JPH01157550A - 電気的にプログラム可能な集積回路の製法 - Google Patents
電気的にプログラム可能な集積回路の製法Info
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76886—Modifying permanently or temporarily the pattern or the conductivity of conductive members, e.g. formation of alloys, reduction of contact resistances
- H01L21/76892—Modifying permanently or temporarily the pattern or the conductivity of conductive members, e.g. formation of alloys, reduction of contact resistances modifying the pattern
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- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は電気的にプログラム可能で、所定の接続点間に
熔融可能なコンタクトブリッジを有する集積回路の製法
に関するものであり、まず初めに拡散法乃至イオン打ち
込み法を用いて、半導体基板内に所望の回路機能を実現
すべく、相異なる導電型の帯状域（複数）を有する半導
体構造物を形成するようにした前記集積回路の製法に関
するものである。
熔融可能なコンタクトブリッジを有する集積回路の製法
に関するものであり、まず初めに拡散法乃至イオン打ち
込み法を用いて、半導体基板内に所望の回路機能を実現
すべく、相異なる導電型の帯状域（複数）を有する半導
体構造物を形成するようにした前記集積回路の製法に関
するものである。
〈発明の背景〉
電気的にプログラム可能な公知の集積回路、例えばいわ
ゆる ＰＬＡ （プログラマブル論理アレイ）は、当該
回路製造後で当該回路使用前、コンタクトブリッジを保
有しており、このコンタクトブリッジは所定の回路接続
点間に配置せられており、これが所定の回路入力端子に
電気信号を印加することにより完全に融解するか熔融す
る。そのような回路での特殊なプログラムのサイクルで
は、コンタクトブリッジが所定の回路接続点間に閉じた
ままで残留可能である一方、該ブリッジが他の回路接続
点間を遮断することも可能で、それにより所望の回路機
能が確保されるものである。
ゆる ＰＬＡ （プログラマブル論理アレイ）は、当該
回路製造後で当該回路使用前、コンタクトブリッジを保
有しており、このコンタクトブリッジは所定の回路接続
点間に配置せられており、これが所定の回路入力端子に
電気信号を印加することにより完全に融解するか熔融す
る。そのような回路での特殊なプログラムのサイクルで
は、コンタクトブリッジが所定の回路接続点間に閉じた
ままで残留可能である一方、該ブリッジが他の回路接続
点間を遮断することも可能で、それにより所望の回路機
能が確保されるものである。
〈発明が解決しようとする問題点〉
そのようなプログラム可能な集積回路の製造にあたって
は、従来はコンタクトブリッジの形成のために、湿式エ
ツチング法が採用されており、この方法に関しては、特
定の幾何学的寸法の構造物をエツチング後に残存させて
、その残存物の囲りを真下に掘り進むことができないと
いう不利点が知られていた。
は、従来はコンタクトブリッジの形成のために、湿式エ
ツチング法が採用されており、この方法に関しては、特
定の幾何学的寸法の構造物をエツチング後に残存させて
、その残存物の囲りを真下に掘り進むことができないと
いう不利点が知られていた。
本発明は冒頭に概説したタイプの方法を提供するという
課題に基づくものであり、それによると、電気的にプロ
グラム可能な集積回路の製造にあたって、高い信頼性を
持つ各構造物の寸法をより小さくするのを可能にする。
課題に基づくものであり、それによると、電気的にプロ
グラム可能な集積回路の製造にあたって、高い信頼性を
持つ各構造物の寸法をより小さくするのを可能にする。
く問題点を解決するための手段〉
この課題は、本発明により下記の方法で解決される。す
なわち、半導体構造物の表面上に第一の保護層を形成し
、第一の保護層内に所定の接続点へのコンタクト窓を形
成し、第一の保護層の表面上とコンタクト窓内とに熔融
可能なコンタクトブリッジを形成する物質からなる連続
導電層を形成し、プラズマエツチング法を用いることに
より前記導電層をエツチング除去してそれにより付属接
続端を有するコンタクトブリッジとコンタクトブリッジ
からコンタクト窓内の接続点へ延びる導電部とだけを残
存させて放置し、残存導電領域上に第二の保護層を付着
させてそれを次いでプラズマエツチング法によりコンタ
クトブリッジ上に存在する領域以外の箇所をエツチング
除去し、コンタクト窓の領域内とコンタクトブリッジの
付属接続端上とに接続用のメタライゼーションを施す。
なわち、半導体構造物の表面上に第一の保護層を形成し
、第一の保護層内に所定の接続点へのコンタクト窓を形
成し、第一の保護層の表面上とコンタクト窓内とに熔融
可能なコンタクトブリッジを形成する物質からなる連続
導電層を形成し、プラズマエツチング法を用いることに
より前記導電層をエツチング除去してそれにより付属接
続端を有するコンタクトブリッジとコンタクトブリッジ
からコンタクト窓内の接続点へ延びる導電部とだけを残
存させて放置し、残存導電領域上に第二の保護層を付着
させてそれを次いでプラズマエツチング法によりコンタ
クトブリッジ上に存在する領域以外の箇所をエツチング
除去し、コンタクト窓の領域内とコンタクトブリッジの
付属接続端上とに接続用のメタライゼーションを施す。
く効 果〉
本発明による方法は、湿式エツチング工程をもはや全く
必要としないように計画されており、除去されるべき層
の除去はプラズマエツチングのみを用いて実施されるが
、プラズマエツチング法によれば、すこぶる小さな構造
物を製作することができる。プラズマエツチングを用い
ると、このエツチング法では、確認可能な程度のアンダ
ーエツチングが起こらないという利点もあり、湿式エツ
チング法使用時には、かかるアンダーエツチングが問題
をしばしばおこし、製作されるべき構造物の精密性の点
で悪影響をおよぼす。
必要としないように計画されており、除去されるべき層
の除去はプラズマエツチングのみを用いて実施されるが
、プラズマエツチング法によれば、すこぶる小さな構造
物を製作することができる。プラズマエツチングを用い
ると、このエツチング法では、確認可能な程度のアンダ
ーエツチングが起こらないという利点もあり、湿式エツ
チング法使用時には、かかるアンダーエツチングが問題
をしばしばおこし、製作されるべき構造物の精密性の点
で悪影響をおよぼす。
〈実施例〉
本発明を、添付した図面を参照して、実施例にてここに
説明をする。
説明をする。
図面は、半導体基板１０の小部分のみを示すものである
が、この半導体基板１０には、従来技術の方法による工
程、例えば拡散法やイオン打ち込み法を用いて、異なっ
た導電型の帯状域を有する半導体構造物が形成されてい
る。図面に例示しである半導体基板１０の小部分は、そ
のような帯状域１２−筒所を含んでいるものである。
が、この半導体基板１０には、従来技術の方法による工
程、例えば拡散法やイオン打ち込み法を用いて、異なっ
た導電型の帯状域を有する半導体構造物が形成されてい
る。図面に例示しである半導体基板１０の小部分は、そ
のような帯状域１２−筒所を含んでいるものである。
半導体基板１０内の半導体構造物形成後、その構造物の
表面を二酸化シリコン層１４で被覆するが、この二酸化
シリコン層はなかんづく半導体構造物のための保護層と
して役に立つ。更に保護層１６を前記層１４に付着させ
るが、これはガス相からの被着で行なう。その後、２つ
の層１４．１６を貫通してコンタクト用窓１８を開ける
が、この窓は、半導体基板１０に配設されている帯状域
１２へのアクセスを可能にするものである。コンタクト
用窓１８は従来技術のマスキング法とエツチング法によ
り作成されるものであるが、その方法は当該技術に熟練
せる者にとっては知られており、ここに詳述する必要は
ない。その後、チタニウム−タングステンから成る導電
層２０を前記保護層１６とコンタクト用窓１８内とに付
着させるが、完全に熔融されうるコンタクトブリッジが
最終的に形成される予定なのは、この層２０にである。
表面を二酸化シリコン層１４で被覆するが、この二酸化
シリコン層はなかんづく半導体構造物のための保護層と
して役に立つ。更に保護層１６を前記層１４に付着させ
るが、これはガス相からの被着で行なう。その後、２つ
の層１４．１６を貫通してコンタクト用窓１８を開ける
が、この窓は、半導体基板１０に配設されている帯状域
１２へのアクセスを可能にするものである。コンタクト
用窓１８は従来技術のマスキング法とエツチング法によ
り作成されるものであるが、その方法は当該技術に熟練
せる者にとっては知られており、ここに詳述する必要は
ない。その後、チタニウム−タングステンから成る導電
層２０を前記保護層１６とコンタクト用窓１８内とに付
着させるが、完全に熔融されうるコンタクトブリッジが
最終的に形成される予定なのは、この層２０にである。
第１図に示したのは、前記導電層２０付着後の状態での
集積回路である。
集積回路である。
ここで導電層２０をエッチ用保護マスクで被覆し、照射
・除去することで、このエッチ用保護マスクを所望のパ
タンに形成し、これにより導電層２０中の熔融可能なコ
ンタクトブリッジを形成する領域２２上と、付属接続端
２１と、コンタクト窓１８上に亘って延在する領域内と
にのみエッチ用保護層が残留するようにする。
・除去することで、このエッチ用保護マスクを所望のパ
タンに形成し、これにより導電層２０中の熔融可能なコ
ンタクトブリッジを形成する領域２２上と、付属接続端
２１と、コンタクト窓１８上に亘って延在する領域内と
にのみエッチ用保護層が残留するようにする。
導電層２０の露出した領域（第２図で両端部）に関して
は、ここで、プラズマエツチング法により、処置される
べき素子にイオン打ち込みを施し、結果的に第２図に見
られるような導電層２０のその部分（第２図で中央部分
）だけを残存させて、これを完全に除去する。このプラ
ズマエツチング法では、前記保護層１６が、その下の前
記二酸化シリコン層１４が侵食されるのを防ぐ。
は、ここで、プラズマエツチング法により、処置される
べき素子にイオン打ち込みを施し、結果的に第２図に見
られるような導電層２０のその部分（第２図で中央部分
）だけを残存させて、これを完全に除去する。このプラ
ズマエツチング法では、前記保護層１６が、その下の前
記二酸化シリコン層１４が侵食されるのを防ぐ。
プラズマエツチング法実施後、更に別の保護層２４を、
第２図に示す構造物の表面に付着する。次いで当該保護
層２４の一部分をもう一度プラズマエッチング法を用い
て除去して、当該保護層２４の他の一部分を導電層２０
の領域２２上、すなわち、実際にコンタクトブリッジを
形成する領域２２上にのみ残存させる。製法のこの段階
を第３図に示す。
第２図に示す構造物の表面に付着する。次いで当該保護
層２４の一部分をもう一度プラズマエッチング法を用い
て除去して、当該保護層２４の他の一部分を導電層２０
の領域２２上、すなわち、実際にコンタクトブリッジを
形成する領域２２上にのみ残存させる。製法のこの段階
を第３図に示す。
導電Ｒ２０中の熔融コンタクトブリッジを形成する領域
２２には、コンタクトブリッジの熔融に必要として流入
する電流が当該ブリッジに対して供給可能であるように
すべく、コンタクト端子が備えられていなければならな
い。接続用のコンタクトは、導電層２０の領域２１上と
コンタクト窓１８の領域内にコンタクトメタライゼーシ
ョンの形態で作られる。
２２には、コンタクトブリッジの熔融に必要として流入
する電流が当該ブリッジに対して供給可能であるように
すべく、コンタクト端子が備えられていなければならな
い。接続用のコンタクトは、導電層２０の領域２１上と
コンタクト窓１８の領域内にコンタクトメタライゼーシ
ョンの形態で作られる。
接続用のメタライゼーションは、コンタクト窓１８を介
して、半導体基板内に配設された前記帯状域１２への電
気接続をも確保する。
して、半導体基板内に配設された前記帯状域１２への電
気接続をも確保する。
コンタクト用のメタライゼーションは、金属の二層から
成るのが好ましい。すなわち、第一の金属層２６はチタ
ニウム−タングステンであり、第２の金属層２８は、ア
ルミニウムで第一の金属層２６」二に配設されている。
成るのが好ましい。すなわち、第一の金属層２６はチタ
ニウム−タングステンであり、第２の金属層２８は、ア
ルミニウムで第一の金属層２６」二に配設されている。
コンタクト用メタライゼーションを付着するには、第３
図の構造物を、まず第一に前記金属層２６で被覆し、次
に前記金属層２８で被覆する。更にプラズマエツチング
の工程を用いて、それでコンタクト用メタライゼーショ
ンを第４図に例示した形に製作する。この意味するとこ
ろは、２つの金属層２６．２８について、不必要な箇所
のすべてを反応イオンエツチングで除去し、その結果、
コンタクト用メタライゼーションは、領域２１上とコン
タクト窓１８上とにのみ残存するということである。こ
のプラズマエツチング工程では、保護ｆｉ２４が、その
下のコンタクトブリッジ領域２２を、前記金属層２６．
２日除去用のイオンに対して保護する。
図の構造物を、まず第一に前記金属層２６で被覆し、次
に前記金属層２８で被覆する。更にプラズマエツチング
の工程を用いて、それでコンタクト用メタライゼーショ
ンを第４図に例示した形に製作する。この意味するとこ
ろは、２つの金属層２６．２８について、不必要な箇所
のすべてを反応イオンエツチングで除去し、その結果、
コンタクト用メタライゼーションは、領域２１上とコン
タクト窓１８上とにのみ残存するということである。こ
のプラズマエツチング工程では、保護ｆｉ２４が、その
下のコンタクトブリッジ領域２２を、前記金属層２６．
２日除去用のイオンに対して保護する。
前記チタニウム−タングステン金属層２６の目的は、ア
ルミニウム材料の前記層２８とその下にある構造物との
間の反応を防ぐことである。
ルミニウム材料の前記層２８とその下にある構造物との
間の反応を防ぐことである。
コンタクト用メタライゼーションの形成に採用されたプ
ラズマエツチング工程は、結果として、前記層２８と前
記層２６を除去して、第４図で明らかなように、これら
二層の残存部分が相互に正確に位置整合するようになる
。この位置整合はあたかも自動的であるかのような結果
となり、そのことは、コンタクトブリッジの幾何学的寸
法の正確な画定に帰結する。プラズマエツチングで更に
マスクを使用すると、湿式エツチングの使用で可能な寸
法よりも十分に小さな寸法を達成することが可能となる
。
ラズマエツチング工程は、結果として、前記層２８と前
記層２６を除去して、第４図で明らかなように、これら
二層の残存部分が相互に正確に位置整合するようになる
。この位置整合はあたかも自動的であるかのような結果
となり、そのことは、コンタクトブリッジの幾何学的寸
法の正確な画定に帰結する。プラズマエツチングで更に
マスクを使用すると、湿式エツチングの使用で可能な寸
法よりも十分に小さな寸法を達成することが可能となる
。
従って、記述の方法で、熔融可能なコンタクトブリッジ
を有するところの電気的にプログラム可能な集積回路を
、有利なプラズマエツチング法を用いて製作可能である
。
を有するところの電気的にプログラム可能な集積回路を
、有利なプラズマエツチング法を用いて製作可能である
。
所定の接続二点間に熔融可能なコンタクトブリッジ２２
を有するような、電気的にプログラム可能な集積回路を
製作する方法が記載しである。末法においては、まず第
一に、半導体基板１０内に、所望の回路機能を達成す°
るよう、拡散法もしくはイオン打ち込み法を使って、異
種導電型の帯状域１２を有する半導体構造物を形成する
。その半導体構造物の表面上に、第一の保護層１４を形
成し、そこに、所定の接続点へのコンタクト用窓１８を
次いで形成する。第一の保護層１４の表面上とコンタク
ト用窓１８内の導電層２０は、熔融可能なコンタクトブ
リッジ２２を形成する物質から成るものである。
を有するような、電気的にプログラム可能な集積回路を
製作する方法が記載しである。末法においては、まず第
一に、半導体基板１０内に、所望の回路機能を達成す°
るよう、拡散法もしくはイオン打ち込み法を使って、異
種導電型の帯状域１２を有する半導体構造物を形成する
。その半導体構造物の表面上に、第一の保護層１４を形
成し、そこに、所定の接続点へのコンタクト用窓１８を
次いで形成する。第一の保護層１４の表面上とコンタク
ト用窓１８内の導電層２０は、熔融可能なコンタクトブ
リッジ２２を形成する物質から成るものである。
プラズマエツチング法を用いて導電層２０をエツチング
で部分的に除去し、その結果、付属接続端２１を有する
コンタクトブリッジ２２と、コンタクトブリッジ２２か
らコンタクト用窓１８内の接続点へ延びる導電域の部分
だけを残存させる。残存導電領域上に第二の保護層２４
を形成し、それを次いで、プラズマエツチング法を用い
て、コンタクトブリッジ２２上に位置する領域以外の部
分をエツチング除去する。コンタクト窓１８の領域内と
コンタクトブリッジ２２の接続端２１上とに、接続用メ
タライゼーション２Ｂ、２８を次いで付着させる。
で部分的に除去し、その結果、付属接続端２１を有する
コンタクトブリッジ２２と、コンタクトブリッジ２２か
らコンタクト用窓１８内の接続点へ延びる導電域の部分
だけを残存させる。残存導電領域上に第二の保護層２４
を形成し、それを次いで、プラズマエツチング法を用い
て、コンタクトブリッジ２２上に位置する領域以外の部
分をエツチング除去する。コンタクト窓１８の領域内と
コンタクトブリッジ２２の接続端２１上とに、接続用メ
タライゼーション２Ｂ、２８を次いで付着させる。
以上の開示に関連して、下記の項を付記する。
１）まず第一に半導体基板内に所望の回路機能を得るた
めに拡散法もしくはイオン打ち込み法により相異なる導
電型の帯域を有する半導体構造物を形成する、選択され
た接続点間の熔融可能なコンタクトブリッジを有する電
気的にプログラム可能な集積回路の製法にして、 半導体構造物上に第一の保護層を形成し、第一の保護層
内に選択された接続点へのコンタクト窓を形成し、 第一の保護層上とコンタクト窓内とに熔融可能なコンタ
クトブリッジを形成する物質から成る連続導電層を形成
し、 プラズマエツチング法を用いて前記導電層をエツチング
除去してその結果、付属接続端を有するコンタクトブリ
ッジと前記コンタクトブリッジから前記コンタクト窓内
の接続点へと導びく導電領域とのみを残存させて置き、 残存導電領域上に第二の保護層を付着させてそれを次い
でプラズマエツチング法により前記コンタクトブリッジ
上に存在する領域を除いてエツチング除去し、 前記コンタクト窓の領域内と前記コンタクトブリッジの
接続端上とに接続用メタライゼーションを付着させるこ
とを特徴とする集積回路の製法。
めに拡散法もしくはイオン打ち込み法により相異なる導
電型の帯域を有する半導体構造物を形成する、選択され
た接続点間の熔融可能なコンタクトブリッジを有する電
気的にプログラム可能な集積回路の製法にして、 半導体構造物上に第一の保護層を形成し、第一の保護層
内に選択された接続点へのコンタクト窓を形成し、 第一の保護層上とコンタクト窓内とに熔融可能なコンタ
クトブリッジを形成する物質から成る連続導電層を形成
し、 プラズマエツチング法を用いて前記導電層をエツチング
除去してその結果、付属接続端を有するコンタクトブリ
ッジと前記コンタクトブリッジから前記コンタクト窓内
の接続点へと導びく導電領域とのみを残存させて置き、 残存導電領域上に第二の保護層を付着させてそれを次い
でプラズマエツチング法により前記コンタクトブリッジ
上に存在する領域を除いてエツチング除去し、 前記コンタクト窓の領域内と前記コンタクトブリッジの
接続端上とに接続用メタライゼーションを付着させるこ
とを特徴とする集積回路の製法。
２）接続用メタライゼーションとその下の構造部との間
には、 反応阻止層が付着されている、ことを特徴とする、付記
第１項による方法。
には、 反応阻止層が付着されている、ことを特徴とする、付記
第１項による方法。
第１図は本製法の一連工程にあって、熔融可能なコンタ
クトブリッジの形成に用いられる導電層付着後の、電気
的にプログラム可能な集積回路の部分の模式的な断面図
である。 第２図は、熔融可能なコンタクトブリッジを画定するた
めのプラズマエツチング工程後の、第１図に相応する断
面図である。 第３図は、第１図ないし第２図に相応する更にその後の
断面図であって、熔融可能なコンタクトブリッジへの保
護層の付着工程後のものである。 第４図は、集積回路の部分の断面図の更にその後のもの
であり、その後のプラズマエツチング工程に後続する熔
融可能なコンタクトブリッジへのコンタクト接続の形成
後のものである。 図中、参照番号は次のとおりである。 １０、、、、半導体基板 １４、、、、二酸化シリコン保護層 １Ｂ、、、、コンタクト窓 ２０、、、、コンタクトブリッジの材料から成る導電層
２１、、、、コンタクトブリッジへの付属接続端２２、
、、、コンタクトブリッジ ２４、、、、保護層 ２Ｅｉ、、、、コンタクトメタライゼーション２８、、
、、コンタクトメタライゼーション出願人 テキサス
インスツルメンツドイチェランド ゲゼルシャフト ミツト ベシュレンクテル ハフラ ンク ０）ｃｎ ｃ ロー Ｌ ＬＬ刀
クトブリッジの形成に用いられる導電層付着後の、電気
的にプログラム可能な集積回路の部分の模式的な断面図
である。 第２図は、熔融可能なコンタクトブリッジを画定するた
めのプラズマエツチング工程後の、第１図に相応する断
面図である。 第３図は、第１図ないし第２図に相応する更にその後の
断面図であって、熔融可能なコンタクトブリッジへの保
護層の付着工程後のものである。 第４図は、集積回路の部分の断面図の更にその後のもの
であり、その後のプラズマエツチング工程に後続する熔
融可能なコンタクトブリッジへのコンタクト接続の形成
後のものである。 図中、参照番号は次のとおりである。 １０、、、、半導体基板 １４、、、、二酸化シリコン保護層 １Ｂ、、、、コンタクト窓 ２０、、、、コンタクトブリッジの材料から成る導電層
２１、、、、コンタクトブリッジへの付属接続端２２、
、、、コンタクトブリッジ ２４、、、、保護層 ２Ｅｉ、、、、コンタクトメタライゼーション２８、、
、、コンタクトメタライゼーション出願人 テキサス
インスツルメンツドイチェランド ゲゼルシャフト ミツト ベシュレンクテル ハフラ ンク ０）ｃｎ ｃ ロー Ｌ ＬＬ刀
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 所定の接続点間に在る熔融可能なコンタクトブリッジ
から成り、まず第一に半導体基板１０内に、所望の回路
機能を達成するために拡散法もしくはイオン打ち込み法
により、相異なる導電型の帯状域１２を有する半導体構
造物を形成するようにした、電気的にプログラム可能な
集積回路の製法において、 半導体構造物の表面上に第一の保護層１４を形成し、 第一の保護層１４内に所定の接続点へのコンタクト窓１
８を形成し、 第一の保護層１４上と前記コンタクト窓１８内とに、熔
融可能なコンタクトブリッジを形成する物質から成る連
続導電層２０を形成し、 プラズマエッチング法を用いて前記導電層２０をエッチ
ング除去してそれにより付属接続端２１を有するコンタ
クトブリッジ２２とコンタクトブリッジ２２からコンタ
クト窓１８内の接続点へ延びる導電領域とのみを残存さ
せて放置し、 残存導電領域２０上に第二の保護層２４を付着させて次
いでこれをプラズマエッチング法によりコンタクトブリ
ッジ２２上に位置する領域以外の箇所をエッチング除去
し、 コンタクト窓１８内とコンタクトブリッジ２２の付属接
続端２１上に接続用のメタライゼーションを付着させる
ことを特徴とする電気的にプログラム可能な集積回路の
製法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19873731621 DE3731621A1 (de) | 1987-09-19 | 1987-09-19 | Verfahren zum herstellen einer elektrisch programmierbaren integrierten schaltung |
| DE3731621.4 | 1987-09-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01157550A true JPH01157550A (ja) | 1989-06-20 |
| JP2769332B2 JP2769332B2 (ja) | 1998-06-25 |
Family
ID=6336432
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63234679A Expired - Fee Related JP2769332B2 (ja) | 1987-09-19 | 1988-09-19 | 電気的にプログラム可能な集積回路の製法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4882293A (ja) |
| EP (1) | EP0307671B1 (ja) |
| JP (1) | JP2769332B2 (ja) |
| DE (2) | DE3731621A1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5015604A (en) * | 1989-08-18 | 1991-05-14 | North American Philips Corp., Signetics Division | Fabrication method using oxidation to control size of fusible link |
| US5502315A (en) * | 1989-09-07 | 1996-03-26 | Quicklogic Corporation | Electrically programmable interconnect structure having a PECVD amorphous silicon element |
| US5989943A (en) * | 1989-09-07 | 1999-11-23 | Quicklogic Corporation | Method for fabrication of programmable interconnect structure |
| US5041191A (en) * | 1989-11-13 | 1991-08-20 | Rockwell International Corporation | Diffusion barrier for thin film hybrid circuits |
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-
1987
- 1987-09-19 DE DE19873731621 patent/DE3731621A1/de not_active Ceased
-
1988
- 1988-08-24 EP EP88113783A patent/EP0307671B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-08-24 DE DE3856450T patent/DE3856450T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1988-09-19 JP JP63234679A patent/JP2769332B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-02-15 US US07/312,358 patent/US4882293A/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0307671B1 (en) | 2001-01-10 |
| US4882293A (en) | 1989-11-21 |
| DE3731621A1 (de) | 1989-03-30 |
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| EP0307671A3 (en) | 1990-10-10 |
| JP2769332B2 (ja) | 1998-06-25 |
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