JPS63296340A - 微細パタ−ンの形成方法 - Google Patents
微細パタ−ンの形成方法Info
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- JPS63296340A JPS63296340A JP13245987A JP13245987A JPS63296340A JP S63296340 A JPS63296340 A JP S63296340A JP 13245987 A JP13245987 A JP 13245987A JP 13245987 A JP13245987 A JP 13245987A JP S63296340 A JPS63296340 A JP S63296340A
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- JP
- Japan
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- pattern
- electron beam
- corner parts
- irradiated
- formation
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- Pending
Links
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title claims 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 abstract description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体素子の製造工程、特に電子ビームなど荷
電粒子ビームを用いてレジストなどの感応性物質上に回
路パターンを形成するリングラフィ工程において、微細
なパターンを形成する方法に関する。
電粒子ビームを用いてレジストなどの感応性物質上に回
路パターンを形成するリングラフィ工程において、微細
なパターンを形成する方法に関する。
従来の技術
従来、半導体装置などを形成する場合には、光。
電子ビーム、X線、イオン線などを用いて、半導体基板
上に形成されたレジストなどの感応性物質上に回路パタ
ーンが、描画形成される。
上に形成されたレジストなどの感応性物質上に回路パタ
ーンが、描画形成される。
第2図に電子ビーム露光装置を使用した場合のパターン
形成方法を示す。
形成方法を示す。
この電子ビーム露光装置において電子ビームは、可変成
型ビームであり、矩形パターンを形成する場合には、第
2図aに示すように矩形パターン10をいくつかのシ四
ツ)12と呼ばれる微少な矩形に分割して描画が行なわ
れる。
型ビームであり、矩形パターンを形成する場合には、第
2図aに示すように矩形パターン10をいくつかのシ四
ツ)12と呼ばれる微少な矩形に分割して描画が行なわ
れる。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、このよう碌パターン形成方法ではパター
ンのコーナ部分でのパターン精度が十分でなく、丸みを
帯びるという問題がある。
ンのコーナ部分でのパターン精度が十分でなく、丸みを
帯びるという問題がある。
すなわち、第2図すに示すように、電子ビームのエネル
ギー分布が周辺部分で傾斜をもつ。このため第2図Cに
示すようにコーナ部分に電子ビームが照射された後現像
処理を行なうと、コーナ部分が丸みを帯びたパターン1
4となる。
ギー分布が周辺部分で傾斜をもつ。このため第2図Cに
示すようにコーナ部分に電子ビームが照射された後現像
処理を行なうと、コーナ部分が丸みを帯びたパターン1
4となる。
問題点を解決するための手段
本発明はこのような従来例の問題点を解決するために、
パターンのコーナ部分での照射量を他の部分よりも多く
したものである。
パターンのコーナ部分での照射量を他の部分よりも多く
したものである。
作 用
本発明は前記した構成のパターン形成方法により、現像
後のパターンはコーナ部分での丸みが低減され、容易に
パターン精度を向上させることができる。
後のパターンはコーナ部分での丸みが低減され、容易に
パターン精度を向上させることができる。
実施例
以下に本発明の実施例のいくつかを図面を用いて詳細に
説明する。
説明する。
第1図は本発明によるパターン形成方法を説明するだめ
の図であり、矩形電子ビーム11を用いて、回路パター
ン1oを形成するものとする。
の図であり、矩形電子ビーム11を用いて、回路パター
ン1oを形成するものとする。
第1図aは本発明の第1の実施例を説明するための図で
ちゃ、図の斜線で示したコーナ部分の照射量を他の部分
よりも多く照射する。
ちゃ、図の斜線で示したコーナ部分の照射量を他の部分
よりも多く照射する。
第2の実施例としては、第1の実施例の説明図第1図a
を用いて説明する。第1図aの斜線で示したコーナ部分
のみを重ね合せて照射することによりコーナ部分の照射
量を他の部分よりも多くすることができる。
を用いて説明する。第1図aの斜線で示したコーナ部分
のみを重ね合せて照射することによりコーナ部分の照射
量を他の部分よりも多くすることができる。
第1図すは本発明の第3の実施例を説明するための図で
あり、第2の実施例と異なるところは、重ね合せて照射
するビームを三角形のビーム13としたものである。
あり、第2の実施例と異なるところは、重ね合せて照射
するビームを三角形のビーム13としたものである。
以上の3つの実施例で電子ビームを照射後現像処理を施
せばコーナ部分での照射量が高いために、コーナ部分で
の丸みを防ぐことが出来る。
せばコーナ部分での照射量が高いために、コーナ部分で
の丸みを防ぐことが出来る。
本実施例においては荷電粒子ビームとして電子ビームを
用いて説明したが、他のX線やイオンビームなどの荷電
粒子ビームを用いてもよい。
用いて説明したが、他のX線やイオンビームなどの荷電
粒子ビームを用いてもよい。
発明の詳細
な説明;−だように、本発明によれば簡単な構成により
パターン精度の良好なパターンを形成することができる
。
パターン精度の良好なパターンを形成することができる
。
第1図は本発明の微細パターンの形成方法を示すための
図、第2図は従来例のパターン形成方法を示すだめの図
である。 1o・・・・・・回路パターン、11・・・・・・矩形
ビーム、12・・・・・・ショット、13・・・・・・
三角形ビーム、14・・・・・・現像後パターン0 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名山〕
図、第2図は従来例のパターン形成方法を示すだめの図
である。 1o・・・・・・回路パターン、11・・・・・・矩形
ビーム、12・・・・・・ショット、13・・・・・・
三角形ビーム、14・・・・・・現像後パターン0 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名山〕
Claims (1)
- 荷電粒子ビームをレジスト等の感応性物質に照射しなが
ら走査させて描画パターンを形成する際に、描画パター
ンのコーナでの照射量を他の部分よりも多くしたことを
特徴とする微細パターンの形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13245987A JPS63296340A (ja) | 1987-05-28 | 1987-05-28 | 微細パタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13245987A JPS63296340A (ja) | 1987-05-28 | 1987-05-28 | 微細パタ−ンの形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63296340A true JPS63296340A (ja) | 1988-12-02 |
Family
ID=15081856
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13245987A Pending JPS63296340A (ja) | 1987-05-28 | 1987-05-28 | 微細パタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63296340A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02186620A (ja) * | 1989-01-13 | 1990-07-20 | Toshiba Corp | 電子ビーム描画によるパターン形成方法 |
-
1987
- 1987-05-28 JP JP13245987A patent/JPS63296340A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02186620A (ja) * | 1989-01-13 | 1990-07-20 | Toshiba Corp | 電子ビーム描画によるパターン形成方法 |
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