JP2012227421A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体記憶装置には、不良なメモリセルのアドレスを記憶するためのヒューズ素子120が配列されるヒューズ領域116が形成される。ヒューズ領域116のまわりにはガードリング118が形成され、ガードリング118はパッシベーション膜124によって覆われる。ただし、ヒューズ領域116の上のパッシベーション膜124には開口部126が設けられる。ガードリング118は、第1層128の第1リング134、第2層130の第2リング136および第3層132の第3リング138とそれらを接続する第1接続リング142、第2接続リング144を含む。ここで、第2リング136の下に第1リング134の非形成領域が確保されるように、第1リング134を第2リング136の内側に配置する。
【選択図】図6
Description
図2は一般構成例1におけるヒューズ領域116とその周縁の平面レイアウト図であり、図3は一般構成例1におけるヒューズ領域116とその周縁の断面図である。図3は、図2のA−Aで示す線に沿った半導体記憶装置100の断面を示している。また、図4は、一般構成例1におけるヒューズ領域116とガードリング118の周辺拡大図である。図2、3、4を参照しつつ一般構成例1について説明する。
図5は第1実施形態におけるヒューズ領域116とその周縁の平面レイアウト図であり、図6は第1実施形態におけるヒューズ領域116とその周縁の断面図である。図6は、図5のA−Aで示す線に沿った半導体記憶装置100の断面を示している。また、図7は、第1実施形態におけるヒューズ領域116とガードリング118の周辺拡大図である。図5、6、7を参照しつつ第1実施形態について説明する。
図8は、一般構成例2におけるヒューズ領域116とその周縁の断面図である。図8に示すガードリング118は、第1層128、第2層130、第3層132および第4層133の4層から構成される。第1層128、第2層130、第3層132、第4層133には、それぞれ第1リング134、第2リング136、第3リング138、第4リング140が形成される。パッシベーション膜124に充分な厚みがあれば4層以上の構成も可能である。
図9は第2実施形態におけるヒューズ領域116とその周縁の断面図である。図9に示すように、第2実施形態においては第2リング136と第3リング138が開口部126側に延伸している。第2リング136の内側において第1リング134が接続され、第3リング138の内側において第2リング136が接続される。図9の場合、第1接続リング142と第2接続リング144、第3接続リング146は、z軸方向に直列していない。いいかえれば、第1リング134、第2リング136、第3リング138、第4リング140、第1接続リング142、第2接続リング144は、第3接続リング146z軸方向に直列していない。第3リング138と第2リング136が、内側にせり出す構造となっているため、距離D1、D2が短縮される。
図10は、一般構成例3におけるヒューズ領域116とその周縁の断面図である。図10に示すガードリング118は、第1層128および第2層130という2つの層を含む。第1層128と第2層130には、それぞれ第1リング134と第2リング136が形成される。
図11は第3実施形態におけるヒューズ領域116とその周縁の断面図である。図11に示すように、第3実施形態においては第2リング136が開口部126側に延伸している。第2リング136の内側において第1リング134が接続される。第2リング136が、一般構成例3と比べて内側にせり出す構造となっているため、距離D1が短縮される。
Claims (8)
- 不良なメモリセルのアドレスを記憶するためのヒューズ素子が配列されるヒューズ領域と、
前記ヒューズ領域の周囲に形成されるリングであって、第1層に形成される第1リングと前記第1層よりも上の第2層に形成される第2リングを含むガードリングと、を備え、
前記第2リングの下に前記第1リングの非形成領域が確保されるように、前記第1リングを前記第2リングの内側に配置したことを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記第1層および第2層を覆い、前記ヒューズ領域の直上に開口部が設けられた保護膜、を更に備え、
前記ガードリングは、前記保護膜内における前記開口部の周縁に設けられることを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。 - 前記開口部は、下層側の開口面積よりも上層側の開口面積が大きいことを特徴とする請求項2に記載の半導体記憶装置。
- 前記ガードリングは、前記第2層よりも上の第3層に形成される第3リングを更に備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 前記第2リングは、前記第3リングよりも内側にせり出すように形成されることを特徴とする請求項4に記載の半導体記憶装置。
- 前記第3リングの下に前記第2リングの非形成領域を確保し、前記非形成領域に信号配線が形成されることを特徴とする請求項5に記載の半導体記憶装置。
- 前記第1層の前記非形成領域には、信号配線が形成されることを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 前記信号配線は、前記ヒューズ素子の接続状態を示す信号を伝搬するための配線であることを特徴とする請求項7に記載の半導体記憶装置。
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