JPS62113423A - ネガ型レジストパタ−ンの形成方法 - Google Patents
ネガ型レジストパタ−ンの形成方法Info
- Publication number
- JPS62113423A JPS62113423A JP25396685A JP25396685A JPS62113423A JP S62113423 A JPS62113423 A JP S62113423A JP 25396685 A JP25396685 A JP 25396685A JP 25396685 A JP25396685 A JP 25396685A JP S62113423 A JPS62113423 A JP S62113423A
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- Japan
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- resist pattern
- resist film
- ion beam
- negative resist
- pattern
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体集積回路などの製造に用いられる微
細なネガ型レジストパターンを形成するためのネガ型レ
ジストパターンの形成方法に関するものである。
細なネガ型レジストパターンを形成するためのネガ型レ
ジストパターンの形成方法に関するものである。
第２図（ａ）〜（ｃ）は従来のネガ型レジストパターン
の形成方法における順次の工程を示す断面図であり、図
において、（１１は基板、（２）は基板＋１１上に形成
されたネガ型レジスト膜、（３）はネガ型レジスト膜（
２）に照射される荷電ビーム、（４）は上記ネガ型レジ
スト膜（２）のうちで荷電ビーム（３）により照射され
たレジスト膜部分、（５）は基板（１１上に形成された
ネガ型レジストパターンである。
の形成方法における順次の工程を示す断面図であり、図
において、（１１は基板、（２）は基板＋１１上に形成
されたネガ型レジスト膜、（３）はネガ型レジスト膜（
２）に照射される荷電ビーム、（４）は上記ネガ型レジ
スト膜（２）のうちで荷電ビーム（３）により照射され
たレジスト膜部分、（５）は基板（１１上に形成された
ネガ型レジストパターンである。
次に工程について説明する。まず、第２図（ａｌに示す
ように、基板（１）上にネガ型レジスト膜（２）をスピ
ンコード等の手段により形成する。この後、第２図ｔｂ
ｌに示すように、電子ビームまたはイオンビームからな
る荷電ビーム（３）を用いてレジストパターンを形成し
ようとする部分を選択的に照射し、レジストパターンに
対応して感光されたレジスト膜部分（４）を形成する。
ように、基板（１）上にネガ型レジスト膜（２）をスピ
ンコード等の手段により形成する。この後、第２図ｔｂ
ｌに示すように、電子ビームまたはイオンビームからな
る荷電ビーム（３）を用いてレジストパターンを形成し
ようとする部分を選択的に照射し、レジストパターンに
対応して感光されたレジスト膜部分（４）を形成する。
次に、現像液により現像処理を行うと、第２図（Ｃ１に
示すように、荷電ビーム（３）により照射されたレジス
ト膜部分（４）に対応してレジストパターン（５）が形
成される。
示すように、荷電ビーム（３）により照射されたレジス
ト膜部分（４）に対応してレジストパターン（５）が形
成される。
通常、レジストの露光には光がよく用いられるが、パタ
ーン幅が回路パターンの集積度の増加に伴って１μｍ以
下に微細化されると、上述の電子ビームまたはイオンビ
ームを用いるのが有利であ゛る。
ーン幅が回路パターンの集積度の増加に伴って１μｍ以
下に微細化されると、上述の電子ビームまたはイオンビ
ームを用いるのが有利であ゛る。
パターン幅が１μｍ以下と非常に微細になってくると、
パターン精度も非常に高いものが要求されるが、そのた
めにはレジストパターンの断面が長方形を呈し、その側
面が基板＋１１に垂直になる必要がある。
パターン精度も非常に高いものが要求されるが、そのた
めにはレジストパターンの断面が長方形を呈し、その側
面が基板＋１１に垂直になる必要がある。
従来のネガ型レジストパターンの形成方法は以上のよう
に構成されているので、例えばＨ，Ｎａｋａｔａ （ｔ
ｈＪ、 Ｖａｃ、 Ｓｃｉ、 Ｔｅｃｈｎｏｌ、 ｖｏ
ｌ、１９． ｌ’ｈ４＋ｐｐ、 １２４８〜１２５３
（１９８１） 、または、Ｙ、 ５ｕｚｕｋｉ他Ｊ、
Ｖａｃ、 Ｓｃｉ、 Ｔｅｃｈｎｏｌ、 Ｂ、 ｖｏｌ
、２． Ｎａ３゜ｐｐ、 ３０１〜３０５（１９８４）
にも記述されているように、第３図＋８）に示す感光さ
れたレジスト膜部分（４）は現像中に膨潤し、現像直後
のレジストパターン（５）は第３図（ｂ）に示すように
感光されたレジスト膜部分（４）の大きさく４ａ）に比
べて−回り大きな形状になり、リンスおよび乾燥後は再
び収縮するために第３図（Ｃ１に示すように断面が台形
状のレジストパターン（６）になってしまうという問題
点があった。
に構成されているので、例えばＨ，Ｎａｋａｔａ （ｔ
ｈＪ、 Ｖａｃ、 Ｓｃｉ、 Ｔｅｃｈｎｏｌ、 ｖｏ
ｌ、１９． ｌ’ｈ４＋ｐｐ、 １２４８〜１２５３
（１９８１） 、または、Ｙ、 ５ｕｚｕｋｉ他Ｊ、
Ｖａｃ、 Ｓｃｉ、 Ｔｅｃｈｎｏｌ、 Ｂ、 ｖｏｌ
、２． Ｎａ３゜ｐｐ、 ３０１〜３０５（１９８４）
にも記述されているように、第３図＋８）に示す感光さ
れたレジスト膜部分（４）は現像中に膨潤し、現像直後
のレジストパターン（５）は第３図（ｂ）に示すように
感光されたレジスト膜部分（４）の大きさく４ａ）に比
べて−回り大きな形状になり、リンスおよび乾燥後は再
び収縮するために第３図（Ｃ１に示すように断面が台形
状のレジストパターン（６）になってしまうという問題
点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、長方形の断面形状を持つネガ型レジストパタ
ーンを形成し、高精度に下地を加工することができるネ
ガ型レジストパターンの形成方法を得ることを目的とす
る。
たもので、長方形の断面形状を持つネガ型レジストパタ
ーンを形成し、高精度に下地を加工することができるネ
ガ型レジストパターンの形成方法を得ることを目的とす
る。
この発明に係るネガ型レジストパターンの形成方法は、
レジスト膜厚に等しいかもしくはやや小さい飛程を持つ
荷電ビームを照射することによってパターン形成部を露
光した後に現像を行うことにより、長方形の断面形状を
持つネガ型レジストパターンを形成するものである。
レジスト膜厚に等しいかもしくはやや小さい飛程を持つ
荷電ビームを照射することによってパターン形成部を露
光した後に現像を行うことにより、長方形の断面形状を
持つネガ型レジストパターンを形成するものである。
この発明におけるネガ型レジスト膜のパターン形成部を
そのネガ型レジスト内での飛程がネガ型レジスト膜の膜
厚に等しいかもしくはやや小さい飛程を持つ荷電ビーム
によって選択的に照射して感光せしめる工程は、現像直
後に断面Ｕ字状のレジストパターンが得られるようにす
ることにより、リンスおよび乾燥後に長方形の断面形状
を持つネガ型レジストパターンを形成することを可能に
する。
そのネガ型レジスト内での飛程がネガ型レジスト膜の膜
厚に等しいかもしくはやや小さい飛程を持つ荷電ビーム
によって選択的に照射して感光せしめる工程は、現像直
後に断面Ｕ字状のレジストパターンが得られるようにす
ることにより、リンスおよび乾燥後に長方形の断面形状
を持つネガ型レジストパターンを形成することを可能に
する。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図（ａ）〜（ｄｌにおいて、（１）は基板、（２）は基
板（１１の上に形成されたネガ型レジスト膜、（３）は
ネガ型レジスト膜（２）の膜厚に等しいかもしくはやや
小さい飛程を持つイオンビーム、（４）は上記イオンビ
ーム（３）に照射され感光されたレジスト膜部分、（５
ａ）は現像直後のレジストパターン、（５ｂ）はリンス
および乾燥後に形成されたレジストパターンである。
図（ａ）〜（ｄｌにおいて、（１）は基板、（２）は基
板（１１の上に形成されたネガ型レジスト膜、（３）は
ネガ型レジスト膜（２）の膜厚に等しいかもしくはやや
小さい飛程を持つイオンビーム、（４）は上記イオンビ
ーム（３）に照射され感光されたレジスト膜部分、（５
ａ）は現像直後のレジストパターン、（５ｂ）はリンス
および乾燥後に形成されたレジストパターンである。
次に工程について説明する。まず、第１図ｔａ＋に述す
ように基＠ｔ１）上にスピンコード等の手段によ゛リネ
ガ型レジスト膜（２）を形成し、次に第１図中）に示す
ようにレジストパターンを形成すべき部分を選択的にイ
オンビーム（３）により照射し、断面Ｕ字状に感光され
たレジスト膜部分（４）を形成する。
ように基＠ｔ１）上にスピンコード等の手段によ゛リネ
ガ型レジスト膜（２）を形成し、次に第１図中）に示す
ようにレジストパターンを形成すべき部分を選択的にイ
オンビーム（３）により照射し、断面Ｕ字状に感光され
たレジスト膜部分（４）を形成する。
−例として、ネガ型レジスト膜（２）の膜厚を０．７μ
ｍとし、イ、オンビーム（３）として２００ｋｅＶのシ
リコンイオンビーム（レジスト中での飛程約０．６μｍ
）を使用する。この場合、イオンビーム（３）によって
感光されたレジスト膜部分（４）は、第１図Ｔｂｌに示
すようにその底部が丸くなっており、かつその底部は基
板（１１とほぼ接するような状態になっている。
ｍとし、イ、オンビーム（３）として２００ｋｅＶのシ
リコンイオンビーム（レジスト中での飛程約０．６μｍ
）を使用する。この場合、イオンビーム（３）によって
感光されたレジスト膜部分（４）は、第１図Ｔｂｌに示
すようにその底部が丸くなっており、かつその底部は基
板（１１とほぼ接するような状態になっている。
この後、現像液により現像処理を行うと、第１図１ｃ）
に示すように現像直後のレジストパターン（５ａ）は、
イオンビーム（３）により照射され感光されたレジスト
膜部分（４）に比べて膨潤した断面Ｕ字状のレジストパ
ターンとなる。したがって、現像終了後にリンスおよび
乾燥を行うと、従来のネガ型レジストパターンの形成方
法の場合と同様にレジストは収縮するのであるが、元の
ネガ型レジストパターン（５ａ）がＵ字形の断面形状を
なしているために収縮したネガ型レジストパターン（５
ｂ）の断面形状は第１図（ｄｌに示すように長方形状に
なり、その側面が基板（１１の上面と垂直になる。
に示すように現像直後のレジストパターン（５ａ）は、
イオンビーム（３）により照射され感光されたレジスト
膜部分（４）に比べて膨潤した断面Ｕ字状のレジストパ
ターンとなる。したがって、現像終了後にリンスおよび
乾燥を行うと、従来のネガ型レジストパターンの形成方
法の場合と同様にレジストは収縮するのであるが、元の
ネガ型レジストパターン（５ａ）がＵ字形の断面形状を
なしているために収縮したネガ型レジストパターン（５
ｂ）の断面形状は第１図（ｄｌに示すように長方形状に
なり、その側面が基板（１１の上面と垂直になる。
なお、上記実施例においては、荷電ビームとしてイオン
ビームを使用したが電子ビームを使用してもよい。
ビームを使用したが電子ビームを使用してもよい。
以上のように、この発明によれば、レジスト膜の膜厚に
等しいかもしくはやや小さい飛程の荷電ビームを用いて
ネガ型レジストを感光しＵ字形の断面形状のレジストパ
ターンを形成するようにしたので、現像以降の処理によ
りレジストの膨潤および収縮が生じても基板に垂直な側
面を有する断面長方形のネガ型レジストパターンを形成
でき、パターン寸法が１μｍ以下に微細になっても高精
度に下地加工を行うことができるネガ型レジストパター
ンの形成方法が得られる効果がある。
等しいかもしくはやや小さい飛程の荷電ビームを用いて
ネガ型レジストを感光しＵ字形の断面形状のレジストパ
ターンを形成するようにしたので、現像以降の処理によ
りレジストの膨潤および収縮が生じても基板に垂直な側
面を有する断面長方形のネガ型レジストパターンを形成
でき、パターン寸法が１μｍ以下に微細になっても高精
度に下地加工を行うことができるネガ型レジストパター
ンの形成方法が得られる効果がある。
第１図ｆ８）〜ｆｄｌは本発明の一実施例によるネガ型
レジストパターンの形成方法の順次の工程を示す断面図
、第２図（ａｌ〜（Ｃ）は従来のネガ型レジストパター
ンの形成方法の順次の工程を示す断面図、第３図（ａｌ
〜（Ｃ１は従来のネガ型レジストパターンの形成方法に
おける問題点を説明するための断面図である。 （１）は基板、（２）はネガ型レジスト膜、（３）はイ
オンビーム、（４）はレジスト膜部分、（５ａ）は現像
直後のネガ型レジストパターン、（５ｂ）はリンスおよ
び乾。 燥後に形成されたネガ型レジストパターン。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
レジストパターンの形成方法の順次の工程を示す断面図
、第２図（ａｌ〜（Ｃ）は従来のネガ型レジストパター
ンの形成方法の順次の工程を示す断面図、第３図（ａｌ
〜（Ｃ１は従来のネガ型レジストパターンの形成方法に
おける問題点を説明するための断面図である。 （１）は基板、（２）はネガ型レジスト膜、（３）はイ
オンビーム、（４）はレジスト膜部分、（５ａ）は現像
直後のネガ型レジストパターン、（５ｂ）はリンスおよ
び乾。 燥後に形成されたネガ型レジストパターン。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）ネガ型レジスト膜を基板上に形成する工程と、上
記ネガ型レジスト膜のパターン形成部をそのネガ型レジ
スト内での飛程が上記ネガ型レジスト膜の膜厚に等しい
かもしくはやや小さい飛程を持つ荷電ビームによって選
択的に照射して感光せしめる工程と、現像剤により上記
ネガ型レジスト膜を現像する工程とを含むことを特徴と
するネガ型レジストパターンの形成方法。 - （２）上記荷電ビームとしてイオンビームを用いるよう
にしたことを特徴とする特許請求範囲第１項記載のネガ
型レジストパターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25396685A JPS62113423A (ja) | 1985-11-12 | 1985-11-12 | ネガ型レジストパタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25396685A JPS62113423A (ja) | 1985-11-12 | 1985-11-12 | ネガ型レジストパタ−ンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62113423A true JPS62113423A (ja) | 1987-05-25 |
Family
ID=17258417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25396685A Pending JPS62113423A (ja) | 1985-11-12 | 1985-11-12 | ネガ型レジストパタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62113423A (ja) |
-
1985
- 1985-11-12 JP JP25396685A patent/JPS62113423A/ja active Pending
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