JPH0465817A - 電子ビーム露光装置及び露光方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野］ この発明は電子ビーム露光装置とそれを用いた露光方法
の改良に関するものである。

〔従来の技術〕

第５図は従来の成形ビーム型電子ビーム露光法を説明す
るための図であり、基板４上にレジスト１が塗布され、
これにぬきパターン２を描く場合、図（ｂ）のようなビ
ーム強度分布を有する成形ビームをショット単位３に相
当するだけ所望の回数（図では８回）描画し、所定の形
状のぬきパターン２を描画する。

この場合の描画装置本体の電子光学系は一般に第２図（
ａ）に示されるようなものであり、電子銃２１と２つの
アパーチャ２２，２４、偏光器２３、レンズ２５等より
構成され、各偏光器２３で電子ビームを２つのアパーチ
ャを用いて、図（ｂ）のように組合せることで成形ビー
ム２６を得る。

次に露光方法について説明する。第５図（ｂ）のような
ビーム強度分布を有する成形ビーム２６で同図（ａ）の
ようなぬきパターンを得るために露光すると、レジスト
１の現像後のパターンプロファイルは、同図（Ｃ）のよ
うに下方に垂直なレジストプロファイルとなる。このよ
うなレジストパターン上に第５図に示すように金属５を
蒸着し、リフトオフすると、同図（ｅ）のような断面形
状を有する金属パターン５が得られる。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来の露光装置及び露光法は以上のように構成されてい
るので、リフトオフで形成された金属パターンの断面形
状が台形となるため、パターン線幅が狭くなると、金属
パターンの断面積が小さくなるので、金属の配線抵抗が
大きくなり、例えば電界効果トランジスタのゲートに用
いた場合、ゲート抵抗が大きくなり、ゲート長を小さく
すなわち微細に加工した効果を相殺してしまう等の問題
点があった。

この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、レジストプロファイルが下方垂直とならず、
従って金属パターンの断面積が小さくなることがなく、
基板との接触面積の少ない形状の金属パターンを得るこ
とができる電子ビーム露光装置及びその方法を得ること
を目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

この発明に係る電子ビーム露光法は、ショットをずらし
て描画し、あるいはアパーチャを加工し、また２つのア
パーチャを可動させて、露光領域内でのドーズ量が露光
後、Ｔ型のレジストパターンが得られるように分布をも
たせるようにしたものである。

Ｃ作用〕 この発明においては、パターン内又はショント内のビー
ム強度（ドーズ量）に分布をもたせたので、現像後のレ
ジストの断面形状がＴ型に形成され、金属パターンを形
成してもその断面積が小さくならず、基板との接触面積
の少ない形状の金属パターンを得ることができる。

〔実施例〕

以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図は本発明の一実施例による電子ビーム露光法を説明す
るための図であり、第５図と同一符号は同一または相当
部分を示し、ショット単位３の一部を隣接するショット
と重複して描画し、重複していない部分はドーズ量不足
の条件としたものである。

次に露光動作について説明する。

上述のような方法で描画した場合、ぬきバタン２内での
ビームの強度分布は、図℃）のようになる。

このとき各ショット単位３でのドーズ量を適切なドーズ
量、つまりレジストが底まで露光される量より少なくし
、重なった所のみ十分なドーズ量になるようにすると、
現像後のレジストパターンは図（Ｃ１のようになり、こ
れに図（ｄ）に示すように金属６を蒸着し、さらにリフ
トオフを行なうと、第１図（ｅ）に示すように基板４と
の接触面積が少なく、断面積の大きなＴ型の金属パター
ン６が形成できる。

なお、上記実施例では所望の電子ビームの強度分布を得
るのに、２回ビームを照射し、その一部を重複させるよ
うにしたが、第３図に示すように、２つのアパーチャ２
２．２３の内の１つを、露光領域において所望の最小線
幅が得られるようにスリット状に加工したちの２７を用
い、１シヨツト内でこれをスキャンさせ、１シヨツト内
の所望の位置（第１図（ａｌの重なり部）のみ滞在時間
を長くし、適切ドーズが得られるようにし、他の部分は
ドーズ量不足となるようにする。これにより１シヨツト
内の電子ビームの強度分布を第１図Ｃｂ）に示したのと
同様にできるため、現像後のレジストパターンの断面形
状をひいてはリフトオフ後の金属パターンの断面形状を
上記実施例同様にＴ型に形成することができる。

また、上記所望の電子ビームの強度分布を得るのに、２
つの７パーチヤを可動にし、まず第４図（ｂ）のように
、所望の線幅で露光した後、両アパチャ２２．２３を動
かし、ショットサイズを拡げることで、第１図（ｂｌの
ようなドーズ量の分布が得られる。この場合、ショット
サイズの成形法は小−大でも大−小いずれでもよい。

また上記２つの他の実施例では、電子ビームの加速電圧
を１シヨツト内で変化させてもよい。すなわち、第１図
（ａ）の重なり部に相当する所では加速電圧を電子が基
板へ届く適切な値とし、他の領域では届かない程度の加
速電圧に下げることで、上記同様のＴ型のレジスト形状
を得ることができる。

〔発明の効果〕

以上のように、この発明に係る電子ビーム露光装置及び
露光方法によれば、ショットをずらして描画し、あるい
はアパーチャを加工して、または２つのアパーチャを可
動させて、露光領域内でのドーズ量に分布をもたせるよ
うにしたので、容易に現像後断面形状がＴ型のレジスト
形状が得られ、従って金属パターンを形成してもその断
面積が小さくなることがなく、基板との接触面積の少な
い形状の金属パターンを得ることができるという効果が
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例による電子ビーム露光装置
及び露光方法によるレジストパターン形成プロセスを示
す、第２図（ａ）は従来の電子ビーム露光装置の電子光
学系を示す斜視図であり、第２図（ｂ）はこの装置を用
いて成形ビームを作る方法を説明するための図、第３図
、第４図は本発明の他の実施例による電子ビーム露光装
置のアパーチャ部と成形ビームを示した図である。第５
図は従来の電子ビーム露光装置及び露光方法によるレジ
ストパターン形成プロセスを示す図である。 図において、１はレジスト、２はぬきパターン、３はシ
ョット単位、４は基板、６は金属、２２゜２３．２７は
アパーチャ、２６は形成ビームである。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）電子ビームを光学系を用いて変換して所定の照射
   範囲を有する成形ビームを作成し、これをレジストの露
   光領域に順次照射して所望の露光パターンを得る電子ビ
   ーム露光方法において、上記成形ビームの照射範囲を変
   化させて上記レジストの露光領域に、現像後レジストパ
   ターンの断面形状がＴ型に形成されるようにドーズ量分
   布を形成することを特徴とする電子ビーム露光方法。
2. （２）電子ビームを用いレジストを露光し所望のパター
   ンを得る露光装置において、 電子銃と、 該電子銃から照射される電子ビームを所定の照射範囲を
   有する成形ビームを作成するための、複数のアパーチャ
   を含む光学系を備え、 上記アパーチャを用いてレジストの露光領域に、現像後
   レジストパターンの断面形状がＴ型に形成されるように
   所望のドーズ量分布を形成するようにしたことを特徴と
   する電子ビーム露光装置。
3. （３）電子ビームを光学系を用いて変換して所定の照射
   範囲を有する成形ビームを作成し、これをレジストの露
   光領域に順次照射して所望の露光パターンを得る電子ビ
   ーム露光方法において、電子ビームの加速電圧を変化さ
   せて、上記レジストの露光領域に、現像後レジストパタ
   ーンの断面形状がＴ型に形成されるようにドーズ量分布
   を形成することを特徴とする電子ビーム露光方法。