DE19639176A1 - Vorrichtung und Verfahren zum Bilden von Elektroden elektronischer Komponenten - Google Patents
Vorrichtung und Verfahren zum Bilden von Elektroden elektronischer KomponentenInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum
Bilden einer Elektrode einer elektronischen Komponente und
eine Vorrichtung zur Verwendung bei dem Verfahren. Insbeson
dere bezieht sich die vorliegende Erfindung auf eine Vor
richtung und ein Verfahren zum Bilden einer Elektrode einer
elektronischen Komponente, beispielsweise eines Keramikos
zillators, eines Keramikfilters oder einer anderen geeigne
ten Komponente.
Ein bekanntes Verfahren zum Bilden eines Elektrodenmusters
auf einem Substrat einer elektronischen Komponente weist den
Schritt des Bildens eines gewünschten Elektrodenmusters auf
der Oberfläche des Substrats durch Sputtern oder das Durch
führen einer Dampfabscheidung unter Verwendung beispielswei
se einer Maskenplatte aus Metall auf. Entsprechend dieses
Verfahrenstyps zum Bilden eines Elektrodenmusters wird eine
Maskenplatte, die Durchgangslöcher aufweist, die dem Elek
trodenmuster entsprechen, an einer der Hauptflächen des Sub
strats angebracht, woraufhin ein Sputtern von der Oberseite
derselben auf die Maskenplatte durchgeführt wird, so daß das
Elektrodenmaterial durch die Durchgangslöcher gelangt und an
der Oberfläche des Substrats anhaftet, um eine Filmelektrode
zu bilden. Folglich wird auf diese Art und Weise ein ge
wünschtes Elektrodenmuster auf einer der Hauptflächen des
Substrats gebildet.
Ein weiteres bekanntes Verfahren zum Bilden eines Elektro
denmusters weist den Schritt des Bildens einer Filmelektrode
auf einer gesamten Oberfläche einer der Hauptflächen des
Substrats durch Sputtern oder das Durchführen einer Dampfab
scheidung und das nachfolgende Entfernen der unnötigen Elek
trodenabschnitte durch Drucken oder Ätzen von dem Substrat
auf, um dadurch das gewünschte Elektrodenmuster zu bilden.
Unter Verwendung des oben beschriebenen, erstgenannten Ver
fahrens zum Bilden eines Elektrodenmusters unter Verwendung
einer Maskenplatte ist es jedoch schwierig, beispielsweise
ein ringartiges Elektrodenmuster zu bilden, d. h. ein Elek
trodenmuster, das einen elektrodenfreien Abschnitt aufweist,
der von einem Elektrodenabschnitt umgeben ist.
Das letztgenannte, oben beschriebene Verfahren zum Bilden
eines Elektrodenmusters, das den Schritt des Bildens einer
Filmelektrode auf der gesamten Oberfläche des Substrats und
das Drucken oder Ätzen der ungewollten Elektrodenabschnitte
aufweist, kann nur eine geringe Produktivität ergeben, da
dieses Verfahren die zusätzlichen Schritte des Druckens oder
Ätzens der ungewollten Elektrodenabschnitte erfordert. Fer
ner existiert die Gefahr, die Oberfläche des Substrats wäh
rend des Ätzens, Druckens oder anderer Schritte zum Entfer
nen der ungewollten Abschnitte der Filmelektrode zu beschä
digen, und die elektrischen Charakteristika des resultieren
den Produkts zu beschädigen. Überdies existiert die Gefahr,
daß die Ätzbehandlung eine verschlechterte Elektrodenschicht
auf der Oberfläche des Substrats erzeugt.
Ferner wurde bei beiden Verfahren zum Bilden eines Elektro
denmusters, die oben beschrieben sind, festgestellt, daß die
Verfahren das zweimalige oder häufigere Durchführen des
Filmabscheidungsschritts nötig machen, um die Dicke der
Filmelektrode, die auf der Oberfläche des Substrats abge
schieden wird, zu ändern. Das heißt, daß die Verfahren aufgrund
des Bedarfs, viele zusätzliche Schritte durchzuführen, ver
kompliziert sind. Folglich ist es bei den oben beschriebenen
Verfahren schwierig, Elektroden, die unterschiedliche Film
dicken aufweisen, auf der gleichen Oberfläche eines Sub
strats einfach und genau zu bilden.
Ausgehend von dem genannten Stand der Technik liegt der vor
liegenden Erfindung die Aufgabe zugrunde, arbeitssparende
Herstellungs-Verfahren und -Vorrichtungen zum Bilden einer
Elektrode einer elektronischen Komponente zu schaffen, die
es ferner ermöglichen, Elektroden unterschiedlicher Film
dicken zu bilden.
Diese Aufgabe wird durch Verfahren gemäß den Ansprüchen 1
und 6, sowie Vorrichtungen gemäß den Ansprüchen 7 und 12
gelöst.
Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung
schaffen ein einfaches und arbeitssparendes Verfahren zum
Bilden einer Elektrode einer elektronischen Komponente, um
Elektroden mit unterschiedlichen Filmdicken genau und ein
fach zu bilden, und schaffen eine Vorrichtung zur Verwendung
bei den Verfahren.
Gemäß einem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel schafft
die vorliegende Erfindung ein Verfahren zum Bilden zumindest
einer Elektrode einer elektronischen Komponente, daß folgen
de Schritte aufweist: Vorbereiten eines Werkstückes; Plazie
ren einer Maske auf einer Hauptfläche des Werkstückes; und
Aufbringen eines Elektrodenmaterials über der Maske auf die
Hauptfläche des Werkstücks, um zumindest eine Elektrode zu
bilden, wobei die Maske zumindest ein Durchgangsloch, das
sich von einer der Hauptflächen der Maske zu der anderen
Hauptfläche der Maske erstreckt, zumindest einen Maskie
rungsabschnitt, der in Kontakt mit einem vorbestimmten Ab
schnitt des Werkstücks gebracht wird, um den vorbestimmten
Abschnitt des Werkstücks abzuschirmen, und einen Pseudomas
kierungsabschnitt aufweist, der derart gebildet ist, daß ei
ne untere Oberfläche desselben um einen Abstand von einer
unteren Oberfläche des zumindest einen Maskierungsabschnitts
angeordnet ist, um dadurch den vorbestimmten Abschnitt des
Werkstücks scheinbar zu maskieren.
Gemäß einem zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel schafft
die vorliegende Erfindung eine Vorrichtung zum Bilden zumin
dest einer Elektrode einer elektronischen Komponente durch
das haftende Anbringen eines Elektrodenmaterials, um unter
Verwendung einer Maske zumindest eine Elektrode auf dem
Werkstück zu schaffen, wobei die Maske zumindest ein Durch
gangsloch, das sich von einer der Hauptflächen der Maske zu
der anderen Hauptfläche der Maske erstreckt, zumindest einen
Maskierungsabschnitt, der in Kontakt mit einem vorbestimmten
Abschnitt des Werkstücks gebracht wird, um den vorbestimmten
Abschnitt des Werkstücks abzuschirmen, und zumindest einen
Pseudomaskierungsabschnitt aufweist, der gebildet ist, um
eine untere Oberfläche aufzuweisen, die in einem Abstand von
dem zumindest einen Maskierungsabschnitt angeordnet ist, um
dadurch den vorbestimmten Abschnitt des Werkstücks scheinbar
zu maskieren.
Bei den bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden
Erfindung ist es bevorzugt, daß die Maske derart gebildet
ist, daß ein Verhältnis b/a kleiner als 3 ist, wobei a einen
Abstand zwischen einer unteren Oberfläche des zumindest ei
nen Pseudomaskierungsabschnitts und einer oberen Oberfläche
oder oberen Hauptfläche des Werkstücks darstellt, und b die
Breite des zumindest einen Pseudomaskierungsabschnitts dar
stellt.
Die Maske gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der
vorliegenden Erfindung kann eine Mehrzahl von Pseudomaskie
rungsabschnitten aufweisen. In einem solchen Fall kann die
Mehrzahl von Pseudomaskierungsabschnitten in einer Arrayan
ordnung oder in einer gitterartigen Anordnung vorliegen.
Gemäß einem weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel schafft
die vorliegende Erfindung ein Verfahren zum Bilden zumindest
einer Elektrode einer elektronischen Komponente, das folgen
de Schritte aufweist: Vorbereiten eines Werkstückes; Plazie
ren einer Maske auf einer oberen Oberfläche des Werkstückes;
und Aufbringen eines Elektrodenmaterials über die Maske auf
eine obere Oberfläche des Werkstücks, um zumindest eine
Elektrode zu bilden, wobei die Maske zumindest ein Durch
gangsloch, das sich von einer der Hauptflächen der Maske zu
der anderen Hauptfläche der Maske erstreckt, und zumindest
einen Pseudomaskierungsabschnitt aufweist, der gebildet ist,
um eine untere Oberfläche aufzuweisen, die in einem Abstand
von einer unteren Oberfläche der Maske in einer Dickenrich
tung der Maske gebildet ist, um den vorbestimmten Abschnitt
des Werkstücks dadurch scheinbar zu maskieren; wobei die
Maske auf eine solche Art und Weise gebildet ist, daß ein
Verhältnis b/a gleich oder größer als drei ist, wobei a ei
nen Abstand zwischen der unteren Oberfläche des zumindest
einen Pseudomaskierungsabschnitts und der oberen Oberfläche
des Werkstücks darstellt, und b die Breite des zumindest ei
nen Pseudomaskierungsabschnitts darstellt.
Gemäß noch einem weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel
schafft die vorliegende Erfindung eine Vorrichtung zum Bil
den zumindest einer Elektrode einer elektronischen Komponen
te durch das Aufbringen eines Elektrodenmaterials unter Ver
wendung einer Maske, um zumindest eine Elektrode auf dem
Werkstück zu schaffen, wobei die Maske zumindest ein Durch
gangsloch, das sich von einer der Hauptflächen der Maske zu
der anderen Hauptfläche der Maske erstreckt, und zumindest
einen Pseudomaskierungsabschnitt aufweist, der eine untere
Oberfläche aufweist, die in einem Abstand von einer unteren
Oberfläche der Maske in der Dickenrichtung der Maske gebil
det ist, um dadurch den vorbestimmten Abschnitt des Werk
stücks scheinbar zu maskieren, wobei die Maske auf eine sol
che Art und Weise gebildet ist, daß das Verhältnis b/a
gleich oder größer als drei ist, wobei a den Abstand zwi
schen der unteren Oberfläche des zumindest einen Pseudomas
kierungsabschnitts und einer oberen Oberfläche des Werk
stücks darstellt, und b die Breite des zumindest einen Pseu
domaskierungsabschnitts darstellt.
Gemäß noch einem weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel
schafft die vorliegende Erfindung ein Verfahren zum Bilden
zumindest einer Elektrode einer elektronischen Komponente
mit folgenden Schritten: Vorbereiten eines Werkstückes; Pla
zieren einer Maske auf einer Hauptfläche des Werkstückes;
und Aufbringen eines Elektrodenmaterials über die Maske auf
die Hauptfläche des Werkstücks, um zumindest eine Elektrode
zu bilden, wobei die Maske zumindest ein Durchgangsloch, das
sich von einer der Hauptflächen der Maske zu der anderen
Hauptfläche der Maske erstreckt, und zumindest einen Pseudo
maskierungsabschnitt aufweist, der derart gebildet ist, daß
eine untere Oberfläche desselben in einem Abstand von einer
unteren Oberfläche der Maske in einer Dickenrichtung der
Maske angeordnet ist, um dadurch den vorbestimmten Abschnitt
des Werkstücks scheinbar zu maskieren, wobei der zumindest
eine Pseudomaskierungsabschnitt einen ersten Pseudomaskie
rungsabschnitt, der auf eine solche Art und Weise gebildet
ist, daß das Verhältnis b/a kleiner als drei ist, und einen
zweiten Pseudomaskierungsabschnitt aufweist, der auf eine
solche Art und Weise gebildet ist, daß das Verhältnis b/a
gleich oder größer drei ist, wobei a einen Abstand zwischen
einer unteren Oberfläche eines jeweiligen des ersten und des
zweiten Pseudomaskierungsabschnitts und einer oberen Ober
fläche des Werkstücks darstellt, und b die Breite des jewei
ligen des ersten und des zweiten Pseudomaskierungsabschnitts
darstellt.
Gemäß einem weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel schafft
die vorliegende Erfindung eine Vorrichtung zum Bilden zumin
dest einer Elektrode einer elektronischen Komponente durch
das haftende Aufbringen eines Elektrodenmaterials unter Ver
wendung einer Maske, um zumindest eine Elektrode auf einem
Werkstück zu bilden, wobei die Maske zumindest ein Durch
gangsloch, das sich von einer der Hauptflächen der Maske zu
der anderen Hauptfläche der Maske erstreckt, und zumindest
einen Pseudomaskierungsabschnitt aufweist, der gebildet ist,
um eine untere Oberfläche aufzuweisen, die in einer Dicken
richtung der Maske in einem Abstand von einer unteren Ober
fläche der Maske angeordnet ist, um dadurch den vorbestimm
ten Abschnitt des Werkstücks scheinbar zu maskieren; wobei
der zumindest eine Pseudomaskierungsabschnitt einen ersten
Pseudomaskierungsabschnitt, der auf eine solche Art und Wei
se gebildet ist, daß das Verhältnis b/a kleiner als drei
ist, und einen zweiten Pseudomaskierungsabschnitt aufweist,
der auf eine solche Art und Weise gebildet ist, daß das Ver
hältnis b/a gleich oder größer als drei ist, wobei a den Ab
stand zwischen einer unteren Oberfläche eines jeweiligen des
ersten und des zweiten Pseudomaskierungsabschnitts und einer
oberen Oberfläche des Werkstücks darstellt, und b die Breite
des jeweiligen des ersten und des zweiten Pseudomaskierungs
abschnitts darstellt.
Bei dem Verfahren gemäß dem zumindest einen bevorzugten Aus
führungsbeispiel der vorliegenden Erfindung gelangt das
Elektrodenmaterial durch das zumindest eine Durchgangsloch
und haftet an der Hauptfläche des Werkstücks, die durch das
zumindest eine Durchgangsloch freigelegt ist. Der Maskie
rungsabschnitt ist mit einem vorbestimmten Abschnitt der
Hauptfläche des Werkstücks in Kontakt gebracht und schirmt
den vorbestimmten Abschnitt der Hauptfläche des Werkstücks
ab, derart, daß das Elektrodenmaterial an demselben nicht
haftet. Der zumindest eine Pseudomaskierungsabschnitt trägt
und verstärkt den Maskierungsabschnitt. Wenn das Elektroden
material durch das Durchgangsloch gelangt, gelangt das Elek
trodenmaterial zwischen den zumindest einen Pseudomaskie
rungsabschnitt und die Hauptfläche des Werkstücks, wobei das
Elektrodenmaterial an dem Abschnitt der Hauptfläche des
Werkstücks anhaftet, der gegenüber dem zumindest einen Pseu
domaskierungsabschnitt angeordnet ist.
Folglich haftet das Elektrodenmaterial auf der Hauptfläche
des Werkstücks entsprechend dem gewünschten Elektrodenmu
ster, um die zumindest eine Filmelektrode einfach und genau
zu liefern. Hierbei ist der Abschnitt der Hauptfläche des
Werkstücks, der gegenüberliegend dem zumindest einen Pseudo
maskierungsabschnitt angeordnet ist, partiell durch den zu
mindest Pseudomaskierungsabschnitt, der in einem Abstand von
der oberen Oberfläche des Werkstücks vorgesehen ist, abge
schirmt. Folglich haftet verglichen mit dem Elektrodenmate
rial, das an der Hauptfläche des Werkstücks haftet, die
durch das Durchgangsloch freigelegt ist, weniger Elektroden
material an dem Abschnitt des Werkstücks, der dem zumindest
einen Pseudomaskierungsabschnitt gegenüberliegt. Daher wird
die Filmdicke des Elektrodenmaterials, das an dem Abschnitt
des Werkstücks haftet, der dem Pseudomaskierungsabschnitt
gegenüberliegt, dünner als die Filmdicke des Elektrodenmate
rials, das an der Hauptfläche des Werkstücks, die durch das
Durchgangsloch freigelegt ist, haftet.
Wenn die Maske auf eine solche Art und Weise gebildet ist,
daß ein Verhältnis der Breite b des zumindest einen Pseudo
maskierungsabschnitts zu dem Abstand a zwischen dem zumin
dest einen Pseudomaskierungsabschnitt und dem Werkstück,
b/a, vorzugsweise kleiner als drei ist, gelangt das Elektro
denmaterial derart zwischen den zumindest einen Pseudomas
kierungsabschnitt und die Hauptfläche des Werkstücks, daß
sichergestellt ist, daß eine gewünschte Dicke der Filmelek
trode durch das Elektrodenmaterial gebildet wird und an dem
vorbestimmten Abschnitt der Hauptfläche des Werkstücks, die
dem zumindest einen Pseudomaskierungsabschnitt gegenüber
liegt, anhaftet.
Wenn eine Mehrzahl von Pseudomaskierungsabschnitten in einer
Arrayanordnung oder in einer gitterartigen Anordnung vorge
sehen sind, haftet das Elektrodenmaterial, das zwischen die
Pseudomaskierungsabschnitte und die Hauptfläche des Werk
stücks gelangt, überdies flach an dem vorbestimmten Ab
schnitt der Hauptebene des Werkstücks. In diesem Fall kann
verglichen mit dem Fall, in dem ein einzelner Pseudomaskie
rungsabschnitt verwendet ist, ein größerer Teil der Haupt
fläche des Werkstücks gegenüber dem Pseudomaskierungsab
schnitt angeordnet sein. Folglich nimmt die Haftfläche des
Elektrodenmaterials zu, wobei als eine Folge dessen das
Elektrodenmaterial flacher an der Hauptfläche des Werkstücks
haftet.
Falls die Maske auf eine solche Art und Weise gebildet ist,
daß dieselbe einen zweiten Maskierungsabschnitt aufweist,
bei dem ein Verhältnis der Breite b des zumindest einen
Pseudomaskierungsabschnitts zu dem Abstand a zwischen dem
zumindest einen Pseudomaskierungsabschnitt und dem Werk
stück, b/a, gleich oder größer drei ist, kann sich das Elek
trodenmaterial nicht zu dem vorbestimmten Abschnitt der
Hauptfläche des Werkstücks, der gegenüber dem zweiten Pseu
domaskierungsabschnitt angeordnet ist, ausdehnen. Das heißt, daß
das Elektrodenmaterial nicht an diesem vorbestimmten Ab
schnitt der Hauptfläche des Werkstücks haftet. Folglich kann
der zweite Pseudomaskierungsabschnitt, der auf eine solche
Art und Weise gebildet ist, daß b/a gleich oder größer drei
ist, den vorbestimmten Abschnitt des Werkstücks selektiv ab
schirmen.
Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung
werden nachfolgend bezugnehmend auf die beiliegenden Zeich
nungen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine auseinandergezogene perspektivische Ansicht
des Hauptabschnitts, der ein Beispiel gemäß einem
bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden
Erfindung zeigt;
Fig. 2 eine perspektivische Ansicht des Hauptabschnitts,
der ein Beispiel gemäß einem bevorzugten Ausfüh
rungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt;
Fig. 3 einen Querschnitt entlang der Linie III-III von
Fig. 2.
Fig. 4 eine perspektivische Ansicht eines Beispiels eines
Elektrodenmusters, das gemäß einem Verfahren eines
bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden
Erfindung gebildet ist;
Fig. 5 eine auseinandergezogene perspektivische Ansicht
des Hauptabschnitts, der ein weiteres Beispiel ge
mäß einem weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung zeigt;
Fig. 6 eine perspektivische Ansicht des Hauptabschnitts,
der ein weiteres Beispiel gemäß einem weiteren be
vorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Er
findung zeigt;
Fig. 7 einen Querschnitt entlang der Linie VII-VII von
Fig. 6;
Fig. 8 eine perspektivische Ansicht noch eines weiteren
Beispiels eines Elektrodenmusters, das gemäß einem
Verfahren eines bevorzugten Ausführungsbeispiels
der vorliegenden Erfindung gebildet ist;
Fig. 9 eine vergrößerte, erklärende Ansicht des Hauptab
schnitts, der einen Zustand während eines Sputterns
zeigt, in dem sich die Elektrodenpartikel in einen
Abschnitt erstrecken, der dem Schatten des Pseudo
maskierungsabschnitts entspricht, und an demselben
haften; und
Fig. 10 eine vergrößerte, erklärende Ansicht des Hauptab
schnitts, der einen Zustand von haftenden Elektro
denpartikeln in dem Fall darstellt, in dem ein
Sputtern unter Verwendung eines Maskierungsbau
glieds, das in den Fig. 1, 2 oder 3 dargestellt
ist, durchgeführt wird.
Die vorliegende Erfindung wird nachfolgend detaillierter be
zugnehmend auf bevorzugte Ausführungsbeispiele gemäß der
vorliegenden Erfindung und auf die beigefügten Zeichnungen
beschrieben. Es sollte jedoch offensichtlich sein, daß die
vorliegende Erfindung nicht als darauf begrenzt betrachtet
werden sollte.
Fig. 1 ist eine auseinandergezogene perspektivische Ansicht
des Hauptabschnitts, die ein Beispiel gemäß einem bevorzug
ten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt;
Fig. 2 ist eine perspektivische Ansicht des Hauptabschnitts,
der ein Beispiel gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung zeigt; und Fig. 3 ist ein Quer
schnitt entlang der Linie III-III von Fig. 2. In der folgen
den Beschreibung wird zuerst die Vorrichtung zur Verwendung
bei dem Verfahren zum Bilden zumindest einer Elektrode einer
elektronischen Komponente gemäß den bevorzugten Ausführungs
beispielen der vorliegenden Erfindung beschrieben.
Wie in Fig. 1 gezeigt ist, weist eine Vorrichtung 10 ein
Maskierungsbauglied 12 zur Verwendung als eine Maske auf.
Das Maskierungsbauglied 12 weist vorzugsweise einen ersten
Maskierungsabschnitt 14, der in der Form beispielsweise ei
ner im wesentlichen rechteckigen Schleife vorgesehen ist,
auf. Das Maskierungsbauglied 12 weist ferner vorzugsweise
einen zweiten Maskierungsabschnitt 16 auf, der beispielswei
se vorzugsweise als ein im wesentlichen rechteckiger Ab
schnitt vorgesehen ist, der näherungsweise in dem mittleren
Abschnitt des ersten Maskierungsabschnitts 14 angeordnet
ist. Der zweite Maskierungsabschnitt 16 ist durch den ersten
Maskierungsabschnitt 14 gehalten, beispielsweise durch vier
Pseudomaskierungsabschnitte 18a, 18b, 18c und 18d. Das heißt, daß
die Kante der inneren peripheren Seite des ersten Maskie
rungsabschnitts 14 und die Kante auf der äußeren peripheren
Seite des zweiten Maskierungsabschnitts 16 durch die vier
Pseudomaskierungsabschnitte 18a, 18b, 18c und 18d in einem
Abstand zueinander verbunden sind.
Die vier Pseudomaskierungsabschnitte 18a, 18b, 18c und 18d
sind jeweils gebildet, um vorzugsweise ein im wesentlichen
rechteckige Form aufzuweisen. Ein Pseudomaskierungsabschnitt
18a ist vorzugsweise zwischen einem Hauptseitenabschnitt 14a
des ersten Maskierungsabschnitts 14 und einem Hauptseitenab
schnitt 16a des zweiten Maskierungsabschnitts 16, der dem
größeren Seitenabschnitt 14a gegenüberliegt, angeordnet. Ein
Ende des Pseudomaskierungsabschnitts 18a ist an dem oberen
Abschnitt der inneren peripheren Kante des ersten Maskie
rungsabschnitts 14, näherungsweise an dem mittleren Ab
schnitt des Hauptseitenabschnitts 14a desselben, befestigt,
während das andere Ende des Pseudomaskierungsabschnitts 18a
an dem oberen Abschnitt der inneren peripheren Kante des
zweiten Maskierungsabschnitts 16, näherungsweise an dem
mittleren Abschnitt des Hauptseitenabschnitts 16a desselben,
befestigt ist.
Das heißt, daß die vier Pseudomaskierungsabschnitte 18a, 18b, 18c
und 18d jeweils vorzugsweise gebildet sind, um sich um einen
vorbestimmten Abstand zwischen einer inneren Kante des er
sten Maskierungsabschnitts 14 und von einer inneren Kante
des zweiten Maskierungsabschnitts 16 zu erstrecken.
Die obere planare Oberfläche des Pseudomaskierungsabschnitts
18a und die oberen planaren Oberflächen des ersten Maskie
rungsabschnitts 14 und des zweiten Maskierungsabschnitts 16
sind derart gebildet, daß dieselben in einer gemeinsamen
Ebene angeordnet sind. Jedoch sind die unteren planaren
Oberflächen des Pseudomaskierungsabschnitts 18a und die un
teren planaren Oberflächen des ersten und des zweiten Mas
kierungsabschnitts 16 und 18, wie nachfolgend beschrieben
wird, nicht in einer Ebene angeordnet.
Ähnlich dem Pseudomaskierungsabschnitt 18a ist der Pseudo
maskierungsabschnitt 18b vorzugsweise zwischen dem zweiten
Hauptseitenabschnitt 14b des ersten Maskierungsabschnitts 14
und dem zweiten Hauptseitenabschnitt 16b des zweiten Maskie
rungsabschnitts 16, der gegenüber dem Hauptseitenabschnitt
14b angeordnet ist, angeordnet. Ein Ende des Pseudomaskie
rungsabschnitts 18b ist an dem oberen Abschnitt der inneren
peripheren Kante des ersten Maskierungsabschnitts 14, nähe
rungsweise in dem mittleren Abschnitt des Hauptseitenab
schnitts 14b desselben, befestigt, während das andere Ende
des Pseudomaskierungsabschnitts 18b an dem oberen Abschnitt
der inneren peripheren Kante des zweiten Maskierungsab
schnitts 16, näherungsweise in dem mittleren Abschnitt des
Hauptseitenabschnitts 16b desselben, befestigt ist.
Der Pseudomaskierungsabschnitt 18c ist vorzugsweise zwischen
einem Nebenseitenabschnitt 14c des ersten Maskierungsab
schnitts 14 und einem Nebenseitenabschnitt 16c des zweiten
Maskierungsabschnitts 16, der dem Nebenseitenabschnitt 14c
gegenüberliegt, angeordnet. Ein Ende des Pseudomaskierungs
abschnitts 18c ist an dem oberen Abschnitt der inneren peri
pheren Kante des ersten Maskierungsabschnitts 14, näherungs
weise in dem mittleren Abschnitt des Nebenseitenabschnitts
14c desselben, befestigt, während das andere Ende des Pseu
domaskierungsabschnitts 18c an dem oberen Abschnitt der in
neren peripheren Kante des zweiten Maskierungsabschnitts 16,
näherungsweise an dem mittleren Abschnitt des Nebenseitenab
schnitts 16c desselben, befestigt ist.
Der Pseudomaskierungsabschnitt 18d ist vorzugsweise zwischen
dem zweiten Nebenseitenabschnitt 14d des ersten Maskierungs
abschnitts 14 und dem zweiten Nebenseitenabschnitt 16d des
zweiten Maskierungsabschnitts 16, der dem Nebenseitenab
schnitt 14d gegenüberliegt, angeordnet. Ein Ende des Pseu
domaskierungsabschnitts 18d ist an dem oberen Abschnitt der
inneren peripheren Kante des ersten Maskierungsabschnitts
14, näherungsweise an einem mittleren Abschnitt des Neben
seitenabschnitts 14d desselben, befestigt, während das an
dere Ende des Pseudomaskierungsabschnitts 18d an dem oberen
Abschnitt der inneren peripheren Kante des zweiten Maskie
rungsabschnitts 16, näherungsweise an dem mittleren Ab
schnitt des Nebenseitenabschnitts 16d desselben, befestigt
ist.
Wie deutlich aus Fig. 3 zu sehen ist, ist eine untere Ober
fläche von jedem der Pseudomaskierungsabschnitte 18a, 18b,
18c und 18d (auch wenn 18c in Fig. 3 nicht zu sehen ist) in
einem Abstand a von einer unteren Oberfläche der Maskie
rungsabschnitte 14 und 16 und einer oberen Oberfläche des
Substrats 22 angeordnet.
Falls ein Maskierungsbauglied 12 an einem Substrat 22 ange
bracht ist, was hierin nachfolgend beschrieben wird, wie in
Fig. 3 gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vor
liegenden Erfindung gezeigt ist, ist speziell das Maskie
rungsbauglied 12 auf eine solche Art und Weise aufgebaut,
daß ein Verhältnis b/a vorzugsweise kleiner als drei ist,
wobei a den Abstand zwischen einer oberen Oberfläche des
Substrats 22 und einer unteren planaren Oberfläche von jedem
der Pseudomaskierungsabschnitte 18a, 18b, 18c und 18d in ei
ner Dickenrichtung darstellt, und b die Breite von jedem der
Pseudomaskierungsabschnitte 18a, 18b, 18c und 18d darstellt.
Bei dem Maskierungsbauglied 12 wirken der erste Maskierungs
abschnitt 14, der zweite Maskierungsabschnitt 16 und die
vier Pseudomaskierungsabschnitte 18a, 18b, 18c und 18d zu
sammen, um beispielsweise vier planare Durchgangslöcher 20a,
20b, 20c und 20d, die jeweils näherungsweise eine L-Form
aufweisen, zu bilden. Der erste Maskierungsabschnitt 14, der
zweite Maskierungsabschnitt 16 und die vier Pseudomaskie
rungsabschnitte 18a, 18b, 18c und 18d sind vorzugsweise un
ter Verwendung eines metallischen Materials, beispielsweise
rostfreiem Stahl, monolithisch gebildet.
Ferner können die Pseudomaskierungsabschnitte 18a, 18b, 18c
und 18d gebildet sein, um dünner zu sein als eine Dicke des
ersten Maskierungsabschnitts 14 und des zweiten Maskierungs
abschnitts 16, indem diese Abschnitte während des Formge
bungsprozesses des Maskierungsbauglieds 12 beispielsweise
halb-geätzt werden.
Im allgemeinen wird die Maske vorzugsweise gebildet, indem
zuerst beide Flächen der Maskenplatte mit einem Harz, das
dem gewünschten Maskenmuster entspricht, beschichtet werden,
und danach das Ätzverfahren von beiden Seiten durchgeführt
wird. Der Ausdruck "Halb-Ätzen", wie er hierin verwendet
wird, bedeutet das Beschichten jeder der Flächen mit Harzen,
die unterschiedliche Formen aufweisen, und das Durchführen
des Ätzverfahrens partiell von nur einer Ebene.
Bei dem Beispiel gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung sind der Abstand a in der Dicken
richtung des ersten Maskierungsabschnitts 14 oder des zwei
ten Maskierungsabschnitts 16 zwischen einer oberen Oberflä
che des Substrats 22 und einer unteren Oberfläche von jedem
der Pseudomaskierungsabschnitte 18a, 18b, 18c und 18d und
die Breite b von jedem der Maskierungsabschnitte 18a, 18b,
18c und 18d vorzugsweise derart eingestellt, daß das Verhäl
tnis b/a kleiner als drei ist.
Ein Verfahren zum Bilden einer Elektrode einer elektroni
schen Komponente unter Verwendung der Vorrichtung 10, die
mit dem vorher genannten Maskenbauglied 12 ausgerüstet ist,
wird nachfolgend bezugnehmend auf die Fig. 1 bis 3 beschrie
ben. Bei dem Beispiel gemäß einem bevorzugten Ausführungs
beispiel der vorliegenden Erfindung wird beispielsweise eine
bekannte Glühentladungs-Sputtervorrichtung, die mit einem
Maskierungsbauglied 12 ausgestattet ist, verwendet.
Zuerst wird beispielsweise ein im wesentlichen rechteckiges
planares Substrat 22 als das Werkstück vorbereitet. Das Sub
strat 22 kann beispielsweise aus piezoelektrischer Keramik
oder einem anderen geeigneten Material bestehen.
Ein Maskierungsbauglied 12 wird an einer der Hauptflächen
des Substrats 22 befestigt. Das heißt, daß der erste Maskierungs
abschnitt 14 und der zweite Maskierungsabschnitt 16 des Mas
kierungsbauglieds 12 in Kontakt mit einer der Hauptflächen
des Substrats 22 gebracht werden, derart, daß die Maskie
rungsabschnitte 14 und 16 die vorbestimmten Abschnitte der
Hauptfläche des Substrats 22 bedecken. Ein Abstand von a ist
zwischen einer unteren Oberfläche von jedem der Pseudomas
kierungsabschnitte 18a, 18b, 18c und 18d, die jeweils eine
Breite von b aufweisen, und einer der Hauptflächen des Sub
strats 22 definiert.
Das Substrat 22, an dem das Maskierungsbauglied 12 ange
bracht ist, wird dann an dem Anodenabschnitt der Glühentladungs-Sputtervorrichtung
angeordnet.
Die Glühentladungs-Sputtervorrichtung wird danach betrieben,
um das Kathodenabschnittsziel, das aus dem Elektrodenmate
rial besteht, mit den positiven Ionen, die durch die Glüh
entladung erzeugt werden, zu bestrahlen. Folglich wird das
Elektrodenmaterial durch die kollidierenden positiven Ionen
verdampft, so daß die Partikel der Elektrode (die hierin
nachfolgend der Einfachheit halber als "Elektrodenpartikel"
bezeichnet werden) an dem Substrat 22, an dem das Maskie
rungsbauglied 12 befestigt ist, anhaften.
In dem vorliegenden Fall gelangen die Elektrodenpartikel
durch die Durchgangslöcher 20a, 20b, 20c und 20d des Maskie
rungsbauglieds 12 und haften an dem vorbestimmten Abschnitt,
der den Durchgangslöchern 20a, 20b, 20c und 20d entspricht,
auf einer der Hauptflächen des Substrats 22, um zumindest
eine Filmelektrode zu bilden. Ferner breiten sich die Elek
trodenpartikel in die Zwischenräume zwischen jedem der Pseu
domaskierungsabschnitte 18a, 18b, 18c und 18d und die obere
Oberfläche des Substrats 22 aus, um zumindest eine Filmelek
trode zu bilden. Folglich wird beispielsweise, wie in Fig. 4
gezeigt ist, ein Elektrodenmuster 24 einer im wesentlichen
rechteckigen Schleife mit einem elektrodenfreien Abschnitt
24a in der Mitte desselben entsprechend dem gewünschten
Elektrodenmuster gebildet.
Gemäß dem obigen Verfahren zum Bilden zumindest einer Elek
trode einer elektronischen Komponente unter Verwendung einer
Vorrichtung 10, die mit einem Maskierungsbauglied 12 ausge
stattet ist, kann ohne weiteres ein Schleifenelektrodenmu
ster mit einem elektrodenfreien Abschnitt gleichzeitig zu
einer Filmabscheidung hergestellt werden. Da es bei dem Ver
fahren gemäß den bevorzugten Ausführungsbeispielen der vor
liegenden Erfindung ferner nicht notwendig ist, den unnöti
gen Elektrodenabschnitt durch Drucken, Ätzen, oder andere
Elektrodenbeseitigungsschritte zu beseitigen, können diese
Druck- und Ätz-Schritte aus dem Verfahren beseitigt sein.
Folglich kann die Produktivität verglichen mit der der be
kannten Verfahren, die die Druck- und Ätz-Schritte erfor
dern, erhöht sein. Außerdem können die elektrischen Charak
teristika der elektronischen Komponenten unbeschädigt und
unbeeinflußt bleiben, da verhindert werden kann, daß eine
Beschädigung des Substrats 22, die durch ein Ätzen oder eine
Elektrodenmaterialbeseitigung bewirkt wird, stattfindet.
Bei dem obigen Verfahren zum Bilden zumindest einer Elektro
de einer elektronischen Komponente, wurde ein Maskierungs
bauglied 12 gemäß den bevorzugten Ausführungsbeispielen der
vorliegenden Erfindung für das sogenannte Sputtern unter
Verwendung einer Glühentladungs-Sputtervorrichtung verwen
det. Dasselbe kann jedoch auch für andere Prozesse, bei
spielsweise eine Dampfabscheidung oder anderer Elektroden
bildungsverfahren, verwendet werden.
Fig. 5 ist eine auseinandergezogene, perspektivische Ansicht
des Hauptabschnitts, die ein weiteres Beispiel gemäß einem
weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden
Erfindung zeigt; Fig. 6 ist eine perspektivische Ansicht des
Hauptabschnitts, die ein weiteres Beispiel gemäß einem wei
teren bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Er
findung zeigt; Fig. 7 ist ein Querschnitt entlang der Linie
VII-VII von Fig. 6. Verglichen mit dem bevorzugten Ausfüh
rungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, das in den Fig. 1
bis 3 gezeigt ist, weist das weitere bevorzugte Ausführungs
beispiel der vorliegenden Erfindung keinen zweiten Maskie
rungsabschnitt 16 auf, sondern eine Mehrzahl von Pseudomas
kierungsabschnitten, die vorzugsweise vertikal und horizon
tal in einer gitterartigen Anordnung angeordnet sind.
Bei dem Verfahren zum Bilden einer Elektrode einer elektro
nischen Komponente unter Verwendung eines Maskierungsbau
glieds 12, wie es in den Fig. 5 bis 7 gezeigt ist, wird zu
erst ein Substrat 22 als ein Werkstück vorbereitet. Danach
wird das Maskierungsbauglied 12, wie es in den Fig. 5 bis 7
gezeigt ist, an dem Substrat 22 angebracht. Ähnlich dem be
vorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung,
das in den Fig. 1 bis 3 gezeigt ist, wird das Substrat 22,
das mit dem Maskierungsbauglied 12 versehen ist, beispiels
weise an den Anodenabschnitt einer Glühentladungs-Sputtervorrichtung
angeordnet und wird einem Sputterverfahren un
terworfen.
Die Elektrodenpartikel gelangen durch ein erstes Durchgangs
loch 26 und eine Mehrzahl von zweiten Durchgangslöchern 28,
die in dem Maskierungsbauglied 12 vorgesehen sind, und haf
ten an den vorbestimmten Abschnitten einer der Hauptflächen
des Substrats, die dem ersten Durchgangsloch 26 und den
zweiten Durchgangslöchern 28 entsprechen. Ferner gelangen
die Elektrodenpartikel zwischen eine der Hauptflächen des
Substrats 22 und die Mehrzahl von Pseudomaskierungsabschnit
ten 30, 30, . . ., 30 und haften an der Oberfläche des Sub
strats 22, die gegenüber den Pseudomaskierungsabschnitten 30
angeordnet ist, um zumindest eine Filmelektrode zu bilden.
Folglich wird beispielsweise ein im wesentlichen recht
eckiges Elektrodenmuster 32, wie es in Fig. 8 gezeigt ist,
auf einer der Hauptflächen des Substrats 22 gebildet.
Das heißt, daß eine erste Filmelektrode 32a nach dem Durchdringen
des ersten Durchgangslochs 26 auf dem Substrat 22 gebildet
wird, da dasselbe entsprechend dem ersten Durchgangsloch 26
freigelegt ist. Nachdem eine Mehrzahl der zweiten Durch
gangslöcher 28 durchdrungen ist, wird eine zweite Filmelek
trode 32b auf dem Substrat 22 gebildet, da dasselbe entspre
chend den zweiten Durchgangslöchern 28 freiliegend ist, und
ist zwischen dem gitterartigen Pseudomaskierungsabschnitt 30
und dem Substrat 22 angeordnet, um eine zweite Filmelektrode
32b auf dem vorbestimmten Abschnitt des Substrats 22, der
gegenüber dem gitterartigen Pseudomaskierungsabschnitt 30
angeordnet ist, zu bilden.
In diesem Fall ist die Mehrzahl von Pseudomaskierungsab
schnitten 30 derart aufgebaut, daß ein Verhältnis b/a klei
ner als drei ist, wobei a den Abstand zwischen einer unteren
Oberfläche von jedem der Mehrzahl von Pseudomaskierungsab
schnitten 30 und der oberen Oberfläche des Substrats 22 dar
stellt, und b die Breite von jedem der Pseudomaskierungsab
schnitte darstellt. Da die Mehrzahl von Pseudomaskierungsab
schnitten 30 ferner in einer gitterartigen Anordnung vorge
sehen ist, ist die zweite Filmelektrode 32b ferner dünner
als die erste Filmelektrode 32a. Da die Mehrzahl der Pseudo
maskierungsabschnitte 30 horizontal und vertikal angeordnet
sind, um eine gitterartige Anordnung zu bilden, gelangt das
Elektrodenmaterial ferner zwischen den Pseudomaskierungsab
schnitt 30 und das Substrat 22 und haftet derart an dem Sub
strat 22, daß die zweite Filmelektrode 32b dünner ist und
eine gleichmäßige Dicke aufweist. In diesem Fall ist die
Mehrzahl der Pseudomaskierungsabschnitte 30 derart gebildet,
daß das Filmdickenverhältnis der ersten Filmelektrode 32a zu
der zweiten Filmelektrode 32b, die auf dem Substrat 22 ge
bildet sind, innerhalb eines gewünschten Verhältnisses ist.
Gemäß dem Verfahren zum Bilden zumindest einer Elektrode ei
ner elektronischen Komponente unter Verwendung einer Vor
richtung, die mit einem Maskierungsbauglied, wie es in den
Fig. 5 bis 7 gezeigt ist, ausgestattet ist, können Elektro
denmuster, die unterschiedliche Filmdicken aufweisen, ein
fach und genau gleichzeitig während der Filmabscheidung ge
bildet werden. Folglich kann in dem Fall, in dem beispiels
weise eine weitere elektronische Komponente auf das Substrat
gelötet wird, der Unterschied der Filmdicke positiv verwen
det werden. Das heißt, daß die Filmdicke des gelöteten Abschnitts
allein erhöht sein kann, um den Widerstand des Abschnitts
gegenüber einem Lotauslaugen zu verbessern, während eine ge
wünschte Dünnheit des Films der anderen Abschnitte beibehal
ten wird, um den thermischen Einfluß während der Filmab
scheidung zu unterdrücken. Falls die bevorzugten Ausfüh
rungsbeispiele der Erfindung auf einen keramischen Oszilla
tor angewendet wird, kann ferner eine teilweise Hinzufügung
einer Masse zu dem Vibrationselektrodenabschnitt erreicht
werden. Folglich können spezielle elektrische Charakteristi
ka ohne weiteres erhalten werden.
Gemäß dem Verfahren der bevorzugten Ausführungsbeispiele,
die in den Fig. 5 bis 7 gezeigt sind, kann ferner ein Elek
trodenmuster mit unterschiedlichen Filmdicken durch ein ein
zelnes Filmabscheidungsverfahren auf dem ersten Substrat 22
gebildet werden. Außerdem können ähnlich wie bei dem Verfah
ren zum Bilden zumindest einer Elektrode einer elektroni
schen Komponente, das in den Fig. 1 bis 3 gezeigt ist,
Druck- und Ätz-Verfahrensschritte aus dem vorliegenden Ver
fahren gemäß den bevorzugten Ausführungsbeispielen der vor
liegenden Erfindung beseitigt sein, da es nicht notwendig
ist, ungewollte Elektrodenabschnitte zu beseitigen. Folglich
kann die Produktivität des Verfahrens der bevorzugten Aus
führungsbeispiele der vorliegenden Erfindung verglichen mit
einem herkömmlichen Verfahren, das die Verwendung derartiger
zusätzlicher Verfahrensschritte erfordert, stark verbessert
sein. Außerdem kann verhindert werden, daß das Substrat 22
selbst durch das Ätzen beschädigt wird. Folglich kann eine
elektronische Komponente ohne Beeinträchtigung der elektri
schen Charakteristika derselben erhalten werden.
Falls eine Maske gebildet ist, die einen zweiten Pseudomas
kierungsabschnitt mit einem b/a-Verhältnis gleich oder
größer drei aufweist, wobei a den Abstand zwischen dem Pseu
domaskierungsabschnitt und dem Werkstück darstellt und b die
Breite des Pseudomaskierungsabschnitts darstellt, ist ein
vorbestimmter Abschnitt des Werkstücks selektiv durch den
zweiten Pseudomaskierungsabschnitt, der das b/a-Verhältnis,
das gleich oder größer drei ist, aufweist, abgeschirmt.
Folglich breitet sich das Elektrodenmaterial nicht in den
vorbestimmten Abschnitt der Hauptfläche des Werkstücks aus,
der gegenüber dem zweiten Pseudomaskierungsabschnitt ange
ordnet ist. Folglich haftet das Elektrodenmaterial nicht an,
oder bildet es eine Filmelektrode auf dem vorbestimmten Ab
schnitt, der gegenüber dem zweiten Pseudomaskierungsab
schnitt angeordnet ist.
Die Bildung einer Filmelektrode durch das Einbringen eines
Elektrodenmaterials während des Sputterns wird nachfolgend
beschrieben. Fig. 9 ist eine vergrößerte, erläuternde An
sicht, die einen Zustand während des Ätzens zeigt, bei dem
eine Filmelektrode durch die Ausdehnung eines Elektroden
materials in den schattierten Bereich des Abschirmungsab
schnitts gebildet wird.
Falls das Sputtern durch die Verwendung eines Maskierungs
bauglieds, das einen Abschirmungsabschnitt, beispielsweise
einen Pseudomaskierungsabschnitt, aufweist, durchgeführt
wird, breitet sich das Elektrodenmaterial, das durch die
Glühentladung entladen wird, und das bezüglich des Raums
zwischen dem Abschirmungsabschnitt 34 und der Oberfläche des
Werkstücks W einen kleinen Einfügungswinkel aufweist, haupt
sächlich in den Abschnitt aus, der der schattierte Bereich
des Abschirmungsabschnitts 34 wird, d. h. in den Oberflächen
abschnitt des Werkstücks W, der gegenüber dem Abschirmungs
abschnitt 34 angeordnet ist. Ein bestimmter Teil des Elek
trodenmaterials ändert den Einfügungswinkel aufgrund der
Kollision mit Gasionen während der Entladung und haftet an
der hinteren Fläche des Abschirmungsabschnitts 34, nachdem
sich derselbe in den Raum zwischen dem Abschirmungsabschnitt
34 und der Oberfläche des Werkstücks W ausgebreitet hat.
Folglich wurden Versuche durchgeführt, um die Beziehung zwi
schen der Öffnung a zwischen dem Abschirmungsabschnitt 34
und der Oberfläche des Werkstücks W, den Abstand L von der
Kante der Abschirmung des Abschirmungsabschnitts 34 zu dem
Abschnitt, in den sich das Elektrodenmaterial ausbreitet
(der hierin nachfolgend einfach als ein "erweiterter Ab
stand" bezeichnet wird), und das Dickenverhältnis t/t₀ (das
hierin nachfolgend der Einfachheit halber als "Filmdicken
verhältnis" bezeichnet wird) zu bestimmen, wobei t die Dicke
der Filmelektrode 36 darstellt, die an einem Abschnitt, der
sich in einem verlängerten Abstand von L von der Abschir
mungskante des Abschirmungsabschnitts 34 befindet, gebildet
ist, und t₀ die Dicke der Filmelektrode 36, die an einem Ab
schnitt, der keinen Abschirmungsabschnitt 34 aufweist, ge
bildet ist, darstellt. Die Ergebnisse sind nachfolgend in
Tabelle I angegeben.
Aus den oben angegebenen experimentellen Daten ist ohne wei
teres zu sehen, daß die Dicke der Filmelektrode 36, die
durch das haftende Aufbringen des Elektrodenmaterials auf
den Oberflächenabschnitt des Werkstücks W, der gegenüber dem
abgeschirmten Abschnitt 34 angeordnet ist, gebildet ist, mit
abnehmendem Abstand L zunimmt, wenn die Öffnung a die glei
che ist. In einem solchen Fall kann eine gewünschte Film
dicke nicht erreicht werden, da das Filmdickenverhältnis ab
nimmt, wenn L/a größer als 1,5 ist. Im Gegensatz dazu kann
eine gewünschte Filmdicke erreicht werden, da das Film
dickenverhältnis zunimmt, wenn L/a kleiner als 1,5 ist.
Das heißt, daß die Filmdicke der Filmelektrode 36, die durch das
haftende Aufbringen eines Elektrodenmaterials auf den Ober
flächenabschnitt des Werkstücks W, der gegenüber dem Ab
schirmungsabschnitt 34 angeordnet ist, gebildet ist, nähe
rungsweise durch das Verhältnis L/a spezifiziert ist.
Wenn wir den Abschirmungsabschnitt 34 betrachten, beispiels
weise den Abschirmungsabschnitt, der in Fig. 10 gezeigt ist,
breitet sich entsprechend jedem der Pseudomaskierungsab
schnitte 18a, 18b, 18c und 18d, der eine Breite b aufweist,
wie in den Fig. 1 bis 3 gezeigt ist, das Elektrodenmaterial
von beiden Seiten von jedem der Pseudomaskierungsabschnitte
18a bis 18d aus. Folglich ist die Breite b von jedem der
Pseudomaskierungsabschnitte 18a, 18b, 18c und 18d durch 2L
ersetzt. In diesem Fall wird die Dicke der Filmelektrode,
die in dem mittleren Abschnitt in der Breitenrichtung von
jedem der Pseudomaskierungsabschnitte gebildet wird, gleich
zweimal dem Wert von L/a, der aus Tabelle I erhalten wird.
Danach wurden Experimente durchgeführt, um die Beziehung
zwischen der Öffnung a zwischen jedem der Pseudomaskierungs
abschnitte 18a, 18b, 18c und 18d und der Oberfläche des Sub
strats 22, der Breite b jedes Pseudomaskierungsabschnitts
18a, 18b, 18c und 18d und des Filmdickenverhältnisses t/t₀
zu erhalten. Die Ergebnisse sind nachfolgend in Tabelle II
angegeben.
Aus den obigen experimentellen Daten ist zu sehen, daß das
Dickenverhältnis näherungsweise 0 wird, wenn b/a größer als
drei ist. Folglich ist die obige Annahme verifiziert.
Aus dem vorhergehenden ist zu sehen, daß die bevorzugten
Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung ein Verfah
ren zum Bilden zumindest einer Elektrode von elektronischen
Komponenten und eine Vorrichtung zur Verwendung bei dem Ver
fahren liefert, wobei das Verfahren ein arbeitssparendes
Herstellungsverfahren liefert, das in der Lage ist, Elektro
den mit unterschiedlichen Filmdicken zu bilden.
Claims (12)
1. Verfahren zum Bilden zumindest einer Elektrode (24; 32)
einer elektronischen Komponente mit folgenden Schrit
ten:
Vorbereiten eines Werkstücks (22);
Vorbereiten einer Maske (12), die zwei Hauptflächen, zumindest ein Durchgangsloch (20a bis 20d; 28), das sich von einer der Hauptebenen der Maske zu der anderen Hauptebene erstreckt, zumindest einen Maskierungsab schnitt (14, 16), der angepaßt ist, um in Kontakt mit einem vorbestimmten Abschnitt des Werkstücks (22) ge bracht zu werden, um den vorbestimmten Abschnitt des Werkstücks (22) abzuschirmen, und zumindest einen Pseu domarkierungsabschnitt (18a bis 18d; 30) aufweist, der gebildet ist, um eine untere Oberfläche aufzuweisen, die beabstandet von der unteren Oberfläche des zumin dest einen Maskierungsabschnitts (14, 16) in einer Dickenrichtung der Maske (12) angeordnet ist, um das Werkstück (22) scheinbar zu maskieren, wenn die Maske in Kontakt mit dem Werkstück (22) angeordnet ist;
Plazieren der Maske (12) auf einer oberen Oberfläche des Werkstücks (22); und
Aufbringen eines Elektrodenmaterials über die Maske (12) auf die obere Oberfläche des Werkstücks (22), um eine Elektrode (24; 32) auf dem Werkstück (22) zu bil den.
Vorbereiten eines Werkstücks (22);
Vorbereiten einer Maske (12), die zwei Hauptflächen, zumindest ein Durchgangsloch (20a bis 20d; 28), das sich von einer der Hauptebenen der Maske zu der anderen Hauptebene erstreckt, zumindest einen Maskierungsab schnitt (14, 16), der angepaßt ist, um in Kontakt mit einem vorbestimmten Abschnitt des Werkstücks (22) ge bracht zu werden, um den vorbestimmten Abschnitt des Werkstücks (22) abzuschirmen, und zumindest einen Pseu domarkierungsabschnitt (18a bis 18d; 30) aufweist, der gebildet ist, um eine untere Oberfläche aufzuweisen, die beabstandet von der unteren Oberfläche des zumin dest einen Maskierungsabschnitts (14, 16) in einer Dickenrichtung der Maske (12) angeordnet ist, um das Werkstück (22) scheinbar zu maskieren, wenn die Maske in Kontakt mit dem Werkstück (22) angeordnet ist;
Plazieren der Maske (12) auf einer oberen Oberfläche des Werkstücks (22); und
Aufbringen eines Elektrodenmaterials über die Maske (12) auf die obere Oberfläche des Werkstücks (22), um eine Elektrode (24; 32) auf dem Werkstück (22) zu bil den.
2. Verfahren zum Bilden einer Elektrode (24; 32) einer
elektronischen Komponente gemäß Anspruch 1,
bei dem die Maske (12) derart gebildet ist, daß ein
Verhältnis b/a kleiner als 3 ist, wobei a einen Abstand
zwischen der unteren Oberfläche des zumindest einen
Pseudomaskierungsabschnitts (18a bis 18d; 30) und der
oberen Oberfläche des Werkstücks (22) darstellt, und b
eine Breite des zumindest einen Pseudomaskierungsab
schnitts (18a bis 18d; 30) darstellt.
3. Verfahren zum Bilden einer Elektrode (24; 32) einer
elektronischen Komponente gemäß Anspruch 1 oder 2,
bei dem der Schritt des Vorbereitens der Maske (12) den
Schritt des Vorbereitens einer Mehrzahl von Pseudomas
kierungsabschnitten (18a bis 18d; 30) auf der Maske
(12) aufweist.
4. Verfahren zum Bilden einer Elektrode (32) einer elek
tronischen Komponente gemäß einem der Ansprüche 1 bis
3,
bei dem der Schritt des Vorbereitens der Maske (12) den
Schritt des Bildens einer Mehrzahl von Pseudomaskie
rungsabschnitten (30) in einer Arrayanordnung aufweist.
5. Verfahren zum Bilden einer Elektrode (32) einer elek
tronischen Komponente gemäß einem der Ansprüche 1 bis
4,
bei dem der Schritt des Vorbereitens der Maske (12) den
Schritt des Bildens einer Mehrzahl von Pseudomaskie
rungsabschnitten (30) in einer Gitteranordnung auf
weist.
6. Verfahren zum Bilden einer Elektrode (24; 32) einer
elektronischen Komponente mit folgenden Schritten:
Vorbereiten eines Werkstücks (22);
Vorbereiten einer Maske (12), die zwei Hauptebenen und zumindest ein Durchgangsloch (20a bis 20d; 28), das sich von einer der Hauptebenen der Maske (12) zu der anderen Hauptebene erstreckt, zumindest einen Maskie rungsabschnitt (14, 16), der angepaßt ist, um mit einem vorbestimmten Abschnitt des Werkstücks (22) in Kontakt gebracht zu werden, um den vorbestimmten Abschnitt des Werkstücks (22) abzuschirmen, einen ersten Pseudomas kierungsabschnitt, der derart gebildet ist, daß ein Verhältnis b/a für den ersten Pseudomaskierungsab schnitt kleiner als drei ist, und einen zweiten Pseudo maskierungsabschnitt aufweist, der derart gebildet ist, daß ein Verhältnis b/a des zweiten Pseudomaskierungsab schnitts gleich oder größer drei ist, wobei a einen Ab stand zwischen einer unteren Oberfläche eines jeweili gen des ersten und des zweiten Pseudomaskierungsab schnitts und einer oberen Oberfläche des Werkstücks (22) darstellt, und b eine Breite des jeweiligen des ersten und des zweiten Pseudomaskierungsabschnitts dar stellt;
Plazieren der Maske (12) auf der oberen Oberfläche des Werkstücks (22); und
Aufbringen eines Elektrodenmaterials über die Maske (12) auf die obere Oberfläche des Werkstücks (22), um eine Elektrode (24; 32) zu bilden.
Vorbereiten eines Werkstücks (22);
Vorbereiten einer Maske (12), die zwei Hauptebenen und zumindest ein Durchgangsloch (20a bis 20d; 28), das sich von einer der Hauptebenen der Maske (12) zu der anderen Hauptebene erstreckt, zumindest einen Maskie rungsabschnitt (14, 16), der angepaßt ist, um mit einem vorbestimmten Abschnitt des Werkstücks (22) in Kontakt gebracht zu werden, um den vorbestimmten Abschnitt des Werkstücks (22) abzuschirmen, einen ersten Pseudomas kierungsabschnitt, der derart gebildet ist, daß ein Verhältnis b/a für den ersten Pseudomaskierungsab schnitt kleiner als drei ist, und einen zweiten Pseudo maskierungsabschnitt aufweist, der derart gebildet ist, daß ein Verhältnis b/a des zweiten Pseudomaskierungsab schnitts gleich oder größer drei ist, wobei a einen Ab stand zwischen einer unteren Oberfläche eines jeweili gen des ersten und des zweiten Pseudomaskierungsab schnitts und einer oberen Oberfläche des Werkstücks (22) darstellt, und b eine Breite des jeweiligen des ersten und des zweiten Pseudomaskierungsabschnitts dar stellt;
Plazieren der Maske (12) auf der oberen Oberfläche des Werkstücks (22); und
Aufbringen eines Elektrodenmaterials über die Maske (12) auf die obere Oberfläche des Werkstücks (22), um eine Elektrode (24; 32) zu bilden.
7. Vorrichtung zum Bilden einer Elektrode (24; 32) einer
elektronischen Komponente mit folgenden Merkmalen:
einer Maske (12), die zumindest ein Durchgangsloch (20a bis 20d; 28), das sich von einer von zwei Hauptoberflä chen der Maske (12) zu der anderen Hauptoberfläche er streckt, aufweist;
zumindest einem Maskierungsabschnitt (14, 16), der auf der Maske (12) angeordnet ist und angepaßt ist, um in einen Kontakt mit einem vorbestimmten Abschnitt einer oberen Oberfläche der elektronischen Komponente ge bracht zu werden, um den vorbestimmten Abschnitt der elektronischen Komponente abzuschirmen; und
zumindest einem Pseudomaskierungsabschnitt (18a bis 18d; 30), der auf der Maske (12) angeordnet ist und eine untere Oberfläche aufweist, die in einem Abstand von einer unteren Oberfläche der Maske (12) in einer Dickenrichtung der Maske (12) angeordnet ist, um den vorbestimmten Abschnitt der oberen Oberfläche der elek tronischen Komponente scheinbar zu maskieren, wenn der Maskierungsabschnitt (14, 16) in Kontakt mit der elek tronischen Komponente angeordnet ist.
einer Maske (12), die zumindest ein Durchgangsloch (20a bis 20d; 28), das sich von einer von zwei Hauptoberflä chen der Maske (12) zu der anderen Hauptoberfläche er streckt, aufweist;
zumindest einem Maskierungsabschnitt (14, 16), der auf der Maske (12) angeordnet ist und angepaßt ist, um in einen Kontakt mit einem vorbestimmten Abschnitt einer oberen Oberfläche der elektronischen Komponente ge bracht zu werden, um den vorbestimmten Abschnitt der elektronischen Komponente abzuschirmen; und
zumindest einem Pseudomaskierungsabschnitt (18a bis 18d; 30), der auf der Maske (12) angeordnet ist und eine untere Oberfläche aufweist, die in einem Abstand von einer unteren Oberfläche der Maske (12) in einer Dickenrichtung der Maske (12) angeordnet ist, um den vorbestimmten Abschnitt der oberen Oberfläche der elek tronischen Komponente scheinbar zu maskieren, wenn der Maskierungsabschnitt (14, 16) in Kontakt mit der elek tronischen Komponente angeordnet ist.
8. Vorrichtung zum Bilden einer Elektrode (24; 32) einer
elektronischen Komponente gemäß Anspruch 7,
bei der die Maske (12) eine solche Struktur aufweist,
daß ein Verhältnis b/a kleiner als drei ist, wobei a
einen Abstand zwischen der unteren Oberfläche des zu
mindest einen Pseudomaskierungsabschnitts (18a bis 18d;
30) und der oberen Oberfläche der elektronischen Kompo
nente darstellt, und b eine Breite des zumindest einen
Pseudomaskierungsabschnitts (18a bis 18d; 30) dar
stellt.
9. Vorrichtung zum Bilden einer Elektrode (24; 32) einer
elektronischen Komponente gemäß Anspruch 7 oder 8,
bei der die Maske (12) eine Mehrzahl von Pseudomaskie
rungsabschnitten (18a bis 18d; 30) aufweist.
10. Vorrichtung zum Bilden einer Elektrode (32) einer elek
tronischen Komponente gemäß einem der Ansprüche 7 bis
9,
bei der eine Mehrzahl von Pseudomaskierungsabschnitten
(30) in einer Arrayanordnung vorgesehen sind.
11. Vorrichtung zum Bilden einer Elektrode (32) einer elek
tronischen Komponente gemäß einem der Ansprüche 7 bis
10,
bei der eine Mehrzahl von Pseudomaskierungsabschnitten
(30) in einer Gitteranordnung vorgesehen sind.
12. Vorrichtung zum Bilden einer Elektrode (24; 32) einer
elektronischen Komponente mit folgenden Merkmalen:
einer Maske (12), die zumindest ein Durchgangsloch (20a bis 20d; 28) aufweist, das sich von einer von zwei Hauptflächen der Maske (12) zu der anderen Hauptfläche erstreckt; und
einem ersten Maskierungsabschnitt, der eine solche Struktur aufweist, daß ein Verhältnis b/a des ersten Pseudomaskierungsabschnitts kleiner als drei ist, und einem zweiten Pseudomaskierungsabschnitt, der eine sol che Struktur aufweist, daß ein Verhältnis b/a des zwei ten Pseudomaskierungsabschnitts gleich oder größer als drei ist,
wobei a einen Abstand zwischen einer unteren Oberfläche eines jeweiligen des ersten und des zweiten Pseudomas kierungsabschnitts und einer unteren Oberfläche der Maske (12) darstellt, und b eine Breite des jeweiligen des ersten und des zweiten Pseudomaskierungsabschnitts darstellt.
einer Maske (12), die zumindest ein Durchgangsloch (20a bis 20d; 28) aufweist, das sich von einer von zwei Hauptflächen der Maske (12) zu der anderen Hauptfläche erstreckt; und
einem ersten Maskierungsabschnitt, der eine solche Struktur aufweist, daß ein Verhältnis b/a des ersten Pseudomaskierungsabschnitts kleiner als drei ist, und einem zweiten Pseudomaskierungsabschnitt, der eine sol che Struktur aufweist, daß ein Verhältnis b/a des zwei ten Pseudomaskierungsabschnitts gleich oder größer als drei ist,
wobei a einen Abstand zwischen einer unteren Oberfläche eines jeweiligen des ersten und des zweiten Pseudomas kierungsabschnitts und einer unteren Oberfläche der Maske (12) darstellt, und b eine Breite des jeweiligen des ersten und des zweiten Pseudomaskierungsabschnitts darstellt.
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