JPH0969571A

JPH0969571A - 半導体装置及びその製造方法

Info

Publication number: JPH0969571A
Application number: JP7224327A
Authority: JP
Inventors: Tomoyuki Furuhata; 智之古畑
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 1995-08-31
Filing date: 1995-08-31
Publication date: 1997-03-11
Anticipated expiration: 2015-08-31
Also published as: JP3572738B2

Abstract

(57)【要約】【目的】耐湿性に優れたヒューズ素子を具備する半導体
装置を提供する。【構成】半導体基板１上に、フィ−ルド酸化膜２と、二
酸化シリコン膜４に形成されたコンタクトホール５を介
して多結晶シリコン配線層３に接続された多結晶シリコ
ンからなるヒューズ素子６を具備する。ヒューズ素子６
上の層間絶縁膜をなすＢＰＳＧ膜８の被溶断領域の外周
部には開孔部１２がガードリング状に設けられている。
この絶縁膜の開孔部端の表面および側面が、チップ内の
配線をなすアルミ配線層９と同一の層で形成されたアル
ミ配線層１３と、前記アルミ配線層１３の直上に配設さ
れたパッシベ−ション膜１０で覆われ、さらにパッシベ
ーション膜１０には開孔部１１が設けられている。【効果】耐湿性がある構造となっているため、高信頼性
と高溶断成功確率を有し、素子占有面積が小さい高集積
化に適したヒューズ素子を提供できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はヒューズ素子を備えた半
導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体記憶装置においては、記憶
容量の拡大に伴い、冗長（Ｒｅｄｕｎｄａｎｃｙ）回路
を備えることにより数ビットの不良を救済し、歩留まり
の向上を図ることが一般に行われている。この冗長回路
への切り換え方法は多種報告されているが、特開昭６０
−１７６２５０に開示されているように、レーザ照射法
により冗長回路の一部であるヒューズを溶断する方法が
多く採用されている。

【０００３】また、この種の半導体装置においては、高
集積、高性能化に伴い、表面段差の低減のために、半導
体基板上の層間絶縁膜として、高濃度リンガラス（ＰＳ
Ｇ）膜やボロン・リンガラス（ＢＰＳＧ）膜が採用さ
れ、グラスフロー（リフロー）をすることにより表面段
差の平坦化が行われている。

【０００４】図３は、このような冗長回路を備えた従来
の半導体装置の断面図を示す。

【０００５】図において、半導体基板１上には、フィ−
ルド酸化膜２と二酸化シリコン膜４を介して多結晶シリ
コンからなる所定パターンのヒューズ素子６が形成され
ている。ヒューズ素子６は、層間絶縁膜をなす二酸化シ
リコン膜４に形成された開孔部５を介して多結晶シリコ
ン配線層３に接続され、内部回路につながっている。ま
た、ヒューズ素子６上には、層間絶縁膜をなす二酸化シ
リコン膜７とＢＰＳＧ膜８を介しアルミ配線９とパッシ
ベーション膜１０が形成されている。さらに、ヒューズ
素子６の被溶断領域に対応してパッシベーション膜１０
には開孔部１１が設けられている。なお、図中、３０
は、前記開孔部１１とアルミ配線９との距離を示す。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この種
の半導体装置においては、ヒューズ素子６の被溶断領域
に対応しパッシベーション膜１０に設けられた開孔部１
１において、前記ＢＰＳＧ膜８を含む層間絶縁膜が露出
する。既知のように高濃度ＰＳＧ膜もしくはＢＰＳＧ膜
には吸湿性があり、水分を吸うとリン酸が生成され、こ
れが近傍のアルミ配線９を侵食し、断線の問題が発生し
ていた。また、ヒューズ素子の溶断後に保護用の樹脂層
を形成した場合においても、樹脂層は充分な耐湿性がな
いため、前記の信頼性上の問題があった。そこで、従来
の半導体装置においては、前記開孔部１１と近傍のアル
ミ配線９との距離３０を２０μｍ以上と充分にとり、こ
の問題を回避していた。しかし、この場合、素子占有面
積が大きくなり、半導体装置の高集積化の障害となって
いた。また、被溶断領域において、ヒューズ素子６上の
二酸化シリコン膜７とＢＰＳＧ膜８からなる層間絶縁膜
の膜厚は約５０００〜１００００Å程度と厚く、膜厚ば
らつきが大きいため、ヒューズ溶断条件がばらつき、冗
長歩留まりの低下を招いていた。

【０００７】そこで、本発明はこのような問題点を解決
するものであり、その目的とするところは、高信頼性と
高溶断成功確率を有し、素子占有面積が小さい高集積化
に適したヒューズ素子を具備する半導体装置を提供する
ところにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
エネルギービーム照射法により溶断可能なヒューズ素子
を具備する半導体装置において、前記ヒューズ素子の被
溶断領域に対応した領域において、前記ヒューズ素子を
覆う層間絶縁膜の一部には開孔部が設けられ、また前記
層間絶縁膜には、前記被溶断領域を囲むように周上の開
孔部が設けられ、前記開孔部端の少なくとも表面および
側面が金属層および前記金属層上のパッシベ−ション膜
で覆われていることを特徴とする。

【０００９】また、本発明の半導体装置は、半導体基板
の一主面上に複数の層間絶縁膜と少なくとも２層以上の
金属配線層とを備え、エネルギービーム照射法により溶
断可能なヒューズ素子を具備する半導体装置において、
前記ヒューズ素子の被溶断領域に対応した領域におい
て、前記ヒューズ素子を覆う前記第１層間絶縁膜の一部
には開孔部が設けられ、また前記第１層間絶縁膜には、
前記被溶断領域を囲むように周上の開孔部が設けられ、
前記開孔部端の少なくとも表面および側面が前記第１金
属層および前記第１金属層直上の第２層間絶縁膜で覆わ
れ、さらに、前記第１金属層直上の前記第２層間絶縁膜
には、前記被溶断領域を囲むように周上の開孔部が設け
られ、前記開孔部の少なくとも表面および側面が前記第
２金属層および前記第２金属層直上の第３層間絶縁膜で
覆われる構造が順次繰り返され、最上層の金属層がパッ
シベ−ション膜で覆われていることを特徴とする。

【００１０】また、この場合、前記ヒューズ素子を覆う
層間絶縁膜の開孔部のの直下には、前記ヒューズ素子よ
り上層に位置する、少なくとも１層以上の配線層が配設
されていることが好ましい。

【００１１】また、この場合、前記層間絶縁膜膜の開孔
部の開孔幅サイズが、チップ内に同時に形成された内部
回路素子の開孔部の開孔サイズと同一であることが好ま
しい。

【００１２】また、この場合、前記層間絶縁膜膜の開孔
部内に金属層が埋め込まれていることであることが好ま
しい。

【００１３】また、この場合、前記金属層が、一定電位
を有するチップ内の金属配線層に接続されてなることが
好ましい。

【００１４】また、この場合、前記ヒューズ素子の被溶
断領域に対応した領域において、前記ヒューズ素子を覆
う層間絶縁膜の膜厚が、５００〜３０００Åであること
が好ましい。

【００１５】また、この場合、前記パッシベ−ション膜
が、シリコン窒化膜、オキシナイトライド膜もしくは、
少なくともシリコン窒化膜を含む積層膜から選ばれてな
ることが好ましい。

【００１６】また、この場合、前記層間絶縁膜膜が、少
なくとも高濃度リンガラス膜もしくは、ボロン・リンガ
ラス膜を含むことが好ましい。

【００１７】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて具体的
に説明する。

【００１８】図１は、本発明の一実施例を示す半導体装
置の平面図、図２は同じく断面図を示す。なお、図中、
１〜１１、３０は上記図３の従来の半導体装置と全く同
一のものである。

【００１９】図１および図２において、この半導体装置
は、半導体基板１の一主面上に、フィ−ルド酸化膜２と
二酸化シリコン膜４を介して多結晶シリコンからなる所
定パターンのヒューズ素子６が形成されている。このヒ
ューズ素子６は、層間絶縁膜をなす二酸化シリコン膜４
に形成された開孔部５を介して多結晶シリコン配線層３
に接続され二酸化シリコン膜７とＢＰＳＧ膜８、内部回
路につながっている。また、ヒューズ素子６上には、二
酸化シリコン膜７とＢＰＳＧ膜８からなる層間絶縁膜を
介しアルミ配線９とパッシベーッション膜１０が形成さ
れている。さらに、ヒューズ素子６の被溶断領域に対応
して、パッシベーション膜１０には開孔部１１が設けら
れている。また、前記開孔部１１の外周のＢＰＳＧ膜８
には開孔部１２がガードリング状に設けられ、このＢＰ
ＳＧ膜の開孔部１２端の表面および側面がアルミ層１３
と前記アルミ層１３の直上に配設されたパッシベ−ショ
ン膜１０で覆われている。なお、図中、前記アルミ層１
３は、内部回路素子の配線をなすアルミ配線層９と同一
の層で構成され、アルミ配線層９と同時に形成される。
もちろん工程数が増加するが、別途形成しても良い。

【００２０】ここで、二酸化シリコン膜４、ヒューズ素
子をなす多結晶シリコン６、二酸化シリコン膜７、ＢＰ
ＳＧ膜８、アルミ配線層９、１３およびシリコン窒化膜
１０の膜厚はそれぞれ１０００〜２０００Å程度、５０
０〜２０００Å程度、５００〜３０００Å程度、５００
０〜８０００Å程度、５０００〜１００００Å程度およ
び５０００〜１００００Å程度、ＢＰＳＧ膜８中のＢ₂
Ｏ₃およびＰ₂Ｏ₅濃度は、それぞれ２〜１０モル％程度
および２〜１０モル％程度に設定される。

【００２１】上記実施例の構造によれば、ヒューズ素子
６の被溶断領域に対応しパッシベーション膜１０に設け
られた開孔部１１において、ＢＰＳＧ膜８の一部には開
孔部１２が設けられているが、この絶縁膜の開孔部端の
表面および側面は、アルミ層１３とこの直上に配設され
たシリコン窒化膜１０により外気に直接接する部分が全
くないように被覆されて、ＢＰＳＧ膜８の吸湿性がシリ
コン窒化膜１０の耐湿性で阻止される構造となってい
る。したがって、この実施例の構造においては、前記開
孔部１１と近傍のアルミ配線９との距離３０を約５μｍ
程度と縮小化できる。また、被溶断領域において、ヒュ
ーズ素子６上の層間絶縁膜は二酸化シリコン膜７のみか
らなり、その膜厚は５００〜３０００Å程度と従来に比
べ薄くなり、膜厚ばらつきも小さくなり、ヒューズ溶断
条件のばらつきも小さくなり、冗長歩留まり向上が図れ
る。その結果、高信頼性と高溶断成功確率を有し、素子
占有面積が小さい高集積化に適したヒューズ素子を具備
する半導体装置が実現できる。

【００２２】次に、図４は、本発明の他の一実施例を示
す半導体装置の平面図、図５は同じく断面図を示す。図
中、１〜１０は上記図１および図２の実施例の半導体装
置と全く同一のものである。

【００２３】図４および図５において、この半導体装置
におけるヒューズ素子６の被溶断領域には、パッシベー
ション膜１０、ＢＰＳＧ膜８および二酸化シリコン膜７
に開孔部１９が設けられている。さらに、前記開孔部１
９の外周のＢＰＳＧ膜８と二酸化シリコン膜７には、エ
ッチング・ストッパーをなす多結晶シリコン層１５まで
達するスリット状の開孔部１７が、内部回路素子のコン
タクトホールと同時に形成され、前記開孔部１９の周囲
を囲っている。さらに、この開孔部１７の表面および側
面がアルミ層１８と前記アルミ層１８の直上に配設され
たシリコン窒化膜１０で覆われている。なお、図中、前
記アルミ層１８は、内部回路素子の配線をなすアルミ配
線層９と同一の層で形成される。

【００２４】ここで、二酸化シリコン膜４、ヒューズ素
子をなす多結晶シリコン６、二酸化シリコン膜７、多結
晶シリコン層１５、二酸化シリコン膜１６、ＢＰＳＧ膜
８、アルミ配線層９、１３およびシリコン窒化膜１０の
膜厚はそれぞれ１０００〜２０００Å程度、５００〜２
０００Å程度、５００〜３０００Å程度、１０００〜２
０００Å程度、１０００〜３０００Å程度、５０００〜
８０００Å程度、５０００〜１００００Å程度および５
０００〜１００００Å程度、ＢＰＳＧ膜８中のＢ₂Ｏ₃お
よびＰ₂Ｏ₅濃度は、それぞれ２〜１０モル％程度および
２〜１０モル％程度に設定される。

【００２５】次に、図４および図５に示す半導体装置の
製造方法の一実施例を図４および図５を用いて説明す
る。

【００２６】従来法により、半導体基板１の一主面上に
フィ−ルド酸化膜２、多結晶シリコン配線層３、二酸化
シリコン膜４、開孔部５および多結晶シリコンからなる
所定パターンのヒューズ素子６を形成する。さらに、二
酸化シリコン膜１６を介し多結晶シリコン層１５を形成
する。次に、二酸化シリコン膜７とＢＰＳＧ膜８をＣＶ
Ｄ法により堆積後、この層間絶縁膜に内部回路素子のコ
ンタクトホ−ル（図１に図示せず。）形成と同時に、ヒ
ューズ素子６の被溶断領域の外周を囲むようににスリッ
ト状の開孔部１７を形成する。この際、多結晶シリコン
層１５は、エッチング・ストッパーの役目を果たす。一
見エッチングストッパを形成するために工程が増加する
が、複数層の多結晶シリコン層を用いる場合は、ヒュー
ズ形成後の多結晶シリコン層配線を形成する際に、多結
晶シリコン層をエッチングストッパとして利用すること
ができ、エッチングストッパを形成する工程が増加する
ということはない。次に、内部回路素子のアルミ配線層
９形成と同時に、前記スリット状の開孔部１７の表面お
よび側面にアルミ層１８を形成後、前記アルミ層１８を
覆うようにシリコン窒化膜１０を形成する。さらに、パ
ッド部（図示せず）の開孔と同時にヒューズ素子６の被
溶断領域上の前記二酸化シリコン膜７、ＢＰＳＧ膜８と
シリコン窒化膜６を選択的に除去し、図４に示す半導体
装置が得られる。

【００２７】上記実施例の構造および製造方法によれ
ば、開孔部１９ではＢＰＳＧ膜８が露出しているが、Ｂ
ＰＳＧ膜はスリット状の開孔部１７とアルミ配線層１８
により、内部回路素子側とヒューズ素子開孔部側とに分
離されている。よって、ＢＰＳＧ膜を通しての水分の侵
入を防止でき、上記図１および図２の実施例の半導体装
置と同一の効果を有するとともに、開孔部１７の下部に
はエッチング・ストッパーをなす多結晶シリコン層１５
があるため、コンタクトホ−ル形成時の加工制御性を向
上し、高歩留まりの半導体装置が実現できる。

【００２８】なお、上記実施例いおいては、１層の多結
晶シリコン層１５をエッチングストッパーとして用いた
が、それに変えて、２層以上の多結晶シリコン層を配設
することにより、その効果をより向上することができ
る。

【００２９】図６および図７は、本発明をアルミ２層配
線を有する半導体装置に適用した場合の一実施例を示す
半導体装置の断面図である。なお、図中、１〜１０、は
上記図４および図５の実施例の半導体装置と全く同一の
ものである。

【００３０】図６および図７において、この半導体装置
は、図４および図５の実施例の半導体装置とほぼ同様の
構造であり、半導体基板１の一主面上に、フィ−ルド酸
化膜２、多結晶シリコン配線層３、二酸化シリコン膜
４、開孔部５、ヒューズ素子６、二酸化シリコン膜１
６、多結晶シリコン配線層１５、第１の層間絶縁膜をな
す二酸化シリコン膜７、ＢＰＳＧ膜８、１層目のアルミ
配線層９、１層目のアルミ配線層９と２層目のアルミ配
線層２７との層間絶縁膜をなす二酸化シリコン酸化膜２
１、２層目のアルミ配線層２７およびをシリコン窒化膜
からなるパッシベーション膜１０を具備する。また、ヒ
ューズ素子６の被溶断領域において、パッシベーション
膜１０、二酸化シリコン酸化膜２１、ＢＰＳＧ膜８およ
び二酸化シリコン膜７に開孔部２４が設けられている。
さらに、前記開孔部２４の外周において、ＢＰＳＧ膜８
と二酸化シリコン膜７には、エッチング・ストッパーを
なす多結晶シリコン層１５まで達するスリット状の開孔
部１７が、内部回路素子のコンタクトホール（図示せ
ず）と同時に形成され、この開孔部１７の表面および側
面がアルミ層２０と、前記１層目のアルミ配線層９上の
前記層間絶縁膜をなすシリコン酸化膜２１で覆われてい
る。また、前記１層目のアルミ層２０上の前記シリコン
酸化膜２１には、前記１層目のアルミ層２０まで達する
スリット状の開孔部２２が、内部回路素子のビアホ−ル
と（図示せず）同時に形成され、さらに２層目のアルミ
層２３および前記２層目のアルミ層２３直上のシリコン
窒化膜６で覆われている。なお、図中、前記アルミ層２
０および２３はそれぞれ、内部回路素子の配線をなす１
層目および２層目のアルミ配線層９、２７と同一の層で
形成される。

【００３１】上記実施例の構造によれば、本発明は、ア
ルミ２層配線を有する半導体装置においても、上記図
１、図２、図４および図５の実施例の半導体装置と同一
の効果を有する。

【００３２】図８および図９は、本発明をアルミ２層配
線を有する半導体装置に適用した場合の他の一実施例を
示す半導体装置の断面図である。なお、図中、１〜２７
は上記図６および図７の実施例の半導体装置と同一のも
のである。

【００３３】図８および図９において、この半導体装置
は、図６および図７の実施例の半導体装置とほぼ同様の
構造であり、ヒューズ素子６の被溶断領域の前記開孔部
２４の外周において、ＢＰＳＧ膜８と二酸化シリコン膜
７に設けられたスリット状の開孔部１７の直上に、前記
１層目のアルミ層２０を介し、前記シリコン酸化膜２１
にに設けられたスリット状の開孔部２２が配設されてい
る。また、前記開孔部１７および開孔部２２の開孔幅
は、チップ内の内部回路素子の開孔部すなわちコンタク
トホ−ルおよびビアホ−ル（図示せず）と開孔サイズが
同一であり、同時に形成され、前記開孔部１７および開
孔部２２内には窒化チタン膜もしくは窒化タングステン
膜等から選ばれてなるバリヤメタル膜とタングステン膜
からなる金属層２５が埋め込まれている。

【００３４】ここで、配線特性の改善のために、バリヤ
メタル膜として、チタン膜等と窒化チタン膜もしくは窒
化タングステン膜の積層構造としても良い。

【００３５】上記実施例の構造および製造方法によれ
ば、本発明は、上記図１、図２、図４図５、図６および
図７の実施例の半導体装置と同一の効果を有するととも
に、図６および図７の実施例に比較し、ヒューズ素子の
占有面積を低減することができるため、半導体装置の縮
小化が実現可能となる。また、チップ内の開孔部は、す
べて開孔サイズが同一であるため、加工性が良く、高歩
留まりの半導体装置が得られる。

【００３６】ところで、上述の実施例において、前記金
属配線層１３、１８もしくは２３を、例えば電源電位も
しくは接地電位等の一定電位を有するチップ内の金属配
線層に接続されてなる半導体装置においては以下の効果
がある。

【００３７】上記の構造によれば、前述の半導体装置と
同一の効果に加え、ヒューズ素子の被溶断領域の外周を
一定電位に保持することができるため、外部ノイズ等の
外乱からチップ内回路素子を遮蔽することができ、その
チップ内素子への影響やナトルウムイオン等の妨害不純
物のチップ内への侵入等を防止することができるため、
高信頼性を有する半導体装置が実現できる。

【００３８】なお、上記実施例は、パッシベ−ション膜
としてシリコン窒化膜を用いた場合について述べたが、
それに代えてオキシナイトライドや少なくともシリコン
窒化膜を含む積層膜から選ばれてなるパッシベ−ション
膜を用いた場合についても本発明は効果を発揮する。

【００３９】また、上記実施例は、層間絶縁膜膜が、Ｂ
ＰＳＧ膜を用いた場合について述べたが、それに代えて
少なくとも高濃度ＰＳＧ膜もしくは、ＢＰＳＧ膜を含む
層間絶縁膜を用いた場合についても本発明は効果があ
る。

【００４０】また、上記実施例は、ヒューズ素子に、多
結晶シリコン層を用いた場合について述べたが、それに
代えてタングステンシリサイドやモリブデンシリサイド
等からなる金属シリサイドもしくは、金属ポリサイドを
用いた場合についても本発明は効果がある。

【００４１】さらに、上記実施例は、アルミ１層配線層
およびアルミ２層を有する半導体装置の場合について述
べたが、それに代えて３層配線層以上もしくは２層以上
の金属配線層を有する半導体装置の場合についても本発
明は効果を発揮する。

【００４２】なお、本発明は、エネルギー照射法により
ヒューズ素子を溶断し、冗長回路へ接続切り換え可能と
する機能を具備する半導体記憶装置等へ応用することが
できる。

【００４３】以上、本発明を実施例に基いて説明した
が、本発明は上記実施例に限定されることなく、その要
旨を逸しない範囲で種々変更が可能であることは言うま
でもない。

【００４４】

【発明の効果】以上述べたように、本発明の半導体装置
によれば、ヒューズ素子の被溶断領域に対応しパッシベ
ーション膜に設けられた開孔部において、層間絶縁膜の
一部には開孔部が設けられているが、この絶縁膜の開孔
部端の表面および側面は、アルミ層と前記アルミ層の上
に配設されたパッシベ−ション膜より外気に直接接する
部分が全くないように被覆され、耐湿性がある構造とな
っているため、前記開孔部と近傍のアルミ配線との距離
を縮小化できる。また、ヒューズ素子上の層間絶縁膜の
膜厚は５００〜３０００Å程度であり膜厚ばらつきを均
一に制御できる。その結果、高信頼性と高溶断成功確率
を有し、素子占有面積が小さい高集積化に適したヒュー
ズ素子を具備する半導体装置が実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体装置の一実施例を示す平面図で
ある。

【図２】本発明の半導体装置の一実施例を示す断面図で
ある。

【図３】従来の半導体装置を示す断面図である。

【図４】本発明の半導体装置の他の一実施例を示す平面
図である。

【図５】本発明の半導体装置の他の一実施例を示す断面
図である。

【図６】本発明の半導体装置の一実施例を示す平面図で
ある。

【図７】本発明の半導体装置の他の一実施例を示す断面
図である。

【図８】本発明の半導体装置の一実施例を示す平面図で
ある。

【図９】本発明の半導体装置の他の一実施例を示す断面
図である。

【符号の説明】

１半導体基板２フィ−ルド酸化膜３多結晶シリコン配線層４、７二酸化シリコン膜５開孔部６ヒューズ素子８ＢＰＳＧ膜９アルミ配線層１０パッシベーション膜１１パッシベーション膜の開孔部１２ＢＰＳＧ膜の開孔部１３アルミ層１５多結晶シリコン配線層１６、２１二酸化シリコン膜１７二酸化シリコン膜とＢＰＳＧ膜の開孔部１８、２０１層目アルミ層１９、２４パッシベーション膜の開孔部２２二酸化シリコン膜の開孔部２３２層目アルミ層２５、２６タングステン膜２７２層目アルミ配線層３０開孔部とアルミ配線層との距離

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】エネルギービーム照射法により溶断可能な
ヒューズ素子を具備する半導体装置において、前記ヒューズ素子を覆うように形成された第１の層間絶
縁膜と、前記第１の層間絶縁膜上で前記ヒューズ素子の
上方に形成されかつ前記ヒューズ素子の被溶断領域に対
応した領域に第１の開孔部が設けられた第２の層間絶縁
膜と、前記第１の開孔部端の前記第２の層間絶縁膜の表
面および側面が金属層または（および）前記金属層上の
パッシベ−ション膜で覆われていることを特徴とする半
導体装置。
【請求項２】エネルギービーム照射法により溶断可能な
ヒューズ素子を具備する半導体装置において、前記ヒューズ素子を覆うように形成された第１の層間絶
縁膜と、前記ヒューズ素子の被溶断領域に対応した領域
に第１の開孔部と前記第１の開孔部を囲むようにリング
状の第２の開孔部が設けられ前記ヒューズ素子の少なく
とも一部を覆うように形成された第２の層間絶縁膜と、
前記第２の開孔部内に形成された金属層と前記第２の層
間絶縁膜と前記金属層を覆うように形成されたパッシベ
ーション膜とを備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】前記第１の層間絶縁膜上の前記第２の開孔
部の直下には、前記ヒューズ素子より上層に位置する、
少なくとも１層以上の配線層が配設されていることを特
徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】前記第２の層間絶縁膜に形成された前記第
２の開孔部の開孔幅サイズが、チップ内に同時に形成さ
れた内部回路素子の開孔部の開孔サイズと同一であるこ
とを特徴とする請求項２または３記載の半導体装置。
【請求項５】前記金属層が、一定電位を有するチップ内
の金属配線層に接続されてなることを特徴とする請求項
１〜４いずれか記載の半導体装置。
【請求項６】前記ヒューズ素子の被溶断領域に対応した
領域において、前記ヒューズ素子を覆う層間絶縁膜の膜
厚が、５００〜３０００Åであることを特徴とする請求
項１〜５いずれか記載の半導体装置。
【請求項７】前記パッシベ−ション膜が、シリコン窒化
膜、オキシナイトライド膜もしくは、少なくともシリコ
ン窒化膜を含む積層膜から選ばれてなることを特徴とす
る請求項１〜６いずれか記載の半導体装置。
【請求項８】前記層間絶縁膜膜が、少なくとも高濃度リ
ンガラス膜もしくは、ボロン・リンガラス膜を含むこと
を特徴とする請求項１〜７いずれか記載の半導体装置。
【請求項９】半導体基板上に絶縁膜を介してヒューズを
形成する工程と、前記ヒューズを覆うように第１の層間
絶縁膜を形成する工程と、前記第１の層間絶縁膜上に第
２の層間絶縁膜を形成する工程と、前記第２の層間絶縁
膜のヒューズに対応する箇所に第１の開孔部を形成する
工程と、前記第２の層間絶縁膜上と前記第１の開孔部を
覆うように金属配線層を形成する工程と、少なくとも前
記金属配線層の前記第１の開孔部に対応する領域に前記
第１の開孔部より小さな第２の開孔部を形成する工程
と、前記第２の層間絶縁膜と前記金属層配線を覆うよう
にパッシベーション膜を形成する工程と、少なくとも前
記パッシベーション膜の前記第２の開孔部に対応する領
域に前記第２の開孔部より小さな第３の開孔部を形成す
る工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方
法。
【請求項１０】半導体基板上に絶縁膜を介してヒューズ
を形成するヒューズ形成工程と、前記ヒューズを覆うよ
うに第１の層間絶縁膜を形成する第１層間絶縁膜形成工
程と、前記第１の層間絶縁膜上に第２の層間絶縁膜を形
成する第２層間絶縁膜形成工程と、前記第１及び第２の
層間絶縁膜にリング状に第１の開孔部を形成する第１開
孔部形成工程と、金属膜を少なくとも前記第１の開孔部
内に形成する金属膜形成工程と、前記第２の絶縁膜と前
記金属膜を覆うようにパッシベーション膜を形成するパ
ッシベーション膜形成工程と、リング状に構成された前
記第１の開孔部の内周側に、少なくとも前記第２の絶縁
膜と前記パッシベーション膜に第２の開孔部を設ける第
２開孔部形成工程とを有することを特徴とする半導体装
置の製造方法。
【請求項１１】前記第１層間絶縁膜形成工程後、前記第
１の層間絶縁膜上の前記第１の開孔部に対応する領域に
ポリシリコン層を形成する工程を有することを特徴とす
る請求項１０記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】前記第１の層間絶縁膜は燐を含むガラス
であることを特徴とする請求項９〜１１いずれか記載の
半導体装置の製造方法。