KR100880491B1 - 형상화된 빔 기입 시스템들에서 패턴 크기 균일성에 대한저주파 에러 소스들을 제거하는 방법 - Google Patents

형상화된 빔 기입 시스템들에서 패턴 크기 균일성에 대한저주파 에러 소스들을 제거하는 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100880491B1
KR100880491B1 KR1020077014119A KR20077014119A KR100880491B1 KR 100880491 B1 KR100880491 B1 KR 100880491B1 KR 1020077014119 A KR1020077014119 A KR 1020077014119A KR 20077014119 A KR20077014119 A KR 20077014119A KR 100880491 B1 KR100880491 B1 KR 100880491B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substantially rectangular
opening
electron beam
rectangular shape
flash
Prior art date
Application number
KR1020077014119A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20070086513A (ko
Inventor
벤야민 버러
Original Assignee
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Publication of KR20070086513A publication Critical patent/KR20070086513A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100880491B1 publication Critical patent/KR100880491B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
    • H01J37/3023—Programme control
    • H01J37/3026—Patterning strategy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
    • H01J37/1471—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path for centering, aligning or positioning of ray or beam
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175—Lithography
    • H01J2237/31776—Shaped beam

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)

Abstract

기판상에 플래쉬들을 생성하기 위한 방법 및 시스템이 개시된다. 상기 방법은 기판상에 프린트될 패턴의 하나 이상의 도안을 수신하고 각각의 도안을 적어도 4개의 실질적으로 직사각형 형상들로 분해하는 단계를 포함한다. 4 개의 실질적으로 직사각형 형상들은 적어도 하나의 수평 경계 및 적어도 하나의 수직 경계에 의해 분리된다. 상기 방법은 각각의 도안의 각각의 에지가 동일한 개구의 이미지 이도록, 각각의 실질적으로 직사각형 형상에 대한 플래쉬를 생성하는 단계를 더 포함한다.

Description

형상화된 빔 기입 시스템들에서 패턴 크기 균일성에 대한 저주파 에러 소스들을 제거하는 방법{METHOD FOR ELIMINATING LOW FREQUENCY ERROR SOURCES TO CRITICAL DIMENSION UNIFORMITY IN SHAPED BEAM WRITING SYSTEMS}
본 발명의 실시예들은 일반적으로 리소그래피 및 전자(또는 다른 에너지) 빔 컬럼들에 관한 것이고, 보다 상세하게 가변하는 형상의 빔들을 사용하는 기입 기술에 관한 것이다.
리소그래피(패턴 생성) 분야에서 패턴 생성 시스템들의 정확도를 증가시키는 것은 바람직하다. 상기 패턴 생성 시스템들에 대한 두 개의 주 응용 분야는 전자 빔 리소그래피에 의한 반도체 제조시 사용하기 위한 마스크들 및 반도체 소자들을 형성하기 위하여 웨이퍼들상에 패턴들의 직접적인 전자 빔 기입이다.
리소그래피 시스템들은 소스로부터 에너지 형태에 민감한 층으로 코팅된 기판으로 에너지(빔)의 흐름을 제어함으로써 패턴들을 생성하거나 노광한다. 패턴 노광은 일반적으로 플래쉬들이라 불리는 별개의 유니트들로 제어되고 나누어지고, 여기서 플래쉬는 노광 시퀀스의 하나의 사이클 동안 노광된 패턴 부분이다. 플래쉬들은 소스, 예를 들어 광, 전자 또는 다른 입자 빔들로부터의 에너지가 선택된 패턴 영역들내에서 코팅된 기판에 도달할 수 있게 허용함으로써 형성된다. 플래쉬 구성물들의 세부 항목들, 즉 패턴을 형성하기 위하여 사용된 양 및 노광 시퀀스, 및 리소그래픽 시스템의 제어는 일반적으로 기입 전략이라 공지되었다.
그러나, 종종 빔을 생성하는 것과 관련하여 사용된 빔 및/또는 개구(aperture)들은 노이즈로 인해 시간에 따라 드리프트하여, 패턴과 연관된 도안들의 패턴 크기 균일성에 악영향을 미친다. 상기 악영향들은 일반적으로 패턴 크기 균일성 에러들이라 한다. 상기 에러들은 형상화 전자 노이즈, 개구 및 컬럼 기계적 진동들에 의한 노이즈, 자계 방사로 인한 빔 노이즈, 빔 드리프트, 전자 양 및 벡터 전자 노이즈들의 임의의 에러들 같은 다수의 요인들에 의해 발생될 수 있다.
느리게 변화하는 노이즈 및 드리프트가 제어하에서 단지 부분적으로만 환경 조건들에 관련되기 때문에, 드리프트들 및 저주파 노이즈들로 인해 발생되는 패턴 크기 균일성 에러들을 경감시키는 기입 전략을 위한 방법 및 시스템이 요구된다.
본 발명의 하나 이상의 실시예들은 기판상에 플래쉬들을 생성하기 위한 방법에 관한 것이다. 상기 방법은 기판상에 프린트될 하나 이상의 패턴의 도안을 수신하는 단계 및 각각의 도안을 적어도 4개의 실질적으로 직사각형 형상들로 분해하는 단계를 포함한다. 4개의 실질적으로 직사각형 형상들은 적어도 하나의 수평 경계 및 적어도 하나의 수직 경계에 의해 분리된다. 상기 방법은 각각의 도안의 각각의 에지가 동일한 개구의 이미지이도록 각각 실질적으로 직사각형 형상에 대한 플래쉬를 생성하는 단계를 더 포함한다.
본 발명의 하나 이상의 실시예들은 기판상에 플래쉬들을 기입하기 위한 장치에 관한 것이다. 상기 장치는 하나 이상의 패턴 도안을 수신하고 각각의 도안을 적어도 4개의 실질적으로 직사각형 형상들로 분해하기 위하여 구성된 데이터 프로세싱 시스템을 포함한다. 실질적으로 직사각형 형상들은 적어도 하나의 수평 경계 및 적어도 하나의 수직 경계에 의해 분리된다. 상기 장치는 데이터 프로세싱 시스템에 결합된 플래쉬 생성기를 더 포함한다. 플래쉬 생성기는 하나 이상의 전자 빔 컬럼의 편향기들의 동작을 제어하는 신호들을 생성하기 위하여 구성된다. 상기 장치는 제 1 개구 및 제 2 개구를 가지는 전자 빔 컬럼을 더 포함한다. 전자 빔 컬럼은 플래쉬 생성기에 결합된다. 전자 빔 컬럼은 각각의 도안의 각각의 에지가 제 1 개구의 이미지 이도록 생성된 신호들에 응답하여 각각 실질적으로 직사각형 형상에 대한 플래시를 생성하기 위하여 구성된다.
본 발명의 상기된 특징들이 더 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 상기에 요약된 본 발명의 보다 특정한 기술은 실시예들을 참조하여 이루어지고, 그중 몇몇은 첨부된 도면들에 도시된다. 그러나, 첨부된 도면들이 본 발명의 통상적인 실시예들만을 도시하고 그러므로 그 범위를 제한하지 않으며, 본 발명은 다른 똑같이 효과적인 실시예들에 허용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 하나 이상의 실시예들에 따른 리소그래피(이미지화) 시스템의 블록도를 도시한다.
도 2는 본 발명의 하나 이상의 실시예들과 관련하여 전자 빔 컬럼의 개략도를 도시한다.
도 3은 본 발명의 하나 이상의 실시예들에 따라 리소그래피(이미지화) 시스템에 대한 기입 전략의 흐름도를 도시한다.
도 4A는 본 발명의 일실시예에 따라 4개의 직사각형들로 분해될 패턴 도안의 실시예를 도시한다.
도 4B는 본 발명의 하나 이상의 실시예들에 따라 상부 개구를 통하여 하부 개구으로 이미지의 투사를 도시한다.
도 5는 본 발명의 하나 이상의 실시예들을 사용하여 프린트된 패턴 도안에서 드리프트 효과를 도시한다.
도 1은 본 발명의 하나 이상의 실시예들이 실행되는 리소그래피(이미지화) 시스템(100)의 블록도를 도시한다. 시스템(100)은 데이터 프로세싱 시스템(102), 플래쉬 생성기(109), 전자 빔 컬럼(112) 및 위치설정 시스템(116)을 포함한다.
데이터 프로세싱 시스템(102)은 기판(118), 예를 들어 마스크상에 기입될 패턴을 나타내는 데이터를 수신하기 위하여 구성된다. 상기 데이터는 MEBES, GSDII, OASIS 및 등등 같은 기하학적 표현 포맷의 도안들을 포함할 수 있다. 도안들을 수신하는 것에 응답하여, 데이터 프로세싱 시스템(102)은 각각의 도안을 적어도 4개의 직사각형들로 분해 또는 전환하고, 직사각형들은 적어도 하나의 수평 경계("수평 분할 경계") 및 적어도 하나의 수직 경계("수직 분할 경계")에 의해 분리된다. 각각의 직사각형은 기판(118)상에 프린트될 수 있는 원형(primitive)으로서 사용되는 것으로 고려된다. 게다가, 직사각형의 각각의 측면은 내부 또는 외부로서 식별되거나 마크된다. 외부 측면은 도안의 에지에 해당하는 측면으로서 정의되고, 에지는 기판(118)상에 프린트할 수 있는 도안의 외부 경계로서 정의된다. 내부 측면은 수평 분할 경계 또는 수직 분할 경계에 해당하는 측면으로서 정의된다. 따라서, 내부 측면은 도안의 에지에 해당하지 않는다. 비록 본 발명의 하나 이상의 실시예들이 직사각형들을 참조하여 기술되었지만, 본 발명의 다른 실시예들은 삼각형들 같이 다른 기하학적 형상들을 고려한다.
도 4A는 본 발명의 일실시예에 따라 4개의 직사각형들, 즉(410-444)으로 분해된 도안(400)의 예를 도시한다. 각각의 직사각형은 4개의 측면들을 가진다. 그러나, 상기 측면중 두 개만이 도안(400)의 에지에 해당하고, 에지는 도안(400)의 외부 경계로서 정의된다. 예를 들어, 직사각형(410)의 측면들(415 및 418)만이 각각 도안(400)의 에지들(405 및 408)에 해당한다. 따라서, 직사각형(410)의 측면들(415 및 418)은 외부 측면으로서 식별되고, 직사각형(410)의 측면들(416 및 417)은 내부 측면들로서 식별된다. 이와 같이, 직사각형(440)의 측면들(447 및 449) 만이 각각 패턴 도안(400)의 에지들(409 및 411)에 해당한다. 따라서, 직사각형(440)의 측면들(447 및 449)은 외부 측면들로서 식별되고, 직사각형(440)의 측면들(446 및 445)은 내부 측면들로서 식별된다. 일실시예에서, 도면(400)의 에지에 해당하는 두 개의 측면들은 서로 인접한다.
도 1을 다시 참조하여, 플래쉬 생성기(109)는 전자 빔 컬럼(112), 특히 형상 편향기(212) 및 벡터 편향기(216)(도 2에 도시됨)의 동작을 제어하는 신호들(예를 들어, 전압 신호들)을 생성하기 위하여 직사각형들 및 직사각형들과 연관된 다양한 디스크립터들(descriptor)을 사용하기 위하여 구성된다. 내부 또는 외부로서 각각의 직사각형의 각각의 측면을 식별하기 위한 디스크립터들 외에, 직사각형들과 연관된 다양한 디스크립터들은 각각의 직사각형의 수직 크기 및 수평 크기 및 각각의 직사각형의 수직 오프셋 및 수평 오프셋에 관한 정보를 포함할 수 있다. 수직 오프셋은 벡터 필드 내에서 직사각형 바닥 측면의 목표된 위치로서 정의된다. 벡터 필드는 직사각형이 벡터 편향기에 의해 배치될 수 있는 기판상 영역이다. 수평 오프셋은 벡터 필드 내에서 직사각형의 좌측 측면의 목표된 위치로서 정의된다.
전자 빔 컬럼(112)은 플래시 생성기(109)에 의해 생성된 신호들에 따라 각각의 직사각형에 대한 플래쉬를 생성하기 위하여 구성된다. 비록 본 발명의 실시예들이 전자 빔 컬럼에 관련하여 기술되었지만, 본 발명의 다른 실시예들은 이온 빔 컬럼, 레이저 빔 컬럼 또는 당업자에게 공지된 다른 에너지 빔 컬럼 같은 다른 형태의 빔 컬럼의 사용을 고려한다. 전자 빔 컬럼(112)은 도 2를 참조하여 보다 상세히 기술된다.
위치 설정 시스템(116)은 기판(118)이 배치된 스테이지에서 위치 설정을 조절하고 만약 편향기가 전자 빔 컬럼(112) 내에서 사용되면 위치 편향기를 조절하기 위하여 구성된다.
도 2는 본 발명의 하나 이상의 실시예들과 관련하여 전자 빔 컬럼(200)의 개략도를 도시한다. 전자 빔 컬럼(200)은 전자 빔 소스(204), 조명 광학기들(205), 상부 개구(210), 이송 광학기들(215), 형상 편향기(212), 하부 개구(214), 벡터 편향기(216) 및 기판 운반 광학기들(210)을 포함한다. 다른 실시예에서, 전자 빔 컬럼(200)은 조명 광학기들(205) 및 상부 개구(210) 사이에 배치된 블랭커(blanker) 편향기를 더 포함한다. 다른 실시예에서, 전자 빔 컬럼(200)은 기판 운반 광학기들(225) 및 기판(118) 사이에 배치된 위치 편향기를 더 포함한다.
전자 빔 소스(204)는 전자 빔(222)을 생성하기 위하여 구성된다. 전자 빔 소스(204)는 열적 필드 방출 소스, 열적 방출 소스 또는 필드 방출 소스일 수 있다.
조명 광학기들(205)은 전자 빔 소스(204)가 상부 개구(210)을 조명하는 것을 돕기 위하여 구성되고, 이송 광학기들(215)은 상부 개구(210)에서 하부 개구(214)으로 투사하기 위하여 구성된다. 기판 운반 광학기들(225)은 기판(118)상에 생성된 플래쉬를 투사하기 위하여 구성된다. 상부 개구(210) 및 하부 개구(214)은 전자 빔(222)의 형상을 형성하기 위하여 구성된다. 일실시예에서, 각각의 개구는 직사각형 개구를 형성한다.
형상 편향기(212) 및 벡터 편향기(216)는 플래쉬 생성기(109)에 의해 생성된 신호들에 응답하여 전자 빔(222)을 형상화하기 위하여 구성된다. 특히, 형상 편향기(212)는 하부 개구(214)과 상부 개구(210)의 이미지 오버랩 또는 가림(shadow)이 변형될 수 있도록 전자 빔(222)을 이동시키기 위하여 구성된다. 하부 개구(214)을 통과하는 전자 빔(222)은 하부 개구(214)과 상부 개구(210)의 이미지 오버랩 형상을 가진다. 이런 방식에서, 형상 편향기(212)는 전자 빔(222)을 형상화하기 위하여 구성된다. 벡터 편향기(216)는 기판(118)상 목표된 위치에 형상화된 빔을 이동시키기 위하여 구성된다. 전자 빔(222)의 이동 및 형상화는 하기 절들에서 도 3을 참조하여 보다 상세히 제공된다.
도 3은 본 발명의 하나 이상의 실시예들에 따른 리소그래피(이미지화) 시스템(100)에 대한 기입 전략의 흐름도를 도시한다. 단계(310)에서, 데이터 프로세싱 시스템(102)은 기판(118)상에 기입된 패턴을 나타내는 다수의 도안들을 수신한다. 단계(320)에서, 각각의 도안은 적어도 4개의 직사각형들로 분해되고, 상기 직사각형들은 적어도 하나의 수평 분할 경계 및 적어도 하나의 수직 분할 경계에 의해 분리된다. 상기된 바와 같이, 각각의 직사각형은 기판(118) 상에 프린트될 수 있는 원형으로서 사용되는 것으로 고려된다. 단계(330)에서, 데이터 프로세싱 시스템(102)은 직사각형들과 연관된 디스크립터들과 함께 직사각형들을 플래쉬 생성기(109)에 전달한다. 상기 디스크립터들은 내부 또는 외부로서 각각의 직사각형의 측면을 식별하는 것, 각각의 직사각형의 수직 크기 및 수평 크기, 및 각각의 직사각형의 수직 오프셋 및 수평 오프셋을 포함한다.
직사각형들 및 그들의 연관된 디스크립터들을 수신함과 동시에, 플래쉬 생성기(109)는 형상 편향기(212) 및 벡터 편향기(216)의 동작을 제어하는 신호들을 생성한다(단계 340). 단계(350)에서, 형상 편향기(212)는 외부 및 내부 측면 표시기들 및 각각의 직사각형의 수평 및 수직 크기에 따라 전자 빔(222)을 형상화한다. 이들 디스크립터들이 전자 빔(222)을 형상화하기 위하여 사용되는 방식은 하기에 보다 상세히 기술된다.
도시를 위하여, 각각의 직사각형(예를 들어, 직사각형들 410,440)의 수평 크기는 X로 표현되고 각각의 직사각형(예를 들어, 직사각형들 410,440)의 수직 크기는 Y로 표현될 수 있다. 만약 직사각형의 우측이 내부 측면이면, 전자 빔(222)은 하부 개구상에 이미지화된 상부 개구의 이미지의 우측 측면이 하부 개구의 좌측 측면 우측에 대해 X 거리이도록 이동된다. 예를 들어, 직사각형(410)의 우측(416)은 내부 측면이다. 그러므로, 전자 빔(222)은 투사된 이미지(450)의 우측(458)이 도 4B에 도시된 바와 같이 하부 개구(214)의 좌측 측면(474)의 우측에 대해 X 거리에 배치되도록 형상화되거나 이동된다.
다른 한편, 만약 직사각형의 우측이 외부 측면이면, 전자 빔(222)은 하부 개구상에 이미지화된 상부 개구의 이미지의 좌측 측면이 하부 개구의 우측 측면의 좌측에 대해 X 거리이도록 이동된다. 예를 들어, 직사각형(440)의 우측(449)은 외부 측면이다. 그러므로, 전자 빔(222)은 투사된 이미지(450)의 좌측 측면(456)이 도 4B에 도시된 바와 같이 하부 개구(214)의 우측 측면(478)의 좌측에 대해 X 거리에 배치되도록 이동된다.
만약 직사각형의 상부 측면이 내부 측면이면, 전자 빔(222)은 하부 개구상에 이미지화된 상부 개구의 이미지의 상부 측면이 하부 개구의 바닥 측면상에서 Y 거리이도록 이동된다. 예를 들어, 직사각형(440)의 상부 측면(445)은 내부 측면이다. 그러므로, 전자 빔(222)은 투사된 이미지(450)의 상부 측면(452)이 도 4B에 도시된 바와 같이 하부 개구(214)의 바닥 측면(476)상에서 Y 거리에 배치되도록 이동된다.
만약 직사각형의 상부 측면이 외부 측면이면, 전자 빔(222)은 하부 개구상에 이미지화된 상부 개구의 이미지의 바닥 측면이 하부 개구의 상부 측면 아래에서 Y 거리이도록 이동된다. 예를 들어, 직사각형(410)의 상부 측면(415)은 외부 측면이다. 그러므로, 전자 빔(222)은 투사된 이미지(450)의 바닥 측면(454)이 도 4B에 도시된 바와 같이 하부 개구(214)의 상부 측면(472) 아래 Y 거리에 배치되도록 이동된다.
도 3을 다시 참조하여, 단계(360)에서, 벡터 편향기(216)는 수평 및 수직 오프셋들에 따라 형상화된 전자 빔을 이동시킨다. 만약 직사각형의 상부 측면이 내부 측면이면, 형상화된 전자 빔은 수직 방향으로 수직 오프셋만큼 이동된다. 다른 한편, 만약 직사각형의 상부 측면이 외부 측면이면, 형상화된 전자 빔은 수직 방향으로 수직 오프셋 - (수직 개구 크기 - 수직 크기) 만큼 이동된다. 양쪽 경우들에서, 결과는 직사각형의 바닥 측면이 목표된 수직 오프셋에 배치된다는 것이다.
만약 직사각형의 우측 측면이 내부 측면이면, 형상화된 전자 빔은 수평 방향으로 수평 오프셋만큼 이동된다. 다른 한편, 만약 직사각형의 우측 측면이 외부 측면이면, 형상화된 전자 빔은 수평 방향에서 수평 오프셋 - (수평 개구 크기 - 수평 크기) 만큼 이동된다. 양쪽 경우들에서, 결론은 직사각형의 좌측 측면이 목표된 수평 오프셋에 배치되는 것이다.
이런 방식에서, 각각의 직사각형과 연관된 디스크립터들은 기판(118)상에 직사각형들의 플래쉬들을 생성하기 위하여 사용된다. 플래쉬들은 각각의 도안의 에지들이 동일한 개구, 예를 들어 하부 개구(214)의 이미지이도록 생성된다. 비록 본 발명의 하나 이상의 실시예들이 하부 개구(214)을 참조하여 기술되었지만, 본 발명의 다른 실시예들은 상부 개구(210)의 사용을 고려한다.
본 발명의 장점들중 하나는 드리프트들에 의해 발생되는 패턴 크기 균일성 에러들의 감소뿐 아니라, 기계적 진동들 및 자기장 방사 같은 다른 느리게 가변하는 노이즈 소스들의 감소이다. 도 5는 본 발명의 하나 이상의 실시예들을 사용하여 프린트된 패턴 도안(500)의 드리프트 효과를 도시한다. 도안(500)은 도 3을 참조하여 기술된 기입 전략을 사용하여 4 개의 직사각형들을 사용하여 프린트된다. 프린트된 도안은 수직 분할 경계(510) 및 수평 분할 경계(520) 및 에지들(530 및 540)을 가진다. 만약 전자 빔이 개구들 사이에서 드리프트하면, 분할 경계들(510 및 520) 만이 위치가 가변하고, 에지들(530 및 540)은 동일하게 유지되어, 패턴 도안(500)의 크기를 변화되지 않는다. 일실시예에서, 본 발명은 다른 직사각형들이 기입되는 시간이 실질적으로 저주파 노이즈 및 드리프트 소스들의 비율에 비해 짧다는 것을 가정한다.
상기가 본 발명의 실시예들에 관한 것이지만, 본 발명의 다른 추가 실시예들은 기본적인 범위에서 벗어나지 않고 고안되고 범위는 하기 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (24)

  1. 기판상에 플래쉬들을 생성하기 위한 방법으로서,
    기판상에 프린트될 하나 이상의 패턴 도안들을 수신하는 단계;
    적어도 4 개의 실질적으로 직사각형 형상들로 각각의 도안을 분해하는 단계 - 상기 4 개의 실질적으로 직사각형 형상들은 적어도 하나의 수평 경계 및 적어도 하나의 수직 경계에 의해 분리됨 -; 및
    각각의 실질적으로 직사각형 형상에 대한 플래쉬를 생성하는 단계
    를 포함하고, 상기 플래쉬들은 각각의 도안의 에지들이 제 1 개구의 이미지이도록 각각의 도안을 형성하기 위하여 생성되는, 플래쉬들 생성 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    플래쉬 생성기와 연관된 정보 및 적어도 4 개의 상기 실질적으로 직사각형 형상들을 전송하는 단계를 더 포함하고, 상기 정보는 내부 및 외부 중 하나로서 각각의 상기 실질적으로 직사각형 형상의 각각의 측면을 식별하기 위한 적어도 하나의 측면 디스크립터(descriptor), 각각의 상기 실질적으로 직사각형 형상의 수직 크기 및 수평 크기, 및 각각의 상기 실질적으로 직사각형 형상의 수직 오프셋 및 수평 오프셋을 포함하고, 상기 내부 측면은 상기 도안의 에지에 대응하지 않는 측면으로서 형성되고 상기 외부 측면은 상기 도안의 에지에 대응하는 측면으로서 형성되는 것을 특징으로 하는 플래쉬들 생성 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    형상 편향기 및 벡터 편향기 중 적어도 하나의 동작을 제어하는 신호들을 생성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플래쉬들 생성 방법.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 플래쉬를 생성하는 단계는, 실질적으로 직사각형 형상과 연관된 정보를 사용하여 각각의 실질적으로 직사각형 형상에 대한 플래쉬를 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플래쉬들 생성 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 개구는 하부 개구인 것을 특징으로 하는 플래쉬들 생성 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 개구는 상부 개구인 것을 특징으로 하는 플래쉬들 생성 방법.
  7. 제 2 항에 있어서,
    상기 플래쉬를 생성하는 단계는, 상부 개구의 이미지가 적어도 하나의 측면 디스크립터, 상기 실질적으로 직사각형 형상의 상기 수직 크기 및 상기 수평 크기에 따라 하부 개구상에 이미지화되도록 전자 빔을 형상화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플래쉬들 생성 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 플래쉬를 생성하는 단계는, 상기 수평 오프셋 및 상기 수직 오프셋에 따라 상기 형상화된 전자 빔을 이동시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플래쉬들 생성 방법.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 전자 빔을 형상화하는 단계는:
    상기 실질적으로 직사각형 형상의 우측 측면이 내부로서 식별되는 경우, 상기 하부 개구상에 투사된 이미지의 우측 측면이 상기 하부 개구의 좌측 측면의 우측에 대해 수평 크기 거리이도록 상기 전자 빔을 이동시키는 단계;
    상기 실질적으로 직사각형 형상의 우측 측면이 외부로서 식별되는 경우, 상기 하부 개구상에 투사된 이미지의 좌측 측면이 상기 하부 개구의 우측 측면의 좌측에 대해 수평 크기 거리이도록 상기 전자 빔을 이동시키는 단계;
    상기 실질적으로 직사각형 형상의 상부 측면이 내부로서 식별되는 경우, 상기 하부 개구상에 투사된 이미지의 상부 측면이 상기 하부 개구의 바닥 측면 위에 수직 크기 거리이도록 상기 전자 빔을 이동시키는 단계; 및
    상기 실질적으로 직사각형 형상의 상부 측면이 외부로서 식별되는 경우, 상기 하부 개구상에 투사된 이미지의 바닥 측면이 상기 하부 개구의 상부 측면 아래 수직 크기 거리이도록 상기 전자 빔을 이동시키는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 플래쉬들 생성 방법.
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 제 8 항에 있어서,
    상기 형상화된 전자 빔을 이동시키는 단계는:
    상기 실질적으로 직사각형 형상의 상부 측면이 내부로서 식별되는 경우, 상기 수직 오프셋만큼 수직으로 상기 형상화된 전자 빔을 이동시키는 단계;
    상기 실질적으로 직사각형 형상의 상부 측면이 외부로서 식별되는 경우, 상기 수직 오프셋 빼기 상기 하부 개구의 수직 크기 만큼 수직으로 상기 형상화된 전자 빔을 이동시키는 단계;
    상기 실질적으로 직사각형 형상의 우측 측면이 내부로서 식별되는 경우, 상기 수평 오프셋만큼 수평으로 상기 형상화된 전자 빔을 이동시키는 단계; 및
    상기 실질적으로 직사각형 형상의 우측 측면이 외부로서 식별되는 경우, 상기 수평 오프셋 빼기 상기 하부 개구의 수평 크기 만큼 상기 형상화된 전자 빔을 이동시키는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 플래쉬들 생성 방법.
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 기판상에 플래쉬들을 기입하기 위한 장치로서,
    하나 이상의 패턴의 도안들을 수신하고 적어도 4 개의 실질적으로 직사각형 형상들로 각각의 도안을 분해하도록 구성된 데이터 프로세싱 시스템 - 상기 실질적으로 직사각형 형상들은 적어도 하나의 수평 경계 및 적어도 하나의 수직 경계에 의해 분리됨 -; 및
    상기 데이터 프로세싱 시스템에 결합된 플래쉬 생성기
    를 포함하며, 상기 플래쉬 생성기는 하나 이상의 에너지 빔 컬럼들의 편향기들의 동작을 제어하는 신호들을 생성하도록 구성되고, 상기 에너지 빔 컬럼은 제 1 개구 및 제 2 개구를 가지며, 상기 에너지 빔 컬럼은 상기 플래쉬 생성기에 결합되고, 상기 에너지 빔 컬럼은 생성된 신호들에 응답하여 각각의 실질적으로 직사각형 형상에 대한 플래쉬를 생성하도록 구성되고, 상기 플래쉬들은 각각의 도안의 에지들이 상기 제 1 개구의 이미지이도록 각각의 도안을 형성하기 위하여 생성되는, 플래쉬들을 기입하기 위한 장치.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 데이터 프로세싱 시스템은 상기 플래쉬 생성기와 연관된 정보 및 적어도 4 개의 실질적으로 직사각형 형상들을 전송하도록 추가로 구성되고, 상기 정보는 내부 및 외부 중 하나로서 각각의 실질적으로 직사각형 형상의 각각의 측면을 식별하기 위한 적어도 하나의 측면 디스크립터, 각각의 실질적으로 직사각형 형상의 수직 크기 및 수평 크기, 및 각각의 실질적으로 직사각형 형상의 수직 오프셋 및 수평 오프셋을 포함하고, 상기 내부 측면은 도안의 에지에 대응하지 않는 측면으로서 형성되고 외부 측면은 도안의 에지에 해당하는 측면으로서 형성되는 것을 특징으로 하는 플래쉬들을 기입하기 위한 장치.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 에너지 빔 컬럼은, 상기 제 2 개구의 이미지가 적어도 하나의 상기 측면 디스크립터, 상기 수직 크기 및 상기 수평 크기에 따라 상기 제 1 개구상에 투사되도록 에너지 빔을 형상화하도록 구성되는 형상 편향기를 포함하는 것을 특징으로 하는 플래쉬들을 기입하기 위한 장치.
  20. 제 18 항에 있어서,
    상기 에너지 빔 컬럼은,
    상기 제 2 개구의 이미지가 적어도 하나의 상기 측면 디스크립터, 상기 수직 크기 및 상기 수평 크기에 따라 상기 제 1 개구상에 투사되도록 에너지 빔을 형상화하도록 구성되는 형상 편향기; 및
    상기 수평 오프셋 및 상기 수직 오프셋 중 적어도 하나에 따라 상기 형상화된 에너지 빔을 이동시키도록 구성된 벡터 편향기
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 플래쉬들을 기입하기 위한 장치.
  21. 제 17 항에 있어서,
    상기 제 1 개구는 하부 개구이고 상기 제 2 개구는 상부 개구인 것을 특징으로 하는 플래쉬들을 기입하기 위한 장치.
  22. 제 17 항에 있어서,
    상기 에너지 빔 컬럼은 전자 빔 컬럼, 이온 빔 컬럼, 및 레이저 빔 컬럼의 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 플래쉬들을 기입하기 위한 장치.
  23. 삭제
  24. 삭제
KR1020077014119A 2004-11-22 2005-11-16 형상화된 빔 기입 시스템들에서 패턴 크기 균일성에 대한저주파 에러 소스들을 제거하는 방법 KR100880491B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/996,020 2004-11-22
US10/996,020 US7105844B2 (en) 2004-11-22 2004-11-22 Method for eliminating low frequency error sources to critical dimension uniformity in shaped beam writing systems

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070086513A KR20070086513A (ko) 2007-08-27
KR100880491B1 true KR100880491B1 (ko) 2009-01-28

Family

ID=36460118

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020077014119A KR100880491B1 (ko) 2004-11-22 2005-11-16 형상화된 빔 기입 시스템들에서 패턴 크기 균일성에 대한저주파 에러 소스들을 제거하는 방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7105844B2 (ko)
EP (1) EP1831912A4 (ko)
JP (1) JP2008521254A (ko)
KR (1) KR100880491B1 (ko)
TW (1) TW200625020A (ko)
WO (1) WO2006057867A2 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013045838A (ja) * 2011-08-23 2013-03-04 Canon Inc 描画装置、および、物品の製造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030107770A1 (en) * 2001-07-11 2003-06-12 Applied Materials, Inc. Algorithm for adjusting edges of grayscale pixel-map images

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2197751A (en) * 1986-11-24 1988-05-25 Philips Electronic Associated Variable shaped spot electron beam pattern generator
JP3492073B2 (ja) * 1996-03-18 2004-02-03 富士通株式会社 荷電粒子ビーム露光方法及びその装置
US5876902A (en) * 1997-01-28 1999-03-02 Etec Systems, Inc. Raster shaped beam writing strategy system and method for pattern generation
US6274290B1 (en) * 1997-01-28 2001-08-14 Etec Systems, Inc. Raster scan gaussian beam writing strategy and method for pattern generation
US6262429B1 (en) * 1999-01-06 2001-07-17 Etec Systems, Inc. Raster shaped beam, electron beam exposure strategy using a two dimensional multipixel flash field
US20020104970A1 (en) * 1999-01-06 2002-08-08 Winter Stacey J. Raster shaped beam, electron beam exposure strategy using a two dimensional multipixel flash field
JP4156186B2 (ja) * 2000-08-29 2008-09-24 株式会社日立製作所 電子ビーム描画装置および描画方法
US6828570B2 (en) * 2002-04-01 2004-12-07 Applied Materials, Inc. Technique for writing with a raster scanned beam
GB2389225B (en) * 2002-05-31 2004-07-28 Leica Microsys Lithography Ltd Device for influencing an electron beam
JP3930411B2 (ja) * 2002-09-30 2007-06-13 株式会社東芝 荷電ビーム描画装置及び描画方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030107770A1 (en) * 2001-07-11 2003-06-12 Applied Materials, Inc. Algorithm for adjusting edges of grayscale pixel-map images

Also Published As

Publication number Publication date
WO2006057867A3 (en) 2006-10-19
JP2008521254A (ja) 2008-06-19
EP1831912A2 (en) 2007-09-12
US7105844B2 (en) 2006-09-12
TW200625020A (en) 2006-07-16
WO2006057867B1 (en) 2006-11-30
EP1831912A4 (en) 2009-12-30
KR20070086513A (ko) 2007-08-27
WO2006057867A2 (en) 2006-06-01
US20060108547A1 (en) 2006-05-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8461555B2 (en) Charged particle beam writing method and charged particle beam writing apparatus
US8816276B2 (en) Electron beam writing apparatus and electron beam writing method
KR100961019B1 (ko) 묘화 방법 및 하전 입자 빔 묘화 장치
US9190246B2 (en) Multi charged particle beam writing apparatus, and multi charged particle beam writing method
US10410831B2 (en) Multi-beam writing using inclined exposure stripes
US6433348B1 (en) Lithography using multiple pass raster-shaped beam
US9373424B2 (en) Electron beam writing apparatus and electron beam writing method
USRE44179E1 (en) Charged particle beam writing method
JP2014513871A (ja) マルチビームレットリソグラフィ装置における使用のためのパターンを分割する方法
US8421040B2 (en) Writing apparatus and writing method
US20220221800A1 (en) Writing data generating method and multi charged particle beam writing apparatus
US10971331B2 (en) Writing data generation method, computer-readable recording medium on which program is recorded, and multi-charged particle beam writing apparatus
US9852883B2 (en) Charged particle beam drawing apparatus and charged particle beam drawing method
JP6863259B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
KR100880491B1 (ko) 형상화된 빔 기입 시스템들에서 패턴 크기 균일성에 대한저주파 에러 소스들을 제거하는 방법
US8653477B2 (en) Lithography apparatus and lithography method
US11443918B2 (en) Charged particle beam writing method and charged particle beam writing apparatus
US6337164B1 (en) Charged-particle-beam microlithography methods exhibiting improved pattern-feature accuracy, and device manufacturing methods comprising same
US20160110491A1 (en) Writing data verification method and multi-charged particle beam writing apparatus
US20170270656A1 (en) Method for inspecting blanking plate
JP2019201071A (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
US6300023B1 (en) Microlithographic pattern-transfer methods for large segmented reticles, and device manufacturing methods using same
JP2005302868A (ja) 電子ビーム描画方法および装置
US20170229282A1 (en) Method for evaluating shaping aperture array
JPH09246142A (ja) 電子線描画方法及び装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20111228

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee