JPS6112027A - レジストパタ−ン形成方法 - Google Patents
レジストパタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS6112027A JPS6112027A JP59132301A JP13230184A JPS6112027A JP S6112027 A JPS6112027 A JP S6112027A JP 59132301 A JP59132301 A JP 59132301A JP 13230184 A JP13230184 A JP 13230184A JP S6112027 A JPS6112027 A JP S6112027A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- pattern
- resist pattern
- difference
- irradiation amount
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、ラスタスキャン方式の電子ビーム露光方法を
用いたレジストパターン形成方法の改良に関する。
用いたレジストパターン形成方法の改良に関する。
近年、半導体ウェハやマスク基板等の試料上に微細なレ
ジストパターンを形成する方法として、各種の電子ビー
ム露光装置が提案されている。これらの装置のビームス
キャン方式は、ラスタスキャン方式とベクタスキャン方
式との２つに大別することができる。一般にはラスタス
キャン方式が広く用いられているが、この方式ではＸ方
向とＹ方向とでレジストが受ける総エネルギーに差があ
るため、精密なパターン形成上問題があった。
ジストパターンを形成する方法として、各種の電子ビー
ム露光装置が提案されている。これらの装置のビームス
キャン方式は、ラスタスキャン方式とベクタスキャン方
式との２つに大別することができる。一般にはラスタス
キャン方式が広く用いられているが、この方式ではＸ方
向とＹ方向とでレジストが受ける総エネルギーに差があ
るため、精密なパターン形成上問題があった。
上記問題を第５図及び第６図を参照して説明する。第５
図はビーム形状５１及びビーム強度分布５２を示す模式
図である。第６図は矩形パターンを上記ビームで露光し
たときのＸ方向及びＹ方向のレジストパターンプロファ
イルを示す模式図である。図中６１は円形のビームであ
り矩形パターンは、試料をＸ方向に連続移動しながら上
記ビームをＹ方向に走査して露光される。即ち、ビーム
走査範囲内でビームを端から端まで走査し、パターンの
部分でビームを照射する、所謂ラスタスキャン方式で露
光される。６２はビーム６１をスキャンしたときのＸ方
向（副走査方向）のビーム分布を示す。レジストが受け
る総エネルギーが大きいため、急峻なビーム分布を得る
ことができる。
図はビーム形状５１及びビーム強度分布５２を示す模式
図である。第６図は矩形パターンを上記ビームで露光し
たときのＸ方向及びＹ方向のレジストパターンプロファ
イルを示す模式図である。図中６１は円形のビームであ
り矩形パターンは、試料をＸ方向に連続移動しながら上
記ビームをＹ方向に走査して露光される。即ち、ビーム
走査範囲内でビームを端から端まで走査し、パターンの
部分でビームを照射する、所謂ラスタスキャン方式で露
光される。６２はビーム６１をスキャンしたときのＸ方
向（副走査方向）のビーム分布を示す。レジストが受け
る総エネルギーが大きいため、急峻なビーム分布を得る
ことができる。
６３はＹ方向（主走査方向）のビーム分布を示す。
レジストが受ける総エネルギーはＸ方向に比べＹ方向の
方が小さいため、緩やかなビーム分布になる。６４は現
像レベルを示す。６５はＸ方向のレジスト断面プロファ
イル、６６はＹ方向のレジスト断面プロファイルである
。
方が小さいため、緩やかなビーム分布になる。６４は現
像レベルを示す。６５はＸ方向のレジスト断面プロファ
イル、６６はＹ方向のレジスト断面プロファイルである
。
以上のように、ガウシアンビームでラスタスキャン方式
で露光した場合、Ｘ方向のビーム分布は急峻であるのに
対し、Ｙ方向のビーム分布は傾斜を持っているため、Ｘ
方向に比べＹ方向は現像が遅くなり、これがＸ−Ｙの寸
法差（Ｘｏ −ｙ口）として現れていた。さらに、レジ
ストパターンの断面形状もＸ方向に比べＹ方向は斜めに
形成されていた。
で露光した場合、Ｘ方向のビーム分布は急峻であるのに
対し、Ｙ方向のビーム分布は傾斜を持っているため、Ｘ
方向に比べＹ方向は現像が遅くなり、これがＸ−Ｙの寸
法差（Ｘｏ −ｙ口）として現れていた。さらに、レジ
ストパターンの断面形状もＸ方向に比べＹ方向は斜めに
形成されていた。
本発明の目的は、レジストパターンのＸ−Ｙ寸法差を極
めて小さくすることができ、且つレジストパターン断面
形状を略垂直に形成することができ、パターン加工精度
の向上に寄与し得るレジストパターン形成方法を提供す
ることにある。
めて小さくすることができ、且つレジストパターン断面
形状を略垂直に形成することができ、パターン加工精度
の向上に寄与し得るレジストパターン形成方法を提供す
ることにある。
本発明の骨子は、レジストを過剰露光することにより、
レジストパターンのＸ−Ｙ寸法差を小さくすることにあ
る。
レジストパターンのＸ−Ｙ寸法差を小さくすることにあ
る。
即ち本発明は、電子ビームをラスタスキャン方式で走査
し、試料上のレジス下を所望パターンに露光したのち、
該レジストを現像処理してレジストパターンを形成する
レジストパターン方法において、前記レジストを露光す
る際に、該レジストに電子ビームの最適照射量の１．５
〜２倍の照射量を与えるようにした方法である。
し、試料上のレジス下を所望パターンに露光したのち、
該レジストを現像処理してレジストパターンを形成する
レジストパターン方法において、前記レジストを露光す
る際に、該レジストに電子ビームの最適照射量の１．５
〜２倍の照射量を与えるようにした方法である。
ここで、上記ビーム照射量を最適照射量の１゜５倍以上
とした理由は、これよ！低いとＸ−Ｙ寸法差の低減効果
が小さいからである。また、ビーム照射量を最適照射量
の２倍以内とした理由は、これより高いとレジストパタ
ーンが設計パターンから大きくずれるためである。
とした理由は、これよ！低いとＸ−Ｙ寸法差の低減効果
が小さいからである。また、ビーム照射量を最適照射量
の２倍以内とした理由は、これより高いとレジストパタ
ーンが設計パターンから大きくずれるためである。
本発明によれば、レジストに与えるビーム照射量を最適
照射量の１．５〜２倍とすることにより、Ｙ方向（ラス
タスキャン方式の主走査方向）の寸法を僅かに大きくし
、Ｘ方向（ラスタスキャン方式の副走査方向）の寸法を
Ｙ方向の寸法増大よりも少なく極めて僅かに増大するこ
とができる。ここで、ビームをＹ′方向に走査（主走査
）するラスタスキャン方式では、一般にＸ方向の寸法の
方がＹ方向の寸法よりも大きく形成される。従って、上
記のようにビーム照射量を過剰とすることにより、Ｘ−
Ｙ寸法差を小さくすることができる。このため、パター
ン加工精度の向上をはかり得る。
照射量の１．５〜２倍とすることにより、Ｙ方向（ラス
タスキャン方式の主走査方向）の寸法を僅かに大きくし
、Ｘ方向（ラスタスキャン方式の副走査方向）の寸法を
Ｙ方向の寸法増大よりも少なく極めて僅かに増大するこ
とができる。ここで、ビームをＹ′方向に走査（主走査
）するラスタスキャン方式では、一般にＸ方向の寸法の
方がＹ方向の寸法よりも大きく形成される。従って、上
記のようにビーム照射量を過剰とすることにより、Ｘ−
Ｙ寸法差を小さくすることができる。このため、パター
ン加工精度の向上をはかり得る。
また、ビーム照射量を過剰とすることによって、レジス
トに照射されるビームの強度分布を急峻にすることがで
き、これによりレジスト断面形状を垂直に形成すること
が可能となる。
トに照射されるビームの強度分布を急峻にすることがで
き、これによりレジスト断面形状を垂直に形成すること
が可能となる。
まず、発明の詳細な説明する前に本発明方法の基本原理
について説明する。
について説明する。
第１図は矩形パターンをラスタスキャン方式で過剰露光
したときのＸ方向及びＹ方向のレジストパターンプロフ
ァイルを示す模式図である。図中１１は前記ビーム６１
と同様に円形ビームを示す。
したときのＸ方向及びＹ方向のレジストパターンプロフ
ァイルを示す模式図である。図中１１は前記ビーム６１
と同様に円形ビームを示す。
１２はビーム照射量を増加したときのＸ方向のビーム分
布、１３はビーム照射量を増加したときのＹ方向のビー
ム分布を示す。また、１４は前記現像レベル６４と同様
の現像レベルを示す。
布、１３はビーム照射量を増加したときのＹ方向のビー
ム分布を示す。また、１４は前記現像レベル６４と同様
の現像レベルを示す。
ビーム照射量を増加することにより高エネルギーが得ら
れるため、ビーム分布１２．１３の傾斜はＸ方向及びＹ
方向共急峻なビーム分布に近付く。
れるため、ビーム分布１２．１３の傾斜はＸ方向及びＹ
方向共急峻なビーム分布に近付く。
そして、ビーム照射量を増加したときのＸ方向における
ビーム分布の傾斜の差に対して、Ｙ々向の傾斜の差は大
きく変化する。このため、Ｘ方向のレジスト断面プロフ
ァイル１５は最適照射量における断面プロファイル６５
に比較して僅かに急峻なものとなり、打抜きパターンの
長さ×１は従来のそれＸＯよりΔＸだけ僅かに長くなる
。一方、Ｙ方向のレジスト断面プロファイル１６は最適
照射量における断５面プロファイル６６に比較して大幅
に急峻なものとなり、打抜きパターンの長さｙｌは従来
のそれＶｏよりΔｙだけ僅かに長くなる。
ビーム分布の傾斜の差に対して、Ｙ々向の傾斜の差は大
きく変化する。このため、Ｘ方向のレジスト断面プロフ
ァイル１５は最適照射量における断面プロファイル６５
に比較して僅かに急峻なものとなり、打抜きパターンの
長さ×１は従来のそれＸＯよりΔＸだけ僅かに長くなる
。一方、Ｙ方向のレジスト断面プロファイル１６は最適
照射量における断５面プロファイル６６に比較して大幅
に急峻なものとなり、打抜きパターンの長さｙｌは従来
のそれＶｏよりΔｙだけ僅かに長くなる。
ここで、Δｙ〉ΔＸであるから父−Ｙ寸法差（×１−Ｖ
ｌ）は従来のそれ（×ローｙｏ ）よりも小さいものと
なる。これにより、パターン加工精度の向上をはかり得
るのである。また、Ｘ方向及びＹ方向共にビーム分布の
傾斜が急峻なものとなるので、レジストパターン断面プ
ロファイルを垂直に近付けることが可能となるのである
。
ｌ）は従来のそれ（×ローｙｏ ）よりも小さいものと
なる。これにより、パターン加工精度の向上をはかり得
るのである。また、Ｘ方向及びＹ方向共にビーム分布の
傾斜が急峻なものとなるので、レジストパターン断面プ
ロファイルを垂直に近付けることが可能となるのである
。
以下、本発明の一実施例方法について説明する。
第２図（ａ）（ｂ）は同実施例方法を説明するための工
程断面図である。まず、第２図（ａ）に示す如＜Ｓｉ基
板２１上にＰＭＭＡ （ポリメチルメタクリレート）か
らなるレジスト２２を１［μｍ］厚さに塗布した。次い
で、加速電圧５０［ＫｅＶ］ 、ビーム照射量をそれぞ
れ５０［μｃ／ｃｄ］、８０［μｃ／ｄ］、１００［μ
Ｃ／ｉコとして、０．５［μｍ］のラインシスペースを
ラスタスキャン方式で露光した。なお、このラインシス
ペースのパターンについては、試料をＸ方向に連続移動
しながらビームをＹ方向に走査して、Ｘ方向に平行なも
の及びＹ方向に平行なものをそれぞれ露光した。その後
、現像液としてＩＡＡ（イソアミルアセテート）を用い
、第２図（ｂ）に示す如くレジストパターンを形成した
。ここで、Ｓはレジスト２２の打抜き寸法を示している
。
程断面図である。まず、第２図（ａ）に示す如＜Ｓｉ基
板２１上にＰＭＭＡ （ポリメチルメタクリレート）か
らなるレジスト２２を１［μｍ］厚さに塗布した。次い
で、加速電圧５０［ＫｅＶ］ 、ビーム照射量をそれぞ
れ５０［μｃ／ｃｄ］、８０［μｃ／ｄ］、１００［μ
Ｃ／ｉコとして、０．５［μｍ］のラインシスペースを
ラスタスキャン方式で露光した。なお、このラインシス
ペースのパターンについては、試料をＸ方向に連続移動
しながらビームをＹ方向に走査して、Ｘ方向に平行なも
の及びＹ方向に平行なものをそれぞれ露光した。その後
、現像液としてＩＡＡ（イソアミルアセテート）を用い
、第２図（ｂ）に示す如くレジストパターンを形成した
。ここで、Ｓはレジスト２２の打抜き寸法を示している
。
第３図は上記方法により形成されたレジストパターンの
打抜き寸法のＸ方向とＹ方向との寸法差を示している。
打抜き寸法のＸ方向とＹ方向との寸法差を示している。
ビーム照射量５゛Ｏ［μＣ／ａ＋Ｉ］ではＸ−Ｙ寸法差
は、Ｘ方向に比べＹ方向は−０゜１［μＴｒＬ］、即ち
設計パターンに対し−２０［％コであった。ここで、ビ
ーム照射量５０［μＣ／ｃＩｉ］は、一般に用いられる
最適照射量であり、第４図に示す如くレジストの未露光
部の残膜率が８０［％］となるまで現像したとき、残膜
率が零となる露光部の照射量である。
は、Ｘ方向に比べＹ方向は−０゜１［μＴｒＬ］、即ち
設計パターンに対し−２０［％コであった。ここで、ビ
ーム照射量５０［μＣ／ｃＩｉ］は、一般に用いられる
最適照射量であり、第４図に示す如くレジストの未露光
部の残膜率が８０［％］となるまで現像したとき、残膜
率が零となる露光部の照射量である。
一方、ビーム照射量８０［μｃ／ａｉ］ではＸ−Ｙ寸法
差は、Ｘ方向に比べＹ方向は−０，０５［μｍ］、即ち
設計パターンに対し−１０［％］であった。また、ビー
ム照射量１００［μＣ／ｃｄ］ではＸ−Ｙ寸法差は、Ｘ
方向に比べＹ方向は−０゜０１［μｍ］、即ち設計パタ
ーンに対し−２［％］と非常に小さ、く形成されている
。
差は、Ｘ方向に比べＹ方向は−０，０５［μｍ］、即ち
設計パターンに対し−１０［％］であった。また、ビー
ム照射量１００［μＣ／ｃｄ］ではＸ−Ｙ寸法差は、Ｘ
方向に比べＹ方向は−０゜０１［μｍ］、即ち設計パタ
ーンに対し−２［％］と非常に小さ、く形成されている
。
このように、ビーム照射量を最適照射量（５０μｃ／ｉ
）より大きくすることによって、Ｘ−Ｙ寸法差を小さく
することができる。但し、ビーム照射量の増大量が多過
ぎると打抜きパターンが設計パターンから大きくずれて
しまい、またビーム照射量の増大が少な過ぎるとＸ−Ｙ
寸法差の減少効果が小さい。本発明者等の実験によれば
、ビーム照射量を最適照射量の１．５倍以上とすｔｔ
Ｉｚ ｘ−Ｙ寸法差の減少効果が十分であり、２倍以下
とすれば設計パターンからのずれも無視できる程゛度で
あることが判明した。
）より大きくすることによって、Ｘ−Ｙ寸法差を小さく
することができる。但し、ビーム照射量の増大量が多過
ぎると打抜きパターンが設計パターンから大きくずれて
しまい、またビーム照射量の増大が少な過ぎるとＸ−Ｙ
寸法差の減少効果が小さい。本発明者等の実験によれば
、ビーム照射量を最適照射量の１．５倍以上とすｔｔ
Ｉｚ ｘ−Ｙ寸法差の減少効果が十分であり、２倍以下
とすれば設計パターンからのずれも無視できる程゛度で
あることが判明した。
かくして本実施例方法によれば、ラスタスキャン方式で
レジストパターンを形成する際に、Ｘ−Ｙ寸法差を小さ
くすることができ、パターン加工精度の向上をはかり得
る゛。また、電子ビームを過剰照射することにより、Ｘ
方向及びＹ方向でのビーム分布を急峻なものとすること
ができ、これによりレジストパターン断面プロファイル
が垂直に近付く等の利点がある。
レジストパターンを形成する際に、Ｘ−Ｙ寸法差を小さ
くすることができ、パターン加工精度の向上をはかり得
る゛。また、電子ビームを過剰照射することにより、Ｘ
方向及びＹ方向でのビーム分布を急峻なものとすること
ができ、これによりレジストパターン断面プロファイル
が垂直に近付く等の利点がある。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるも。
のではない。例えば、前記レジストはポジ型に限るもの
ではなく、ネガ型であってもよい。また、レジスト材料
及び現像液の種類等は、仕様に応じて適宜変更可能であ
る。さらに、ガウシアンビームに限らず、成形ビームに
適用することも可能である。また、試料を一方向に移動
しながら電子ビームをこれと直交する方向に走査する、
所謂ハイブリッドラスタスキャン方式に限らず、ビーム
走査範囲を端から端まで走査しパターンのある点でビー
ムを照射するラスタスキャン方式であれ１ｆ適用可岬で
ある。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々
変形して実施することができる。
ではなく、ネガ型であってもよい。また、レジスト材料
及び現像液の種類等は、仕様に応じて適宜変更可能であ
る。さらに、ガウシアンビームに限らず、成形ビームに
適用することも可能である。また、試料を一方向に移動
しながら電子ビームをこれと直交する方向に走査する、
所謂ハイブリッドラスタスキャン方式に限らず、ビーム
走査範囲を端から端まで走査しパターンのある点でビー
ムを照射するラスタスキャン方式であれ１ｆ適用可岬で
ある。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々
変形して実施することができる。
第１図は本発明の基本原理を説明するためのもので矩形
パターンをラスクスキャン方式で過剰露光したときのＸ
方向及びＹ方向のレジストパターンプロファイルを示す
模式図、第２図乃至第４図はそれぞれ本発明の一実施例
方法に係わるレジストパターン形成工程を説明するため
のもので第２図は工程断面図、第３図はビーム照射量に
対するＸ−Ｙ寸法差を示す特性図、第４図はビーム照射
量に対する残膜率を示す特性図、第５図及び第６図はそ
れぞれ従来の問題点を説明するためのもので第５図はガ
ウシアンビームの形状及びビーム強度分布を示す模式図
、第６図は矩形パターンを最適照射量で露光したときの
Ｘ方向及びＹ方向のレジストパターンプロファイルを示
す模式図である。 １１・・・電子ビーム、１２・・・Ｘ方向ビーム分布、
１３・・・Ｙ方向ビーム分布、１４・・・現像レベル、
１５・・・Ｘ方向レジスト断面プロファイル、１６・・
・Ｙ方向レジスト断面プロファイル、２１・・・Ｓ＋基
板、２２・・・レジスト。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 一−−−−ＡＱ Ｍ
パターンをラスクスキャン方式で過剰露光したときのＸ
方向及びＹ方向のレジストパターンプロファイルを示す
模式図、第２図乃至第４図はそれぞれ本発明の一実施例
方法に係わるレジストパターン形成工程を説明するため
のもので第２図は工程断面図、第３図はビーム照射量に
対するＸ−Ｙ寸法差を示す特性図、第４図はビーム照射
量に対する残膜率を示す特性図、第５図及び第６図はそ
れぞれ従来の問題点を説明するためのもので第５図はガ
ウシアンビームの形状及びビーム強度分布を示す模式図
、第６図は矩形パターンを最適照射量で露光したときの
Ｘ方向及びＹ方向のレジストパターンプロファイルを示
す模式図である。 １１・・・電子ビーム、１２・・・Ｘ方向ビーム分布、
１３・・・Ｙ方向ビーム分布、１４・・・現像レベル、
１５・・・Ｘ方向レジスト断面プロファイル、１６・・
・Ｙ方向レジスト断面プロファイル、２１・・・Ｓ＋基
板、２２・・・レジスト。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 一−−−−ＡＱ Ｍ
Claims (3)
- （１）電子ビームをラスタスキャン方式で走査し、試料
上のレジストを所望パターンに露光したのち、該レジス
トを現像処理してレジストパターンを形成する方法にお
いて、前記レジストを露光する際に、該レジストに電子
ビームの最適照射量の１．５〜２倍の照射量を与えるこ
とを特徴とするレジストパターン形成方法。 - （２）前記最適照射量を、レジストの未露光部の残膜率
が８０［％］となるところまで現像したとき、残膜率が
零となる露光部のビーム照射量と定義したことを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載のレジストパターン形成
方法。 - （３）前記試料は一方向に連続移動され、前記ビームは
この移動方向と直交する方向に走査されることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載のレジストパターン形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59132301A JPS6112027A (ja) | 1984-06-27 | 1984-06-27 | レジストパタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59132301A JPS6112027A (ja) | 1984-06-27 | 1984-06-27 | レジストパタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6112027A true JPS6112027A (ja) | 1986-01-20 |
Family
ID=15078093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59132301A Pending JPS6112027A (ja) | 1984-06-27 | 1984-06-27 | レジストパタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6112027A (ja) |
-
1984
- 1984-06-27 JP JP59132301A patent/JPS6112027A/ja active Pending
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