JPS60176250A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPS60176250A JP59032830A JP3283084A JPS60176250A JP S60176250 A JPS60176250 A JP S60176250A JP 59032830 A JP59032830 A JP 59032830A JP 3283084 A JP3283084 A JP 3283084A JP S60176250 A JPS60176250 A JP S60176250A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
近年、所謂ＶＬＳＩ　（Ｖｅｒｙ　Ｌａｒｇｅ　５ｃａ
ｌｅ　Ｉｎｔｅｇ−ｒａｔｉｏｎ）と称せられる半導体
装置では、メモリの大容量化に伴って素子の寸法も極め
て微細なものになっている。このため、半導体装置を構
成する１チツグ内に不良素子が発生する確立が増大して
いる。この問題を解消するために、予備のビットやダー
トを予めチップ内に形成しておき、不良素子が発生した
際にこれらのビットやケ゛−トを使用することにより、
不良素子を正常な素子に回復する所謂冗長回路からなる
半導体装置の製造が行われている。而して、予備のビッ
トやダートを不良なものと置換する手段として、プログ
ラム可能なフユーズ素子を使用し、このフユーズ素子か
らなるデコーダに不良ビット或は不良ダートを切り離し
て、予備の正常なビットやダートを選択するグロダラム
をすることが行われている。第１図は、このようなプロ
グラム可能なフユーズ素子を備えた冗長回路を構成した
段階の従来の半導体装置を示している。
図中１は、半導体基板である。半導体基板１上には、フ
ィールド酸化膜２を介して多結晶シリコンからなる所定
パターンのフユーズ素子３が形成されている。フユーズ
素子３は、薄肉の層間絶縁膜４で覆われている。層間絶
縁膜４には、フユーズ素子３に通じるコンタクトホール
５が開口されている。このコンタクトホール５を介して
フユーズ素子３に接続するようにして導体配線層６が層
間絶縁膜４上に形成されている。
導体配線層６及び層間絶縁膜４は、約１００００Ｘノ厚
肉の・ぐッシペーション膜７で扱われている。
而して、正常なビットやダートの選択は、フユーズ素子
３を溶断することによシ行われる。フーーズ素子３の溶
断手段、としては、電流によるものとレーザによるもの
とがあるが、設計上の多様性、フユーズ素子３の信頼性
、冗長回路が占める面積等の観点からレーザによるもの
が採用されている。すなわち、第１図に示すような冗長
回路が構成されたウェノ・をテスタで測定し、不良のビ
ットやダートの場所をまず検知する。
次いで、予備のビットやダートを選択できるようなデコ
ーダを、フユーズ素子３にレーザを照射してこれを溶断
することによシ作シ上げる。
換言すれば、フユーズ素子３を溶断する際のレーザの照
射エネルギーは、フユーズ素子３上の層間絶縁膜４及び
パッシベーション膜７の拐質や厚さによって変動する。
つ−４ｐ、ノ＋ッシペーション膜７の膜厚のばらつき等
は当然存在するので、フーーズ素子３の溶断成功率が一
定でなくなり、就中、膜厚の大きいパッシベーション膜
７のだめに溶断成功率が悪くなる。このような場合にも
フユーズ素子３の溶断を確実に行うため、レーザのエネ
ルギーを高めると被溶１祈領域の近傍のノクッシペーシ
ョンｊ換７や層間絶縁ｊｉｒ＝ｘ４等が大きく破壊され
る。その結果、信頼性の高い半導体装置を得るととがで
きない間）パＡがあった。
〔発明の目的〕
本発明は、溶断成功率を高め、しかも信頼性の向上を達
成した半導体装置を容易に得ることができる半導体装置
の製造方法を提供することをその目的とするものである
。
〔発明の概要〕
本発明は、７ユーズ素子の被溶断領域に対応する層間絶
縁膜の部分を露出する窓を形成しだパッシベーションｊ
漠を設ける工程と、フユーズ素子の溶断後に保菌用の樹
脂層を形成する工程とを設けて、溶断成功率を高め、し
かも信頼性の向上を達成した半導体装置を容易に得るこ
とができる半導体装置の製造方法である。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
第２図（４）及至同図の）は、本発明方法をＴ程順に示
す説明図である。先ず、第２図（４）に示す如く、半導
体基板１０上に熱酸化法によシフイールド酸化膜１１を
形成する。次いで、フィールド酸化膜１１上に例えば多
結晶シリコン層を形成し、これを周知の写真蝕刻法によ
シバターニングして所定ノｆターンのフユーズ素子１２
を形成する。次いで、フユーズ素子１２を含むフィール
ド酸化膜１１上に厚さ約３０００Ｘの層間絶縁膜１３を
例えばＣ，Ｖ、Ｄ、（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　ＶａｐｏｒＤ
ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法にて形成する。このＪａ間絶＃
＋膜１３の所定領域にフユーズ素子１２に通じるコンタ
クトホール１４ａ、１４ｂを２個開口する。
次に、同図（Ｂ）に示す如く、コンタクトホール１４ｇ
、１４ｂを介してフーーズ素子に接続する導体部材をノ
１Δ間絶Ｒ膜１３上に堆積し、これにパターニングを施
して所定・やターンの導体配線層１６ａ、Ｌ５ｂを得る
。
次に、同図（Ｃ）に示す如く、露出した層間絶縁膜１３
及び導体配線層１５ａ、１５ｂを覆う厚す約１Ｏ０００
Ｘのｉ９ッシペーション膜１６を形成する。ノやツシペ
ーションＰｙｌ　Ｊ　ｅ　ハ例エバＰＳＧ（リンケイ酸
化ガラス膜）で形成されている。
次いで、ノ臂ッシペーション膜１６の７ユーズネ子１２
の被溶断領域に対応する部分に、層間絶縁膜１３にまで
達する窓１７を開口し、冗長回路を溝成する。
次に、同図（ロ）Ｐこ示す如く、窓１７を介して例えば
ＹＡＧレーザによるし〜ザ光を層間絶縁膜１３に照射し
、その直下のフユーズ素子１２の被溶断領域を溶断する
。この時レーザ光のビームの直径を数μｍに設定する。
然る後、フユーズ素子１２の溶断によって八ｇ出しだフ
ィールド酸化膜の領域及び層間絶縁膜１３、パッシベー
ション膜１６を覆う保護用の樹脂層１８を形成゛して半
導体装置りを得る。ここで、樹脂層１８は、例えばα線
の遮へい作用を有するポリイミド樹脂を使用する。
このようにして半導体装置υを得るものでは、フユーズ
素子１２の被溶断領域の上方には、薄肉の層間絶縁膜１
３だけが存在するように窓１７を開口しているので、極
めて高い溶断成功率でフユーズ素子１２の溶断ンするこ
とができる。しかも、窓１７の開口は、？ンディングｉ
９ッド部の開口工程を利用して行うことができるので、
裏金工程を簡略化したものとすることができる。また、
フユーズ素子１２の溶断後には、保護用の４１１７脂層
１８を形成するので、所６）ヲソフトエラーが発生する
のを防止して、信頼性の高い半導体装置を得ることがで
きる。
〔発明の効果〕
以上説明した如く、本発明に係る半導体装置の製造方法
によれば、溶断成功吊を高め、しかも信頼性の向上を達
成した半導体装１ｊＬを容易に得ることができるもので
ある。
【図面の簡単な説明】
第１図は、従来の冗長回路用半導体装置の断面図、纂２
図（Ａ）及至同図の）は、本発明方法を工；（ｌ　Ｉ＠
に示す説明図である。 １０・・・半導体基板、１１・・・フィールド酸化膜、
１２・・・フユーズ素子、１３・・・層間絶縁膜、１４
ａ。 １４ｂ・・・コンタクトホール、１５ａ、１５ｂ・・・
４体装置Ｊｍ、Ｚ　ｅ・・・パッシベーション膜、１７
・・・窓、１８・・・樹脂層、２０・・・半導体装置。 出願人代理人　弁理士　鈴　江　武　彦第１図

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）半導体基板上に絶縁層を介して７ユーズ素子を形
    成する工程と、該フユーズ素子を覆う層間絶縁膜を形成
    する工程と、該層間絶縁膜に前記フユーズ素子に通じる
    コンタクトホールを開口する工程と、該コンタクトホー
    ルを介して前記フユーズ素子に接続する導体配線層を前
    記層間絶縁膜上に形成する工程と、該導体配線層を覆う
    ノぞッシペーション膜を前記層間絶縁膜上に形成する工
    程と、該・ぐッシペーション膜に前記フユーズ素子の被
    溶断領域に対応して前記層間絶縁膜を露出する窓を開口
    する工程と、該窓を介して前記層間絶縁膜及びその直下
    の前記被溶断領域を溶断した後、露出した前記絶縁膜及
    び前記ノｅッシベーション膜を覆う樹脂層を形成するこ
    とを特徴とする半導体装置の製造方法。
  2. （２）　フユーズ素子の溶断手段がレーザ照射である特
    許請求の範囲第１項記載の半導体装置の製造方法。
  3. （３）樹脂層は、α線遮へい作用を有するものでおる特
    許請求の範囲第１項または第２項記載の半導体装置の製
    造方法。
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