DE3856450T2 - Verfahren zur Herstellung von einer elektrisch programmierbaren integrierten Schaltung mit schmelzbaren Kontaktbrücken - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von einer elektrisch programmierbaren integrierten Schaltung mit schmelzbaren Kontaktbrücken

Info

Publication number
DE3856450T2
DE3856450T2 DE3856450T DE3856450T DE3856450T2 DE 3856450 T2 DE3856450 T2 DE 3856450T2 DE 3856450 T DE3856450 T DE 3856450T DE 3856450 T DE3856450 T DE 3856450T DE 3856450 T2 DE3856450 T2 DE 3856450T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
metallic
conductive layer
forming
zone
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE3856450T
Other languages
English (en)
Other versions
DE3856450D1 (de
Inventor
Joerg Naumann
Thomas Scharnagl
Leo Stroth
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Texas Instruments Deutschland GmbH
Original Assignee
Texas Instruments Deutschland GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Texas Instruments Deutschland GmbH filed Critical Texas Instruments Deutschland GmbH
Priority to DE3856450T priority Critical patent/DE3856450T2/de
Publication of DE3856450D1 publication Critical patent/DE3856450D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3856450T2 publication Critical patent/DE3856450T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76886—Modifying permanently or temporarily the pattern or the conductivity of conductive members, e.g. formation of alloys, reduction of contact resistances
    • H01L21/76892—Modifying permanently or temporarily the pattern or the conductivity of conductive members, e.g. formation of alloys, reduction of contact resistances modifying the pattern
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76886—Modifying permanently or temporarily the pattern or the conductivity of conductive members, e.g. formation of alloys, reduction of contact resistances
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/525—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body with adaptable interconnections
    • H01L23/5256—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body with adaptable interconnections comprising fuses, i.e. connections having their state changed from conductive to non-conductive
    • H01L23/5258—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body with adaptable interconnections comprising fuses, i.e. connections having their state changed from conductive to non-conductive the change of state resulting from the use of an external beam, e.g. laser beam or ion beam
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Description

  • Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen einer elektrisch programmierbaren integrierten Schaltung des Typs, wie er aus der EP-A-0 146 688 bekannt ist.
  • Das bekannte Verfahren zum Herstellen einer elektrisch programmierbaren integrierten Schaltung umfaßt:
  • Bereitstellen eines Substrats aus einem Halbleitermaterial;
  • Bilden einer gegenüber einem Plasmaätzen widerstandsfähigen Schutzschicht auf dem Halbleitersubstrat, die dessen obere Fläche bedeckt,
  • Aufbringen leitenden Materials auf die Schutzschicht, zum Bereitstellen einer leitenden Schicht auf der Schutzschicht;
  • Bilden einer Ätzschutzmaske auf der leitenden Schicht, die nur die Abschnitte der leitenden Schicht, aus denen eine Kontaktbrücke zu bilden ist, bedeckt,
  • Ausführen eines Plasmaätzvorgangs zum selektiven Entfernen von Abschnitten der leitenden Schicht, um dadurch eine strukturierte leitende Schicht zu definieren, die die Kontaktbrücke auf der Schutzschicht bildet; und
  • Aufbringen metallischen Materials auf die Schutzschicht, um elektrische Kontaktelemente zu formen, die elektrisch mit der Kontaktbrücke in Verbindung stehen.
  • Bekannte elektrisch programmierbare integrierte Schaltungen, beispielsweise sogenannte PLA's, enthalten nach ihrer Herstellung und vor ihrem praktischen Einsatz zwischen ausgewählten Schaltungspunkten Kontaktbrücken, die durch Anlegen von elektrischen Signalen an bestimmte Schaltungseingänge durchgeschmolzen werden können. In einem eigenen Programmierzyklus kann in solchen Schaltungen erreicht werden, daß zwischen ausgewählten Schaltungspunkten die Kontaktbrücke erhalten bleibt, wahrend sie zwischen anderen Kontaktpunkten unterbrochen wird, was dann gewünschte Schaltungsfunktionen zur Folge hat.
  • Bei der Herstellung solcher programmierbarer integrierter Schaltungen mittels des oben genannten Verfahrens wurde zur Bildung der an der Kontaktbrücke anliegenden Kontaktelemente ein Naßätzschritt angewendet. Dieser Naßätzschritt hat den bekannten Nachteil, daß bestimmte geometrische Abmessungen der nach dem Ätzen verbleibenden Strukturen nicht unterschritten werden können.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren der eingangs geschilderten Art zu schaffen, das es ermöglicht, bei der Herstellung elektrisch programmierbarer integrierter Schaltungen mit hoher Zuverlässigkeit kleinere Abmessungen der Einzelstrukturen zu erzielen.
  • Bei dem oben genannten Verfahren wird diese Aufgabe erfindungsgemäß durch die Merkmale des Anspruchs 1 gelöst.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren ist so ausgestaltet, daß keine Naßätzschritte mehr erforderlich sind, sondern das Abtragen zu entfernender Schichten wird ausschließlich unter Anwendung des Plasmaätzens durchgeführt, das die Herstellung wesentlich kleinerer Strukturen erlaubt. Durch die Anwendung des Plasmaätzens wird auch der Vorteil ausgenutzt, daß bei diesem Ätzverfahren kein nennenswertes Unterätzen auftritt, das bei der Anwendung von Naßätzverfahren häufig zu Problemen führt und die Genauigkeit der herzustellenden Strukturen nachteilig beeinflußt.
  • Die Erfindung wird nun anhand der Zeichnung beispielshalber erläutert. Es zeigen:
  • Fig. 1 eine schematische Schnittansicht eines Teils einer elektrisch programmierbaren integrierten Schaltung im Verlauf ihres Herstellungsverfahrens nach Aufbringung der zur Bildung einer schmelzbaren Kontaktbrücke verwendeten leitenden Schicht,
  • Fig. 2 ein ebensolcher Schnitt wie in Fig. 1 nach Anwendung eines Plasmaätzschritts zur Festlegung der schmelzbaren Kontaktbrücke,
  • Fig. 3 eine weitere Schnittansicht wie in den Fig. 1 oder 2 nach Aufbringen einer Schutzschicht auf der schmelzbaren Kontaktbrücke und
  • Fig. 4 eine weitere Schnittansicht des Abschnitts der integrierten Schaltung nach Bildung der Kontaktanschlüsse zur schmelzbaren Kontaktbrücke im Anschluß an einen weiteren Plasmaätzschritt.
  • In der Zeichnung ist nur ein kleiner Teil eines Halbleitersubstrats 10 dargestellt, in dem unter Anwendung herkömmlicher Verfahrensschritte wie der Diffusion oder der Ionenimplantation eine Halbleiterstruktur mit Zonen unterschiedlichen Leitungstyps erzeugt ist. Der in der Zeichnung dargestellte kleine Abschnitt des Halbleitersubstrats 10 enthält eine solche Zone 12.
  • Nach der Bildung der Halbleiterstruktur im Halbleitersubstrat 10 ist die Oberfläche mit einer Schicht 14 aus Siliciumdioxid überzogen, die unter anderem als Schutzschicht für die Halbleiterstruktur dient. Auf der Schicht 14 wird eine weitere Schutzschicht 16 durch Abscheidung aus der Gasphase aufgebracht. Im Anschluß daran wird durch die beiden Schichten 14 und 16 hindurch ein Kontaktfenster 18 geöffnet, durch das die im Halbleitersubstrat 10 befindliche Zone 12 zugänglich gemacht wird. Die Herstellung des Kontaktfensters erfolgt unter Anwendung herkömmlicher Maskierungs- und Ätzverfahren, die dem Fachmann geläufig sind und hier nicht näher erläutert werden müssen.
  • Auf der Schutzschicht 16 und im Kontaktfenster 18 wird anschließend eine leitende Schicht 20 aus Titan-Wolfram aufgebracht, aus der letztendlich die herzustellende schmelzbare Kontaktbrücke erzeugt werden soll. Fig. 1 zeigt die integrierte Schaltung in dem Zustand nach Aufbringen der leitenden Schicht 20.
  • Die leitende Schicht 20 wird nun mit einer Ätzschutzmaske überzogen, die durch Belichten und Abtragen in eine solche Form gebracht wird, daß nur noch auf dem die schmelzbare Kontaktbrücke bildenden Bereich 22 der leitenden Schicht 20 und einem zugehörigen Verbindungsende 21 sowie in dem sich über das Kontaktfenster 18 erstreckenden Bereich die Ätzschutzschicht zurückbleibt. Die freiliegenden Bereiche der Schutzschicht 20 werden nun mittels eines Plasmaätzverfahrens, bei dem die zu behandelnde Vorrichtung mit Ionen beschossen wird, vollständig abgetragen, so daß nur noch der in Fig. 2 zu erkennende Teil der leitenden Schicht 20 zurückbleibt. Die Schutzschicht 16 verhindert bei diesem Plasmaätzverfahren, daß die darunterliegende Schicht 14 angegriffen wird.
  • Nach Durchführung des Plasmaätzverfahrens wird auf der Oberfläche der in Fig. 2 dargestellten Struktur eine weitere Schutzschicht 24 aufgebracht, die dann unter Anwendung eines weiteren Plasmaätzverfahrens wieder so abgetragen wird, daß nur über dem die eigentliche Kontaktbrücke bildenden Bereich 22 der leitenden Schicht 20 die Schutzschicht 24 zurückbleibt. Dieses Stadium des Herstellungsverfahrens ist in Fig. 3 dargestellt.
  • Der die schmelzbare Kontaktbrücke bildende Bereich 22 der leitenden Schicht 20 muß nun noch mit Kontaktanschlüssen versehen werden, damit der Kontaktbrücke der Strom zugeführt werden kann, der bedarfsweise zu einem Durchschmelzen der Kontaktbrücke führt. Die Anschlußkontakte werden in Form einer Kontaktmetallisierung auf dem Bereich 21 der leitenden Schicht 20 und im Bereich des Kontaktfensters 18 gebildet. Über das Kontaktfenster 18 stellt die Anschlußmetallisierung auch eine elektrische Verbindung mit der im Halbleitersubstrat befindlichen Zone 12 her.
  • Die Kontaktmetallisierung wird vorzugsweise aus zwei Metallschichten aufgebaut, nämlich einer ersten Metallschicht 26 aus Titan-Wolfram und einer darüber befindlichen zweiten Metallschicht 28 aus Aluminium. Zum Aufbringen der Kontaktmetallisierung wird die Struktur von Fig. 3 zunächst mit der Metallschicht 26 und dann mit der Metallschicht 28 überzogen. Unter Anwendung eines weiteren Plasmaätzschritts werden dann die Kontaktmetallisierungen in der in Fig. 4 dargestellten Form erzeugt. Dies bedeutet, daß die Metallschichten 26 und 28 überall dort durch reaktives Ionenätzen wieder entfernt werden, wo sie nicht benötigt werden, so daß nur über dem Bereich 21 und über dem Kontaktfenster 18 Kontaktmetallisierungen zurückbleiben. Bei diesem Plasmaätzschritt schützt die Schutzschicht 24 den darunterliegenden Bereich 22 der Kontaktbrücke vor den die Metallschichten 26 und 28 abtragenden Ionen.
  • Die Metallschicht 26 aus Titan-Wolfram hat den Zweck, Reaktionen zwischen dem Aluminiummaterial der Schicht 28 und der darunterliegenden Struktur zu verhindern.
  • Der zur Bildung der Kontaktmetallisierungen angewendete Plasmaätzschritt bewirkt ein derartiges Abtragen der Schicht 28 und der Schicht 26, daß die verbleibenden Teile dieser beiden Schichten exakt aufeinander ausgerichtet sind, wie in Fig. 4 zu erkennen ist. Diese Ausrichtung ergibt sich sozusagen automatisch, was eine exakte Definition der geometrischen Abmessungen der Kontaktbrücke zur Folge hat. Die Anwendung des Plasmaätzens ermöglicht ferner wesentlich kleinere Abmessungen, als dies bei Anwendung von Naßätzverfahren möglich wäre.
  • Somit lassen sich mit dem beschriebenen Verfahren elektrisch programmierbare integrierte Schaltungen mit schmelzbaren Kontaktbrücken unter Anwendung des vorteilhaften Plasmaätzverfahrens herstellen.

Claims (6)

1. Verfahren zum Herstellen einer elektrisch programmierbaren integrierten Schaltung, aufweisend:
Bereitstellen eines Substrats (10) aus einem Halbleitermaterial, wobei das Substrat (10) mindestens eine Schaltungsfunktionen definierende Zone (12) aufweist, die eine elektrische Leitfähigkeit aufweist und mit einer Öffnung an ihrer oberen Fläche versehen ist,
Bilden einer gegenüber einem Plasmaätzen widerstandsfähigen Schutzschicht (14, 16) auf dem Halbleitersubstrat (10), die dessen obere Fläche bedeckt,
selektives Strukturieren der gegenüber dem Plasmaätzen widerstandsfähigen Schutzschicht (14, 16) zur Bildung einer Öffnung (18), die sich durch sie bis zu mindestens einem Abschnitt der mindestens einen Zone (12) erstreckt, wodurch eine Kontaktfläche der mindestens einen Zone (12) des Halbleitersubstrats (10) freigelegt wird,
Aufbringen leitenden Materials auf die Schutzschicht (14, 16), zum Bereitstellen einer zusammenhängenden leitenden Schicht (20) auf der Schutzschicht und der Kontaktfläche der mindestens einen Zone (12), wobei diese übereinander liegen,
Bilden einer Ätzschutzmaske auf der leitenden Schicht (20), die nur die Abschnitte der leitenden Schicht (20), aus denen eine schmelzbare Kontaktbrücke (22) und ein zugeordnetes Verbindungsende (21) zu bilden sind, und den Abschnitt der leitenden Schicht (20), der über der Kontaktfläche der mindestens einen Zone (12) liegt, bedeckt,
Ausführen eines Plasmaätzvorgangs zum selektiven Entfernen von Abschnitten der leitenden Schicht (20), um dadurch eine strukturierte leitende Schicht zu definieren, die die schmelzbare Kontaktbrücke (22) und das zugeordnete Verbindungsende (21) auf der Schutzschicht (14, 16) bildet und den über der Kontaktfläche der mindestens einen Zone (12) liegenden Abschnitt einschließt,
Bilden einer zweiten Ätzschutzmaske (24) auf der strukturierten leitenden Schicht (20), die nur den Bereich der strukturierten leitenden Schicht (20) bedeckt, der die schmelzbare Kontaktbrücke (22) bildet,
Aufbringen metallischen Materials (26, 28) auf die die zweite Ätzschutzmaske (24) und die freigelegten Abschnitte der strukturierten leitenden Schicht (20) einschließende Struktur, um darüber mindestens eine metallische Schicht (26, 28) zu bilden und elektrische Kontaktelemente zu formen, die elektrisch mit der schmelzbaren Kontaktbrücke (22) in Verbindung stehen, Ausführen eines zweiten Plasmaätzvorgangs zum selektiven Entfernen von Abschnitten der metallischen Schicht (26, 28) auf der strukturierten leitenden Schicht (20), während die Abschnitte der metallischen Schicht (26, 28) erhalten bleiben, die über der Kontaktfläche der mindestens einen Zone (12) und dem Abschnitt der strukturierten leitenden Schicht (20), der das der schmelzbaren Kontaktbrücke (22) zugeordnete Verbindungsende (21) definiert, liegen, um eine die elektrischen Kontaktelemente (28) formende strukturierte metallische Schicht zu bilden,
wobei die zweite Ätzschutzmaske (24) den Bereich der strukturierten leitenden Schicht, der die schmelzbare Kontaktbrücke (22) bildet, während des zweiten Plasmaätzvorgangs gegenüber dem Ätzen abschirmt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, weiter dadurch gekennzeichnet, daß das Aufbringen metallischen Materials auf die Struktur unter Einschluß der zweiten Ätzschutzmaske (24) und der freigelegten Abschnitte der strukturierten leitenden Schicht (20) aufweist:
Aufbringen eines ersten metallischen Materials auf die zweite Ätzschutzmaske (24) und die freigelegten Abschnitte der strukturierten leitenden Schicht (20), um darauf eine erste metallische Schicht (26) zu bilden, und
Aufbringen eines von dem ersten metallischen Material verschiedenen zweiten metallischen Materials auf die erste metallische Schicht (26), um eine zweite metallische Schicht (28) zu bilden.
3. Verfahren nach Anspruch 2, weiter dadurch gekennzeichnet, daß das auf die zweite Ätzschutzmaske (24) und die freigelegten Abschnitte der strukturierten leitenden Schicht (20) aufgebrachte erste metallische Material ein leitendes reaktionsbeständiges Material zur Bildung der ersten metallischen Schicht (26) als eine Reaktionssperrschicht ist und daß das auf die erste metallische Schicht (26) beim Bilden der zweiten metallischen Schicht (28) aufgebrachte zweite metallische Material ein leitendes Material zur Bildung der zweiten metallischen Schicht (28) ist, woraus die strukturierte zusammengesetzte metallische Schicht (26, 28) in Gestalt der elektrischen Kontaktelemente gebildet wird, wobei die erste strukturierte metallische Schicht (26) als eine Reaktionssperrschicht zwischen der zweiten metallischen Schicht (28) und der darunterliegenden Struktur dient.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 oder 3, weiter dadurch gekennzeichnet, daß das beim Bilden der ersten metallischen Schicht (26) aufgebrachte erste metallische Material eine Titanwolframlegierung ist und daß das beim Bilden der zweiten metallischen Schicht (28) aufgebrachte zweite metallische Material Aluminium ist.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, weiter dadurch gekennzeichnet, daß das auf die erste Schutzschicht (14, 16) und die freigelegte Kontaktfläche der mindestens einen Zone (12) aufgebrachte leitende Material eine Titanwolframlegierung ist.
6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, weiter dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt des Bildens einer gegenüber dem Plasmaätzen widerstandsfähigen Schutzschicht (14, 16) aufweist:
Bilden einer Isolationsschicht (14) auf dem Halbleitersubstrat (10), die dessen obere Fläche bedeckt, und
danach erfolgendes Bilden einer über der Isolationsschicht (14) auf dem Halbleitersubstrat (10) liegenden Schutzschicht (16).
DE3856450T 1987-09-19 1988-08-24 Verfahren zur Herstellung von einer elektrisch programmierbaren integrierten Schaltung mit schmelzbaren Kontaktbrücken Expired - Lifetime DE3856450T2 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3856450T DE3856450T2 (de) 1987-09-19 1988-08-24 Verfahren zur Herstellung von einer elektrisch programmierbaren integrierten Schaltung mit schmelzbaren Kontaktbrücken

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19873731621 DE3731621A1 (de) 1987-09-19 1987-09-19 Verfahren zum herstellen einer elektrisch programmierbaren integrierten schaltung
DE3856450T DE3856450T2 (de) 1987-09-19 1988-08-24 Verfahren zur Herstellung von einer elektrisch programmierbaren integrierten Schaltung mit schmelzbaren Kontaktbrücken

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3856450D1 DE3856450D1 (de) 2001-02-15
DE3856450T2 true DE3856450T2 (de) 2001-06-07

Family

ID=6336432

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19873731621 Ceased DE3731621A1 (de) 1987-09-19 1987-09-19 Verfahren zum herstellen einer elektrisch programmierbaren integrierten schaltung
DE3856450T Expired - Lifetime DE3856450T2 (de) 1987-09-19 1988-08-24 Verfahren zur Herstellung von einer elektrisch programmierbaren integrierten Schaltung mit schmelzbaren Kontaktbrücken

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19873731621 Ceased DE3731621A1 (de) 1987-09-19 1987-09-19 Verfahren zum herstellen einer elektrisch programmierbaren integrierten schaltung

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4882293A (de)
EP (1) EP0307671B1 (de)
JP (1) JP2769332B2 (de)
DE (2) DE3731621A1 (de)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5015604A (en) * 1989-08-18 1991-05-14 North American Philips Corp., Signetics Division Fabrication method using oxidation to control size of fusible link
US5502315A (en) * 1989-09-07 1996-03-26 Quicklogic Corporation Electrically programmable interconnect structure having a PECVD amorphous silicon element
US5989943A (en) * 1989-09-07 1999-11-23 Quicklogic Corporation Method for fabrication of programmable interconnect structure
US5041191A (en) * 1989-11-13 1991-08-20 Rockwell International Corporation Diffusion barrier for thin film hybrid circuits
DE69102851T2 (de) * 1990-10-09 1995-02-16 Nippon Electric Co Verfahren zur Herstellung eines Ti/TiN/Al Kontaktes unter Benutzung eines reaktiven Zerstäubungsprozesses.
US5225372A (en) * 1990-12-24 1993-07-06 Motorola, Inc. Method of making a semiconductor device having an improved metallization structure
US5380678A (en) * 1991-03-12 1995-01-10 Yu; Chang Bilayer barrier metal method for obtaining 100% step-coverage in contact vias without junction degradation
US5290734A (en) * 1991-06-04 1994-03-01 Vlsi Technology, Inc. Method for making anti-fuse structures
EP0563852A1 (de) * 1992-04-02 1993-10-06 Siemens Aktiengesellschaft Zickzack-Schmelzvorrichtung für Anwendungen mit reduziertem Schmelzstrom
US5389814A (en) * 1993-02-26 1995-02-14 International Business Machines Corporation Electrically blowable fuse structure for organic insulators
US5357397A (en) * 1993-03-15 1994-10-18 Hewlett-Packard Company Electric field emitter device for electrostatic discharge protection of integrated circuits
US5374590A (en) * 1993-04-28 1994-12-20 International Business Machines Corporation Fabrication and laser deletion of microfuses
US5457059A (en) * 1994-04-28 1995-10-10 Texas Instruments Incorporated Method for forming TiW fuses in high performance BiCMOS process
KR100340906B1 (ko) * 1999-08-23 2002-06-20 박종섭 반도체 장치의 퓨즈 구조
WO2004066384A1 (de) * 2003-01-23 2004-08-05 Fraunhofer Ges Forschung Programmierbare schaltungsstruktur und verfahren zur herstellung derselben
DE10307933B3 (de) * 2003-02-25 2004-06-03 Ivoclar Vivadent Ag Kalibriervorrichtung

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4141022A (en) * 1977-09-12 1979-02-20 Signetics Corporation Refractory metal contacts for IGFETS
US4209894A (en) * 1978-04-27 1980-07-01 Texas Instruments Incorporated Fusible-link semiconductor memory
US4184933A (en) * 1978-11-29 1980-01-22 Harris Corporation Method of fabricating two level interconnects and fuse on an IC
US4233671A (en) * 1979-01-05 1980-11-11 Stanford University Read only memory and integrated circuit and method of programming by laser means
US4238839A (en) * 1979-04-19 1980-12-09 National Semiconductor Corporation Laser programmable read only memory
US4289574A (en) * 1979-04-30 1981-09-15 Fairchild Camera & Instrument Corp. Process for patterning metal connections on a semiconductor structure by using an aluminum oxide etch resistant layer
NL8002634A (nl) * 1980-05-08 1981-12-01 Philips Nv Programmeerbare halfgeleiderinrichting en werkwijze ter vervaardiging daarvan.
JPS5763854A (en) * 1980-10-07 1982-04-17 Toshiba Corp Semiconductor device
JPS5816340A (ja) * 1981-06-05 1983-01-31 Sony Corp ワ−ドプロセツサ
JPS5948543B2 (ja) * 1981-10-13 1984-11-27 株式会社東芝 半導体装置
JPS59501139A (ja) * 1981-11-12 1984-06-28 アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコ−ポレ−テッド 融合された珪化白金ヒュ−ズおよびショットキダイオ−ドならびにその製造方法
JPS5913368A (ja) * 1982-07-14 1984-01-24 Fujitsu Ltd 半導体装置
JPS5954240A (ja) * 1982-09-21 1984-03-29 Mitsubishi Electric Corp 集積回路
JPS59214239A (ja) * 1983-05-16 1984-12-04 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JPS60136334A (ja) * 1983-12-21 1985-07-19 アドバンスト・マイクロ・デバイシズ・インコーポレイテッド 集積回路用ヒユ−ズ素子及びその製造方法
JPS60176250A (ja) * 1984-02-23 1985-09-10 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US4569124A (en) * 1984-05-22 1986-02-11 Hughes Aircraft Company Method for forming thin conducting lines by ion implantation and preferential etching
JPH0719842B2 (ja) * 1985-05-23 1995-03-06 三菱電機株式会社 半導体装置の冗長回路
US4679310A (en) * 1985-10-31 1987-07-14 Advanced Micro Devices, Inc. Method of making improved metal silicide fuse for integrated circuit structure
US4740485A (en) * 1986-07-22 1988-04-26 Monolithic Memories, Inc. Method for forming a fuse

Also Published As

Publication number Publication date
EP0307671A2 (de) 1989-03-22
US4882293A (en) 1989-11-21
EP0307671B1 (de) 2001-01-10
JPH01157550A (ja) 1989-06-20
EP0307671A3 (de) 1990-10-10
DE3856450D1 (de) 2001-02-15
DE3731621A1 (de) 1989-03-30
JP2769332B2 (ja) 1998-06-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3856450T2 (de) Verfahren zur Herstellung von einer elektrisch programmierbaren integrierten Schaltung mit schmelzbaren Kontaktbrücken
DE2945533C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Verdrahtungssystems
DE68923305T2 (de) Elektrische Leitungen für elektronische Bauelemente.
DE2729030C2 (de) Verfahren zum Herstellen eines mehrschichtigen Leiterzugsmusters für monolithisch integrierte Halbleiterschaltungen
EP0002185B1 (de) Verfahren zum Herstellen einer Verbindung zwischen zwei sich kreuzenden, auf der Oberfläche eines Substrats verlaufenden Leiterzügen
DE3339957C2 (de)
DE3634167C2 (de)
EP1412978A2 (de) Elektronisches bauteil mit einem kunststoffgehäuse und verfahren zu seiner herstellung
DE4020195A1 (de) Halbleiterchip und verfahren zu seiner herstellung
DE19632720A1 (de) Mehrschicht-Kondensatoren unter Einsatz von amorphem, hydrierten Kohlenstoff sowie Verfahren zu deren Herstellung
DE2346565A1 (de) Verfahren zur herstellung von mehrlagen-metallisierungen bei integrierten halbleiteranordnungen
DE69315278T2 (de) Anschlussflächen-Struktur einer integrierten Schaltung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE2709933C2 (de) Verfahren zur Herstellung von leitenden Verbindungen zwischen übereinander angeordneten Metallisierungsschichten
DE19614584C2 (de) Verbesserter Luftbrückenverdrahtungsaufbau für integrierte monolithische Mikrowellenschaltung (MMIC)
DE19638666C1 (de) Schmelzsicherung mit einer Schutzschicht in einer integrierten Halbleiterschaltung sowie zugehöriges Herstellungsverfahren
DE3803511C2 (de)
DE3414781A1 (de) Vielschicht-verbindungsstruktur einer halbleitereinrichtung
DE3038773C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleiterschaltungsanordnung mit MOS-Transistoren und mit spannungsunabhängigen Kondensatoren
EP0373258B1 (de) Verfahren zur selbstjustierten Herstellung von Kontakten zwischen in übereinander angeordneten Verdrahtungsebenen einer integrierten Schaltung enthaltenen Leiterbahnen
DE3544539C2 (de) Halbleiteranordnung mit Metallisierungsmuster verschiedener Schichtdicke sowie Verfahren zu deren Herstellung
DE2132034A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Zwischenverbindungen fuer elektrische Baueinheiten auf Festkoerpern
EP0013728B1 (de) Verfahren zur Herstellung von elektrischen Verbindungen zwischen Leiterschichten in Halbleiterstrukturen
EP1118122B1 (de) Integrierte schaltungsanordnung und verfahren zu deren herstellung
DE2230171A1 (de) Verfahren zum herstellen von streifenleitern fuer halbleiterbauteile
DE68922474T2 (de) Verfahren zum Herstellen einer integrierten Schaltung einschliesslich Schritte zum Herstellen einer Verbindung zwischen zwei Schichten.

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition