JP3328249B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置とその製
造方法に関し、特に半導体装置のヒューズ素子部の構造
とそのエネルギービームによる切断方法に関する。
造方法に関し、特に半導体装置のヒューズ素子部の構造
とそのエネルギービームによる切断方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種のヒューズ素子部は、例えばＤＲ
ＡＭあるいはＳＲＡＭのようなメモリデバイスの冗長
（リダンダンシという）ビットを形成するするためには
必須である。この場合には、予め設けられている配線の
内で不要になる配線層がヒューズ素子部のヒューズ素子
で切断される。このヒューズ素子の切断は通常はレーザ
ー光の照射により行われる。以下、従来のヒューズ素子
部の構造について図を参照して説明する。
ＡＭあるいはＳＲＡＭのようなメモリデバイスの冗長
（リダンダンシという）ビットを形成するするためには
必須である。この場合には、予め設けられている配線の
内で不要になる配線層がヒューズ素子部のヒューズ素子
で切断される。このヒューズ素子の切断は通常はレーザ
ー光の照射により行われる。以下、従来のヒューズ素子
部の構造について図を参照して説明する。
【０００３】図８は、特開平９−０６９５７１号公報
（以下、第１の従来例と記す）に記載されたヒューズ素
子部の平面図である。半導体基板上のフィールド酸化膜
上に多結晶シリコン配線層１０１が形成される。そし
て、多結晶シリコン配線層１０１は、それを被覆する層
間絶縁膜に設けられた開孔部１０２を介してヒューズ素
子１０３に接続され、ヒュ−ズ素子１０３上の層間絶縁
膜をなすＢＰＳＧ膜の被溶断領域の外周部にＢＰＳＧ膜
の開孔部１０４がガードリング状に設けられている。そ
して、ＢＰＳＧ膜の開孔部１０４端の表面および側面
が、チップないの配線をなすアルミ配線層１０５と同一
の層で形成されたアルミ層１０６で覆われている。さら
に、全面にパッシベーション膜（カバー膜）が形成さ
れ、このパッシベーション膜にパッシベーション膜の開
孔部１０７が形成されている。
（以下、第１の従来例と記す）に記載されたヒューズ素
子部の平面図である。半導体基板上のフィールド酸化膜
上に多結晶シリコン配線層１０１が形成される。そし
て、多結晶シリコン配線層１０１は、それを被覆する層
間絶縁膜に設けられた開孔部１０２を介してヒューズ素
子１０３に接続され、ヒュ−ズ素子１０３上の層間絶縁
膜をなすＢＰＳＧ膜の被溶断領域の外周部にＢＰＳＧ膜
の開孔部１０４がガードリング状に設けられている。そ
して、ＢＰＳＧ膜の開孔部１０４端の表面および側面
が、チップないの配線をなすアルミ配線層１０５と同一
の層で形成されたアルミ層１０６で覆われている。さら
に、全面にパッシベーション膜（カバー膜）が形成さ
れ、このパッシベーション膜にパッシベーション膜の開
孔部１０７が形成されている。
【０００４】ここで、ヒューズ素子１０３の切断は、パ
ッシベーション膜の開孔部１０７を通してレーザー光が
ヒューズ素子１０３に照射されて行われる。
ッシベーション膜の開孔部１０７を通してレーザー光が
ヒューズ素子１０３に照射されて行われる。
【０００５】次に、図９を参照して多層配線を有する半
導体装置の場合について説明する。以下、これを第２の
従来例と記す。ここで、図９（ａ）はヒューズ素子部が
半導体装置のパッド部に形成されたところの平面図であ
り、図９（ｂ）は、図９（ａ）に記すＩ−Ｊで切断した
ところの断面図である。
導体装置の場合について説明する。以下、これを第２の
従来例と記す。ここで、図９（ａ）はヒューズ素子部が
半導体装置のパッド部に形成されたところの平面図であ
り、図９（ｂ）は、図９（ａ）に記すＩ−Ｊで切断した
ところの断面図である。
【０００６】図９（ｂ）に示すようにシリコン基板２０
１上にフィールド酸化膜２０２が形成され、フィールド
酸化膜２０２上に第１層間絶縁膜２０３が形成されてい
る。そして、図９（ａ）、（ｂ）に示すように、第１層
間絶縁膜２０３上の所定の領域にヒューズ素子２０４が
形成される。ここで、このヒューズ素子２０４は多結晶
シリコンで構成される。
１上にフィールド酸化膜２０２が形成され、フィールド
酸化膜２０２上に第１層間絶縁膜２０３が形成されてい
る。そして、図９（ａ）、（ｂ）に示すように、第１層
間絶縁膜２０３上の所定の領域にヒューズ素子２０４が
形成される。ここで、このヒューズ素子２０４は多結晶
シリコンで構成される。
【０００７】さらに、このヒューズ素子２０４を被覆す
るように第２層間絶縁膜２０５が堆積され、第１メタル
配線層２０６が第２層間絶縁膜２０５に設けられたコン
タクト孔２０７を介してヒューズ素子２０４に接続され
ている。そして、図９（ａ），（ｂ）に示すように、第
１メタルガードリング２０８と第２メタルガードリング
２０９が互いに接続され、ヒューズ素子２０４の周りを
囲むように形成されている。そして、第１メタルパッド
２１０，２１０ａが形成され、第２メタルパッド２１
１，２１１ａが積層され互いに電気接続して形成され
る。なお、上記の第１メタルガードリング２０８と第２
メタルガードリング２０９間、第１メタルパッド２１
０，２１０ａと第２メタルパッド２１１，２１１ａ間に
は第３層間絶縁膜２１２が形成されている。
るように第２層間絶縁膜２０５が堆積され、第１メタル
配線層２０６が第２層間絶縁膜２０５に設けられたコン
タクト孔２０７を介してヒューズ素子２０４に接続され
ている。そして、図９（ａ），（ｂ）に示すように、第
１メタルガードリング２０８と第２メタルガードリング
２０９が互いに接続され、ヒューズ素子２０４の周りを
囲むように形成されている。そして、第１メタルパッド
２１０，２１０ａが形成され、第２メタルパッド２１
１，２１１ａが積層され互いに電気接続して形成され
る。なお、上記の第１メタルガードリング２０８と第２
メタルガードリング２０９間、第１メタルパッド２１
０，２１０ａと第２メタルパッド２１１，２１１ａ間に
は第３層間絶縁膜２１２が形成されている。
【０００８】そして、全面にカバー膜２１３が形成さ
れ、ヒューズ素子２０４上のカバー膜２１３に切断用開
口部２１４が形成されている。また、第２メタルパッド
２１１，２１１ａ上のカバー膜２１３にボンディング開
口部２１５，２１５ａが形成されている。
れ、ヒューズ素子２０４上のカバー膜２１３に切断用開
口部２１４が形成されている。また、第２メタルパッド
２１１，２１１ａ上のカバー膜２１３にボンディング開
口部２１５，２１５ａが形成されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上述した第１の従来例
では、パッシベーション膜の開孔部１０７から侵入する
水分がアルミ層１０６により阻止され、アルミ配線層１
０５の上記水分による腐食等が防止されるとしている。
しかし、この場合に、アルミ層１０６がフローティング
状態であると半導体装置の安定性に問題が生じる。そこ
で、アルミ層１０６は一定電位に固定される。この第１
の従来例では、このアルミ層１０６は別の配線層に接続
される。この配線層が、アルミ層１０６の上層、下層あ
るいは同層に形成されても、配線密度の低下は必須にな
る。通常のＤＲＡＭ等のメモリデバイスでは多くのヒュ
ーズ素子が必要になる。このために、上記のような半導
体装置の大容量化と共に上記の配線密度の低下の問題は
顕在化する。
では、パッシベーション膜の開孔部１０７から侵入する
水分がアルミ層１０６により阻止され、アルミ配線層１
０５の上記水分による腐食等が防止されるとしている。
しかし、この場合に、アルミ層１０６がフローティング
状態であると半導体装置の安定性に問題が生じる。そこ
で、アルミ層１０６は一定電位に固定される。この第１
の従来例では、このアルミ層１０６は別の配線層に接続
される。この配線層が、アルミ層１０６の上層、下層あ
るいは同層に形成されても、配線密度の低下は必須にな
る。通常のＤＲＡＭ等のメモリデバイスでは多くのヒュ
ーズ素子が必要になる。このために、上記のような半導
体装置の大容量化と共に上記の配線密度の低下の問題は
顕在化する。
【００１０】また、第２の従来例では、パッドとヒュー
ズ素子部との間の一定領域に半導体素子を配列させない
領域すなわち禁止領域が必要になる。しかしながら、こ
の禁止領域の存在は、マスクパターン設計においては配
線経路の選定、素子の配置等に大きな制約を与えるだけ
でなく、その制約を軽減するためにヒューズ素子部、パ
ッド配置における工夫が必要となり、配置の自由度が下
がるという問題があった。しかも、ＤＲＡＭ等のメモリ
においては、世代の進展と共に記憶容量の増大が顕著で
あり、すなわちアドレス端子用のパッドが増加する。ま
た、入出力端子の増加によってもパッドは増加する。さ
らにメモリデバイスには、歩留まり向上を目的とした、
不良セル救済のための冗長セル（以下、リダンダンシセ
ルと呼ぶ）が、記憶容量に対しある割合で設けられてお
り、記憶容量が増大すると一般的にリダンダンシセルも
増加する。不良セルの救済は、レーザー照射等の手段に
よりヒューズを切断することで行われるため、記憶容量
の増大と同時にヒューズも増加することになる。
ズ素子部との間の一定領域に半導体素子を配列させない
領域すなわち禁止領域が必要になる。しかしながら、こ
の禁止領域の存在は、マスクパターン設計においては配
線経路の選定、素子の配置等に大きな制約を与えるだけ
でなく、その制約を軽減するためにヒューズ素子部、パ
ッド配置における工夫が必要となり、配置の自由度が下
がるという問題があった。しかも、ＤＲＡＭ等のメモリ
においては、世代の進展と共に記憶容量の増大が顕著で
あり、すなわちアドレス端子用のパッドが増加する。ま
た、入出力端子の増加によってもパッドは増加する。さ
らにメモリデバイスには、歩留まり向上を目的とした、
不良セル救済のための冗長セル（以下、リダンダンシセ
ルと呼ぶ）が、記憶容量に対しある割合で設けられてお
り、記憶容量が増大すると一般的にリダンダンシセルも
増加する。不良セルの救済は、レーザー照射等の手段に
よりヒューズを切断することで行われるため、記憶容量
の増大と同時にヒューズも増加することになる。
【００１１】以上の理由により、世代の進展と共にヒュ
ーズ素子、パッドは増加傾向であると言える。これはす
なわち禁止領域の増大を意味しており、禁止領域の増大
はマスクパターン設計を困難にする。また、禁止領域は
マスクレイアウト上空白の領域であるから、集積密度向
上を妨げる要因となり、さらにはチップサイズの増大を
も招く。ヒューズ素子部の占有する領域が大きくなって
しまう。
ーズ素子、パッドは増加傾向であると言える。これはす
なわち禁止領域の増大を意味しており、禁止領域の増大
はマスクパターン設計を困難にする。また、禁止領域は
マスクレイアウト上空白の領域であるから、集積密度向
上を妨げる要因となり、さらにはチップサイズの増大を
も招く。ヒューズ素子部の占有する領域が大きくなって
しまう。
【００１２】本発明の主な目的の一つは、ヒューズ素子
部とボンディングパッド周囲との禁止領域の面積を実質
的に縮小することによって、半導体装置の小型化を実現
し、集積密度の向上ならびにチップ寸法増大を抑制する
半導体装置を提供することにある。
部とボンディングパッド周囲との禁止領域の面積を実質
的に縮小することによって、半導体装置の小型化を実現
し、集積密度の向上ならびにチップ寸法増大を抑制する
半導体装置を提供することにある。
【００１３】本発明の主な他の目的は、従来の製造設備
と製造技術を用いて容易に実現可能な構造を持ち、従来
技術が持っている機能、信頼性を損なうことなく上記の
目的を達成する半導体装置とその製造方法とを提供する
ことにある。
と製造技術を用いて容易に実現可能な構造を持ち、従来
技術が持っている機能、信頼性を損なうことなく上記の
目的を達成する半導体装置とその製造方法とを提供する
ことにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明の半導体
装置では、エネルギービーム照射法により溶断するヒュ
ーズ素子を備えた半導体装置において、前記ヒューズ素
子上に層間絶縁膜が形成され、前記層間絶縁膜上のボン
ディングパッドと一体になるように形成されたガードリ
ング層が前記ヒューズ素子の周囲に前記層間絶縁膜を介
して設けられている。ここで、前記ヒューズ素子は２つ
のボンディングパッド間に形成され、前記ガードリング
層が前記２つのボンディングパッドと一体になるように
形成されている。
装置では、エネルギービーム照射法により溶断するヒュ
ーズ素子を備えた半導体装置において、前記ヒューズ素
子上に層間絶縁膜が形成され、前記層間絶縁膜上のボン
ディングパッドと一体になるように形成されたガードリ
ング層が前記ヒューズ素子の周囲に前記層間絶縁膜を介
して設けられている。ここで、前記ヒューズ素子は２つ
のボンディングパッド間に形成され、前記ガードリング
層が前記２つのボンディングパッドと一体になるように
形成されている。
【００１５】また、本発明の半導体装置では、ボンディ
ングパッド上とヒューズ素子上とに跨る開口部が設けら
れ、前記開口部を通してボンディングパッドにボンディ
ングワイヤが接続され前記開口部を通してヒューズ素子
が溶断されている。
ングパッド上とヒューズ素子上とに跨る開口部が設けら
れ、前記開口部を通してボンディングパッドにボンディ
ングワイヤが接続され前記開口部を通してヒューズ素子
が溶断されている。
【００１６】ここで、前記ボンディングパッドとガード
リング層とはアルミ金属で構成されている。そして、前
記ヒューズ素子は多結晶シリコン、高融点金属あるいは
高融点金属のシリサイドで構成されている。また、前記
ボンディングパッドを通して一定電位が前記ガードリン
グ層に印加されている。
リング層とはアルミ金属で構成されている。そして、前
記ヒューズ素子は多結晶シリコン、高融点金属あるいは
高融点金属のシリサイドで構成されている。また、前記
ボンディングパッドを通して一定電位が前記ガードリン
グ層に印加されている。
【００１７】また、本発明の半導体装置の製造方法で
は、半導体装置に設けられたヒューズ素子の切断におい
て、ハロゲンガス雰囲気中で前記ヒューズ素子にエネル
ギービームを照射し前記ヒューズを溶断する。ここで、
溶断されるヒューズ素子は多結晶シリコン、高融点金属
あるいは高融点金属のシリサイドで構成され、前記ハロ
ゲンガスはＣＦ4 、ＮＦ3 あるいはＳＦ6 である。
は、半導体装置に設けられたヒューズ素子の切断におい
て、ハロゲンガス雰囲気中で前記ヒューズ素子にエネル
ギービームを照射し前記ヒューズを溶断する。ここで、
溶断されるヒューズ素子は多結晶シリコン、高融点金属
あるいは高融点金属のシリサイドで構成され、前記ハロ
ゲンガスはＣＦ4 、ＮＦ3 あるいはＳＦ6 である。
【００１８】本発明による半導体装置では、ヒューズ素
子の周囲を層間絶縁膜を介して取り囲むガードリング層
とボンディングパッドとが一体になるように形成され
る。このために、半導体チップ上での半導体素子の集積
度が向上する。また、ガードリング層には自動的にボン
ディングパッドを通して一定電位が印加される。そし
て、本発明の半導体装置の製造方法では、エネルギービ
ームがハロゲンガス雰囲気でヒューズ素子に照射され
る。このために、この照射で飛散するヒューズ素子を構
成する元素は上記ハロゲンガスと熱反応しハロゲン化物
に変わる。このハロゲン化物は高い揮発性を有するため
再付着することはなく、ヒューズ素子部と一体となった
ボンディングパッドへのワイヤボンディングで不良の発
生することはなくなる。
子の周囲を層間絶縁膜を介して取り囲むガードリング層
とボンディングパッドとが一体になるように形成され
る。このために、半導体チップ上での半導体素子の集積
度が向上する。また、ガードリング層には自動的にボン
ディングパッドを通して一定電位が印加される。そし
て、本発明の半導体装置の製造方法では、エネルギービ
ームがハロゲンガス雰囲気でヒューズ素子に照射され
る。このために、この照射で飛散するヒューズ素子を構
成する元素は上記ハロゲンガスと熱反応しハロゲン化物
に変わる。このハロゲン化物は高い揮発性を有するため
再付着することはなく、ヒューズ素子部と一体となった
ボンディングパッドへのワイヤボンディングで不良の発
生することはなくなる。
【００１９】
【発明の実施の形態】本発明の第１の実施の形態を説明
する。図１（ａ）は本実施の形態の平面図であり、図１
（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ｂでの断面図である。以下、
これらの図面を参照して本実施の形態のヒューズ素子部
の構造を説明する。
する。図１（ａ）は本実施の形態の平面図であり、図１
（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ｂでの断面図である。以下、
これらの図面を参照して本実施の形態のヒューズ素子部
の構造を説明する。
【００２０】図１（ｂ）に示すようにシリコン基板１上
に膜厚が３００ｎｍ程度のフィールド酸化膜２が形成さ
れ、フィールド酸化膜２上に膜厚が５００ｎｍ程度の第
１層間絶縁膜３が形成されている。そして、図１
（ａ）、（ｂ）に示すように、第１層間絶縁膜３上の所
定の領域にヒューズ素子４が形成される。ここで、この
ヒューズ素子４は多結晶シリコン、シリサイドあるいは
ポリサイド等で構成されている。ここで、シリサイドあ
るいはポリサイドはタングステン、チタン等の高融点金
属とシリコンとで形成される。
に膜厚が３００ｎｍ程度のフィールド酸化膜２が形成さ
れ、フィールド酸化膜２上に膜厚が５００ｎｍ程度の第
１層間絶縁膜３が形成されている。そして、図１
（ａ）、（ｂ）に示すように、第１層間絶縁膜３上の所
定の領域にヒューズ素子４が形成される。ここで、この
ヒューズ素子４は多結晶シリコン、シリサイドあるいは
ポリサイド等で構成されている。ここで、シリサイドあ
るいはポリサイドはタングステン、チタン等の高融点金
属とシリコンとで形成される。
【００２１】さらに、このヒューズ素子４を被覆するよ
うに膜厚が４００ｎｍ程度の第２層間絶縁膜５が堆積さ
れ、第１メタル配線層６が第２層間絶縁膜５に設けられ
たコンタクト孔７を介してヒューズ素子４に接続されて
いる。
うに膜厚が４００ｎｍ程度の第２層間絶縁膜５が堆積さ
れ、第１メタル配線層６が第２層間絶縁膜５に設けられ
たコンタクト孔７を介してヒューズ素子４に接続されて
いる。
【００２２】そして、図１（ａ），（ｂ）に示すよう
に、第１メタルパッド８が形成され、この第１メタルパ
ッド８は図１（ａ）に斜線で示すように第１メタルガー
ドリング８ａと一体に形成されている。また、第２メタ
ルパッド９も同様に第２メタルガードリング９ａと一体
になるように形成されている。そして、これらの第１、
第２メタルパッドとメタルガードリング層は全て電気接
続して形成される。
に、第１メタルパッド８が形成され、この第１メタルパ
ッド８は図１（ａ）に斜線で示すように第１メタルガー
ドリング８ａと一体に形成されている。また、第２メタ
ルパッド９も同様に第２メタルガードリング９ａと一体
になるように形成されている。そして、これらの第１、
第２メタルパッドとメタルガードリング層は全て電気接
続して形成される。
【００２３】また、通常のパッドが設けられている。こ
こで、このパッドは第１メタルパッド１０と第２メタル
パッド１１で構成され、これらは互いに電気接続されて
いる。そして、上記の第１、第２メタルパッドあるいは
ガードリング層間には第３層間絶縁膜１２が形成されて
いる。
こで、このパッドは第１メタルパッド１０と第２メタル
パッド１１で構成され、これらは互いに電気接続されて
いる。そして、上記の第１、第２メタルパッドあるいは
ガードリング層間には第３層間絶縁膜１２が形成されて
いる。
【００２４】そして、全面にカバー膜１３が形成され、
ヒューズ素子４上のカバー膜１３に切断用開口部１４が
形成されている。また、第２メタルパッド９，１１上の
カバー膜１３にボンディング開口部１５，１６が形成さ
れている。
ヒューズ素子４上のカバー膜１３に切断用開口部１４が
形成されている。また、第２メタルパッド９，１１上の
カバー膜１３にボンディング開口部１５，１６が形成さ
れている。
【００２５】以上に説明したように、本発明では、パッ
ドとガードリング層とが一体に形成される。そして、ワ
イヤボンディング後は、上記のパッドには一定電圧が印
加されるようになる。このために、上述した第１の従来
例の問題は完全に解決され、配線層の高密度化が容易に
なる。また、第２の従来例で示した禁止領域は大幅に縮
小し、半導体チップの高集積化が容易になる。
ドとガードリング層とが一体に形成される。そして、ワ
イヤボンディング後は、上記のパッドには一定電圧が印
加されるようになる。このために、上述した第１の従来
例の問題は完全に解決され、配線層の高密度化が容易に
なる。また、第２の従来例で示した禁止領域は大幅に縮
小し、半導体チップの高集積化が容易になる。
【００２６】次に、本発明の第２の実施の形態を説明す
る。図２（ａ）は本実施の形態の平面図であり、図２
（ｂ）は図２（ａ）のＣ−Ｄでの断面図である。以下、
これらの図面を参照して本実施の形態のヒューズ素子部
の構造を説明する。この場合は、第１の実施の形態で切
断用開口部とボンディング開口部とが一体に形成される
ところに特徴がある。以下、第１の実施の形態と同じも
のは同一の符号で示され、第１の実施の形態との相違点
を詳述する。
る。図２（ａ）は本実施の形態の平面図であり、図２
（ｂ）は図２（ａ）のＣ−Ｄでの断面図である。以下、
これらの図面を参照して本実施の形態のヒューズ素子部
の構造を説明する。この場合は、第１の実施の形態で切
断用開口部とボンディング開口部とが一体に形成される
ところに特徴がある。以下、第１の実施の形態と同じも
のは同一の符号で示され、第１の実施の形態との相違点
を詳述する。
【００２７】図２（ａ）、（ｂ）に示すように、第１層
間絶縁膜３上にヒューズ素子４が形成される。そして、
ヒューズ素子４を被覆するように第２層間絶縁膜５が堆
積され、第１メタル配線層６が第２層間絶縁膜５に設け
られたコンタクト孔７を介してヒューズ素子４に接続さ
れている。
間絶縁膜３上にヒューズ素子４が形成される。そして、
ヒューズ素子４を被覆するように第２層間絶縁膜５が堆
積され、第１メタル配線層６が第２層間絶縁膜５に設け
られたコンタクト孔７を介してヒューズ素子４に接続さ
れている。
【００２８】そして、図２（ａ），（ｂ）に示すよう
に、第１メタルパッド８が形成され、第１メタルガード
リング８ａがこの第１メタルパッド８と一体に形成され
ている。同様に、第２メタルパッド９が形成され、第２
メタルガードリング９ａも第２メタルパッドと一体にな
るように形成されている。
に、第１メタルパッド８が形成され、第１メタルガード
リング８ａがこの第１メタルパッド８と一体に形成され
ている。同様に、第２メタルパッド９が形成され、第２
メタルガードリング９ａも第２メタルパッドと一体にな
るように形成されている。
【００２９】そして、図２（ａ），（ｂ）に示すように
共通開口部１７が、上記第２メタルパッド９表面を露出
し、ヒュ−ズ素子４上の第２層間絶縁膜を露出するよう
に形成される。このようにして、第１の実施の形態で説
明した切断用開口部とボンディング開口部が一体になっ
た共通開口部１７が形成される。そして、共通開口部１
７を通して第２メタルパッド９にボンディングワイヤが
接続される。また、この共通開口部１７を通してヒュー
ズ素子４が溶断されるようになる。
共通開口部１７が、上記第２メタルパッド９表面を露出
し、ヒュ−ズ素子４上の第２層間絶縁膜を露出するよう
に形成される。このようにして、第１の実施の形態で説
明した切断用開口部とボンディング開口部が一体になっ
た共通開口部１７が形成される。そして、共通開口部１
７を通して第２メタルパッド９にボンディングワイヤが
接続される。また、この共通開口部１７を通してヒュー
ズ素子４が溶断されるようになる。
【００３０】以上に説明したように、本実施の形態で
は、パッドとガードリング層とが一体に形成され、切断
用開口部とボンディング開口部とが一体に形成される。
このために、第１の実施の形態より禁止領域は縮小し、
半導体チップの高集積化が更に容易になる。
は、パッドとガードリング層とが一体に形成され、切断
用開口部とボンディング開口部とが一体に形成される。
このために、第１の実施の形態より禁止領域は縮小し、
半導体チップの高集積化が更に容易になる。
【００３１】以上の第１、第２の実施の形態では、判り
易くするためにヒューズ素子が１本の場合について説明
した。ＤＲＡＭのように多数のリダンダンシセルが必要
になる場合には多数本のヒューズ素子が配列される。こ
のような場合には、図３に示すようなヒューズ素子部が
形成されることになる。すなわち、図３に示すように、
ヒューズ素子４ａ，４ｂ…４ｎが配列され、それぞれ配
線層６ａ，６ｂ…６ｎにコンタクト孔７ａ，７ｂ…７ｎ
を介して接続される。そして、第１メタルガードリング
８ａと第２メタルガードリング９ａが上述したパッドと
一体になるように形成され、ヒューズ素子群はこのガー
ドリング層で囲い込まれるようになる。さらに、切断用
開口部１４ａが形成され、これらのヒューズ素子群が露
出されるようになる。
易くするためにヒューズ素子が１本の場合について説明
した。ＤＲＡＭのように多数のリダンダンシセルが必要
になる場合には多数本のヒューズ素子が配列される。こ
のような場合には、図３に示すようなヒューズ素子部が
形成されることになる。すなわち、図３に示すように、
ヒューズ素子４ａ，４ｂ…４ｎが配列され、それぞれ配
線層６ａ，６ｂ…６ｎにコンタクト孔７ａ，７ｂ…７ｎ
を介して接続される。そして、第１メタルガードリング
８ａと第２メタルガードリング９ａが上述したパッドと
一体になるように形成され、ヒューズ素子群はこのガー
ドリング層で囲い込まれるようになる。さらに、切断用
開口部１４ａが形成され、これらのヒューズ素子群が露
出されるようになる。
【００３２】次に、本発明の第３の実施の形態を説明す
る。図４（ａ）は本実施の形態の平面図であり、図４
（ｂ）は図４（ａ）のＥ−Ｆでの断面図である。以下、
これらの図面を参照して本実施の形態のヒューズ素子部
の構造を説明する。この場合は、第１の実施の形態で２
つのパッドとヒューズ素子部とが合体されるところに特
徴がある。以下、第１の実施の形態と同じものは同一の
符号で示され、第１の実施の形態との相違点を主に説明
する。
る。図４（ａ）は本実施の形態の平面図であり、図４
（ｂ）は図４（ａ）のＥ−Ｆでの断面図である。以下、
これらの図面を参照して本実施の形態のヒューズ素子部
の構造を説明する。この場合は、第１の実施の形態で２
つのパッドとヒューズ素子部とが合体されるところに特
徴がある。以下、第１の実施の形態と同じものは同一の
符号で示され、第１の実施の形態との相違点を主に説明
する。
【００３３】図４（ａ）、（ｂ）に示すように、第１層
間絶縁膜３上にヒューズ素子４が形成され、ヒューズ素
子４を被覆するように第２層間絶縁膜５が堆積され、第
１メタル配線層６がコンタクト孔７を介してヒューズ素
子４に接続されている。
間絶縁膜３上にヒューズ素子４が形成され、ヒューズ素
子４を被覆するように第２層間絶縁膜５が堆積され、第
１メタル配線層６がコンタクト孔７を介してヒューズ素
子４に接続されている。
【００３４】そして、図４（ａ），（ｂ）に示すよう
に、第１メタルパッド８，１０が形成され、第１メタル
ガードリング８ｂがこの第１メタルパッド８，１０と合
体して形成されている。同様に、第２メタルパッド９，
１１が形成され、第２メタルガードリング９ｂも第２メ
タルパッド９，１１と合体して形成されている。
に、第１メタルパッド８，１０が形成され、第１メタル
ガードリング８ｂがこの第１メタルパッド８，１０と合
体して形成されている。同様に、第２メタルパッド９，
１１が形成され、第２メタルガードリング９ｂも第２メ
タルパッド９，１１と合体して形成されている。
【００３５】そして、図４（ａ），（ｂ）に示すよう
に、ヒューズ素子上のカバー膜１３が開口され、切断用
開口部１４が形成され、ボンディング開口部１５，１６
が、上記第２メタルパッド９，１１表面を露出して形成
される。
に、ヒューズ素子上のカバー膜１３が開口され、切断用
開口部１４が形成され、ボンディング開口部１５，１６
が、上記第２メタルパッド９，１１表面を露出して形成
される。
【００３６】以上に説明したように、本実施の形態で
は、２つのパッドとガードリング層とが一体に形成さ
れ。このために、第１の実施の形態より禁止領域は縮小
し、半導体チップの高集積化が更に容易になる。
は、２つのパッドとガードリング層とが一体に形成さ
れ。このために、第１の実施の形態より禁止領域は縮小
し、半導体チップの高集積化が更に容易になる。
【００３７】次に、本発明の第４の実施の形態を説明す
る。図５（ａ）は本実施の形態の平面図であり、図５
（ｂ）は図５（ａ）のＧ−Ｈでの断面図である。以下、
これらの図面を参照して本実施の形態のヒューズ素子部
の構造を説明する。この場合は、第３の実施の形態で２
つのパッドでの切断用開口部とボンディング開口部とが
一体に形成されるところに特徴がある。以下、第３の実
施の形態と同じものは同一の符号で示され、第１の実施
の形態との相違点を詳述する。
る。図５（ａ）は本実施の形態の平面図であり、図５
（ｂ）は図５（ａ）のＧ−Ｈでの断面図である。以下、
これらの図面を参照して本実施の形態のヒューズ素子部
の構造を説明する。この場合は、第３の実施の形態で２
つのパッドでの切断用開口部とボンディング開口部とが
一体に形成されるところに特徴がある。以下、第３の実
施の形態と同じものは同一の符号で示され、第１の実施
の形態との相違点を詳述する。
【００３８】図５（ａ）、（ｂ）に示すように、第１層
間絶縁膜３上にヒューズ素子４が形成される。そして、
ヒューズ素子４を被覆するように第２層間絶縁膜５が堆
積され、第１メタル配線層６がコンタクト孔７を介して
ヒューズ素子４に接続されている。
間絶縁膜３上にヒューズ素子４が形成される。そして、
ヒューズ素子４を被覆するように第２層間絶縁膜５が堆
積され、第１メタル配線層６がコンタクト孔７を介して
ヒューズ素子４に接続されている。
【００３９】そして、図５（ａ），（ｂ）に示すよう
に、第１メタルパッド８，１０が形成され、第１メタル
ガードリング８ｂがこの第１メタルパッド８，１０と一
体に形成されている。同様に、第２メタルパッド９，１
１が形成され、第２メタルガードリング９ｂも第２メタ
ルパッドと一体になるように形成されている。
に、第１メタルパッド８，１０が形成され、第１メタル
ガードリング８ｂがこの第１メタルパッド８，１０と一
体に形成されている。同様に、第２メタルパッド９，１
１が形成され、第２メタルガードリング９ｂも第２メタ
ルパッドと一体になるように形成されている。
【００４０】そして、図５（ａ），（ｂ）に示すように
共通開口部１８が、上記第２メタルパッド９，１１表面
を露出し、ヒュ−ズ素子４上の第２層間絶縁膜を露出す
るように形成される。このようにして、第３の実施に形
態で説明した切断用開口部とボンディング開口部が一体
になった共通開口部１８が形成される。
共通開口部１８が、上記第２メタルパッド９，１１表面
を露出し、ヒュ−ズ素子４上の第２層間絶縁膜を露出す
るように形成される。このようにして、第３の実施に形
態で説明した切断用開口部とボンディング開口部が一体
になった共通開口部１８が形成される。
【００４１】以上に説明したように、本実施の形態で
は、２つのパッドとガードリング層とが一体に形成さ
れ、切断用開口部とボンディング開口部とが合体して形
成される。このために、第３の実施の形態より禁止領域
は縮小し、半導体チップの高集積化が更に容易になる。
は、２つのパッドとガードリング層とが一体に形成さ
れ、切断用開口部とボンディング開口部とが合体して形
成される。このために、第３の実施の形態より禁止領域
は縮小し、半導体チップの高集積化が更に容易になる。
【００４２】次に、本発明のレーザー光によるヒューズ
素子の切断方法について図６と図７を参照して説明す
る。ここで、図６と図７はレーザー溶断する場合のヒュ
ーズ素子部の概略した断面図である。
素子の切断方法について図６と図７を参照して説明す
る。ここで、図６と図７はレーザー溶断する場合のヒュ
ーズ素子部の概略した断面図である。
【００４３】図６に示すように、基板１９上に複数のヒ
ューズ素子２０，２０ａ，２０ｂが形成されている。こ
こで、ヒューズ素子は不純物ドープされた多結晶シリコ
ン膜がパターニングされ形成される。そして、これらの
ヒューズ素子は層間絶縁膜２１で被覆されている。
ューズ素子２０，２０ａ，２０ｂが形成されている。こ
こで、ヒューズ素子は不純物ドープされた多結晶シリコ
ン膜がパターニングされ形成される。そして、これらの
ヒューズ素子は層間絶縁膜２１で被覆されている。
【００４４】このうちのヒューズ素子２０が、レーザー
光２２の照射でもって溶断される。ここで、従来の技術
では、溶断されたＳｉは揮発性を有しないのでヒューズ
素子２０の周辺に再付着する。従来の技術では、隣接す
るヒューズ素子間の離間距離を大きくすることで、上記
の再付着による問題、例えば隣接するヒューズ素子間の
短絡等を防止している。
光２２の照射でもって溶断される。ここで、従来の技術
では、溶断されたＳｉは揮発性を有しないのでヒューズ
素子２０の周辺に再付着する。従来の技術では、隣接す
るヒューズ素子間の離間距離を大きくすることで、上記
の再付着による問題、例えば隣接するヒューズ素子間の
短絡等を防止している。
【００４５】これに対して、本発明では、上述した実施
の形態２、４のように切断用開口部とボンディング開口
部とが合体して形成されると、上記のレーザー光による
ヒューズ素子の切断時に、上記のように飛散するＳｉが
第２メタルパッドの表面に付着するようになる。そし
て、ワイヤボンディングでの不良が多発する。
の形態２、４のように切断用開口部とボンディング開口
部とが合体して形成されると、上記のレーザー光による
ヒューズ素子の切断時に、上記のように飛散するＳｉが
第２メタルパッドの表面に付着するようになる。そし
て、ワイヤボンディングでの不良が多発する。
【００４６】そこで、本発明のヒューズ素子の溶断方法
では、ハロゲンガス雰囲気中でヒューズ素子２０にレー
ザー光を照射する。例えばハロゲンガスとして、ＣＦ
4 、ＮＦ3 、ＳＦ6 等のガスが使用される。図６では、
ハロゲンガスとしてＣＦ4 の場合が示されている。この
ようにＣＦ4 ガス雰囲気でレーザー光が照射されると溶
断で飛散するＳｉはＣＦ4 ガスと熱反応しＳｉＦ4 ガス
に変換される。このＳｉＦ4 ガスは揮発性が高く上記基
板表面に再付着することはない。このようにして、上記
従来の技術での問題が解決される。
では、ハロゲンガス雰囲気中でヒューズ素子２０にレー
ザー光を照射する。例えばハロゲンガスとして、ＣＦ
4 、ＮＦ3 、ＳＦ6 等のガスが使用される。図６では、
ハロゲンガスとしてＣＦ4 の場合が示されている。この
ようにＣＦ4 ガス雰囲気でレーザー光が照射されると溶
断で飛散するＳｉはＣＦ4 ガスと熱反応しＳｉＦ4 ガス
に変換される。このＳｉＦ4 ガスは揮発性が高く上記基
板表面に再付着することはない。このようにして、上記
従来の技術での問題が解決される。
【００４７】図７は、上記のハロゲンガス２３がレーザ
ー光２２と共にヒューズ素子２０に照射される点で図６
と異なる。他は、図６で説明したのと同じである。この
ようにすることで、飛散するＳｉは揮発性の高いＳｉＦ
4 ガスとなり、再付着の問題は皆無になる。
ー光２２と共にヒューズ素子２０に照射される点で図６
と異なる。他は、図６で説明したのと同じである。この
ようにすることで、飛散するＳｉは揮発性の高いＳｉＦ
4 ガスとなり、再付着の問題は皆無になる。
【００４８】上記のようなハロゲンガスに曝しながらレ
ーザー光でヒューズ素子を溶断する方法は、本発明のヒ
ューズ素子部に適用すれば、上述した効果が生じる。し
かし、この溶断方法は、従来の技術でのヒューズ素子部
に適用しても効果がある。上述したようにヒューズ素子
群のうちで隣接するヒューズ素子を溶断しても上記のよ
うな短絡がなくなるために、ヒューズ素子間の距離を小
さくでき、ヒューズ素子部の半導体チップ内での占有面
積が減少し半導体装置の集積度が向上する。
ーザー光でヒューズ素子を溶断する方法は、本発明のヒ
ューズ素子部に適用すれば、上述した効果が生じる。し
かし、この溶断方法は、従来の技術でのヒューズ素子部
に適用しても効果がある。上述したようにヒューズ素子
群のうちで隣接するヒューズ素子を溶断しても上記のよ
うな短絡がなくなるために、ヒューズ素子間の距離を小
さくでき、ヒューズ素子部の半導体チップ内での占有面
積が減少し半導体装置の集積度が向上する。
【００４９】以上の実施の形態ではヒューズ素子が多結
晶シリコンで構成される場合について説明した。本発明
はこれに限定されるものでなく、ヒューズ素子が高融点
金属あるいはそのシリサイドで構成される場合でも同様
に適用できる。
晶シリコンで構成される場合について説明した。本発明
はこれに限定されるものでなく、ヒューズ素子が高融点
金属あるいはそのシリサイドで構成される場合でも同様
に適用できる。
【００５０】また、上記の実施の形態では、パッドが２
層アルミで形成される場合について説明されたが、１層
アルミで構成される場合でも同様にできる。
層アルミで形成される場合について説明されたが、１層
アルミで構成される場合でも同様にできる。
【００５１】また、上記の実施の形態ではレーザー光に
よるヒューズ素子の切断について説明されたが、電子ビ
ーム、イオンビーム等のエネルギービームの照射でもヒ
ューズを溶断する場合でも同様になされることに言及し
ておく。
よるヒューズ素子の切断について説明されたが、電子ビ
ーム、イオンビーム等のエネルギービームの照射でもヒ
ューズを溶断する場合でも同様になされることに言及し
ておく。
【００５２】なお、本発明は上記各実施の形態に限定さ
れず、本発明の技術思想の範囲内において、各実施の形
態は適宜変更され得ることは明らかである。
れず、本発明の技術思想の範囲内において、各実施の形
態は適宜変更され得ることは明らかである。
【００５３】
【発明の効果】本発明による半導体装置では、ヒューズ
素子の周囲を層間絶縁膜を介して取り囲むガードリング
層とボンディングパッドとが一体になるように形成され
る。また、ガードリング層には自動的にボンディングパ
ッドを通して一定電位が印加される。このために、ヒュ
ーズ素子部とボンディングパッドの隣接面における間隔
が不要になり半導体装置の小型化が実現される。
素子の周囲を層間絶縁膜を介して取り囲むガードリング
層とボンディングパッドとが一体になるように形成され
る。また、ガードリング層には自動的にボンディングパ
ッドを通して一定電位が印加される。このために、ヒュ
ーズ素子部とボンディングパッドの隣接面における間隔
が不要になり半導体装置の小型化が実現される。
【００５４】また、従来の技術が備えている、水分侵入
防止を始めとする信頼性維持の性能を、全く損なうこと
無く保持していること、ヒューズ素子とボンディングパ
ッド自体の構造を従来の技術と同じとすることで、半導
体製造装置、製造技術の流用を極めて容易にしたことな
どから、本発明の実現が容易であるという効果も同時に
得ることができる。
防止を始めとする信頼性維持の性能を、全く損なうこと
無く保持していること、ヒューズ素子とボンディングパ
ッド自体の構造を従来の技術と同じとすることで、半導
体製造装置、製造技術の流用を極めて容易にしたことな
どから、本発明の実現が容易であるという効果も同時に
得ることができる。
【００５５】そして、本発明の半導体装置の製造方法で
は、エネルギービームがハロゲンガス雰囲気でヒューズ
素子に照射される。このために、この照射で飛散するヒ
ューズ素子を構成する元素は上記ハロゲンガスと熱反応
しハロゲン化物に変わる。このハロゲン化物は高い揮発
性を有するため再付着することはなく、ヒューズ素子部
と一体となったボンディングパッドへのワイヤボンディ
ングで不良の発生することはなくなる。
は、エネルギービームがハロゲンガス雰囲気でヒューズ
素子に照射される。このために、この照射で飛散するヒ
ューズ素子を構成する元素は上記ハロゲンガスと熱反応
しハロゲン化物に変わる。このハロゲン化物は高い揮発
性を有するため再付着することはなく、ヒューズ素子部
と一体となったボンディングパッドへのワイヤボンディ
ングで不良の発生することはなくなる。
【図１】本発明の第１の実施の形態を説明するためのヒ
ューズ素子部の平面図と断面図である。
ューズ素子部の平面図と断面図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態を説明するためのヒ
ューズ素子部の平面図と断面図である。
ューズ素子部の平面図と断面図である。
【図３】ヒューズ素子群を説明するためのヒューズ素子
部の平面図である。
部の平面図である。
【図４】本発明の第３の実施の形態を説明するためのヒ
ューズ素子部の平面図と断面図である。
ューズ素子部の平面図と断面図である。
【図５】本発明の第４の実施の形態を説明するためのヒ
ューズ素子部の平面図と断面図である。
ューズ素子部の平面図と断面図である。
【図６】本発明のレーザー光によるヒューズ素子の溶断
を説明するための概略断面図である。
を説明するための概略断面図である。
【図７】本発明のレーザー光によるヒューズ素子の溶断
を説明するための別の概略断面図である。
を説明するための別の概略断面図である。
【図８】第１の従来例を説明するためのヒューズ素子部
の平面図である。
の平面図である。
【図９】第２の従来例を説明するためのヒューズ素子部
の平面図と断面図である。
の平面図と断面図である。
１，２０１ シリコン基板 ２，２０２ フィールド酸化膜 ３，２０３ 第１層間絶縁膜 ４，４ａ，４ｂ，４ｎ，２０，２０ａ，２０ｂ，１０
３，２０４ ヒューズ素子 ５，２０５ 第２層間絶縁膜 ６，６ａ，６ｂ，６ｎ，２０６ 第１メタル配線層 ７，７ａ，７ｂ，７ｎ，２０７ コンタクト孔 ８，１０，２１０，２１０ａ 第１メタルパッド ８ａ，８ｂ，２０８ 第１メタルガードリング ９，１１，２１１，２１１ａ 第２メタルパッド ９ａ，９ｂ，２０９ 第２メタルガードリング １２，２１２ 第３層間絶縁膜 １３，２１３ カバー膜 １４，１４ａ，２１４ 切断用開口部 １５，１６．２１５，２１５ａ ボンディング開口部 １７，１８ 共通開口部 １９ 基板 ２１ 層間絶縁膜 ２２ レーザー光 ２３ ハロゲンガス １０１ 多結晶シリコン配線層 １０２ 開孔部 １０４ ＢＰＳＧ膜の開孔部 １０５ アルミ配線層 １０６ アルミ層 １０７ パッシベーション膜の開孔部
３，２０４ ヒューズ素子 ５，２０５ 第２層間絶縁膜 ６，６ａ，６ｂ，６ｎ，２０６ 第１メタル配線層 ７，７ａ，７ｂ，７ｎ，２０７ コンタクト孔 ８，１０，２１０，２１０ａ 第１メタルパッド ８ａ，８ｂ，２０８ 第１メタルガードリング ９，１１，２１１，２１１ａ 第２メタルパッド ９ａ，９ｂ，２０９ 第２メタルガードリング １２，２１２ 第３層間絶縁膜 １３，２１３ カバー膜 １４，１４ａ，２１４ 切断用開口部 １５，１６．２１５，２１５ａ ボンディング開口部 １７，１８ 共通開口部 １９ 基板 ２１ 層間絶縁膜 ２２ レーザー光 ２３ ハロゲンガス １０１ 多結晶シリコン配線層 １０２ 開孔部 １０４ ＢＰＳＧ膜の開孔部 １０５ アルミ配線層 １０６ アルミ層 １０７ パッシベーション膜の開孔部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/82 H01L 21/822 H01L 27/04
Claims (10)
- 【請求項１】 エネルギービーム照射法により溶断する
ヒューズ素子を備えた半導体装置において、前記ヒュー
ズ素子上に層間絶縁膜が形成され、前記層間絶縁膜上の
ボンディングパッドと一体になるように形成されたガー
ドリング層が前記ヒューズ素子の周囲に前記層間絶縁膜
を介して設けられていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記ヒューズ素子が２つのボンディング
パッド間に形成され、前記ガードリング層が前記２つの
ボンディングパッドと一体になるように形成されている
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 前記ボンディングパッド上と前記ヒュー
ズ素子上とに跨る開口部が設けられ、前記開口部を通し
てボンディングパッドにボンディングワイヤが接続さ
れ、前記開口部を通してヒューズ素子が溶断されている
ことを特徴とする請求項１または請求項２記載の半導体
装置。 - 【請求項４】 前記ボンディングパッドとガードリング
層とがアルミ金属で構成されていることを特徴とする請
求項１、請求項２または請求項３記載の半導体装置。 - 【請求項５】 前記ヒューズ素子が多結晶シリコンで構
成されていることを特徴とする請求項１から請求項４の
うち１つの請求項に記載の半導体装置。 - 【請求項６】 前記ヒューズ素子が高融点金属あるいは
高融点金属のシリサイドで構成されていることを特徴と
する請求項１から請求項４のうち１つの請求項に記載の
半導体装置。 - 【請求項７】 前記ボンディングパッドを通して一定電
位が前記ガードリング層に印加されていることを特徴と
する請求項１から請求項６のうち１つの請求項に記載の
半導体装置。 - 【請求項８】 半導体装置に設けられたヒューズ素子の
切断において、ハロゲンガス雰囲気中で前記ヒューズ素
子にエネルギービームを照射し前記ヒューズを溶断する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項９】 前記請求項３記載の半導体装置のヒュー
ズ素子にハロゲンガス雰囲気中でエネルギービームを照
射し前記ヒューズを溶断することを特徴とする半導体装
置の製造方法。 - 【請求項１０】 前記ヒューズ素子が多結晶シリコン、
高融点金属あるいは高融点金属のシリサイドで構成さ
れ、前記ハロゲンガスがＣＦ4 、ＮＦ3 あるいはＳＦ6
であることを特徴とする請求項８または請求項９記載の
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33291099A JP3328249B2 (ja) | 1999-11-24 | 1999-11-24 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33291099A JP3328249B2 (ja) | 1999-11-24 | 1999-11-24 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001156173A JP2001156173A (ja) | 2001-06-08 |
| JP3328249B2 true JP3328249B2 (ja) | 2002-09-24 |
Family
ID=18260179
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33291099A Expired - Fee Related JP3328249B2 (ja) | 1999-11-24 | 1999-11-24 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3328249B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
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|---|---|---|---|---|
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| JP4812340B2 (ja) * | 2005-06-22 | 2011-11-09 | 株式会社リコー | 半導体装置 |
| KR101278526B1 (ko) | 2007-08-30 | 2013-06-25 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 및 그의 제조 방법, 및 이를 갖는 플립 칩패키지 및 그의 제조 방법 |
| JP5353035B2 (ja) * | 2008-03-17 | 2013-11-27 | 富士電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP5981260B2 (ja) * | 2011-09-30 | 2016-08-31 | エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 | 半導体装置 |
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-
1999
- 1999-11-24 JP JP33291099A patent/JP3328249B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JP2001156173A (ja) | 2001-06-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20020611 |
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