方法であって、半導体
装置の回路パターンを前記パターンとして形成するため
に所定のグリッド間隔を有する第１のグリッドを用いて
所定の形状を有する第１のパターンを設計し、前記第１
のグリッドを前記光露光装置の投影縮小率の逆数を拡大
倍率として拡大した第２のグリッドに変換し、前記第１
のパターンを前記光露光装置の投影縮小率の逆数を拡大
倍率として拡大した第２のパターンに変換し、前記第２
のグリッドを２倍に拡大して第３のグリッドに変換し、
前記第３のグリッドの中間に位置する第２のパターンの
辺を伸長もしくは縮小して前記第３のグリッドのグリッ
ド線上に移動させて第３のパターンを形成し、前記第３
のパターンの辺から前記第３のグリッドの１グリッド間
隔分内側に所定の形状を有する微細スペースを挿入して
第４のパターンを形成する方法である。
【００１０】このとき、前記微細スペースは、前記第３
のグリッドの１グリッド間隔分乃至数グリッド間隔分の
幅であってもよい。
のグリッドの１グリッド間隔分乃至数グリッド間隔分の
幅であってもよい。
【００１１】また、前記微細スペースは、前記光露光用
マスクに描画する際に使用するレジストをネガ型レジス
トとした場合、前記第４のパターンの辺における電子線
量減少に伴うレジストパターンの収縮寸法と前記第３の
グリッドのグリッド間隔の半分とが等しくなる幅であっ
てもよく、前記光露光用マスクに描画する際に使用する
レジストをポジ型レジストとした場合、前記第３のパタ
ーンの辺における電子線量減少に伴うレジストパターン
の伸長寸法と前記第３のグリッドのグリッド間隔の半分
とが等しくなる幅であってもよい。
マスクに描画する際に使用するレジストをネガ型レジス
トとした場合、前記第４のパターンの辺における電子線
量減少に伴うレジストパターンの収縮寸法と前記第３の
グリッドのグリッド間隔の半分とが等しくなる幅であっ
てもよく、前記光露光用マスクに描画する際に使用する
レジストをポジ型レジストとした場合、前記第３のパタ
ーンの辺における電子線量減少に伴うレジストパターン
の伸長寸法と前記第３のグリッドのグリッド間隔の半分
とが等しくなる幅であってもよい。
【００１２】さらに、前記微細スペースは、前記光露光
用マスクに描画する際に使用する前記ネガ型レジストで
は解像されない形状であってもよく、前記光露光用マス
クに描画する際に使用する前記ポジ型レジストでは解像
されない形状であってもよい。
用マスクに描画する際に使用する前記ネガ型レジストで
は解像されない形状であってもよく、前記光露光用マス
クに描画する際に使用する前記ポジ型レジストでは解像
されない形状であってもよい。
【００１３】本発明の他のパターン描画用データの作成
方法は、光露光装置で用いる光露光用マスクに所望のパ
ターンを形成するためのパターン描画用データ作成方法
であって、半導体装置の回路パターンを前記パターンと
して形成するために所定のグリッド間隔を有する第１の
グリッドを用いて所定の形状を有する第１のパターンを
設計し、前記第１のグリッドを前記光露光装置の投影縮
小率の逆数を拡大倍率として拡大した第２のグリッドに
変換し、前記第１のパターンを前記光露光装置の投影縮
小率の逆数を拡大倍率として拡大した第２のパターンに
変換し、前記第２のグリッドを２倍に拡大して第３のグ
リッドに変換し、前記第３のグリッドの中間に位置する
第２のパターンの辺を伸長もしくは縮小して前記第３の
グリッドのグリッド線上に移動させて第３のパターンを
形成し、前記第３のパターンの辺から前記第３のグリッ
ドの１グリッド間隔分外側に所定の形状を有する微細ラ
インを挿入して第４のパターンを形成する方法である。
方法は、光露光装置で用いる光露光用マスクに所望のパ
ターンを形成するためのパターン描画用データ作成方法
であって、半導体装置の回路パターンを前記パターンと
して形成するために所定のグリッド間隔を有する第１の
グリッドを用いて所定の形状を有する第１のパターンを
設計し、前記第１のグリッドを前記光露光装置の投影縮
小率の逆数を拡大倍率として拡大した第２のグリッドに
変換し、前記第１のパターンを前記光露光装置の投影縮
小率の逆数を拡大倍率として拡大した第２のパターンに
変換し、前記第２のグリッドを２倍に拡大して第３のグ
リッドに変換し、前記第３のグリッドの中間に位置する
第２のパターンの辺を伸長もしくは縮小して前記第３の
グリッドのグリッド線上に移動させて第３のパターンを
形成し、前記第３のパターンの辺から前記第３のグリッ
ドの１グリッド間隔分外側に所定の形状を有する微細ラ
インを挿入して第４のパターンを形成する方法である。
【００１４】このとき、前記微細ラインは、前記第３の
グリッドの１グリッド間隔分乃至数グリッド間隔分の幅
であってもよい。
グリッドの１グリッド間隔分乃至数グリッド間隔分の幅
であってもよい。
【００１５】また、前記微細ラインは、前記光露光用マ
スクに描画する際に使用するレジストをネガ型レジスト
とした場合、前記第４のパターンの辺における電子線量
増大に伴うレジストパターンの伸長寸法と前記第３のグ
リッドのグリッド間隔の半分とが等しくなる幅であって
もよく、前記光露光用マスクに描画する際に使用するレ
ジストをポジ型レジストとした場合、前記第３のパター
ンの辺における電子線量増大に伴うレジストパターンの
収縮寸法と前記第３のグリッドのグリッド間隔の半分と
が等しくなる幅であってもよい。
スクに描画する際に使用するレジストをネガ型レジスト
とした場合、前記第４のパターンの辺における電子線量
増大に伴うレジストパターンの伸長寸法と前記第３のグ
リッドのグリッド間隔の半分とが等しくなる幅であって
もよく、前記光露光用マスクに描画する際に使用するレ
ジストをポジ型レジストとした場合、前記第３のパター
ンの辺における電子線量増大に伴うレジストパターンの
収縮寸法と前記第３のグリッドのグリッド間隔の半分と
が等しくなる幅であってもよい。
【００１６】さらに、前記微細ラインは、前記電子線描
画装置を用いて前記光露光用マスクに描画する際に使用
する前記ネガ型レジストでは解像されない形状であって
もよく、前記電子線描画装置を用いて前記光露光用マス
クに描画する際に使用する前記ポジ型レジストでは解像
されない形状であってもよい。
画装置を用いて前記光露光用マスクに描画する際に使用
する前記ネガ型レジストでは解像されない形状であって
もよく、前記電子線描画装置を用いて前記光露光用マス
クに描画する際に使用する前記ポジ型レジストでは解像
されない形状であってもよい。
【００１７】上記のような描画用データ作成方法では、
光露光用マスクのパターンの内側に電子線描画装置で描
画する際に解像されない形状の微細スペースを挿入した
パターン描画用のデータ、又は光露光用マスクのパター
ンの外側に電子線描画装置で描画する際に解像されない
形状の微細ラインを配置したパターン描画用データを作
成する。このパターン描画用データを用いることで電子
線描画装置の描画グリッドの半分のグリッド単位でパタ
ーンを描画することができる。
光露光用マスクのパターンの内側に電子線描画装置で描
画する際に解像されない形状の微細スペースを挿入した
パターン描画用のデータ、又は光露光用マスクのパター
ンの外側に電子線描画装置で描画する際に解像されない
形状の微細ラインを配置したパターン描画用データを作
成する。このパターン描画用データを用いることで電子
線描画装置の描画グリッドの半分のグリッド単位でパタ
ーンを描画することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態について
図面を用いて詳細に説明する。
図面を用いて詳細に説明する。
【００１９】（第１の実施の形態）最初に、光露光用マ
スクにパターンを電子線描画装置で描画する際に用いる
レジストがネガ型の場合の光露光用マスクのパターンデ
ータの作成方法を説明する。
スクにパターンを電子線描画装置で描画する際に用いる
レジストがネガ型の場合の光露光用マスクのパターンデ
ータの作成方法を説明する。
【００２０】まず第１プロセスとして、図１（ａ）に示
すように、半導体装置の回路パターンを、所定のグリッ
ド間隔を持つ第１のグリッドＧ１を用いて所定の形状を
持つ第１のパターンＡＰ１を設計する。
すように、半導体装置の回路パターンを、所定のグリッ
ド間隔を持つ第１のグリッドＧ１を用いて所定の形状を
持つ第１のパターンＡＰ１を設計する。
【００２１】次に第２プロセスとして、図１（ａ）の第
１のパターンＡＰ１及び第１のグリッドＧ１を、光露光
用マスクを使用する光露光装置の投影縮小率の逆数を拡
大倍率値として拡大する。すると第１のパターンＡＰ１
は図１（ｂ）に示すように第２のパターンＡＰ２に拡大
され、第１のグリッドＧ１は第２のグリッドＧ２に変換
される（なお図面上では図１（ｂ）の第２のグリッドＧ
２と図１（ａ）の第１のグリッドＧ１は都合上同じグリ
ッド間隔とした）。
１のパターンＡＰ１及び第１のグリッドＧ１を、光露光
用マスクを使用する光露光装置の投影縮小率の逆数を拡
大倍率値として拡大する。すると第１のパターンＡＰ１
は図１（ｂ）に示すように第２のパターンＡＰ２に拡大
され、第１のグリッドＧ１は第２のグリッドＧ２に変換
される（なお図面上では図１（ｂ）の第２のグリッドＧ
２と図１（ａ）の第１のグリッドＧ１は都合上同じグリ
ッド間隔とした）。
【００２２】次に第３プロセスとして、第２プロセスで
拡大された第２のグリッドＧ２を図１（ｃ）に示すよう
にさらに２倍に拡大して第３のグリッドＧ３に変換す
る。このとき、第２のパターンＡＰ２は拡大させずにそ
のままの大きさにしておく。第２のグリッドＧ２を２倍
に拡大したことにより、第２のパターンＡＰ２の上下の
辺は第３のグリッドＧ３のグリッド間隔の中間に位置し
ている。
拡大された第２のグリッドＧ２を図１（ｃ）に示すよう
にさらに２倍に拡大して第３のグリッドＧ３に変換す
る。このとき、第２のパターンＡＰ２は拡大させずにそ
のままの大きさにしておく。第２のグリッドＧ２を２倍
に拡大したことにより、第２のパターンＡＰ２の上下の
辺は第３のグリッドＧ３のグリッド間隔の中間に位置し
ている。
【００２３】次に第４プロセスとして、図１（ｄ）に示
すように、第３のグリッドＧ３のグリッド間隔の中間に
位置している第２のパターンＡＰ２の上下の辺を、第３
のグリッドＧ３のグリッド線上に第２のパターンＡＰ２
のサイズを大きくする方向に移動させ、これを第３のパ
ターンＡＰ３とする。
すように、第３のグリッドＧ３のグリッド間隔の中間に
位置している第２のパターンＡＰ２の上下の辺を、第３
のグリッドＧ３のグリッド線上に第２のパターンＡＰ２
のサイズを大きくする方向に移動させ、これを第３のパ
ターンＡＰ３とする。
【００２４】次に第５プロセスとして、第３のパターン
ＡＰ３の上辺から第３のグリッドＧ３の１グリッド間隔
分下に図１（ｅ）に示すように第１の微細スペースＳ１
を挿入し、さらに第３のパターンＡＰ３の下辺から第３
のグリッドＧ３の１グリッド間隔分上に第２の微細スペ
ースＳ２を挿入して第４のパターンＡＰ４とする。この
とき第１の微細スペースＳ１及び第２の微細スペースＳ
２の大きさは、光露光用マスクにパターンを電子線描画
装置を用いて描画する際に解像されない大きさで、幅ｈ
は第３のグリッドＧ３の１グリッド間隔分〜数グリッド
間隔分とする。
ＡＰ３の上辺から第３のグリッドＧ３の１グリッド間隔
分下に図１（ｅ）に示すように第１の微細スペースＳ１
を挿入し、さらに第３のパターンＡＰ３の下辺から第３
のグリッドＧ３の１グリッド間隔分上に第２の微細スペ
ースＳ２を挿入して第４のパターンＡＰ４とする。この
とき第１の微細スペースＳ１及び第２の微細スペースＳ
２の大きさは、光露光用マスクにパターンを電子線描画
装置を用いて描画する際に解像されない大きさで、幅ｈ
は第３のグリッドＧ３の１グリッド間隔分〜数グリッド
間隔分とする。
【００２５】上述した第４のパターンＡＰ４を有するパ
ターン描画用データを用いて電子線描画装置で光露光用
マスクに描画すると、第４のパターンＡＰ４の上辺及び
下辺の電子線量は第１の微細スペースＳ１及び第２微細
スペースＳ２を挿入したことにより減少する。
ターン描画用データを用いて電子線描画装置で光露光用
マスクに描画すると、第４のパターンＡＰ４の上辺及び
下辺の電子線量は第１の微細スペースＳ１及び第２微細
スペースＳ２を挿入したことにより減少する。
【００２６】光露光用マスクの描画の際に塗布されたレ
ジストがネガ型の場合、上記の電子線量の減少に伴い第
４のパターンＡＰ４の長辺方向が収縮する。このとき、
第４のパターンＡＰ４の収縮寸法と第３のグリッドＧ３
のグリッド間隔の半分とが同じ寸法になるように、第４
のパターンＡＰ４の内側に挿入する第１の微細スペース
Ｓ１及び第２の微細スペースＳ２の幅ｈを設定すると、
第４のパターンＡＰ４の長辺方向の長さは第３のグリッ
ドＧ３のグリッド線上に辺を移動させる前の長さ、すな
わち図１（ｂ）に示した光露光装置の投影縮小率の逆数
で拡大された第２のパターンＡＰ２になる。
ジストがネガ型の場合、上記の電子線量の減少に伴い第
４のパターンＡＰ４の長辺方向が収縮する。このとき、
第４のパターンＡＰ４の収縮寸法と第３のグリッドＧ３
のグリッド間隔の半分とが同じ寸法になるように、第４
のパターンＡＰ４の内側に挿入する第１の微細スペース
Ｓ１及び第２の微細スペースＳ２の幅ｈを設定すると、
第４のパターンＡＰ４の長辺方向の長さは第３のグリッ
ドＧ３のグリッド線上に辺を移動させる前の長さ、すな
わち図１（ｂ）に示した光露光装置の投影縮小率の逆数
で拡大された第２のパターンＡＰ２になる。
【００２７】したがって、電子線描画装置の描画グリッ
ドである第３のグリッドＧ３のグリッド間隔の半分であ
る第２のグリッドＧ２で形成した第２のパターンＡＰ２
を、光露光用マスクの描画グリッドである第３のグリッ
ドＧ３を用いて描画することができる。
ドである第３のグリッドＧ３のグリッド間隔の半分であ
る第２のグリッドＧ２で形成した第２のパターンＡＰ２
を、光露光用マスクの描画グリッドである第３のグリッ
ドＧ３を用いて描画することができる。
【００２８】次に、光露光用マスクの描画の際にポジ型
のレジスタを用いる場合について説明する。なお、上述
したネガ型レジストを用いた場合の第１のプロセス〜第
５のプロセスは同じプロセスのためここでは省略する。
のレジスタを用いる場合について説明する。なお、上述
したネガ型レジストを用いた場合の第１のプロセス〜第
５のプロセスは同じプロセスのためここでは省略する。
【００２９】光露光用マスクの描画の際に塗布されたレ
ジストがポジ型の場合は、上記の電子線量の減少に伴い
第４のパターンＡＰ４のレジストパターンは長辺方向が
伸長する。第４のパターンＡＰ４の伸長寸法と第３のグ
リッドＧ３のグリッド間隔の半分とが同じ寸法になるよ
うに第４のパターンＡＰ４の内側に挿入する第１の微細
スペースＳ１及び第２の微細スペースＳ２の幅ｈを設定
すると、第４のパターンＡＰ４の長辺方向の長さは第３
の描画グリッドＧ３のグリッド線上に辺を移動させる前
の長さ、すなわち図１（ｂ）に示した光露光装置の投影
縮小率の逆数で拡大された第２のパターンＡＰ２にな
る。
ジストがポジ型の場合は、上記の電子線量の減少に伴い
第４のパターンＡＰ４のレジストパターンは長辺方向が
伸長する。第４のパターンＡＰ４の伸長寸法と第３のグ
リッドＧ３のグリッド間隔の半分とが同じ寸法になるよ
うに第４のパターンＡＰ４の内側に挿入する第１の微細
スペースＳ１及び第２の微細スペースＳ２の幅ｈを設定
すると、第４のパターンＡＰ４の長辺方向の長さは第３
の描画グリッドＧ３のグリッド線上に辺を移動させる前
の長さ、すなわち図１（ｂ）に示した光露光装置の投影
縮小率の逆数で拡大された第２のパターンＡＰ２にな
る。
【００３０】したがって、光露光用マスクの描画グリッ
ドである第３のグリッドＧ３の半分のグリッド間隔であ
る第２のグリッドＧ２で形成された第２のパターンＡＰ
２を、描画グリッドである第３のグリッドＧ３を用いて
描画することができる。
ドである第３のグリッドＧ３の半分のグリッド間隔であ
る第２のグリッドＧ２で形成された第２のパターンＡＰ
２を、描画グリッドである第３のグリッドＧ３を用いて
描画することができる。
【００３１】（第２の実施の形態）次に、本発明の第２
の実施の形態を図２を用いて説明する。なお、第１の実
施の形態で説明した第１プロセス〜第３プロセスは同じ
なのでここでは省略する。
の実施の形態を図２を用いて説明する。なお、第１の実
施の形態で説明した第１プロセス〜第３プロセスは同じ
なのでここでは省略する。
【００３２】まず光露光用マスクの描画の際にネガ型レ
ジストを用いる場合について説明する。
ジストを用いる場合について説明する。
【００３３】図２（ａ）は、第１の実施の形態の第１プ
ロセス〜第３プロセスで説明した第１のパターンＡＰ１
及び第１のグリッドＧ１を投影縮小率の逆数を拡大倍率
値として第２のパターンＡＰ２及び第２のグリッドＧ２
に拡大したものである。図２（ｂ）は図２（ａ）に示し
た第２のパターンＡＰ２はそのままに、第２のグリッド
Ｇ２のみをさらに２倍に拡大して第３のグリッドＧ３に
変換したものを示したものである。
ロセス〜第３プロセスで説明した第１のパターンＡＰ１
及び第１のグリッドＧ１を投影縮小率の逆数を拡大倍率
値として第２のパターンＡＰ２及び第２のグリッドＧ２
に拡大したものである。図２（ｂ）は図２（ａ）に示し
た第２のパターンＡＰ２はそのままに、第２のグリッド
Ｇ２のみをさらに２倍に拡大して第３のグリッドＧ３に
変換したものを示したものである。
【００３４】次に図２（ｃ）に示すように、第２のパタ
ーンＡＰ２の上下の辺をそれぞれ第２のパターンＡＰ２
のサイズを小さくする方向に第３のグリッドのグリッド
線上に移動させ第６のパターンＡＰ６とする。
ーンＡＰ２の上下の辺をそれぞれ第２のパターンＡＰ２
のサイズを小さくする方向に第３のグリッドのグリッド
線上に移動させ第６のパターンＡＰ６とする。
【００３５】次に、図２（ｄ）に示すように第６のパタ
ーンＡＰ６の上辺から第３のグリッドＧ３の１グリッド
間隔分上に第１の微細ラインＬ１を配置し、さらに第６
のパターンＡＰ６の下辺から第３のグリッドＧ３の１グ
リッド間隔分下に第２の微細ラインＬ２をそれぞれ配置
し第７のパターンＡＰ７とする。第１の微細ラインＬ１
及び第２の微細ラインＬ２の大きさは、光露光用マスク
に描画する際に解像されない大きさで、幅ｈは第３のグ
リッドＧ３の１グリッド間隔分〜数グリッド間隔分とす
る。
ーンＡＰ６の上辺から第３のグリッドＧ３の１グリッド
間隔分上に第１の微細ラインＬ１を配置し、さらに第６
のパターンＡＰ６の下辺から第３のグリッドＧ３の１グ
リッド間隔分下に第２の微細ラインＬ２をそれぞれ配置
し第７のパターンＡＰ７とする。第１の微細ラインＬ１
及び第２の微細ラインＬ２の大きさは、光露光用マスク
に描画する際に解像されない大きさで、幅ｈは第３のグ
リッドＧ３の１グリッド間隔分〜数グリッド間隔分とす
る。
【００３６】上述した第７のパターンＡＰ７を有するパ
ターン描画データを用いて光露光用マスクに描画する
と、第７のパターンＡＰ７の上辺及び下辺における電子
線量は第１の微細ラインＬ１及び第２の微細ラインＬ２
を配置したことにより増加する。
ターン描画データを用いて光露光用マスクに描画する
と、第７のパターンＡＰ７の上辺及び下辺における電子
線量は第１の微細ラインＬ１及び第２の微細ラインＬ２
を配置したことにより増加する。
【００３７】光露光用マスクの描画の際に塗布されたレ
ジストがネガ型の場合、上記の電子線量が増加すること
に伴い、第７のパターンＡＰ７は長辺方向が伸長する。
したがって、レジストパターンの伸長寸法と第３のグリ
ッドＧ３のグリッド間隔の半分とが同じ寸法になるよう
に第７のパターンＡＰ７の外側に配置する第１の微細ラ
インＬ１及び第２の微細ラインＬ２の幅ｈを設定する
と、第７のパターンＡＰ７の上下方向の長さは第３のグ
リッドＧ３のグリッド線上に辺を移動させる前の長さ、
すなわち光露光装置の投影縮小率の逆数で拡大された第
２のパターンＡＰ２になる。よって描画グリッドである
第３のグリッドＧ３の半分のグリッド間隔の第２のグリ
ッドＧ２で形成した第２のパターンＡＰ２を、光露光用
マスクの描画グリッドである第３のグリッドＧ３を用い
て描画することができる。
ジストがネガ型の場合、上記の電子線量が増加すること
に伴い、第７のパターンＡＰ７は長辺方向が伸長する。
したがって、レジストパターンの伸長寸法と第３のグリ
ッドＧ３のグリッド間隔の半分とが同じ寸法になるよう
に第７のパターンＡＰ７の外側に配置する第１の微細ラ
インＬ１及び第２の微細ラインＬ２の幅ｈを設定する
と、第７のパターンＡＰ７の上下方向の長さは第３のグ
リッドＧ３のグリッド線上に辺を移動させる前の長さ、
すなわち光露光装置の投影縮小率の逆数で拡大された第
２のパターンＡＰ２になる。よって描画グリッドである
第３のグリッドＧ３の半分のグリッド間隔の第２のグリ
ッドＧ２で形成した第２のパターンＡＰ２を、光露光用
マスクの描画グリッドである第３のグリッドＧ３を用い
て描画することができる。
【００３８】次に、光露光用マスクの描画の際にポジ型
のレジストを用いる場合について説明する。
のレジストを用いる場合について説明する。
【００３９】光露光用マスクの描画の際に塗布されたレ
ジストがポジ型の場合は、上記の電子線量が増加するこ
とに伴いレジストパターンが収縮する。したがって、レ
ジストパターンの収縮寸法と第３のグリッドＧ３のグリ
ッド間隔の半分とが同じ寸法になるように第１の微細ラ
インＬ１及び第２の微細ラインＬ２の高さｈを設定する
と、第７のパターンＡＰ７の上下方向の長さは第３のグ
リッドＧ３のグリッド線上に辺を移動させる前の長さ、
すなわち光露光装置の投影縮小率の逆数で拡大された第
２のパターンＡＰ２になる。よって描画グリッドである
第３のグリッドＧ３の半分のグリッド間隔をもつ第２の
グリッドＧ２で形成した第２のパターンＡＰ２を、描画
グリッドである第３のグリッドＧ３を用いて描画するこ
とができる。
ジストがポジ型の場合は、上記の電子線量が増加するこ
とに伴いレジストパターンが収縮する。したがって、レ
ジストパターンの収縮寸法と第３のグリッドＧ３のグリ
ッド間隔の半分とが同じ寸法になるように第１の微細ラ
インＬ１及び第２の微細ラインＬ２の高さｈを設定する
と、第７のパターンＡＰ７の上下方向の長さは第３のグ
リッドＧ３のグリッド線上に辺を移動させる前の長さ、
すなわち光露光装置の投影縮小率の逆数で拡大された第
２のパターンＡＰ２になる。よって描画グリッドである
第３のグリッドＧ３の半分のグリッド間隔をもつ第２の
グリッドＧ２で形成した第２のパターンＡＰ２を、描画
グリッドである第３のグリッドＧ３を用いて描画するこ
とができる。
【００４０】
【発明の効果】本発明は、電子線描画装置を用いて光露
光用マスクに形成するパターンを、電子線描画装置の描
画グリッドの半分単位で描画することできるので電子線
描画装置の描画グリッドの制限が見かけ上緩和され、光
露光用マスクに微細なパターンを精度よく、かつ光露光
用マスクに微細なパターンをスループットの低下なしに
形成することができる。
光用マスクに形成するパターンを、電子線描画装置の描
画グリッドの半分単位で描画することできるので電子線
描画装置の描画グリッドの制限が見かけ上緩和され、光
露光用マスクに微細なパターンを精度よく、かつ光露光
用マスクに微細なパターンをスループットの低下なしに
形成することができる。
【図１】本発明のパターン描画用データ作成方法の第１
の実施の形態の作成手順を示す図であり、パターンが変
換される様子を示す平面図である。
の実施の形態の作成手順を示す図であり、パターンが変
換される様子を示す平面図である。
【図２】本発明のパターン描画用データ作成方法の第２
の実施の形態の作成手順を示す図であり、パターンが変
換される様子を示す平面図である。
の実施の形態の作成手順を示す図であり、パターンが変
換される様子を示す平面図である。
ＡＰ１ 第１のパターン ＡＰ２ 第２のパターン ＡＰ３ 第３のパターン ＡＰ４ 第４のパターン ＡＰ６ 第６のパターン ＡＰ７ 第７のパターン Ｇ１ 第１のグリッド Ｇ２ 第２のグリッド Ｇ３ 第３のグリッド Ｓ１ 第１の微細スペース Ｓ２ 第２の微細スペース Ｌ１ 第１の微細ライン Ｌ２ 第２の微細ライン
Claims (12)
- 【請求項１】 光露光装置で用いる光露光用マスクに所
望のパターンを形成するためのパターン描画用データ作
成方法であって、 半導体装置の回路パターンを前記パターンとして形成す
るために所定のグリッド間隔を有する第１のグリッドを
用いて所定の形状を有する第１のパターンを設計し、 前記第１のグリッドを前記光露光装置の投影縮小率の逆
数を拡大倍率として拡大した第２のグリッドに変換し、 前記第１のパターンを前記光露光装置の投影縮小率の逆
数を拡大倍率として拡大した第２のパターンに変換し、 前記第２のグリッドを２倍に拡大して第３のグリッドに
変換し、 前記第３のグリッドの中間に位置する第２のパターンの
辺を伸長もしくは縮小して前記第３のグリッドのグリッ
ド線上に移動させて第３のパターンを形成し、 前記第３のパターンの辺から前記第３のグリッドの１グ
リッド間隔分内側に所定の形状を有する微細スペースを
挿入して第４のパターンを形成するパターン描画用デー
タ作成方法。 - 【請求項２】 前記微細スペースは、 前記第３のグリッドの１グリッド間隔分乃至数グリッド
間隔分の幅である請求項１記載のパターン描画用データ
作成方法。 - 【請求項３】 前記微細スペースは、 前記光露光用マスクに描画する際に使用するレジストを
ネガ型レジストとした場合、前記第４のパターンの辺に
おける電子線量減少に伴うレジストパターンの収縮寸法
と前記第３のグリッドのグリッド間隔の半分とが等しく
なる幅である請求項１記載のパターン描画用データ作成
方法。 - 【請求項４】 前記微細スペースは、 前記光露光用マスクに描画する際に使用するレジストを
ポジ型レジストとした場合、前記第３のパターンの辺に
おける電子線量減少に伴うレジストパターンの伸長寸法
と前記第３のグリッドのグリッド間隔の半分とが等しく
なる幅である請求項１記載のパターン描画用データ作成
方法。 - 【請求項５】 前記微細スペースは、 前記光露光用マスクに描画する際に使用する前記ネガ型
レジストでは解像されない形状である請求項３記載のパ
ターン描画用データ作成方法。 - 【請求項６】 前記微細スペースは、 前記光露光用マスクに描画する際に使用する前記ポジ型
レジストでは解像されない形状である請求項４記載のパ
ターン描画用データ作成方法。 - 【請求項７】 光露光装置で用いる光露光用マスクに所
望のパターンを形成するためのパターン描画用データ作
成方法であって、 半導体装置の回路パターンを前記パターンとして形成す
るために所定のグリッド間隔を有する第１のグリッドを
用いて所定の形状を有する第１のパターンを設計し、 前記第１のグリッドを前記光露光装置の投影縮小率の逆
数を拡大倍率として拡大した第２のグリッドに変換し、 前記第１のパターンを前記光露光装置の投影縮小率の逆
数を拡大倍率として拡大した第２のパターンに変換し、 前記第２のグリッドを２倍に拡大して第３のグリッドに
変換し、 前記第３のグリッドの中間に位置する第２のパターンの
辺を伸長もしくは縮小して前記第３のグリッドのグリッ
ド線上に移動させて第３のパターンを形成し、 前記第３のパターンの辺から前記第３のグリッドの１グ
リッド間隔分外側に所定の形状を有する微細ラインを挿
入して第４のパターンを形成するパターン描画用データ
作成方法。 - 【請求項８】 前記微細ラインは、 前記第３のグリッドの１グリッド間隔分乃至数グリッド
間隔分の幅である請求項７記載のパターン描画用デー
タ。 - 【請求項９】 前記微細ラインは、 前記光露光用マスクに描画する際に使用するレジストを
ネガ型レジストとした場合、前記第４のパターンの辺に
おける電子線量増大に伴うレジストパターンの伸長寸法
と前記第３のグリッドのグリッド間隔の半分とが等しく
なる幅である請求項７記載のパターン描画用データ作成
方法。 - 【請求項１０】 前記微細ラインは、 前記光露光用マスクに描画する際に使用するレジストを
ポジ型レジストとした場合、前記第３のパターンの辺に
おける電子線量増大に伴うレジストパターンの収縮寸法
と前記第３のグリッドのグリッド間隔の半分とが等しく
なる幅である請求項７記載のパターン描画用データ作成
方法。 - 【請求項１１】 前記微細ラインは、 前記電子線描画装置を用いて前記光露光用マスクに描画
する際に使用する前記ネガ型レジストでは解像されない
形状である請求項９記載のパターン描画用データ作成方
法。 - 【請求項１２】 前記微細ラインは、 前記電子線描画装置を用いて前記光露光用マスクに描画
する際に使用する前記ポジ型レジストでは解像されない
形状である請求項１０記載のパターン描画用データ作成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1438299A JP3301400B2 (ja) | 1999-01-22 | 1999-01-22 | パターン描画用データ作成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1438299A JP3301400B2 (ja) | 1999-01-22 | 1999-01-22 | パターン描画用データ作成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000214574A true JP2000214574A (ja) | 2000-08-04 |
| JP3301400B2 JP3301400B2 (ja) | 2002-07-15 |
Family
ID=11859509
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1438299A Expired - Fee Related JP3301400B2 (ja) | 1999-01-22 | 1999-01-22 | パターン描画用データ作成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3301400B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006343587A (ja) * | 2005-06-09 | 2006-12-21 | Toshiba Corp | 評価パタンの作成方法およびプログラム |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51148365A (en) * | 1975-06-14 | 1976-12-20 | Fujitsu Ltd | Electron beam exposure method |
| JPS5984518A (ja) * | 1982-11-03 | 1984-05-16 | インタ−ナシヨナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−シヨン | 電子ビーム・リングラフィの近接効果補正方法 |
| JPH02210814A (ja) * | 1989-02-10 | 1990-08-22 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH06302506A (ja) * | 1993-02-19 | 1994-10-28 | Fujitsu Ltd | 電子ビーム露光方法および露光装置 |
| JPH10256124A (ja) * | 1997-03-12 | 1998-09-25 | Sony Corp | 描画パターンデータ作成方法、電子ビーム描画方法、基体加工方法、並びに電子線描画装置 |
-
1999
- 1999-01-22 JP JP1438299A patent/JP3301400B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51148365A (en) * | 1975-06-14 | 1976-12-20 | Fujitsu Ltd | Electron beam exposure method |
| JPS5984518A (ja) * | 1982-11-03 | 1984-05-16 | インタ−ナシヨナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−シヨン | 電子ビーム・リングラフィの近接効果補正方法 |
| JPH02210814A (ja) * | 1989-02-10 | 1990-08-22 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH06302506A (ja) * | 1993-02-19 | 1994-10-28 | Fujitsu Ltd | 電子ビーム露光方法および露光装置 |
| JPH10256124A (ja) * | 1997-03-12 | 1998-09-25 | Sony Corp | 描画パターンデータ作成方法、電子ビーム描画方法、基体加工方法、並びに電子線描画装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006343587A (ja) * | 2005-06-09 | 2006-12-21 | Toshiba Corp | 評価パタンの作成方法およびプログラム |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3301400B2 (ja) | 2002-07-15 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |