JPS63280419A - 電子ビ−ム露光方法 - Google Patents
電子ビ−ム露光方法Info
- Publication number
- JPS63280419A JPS63280419A JP11354887A JP11354887A JPS63280419A JP S63280419 A JPS63280419 A JP S63280419A JP 11354887 A JP11354887 A JP 11354887A JP 11354887 A JP11354887 A JP 11354887A JP S63280419 A JPS63280419 A JP S63280419A
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- JP
- Japan
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- pattern
- small
- exposure
- region
- exposed
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- Pending
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000008685 targeting Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
電子ビームを使用しパターン描画する場合に、小なるパ
ターンから順次優先的に露光してレジスト°へのチャー
ジアップを防止しながら露光する。
ターンから順次優先的に露光してレジスト°へのチャー
ジアップを防止しながら露光する。
本発明は露光方法、特に電子ビーム（ＥＢ）を用い試料
上のレジストを露光する場合に、レジストに電荷が蓄積
されそれによって露光精度がｙ５響を受けることのない
ように露光する方法に関する。
上のレジストを露光する場合に、レジストに電荷が蓄積
されそれによって露光精度がｙ５響を受けることのない
ように露光する方法に関する。
（従来の技術〕
ＩＥＢ装置を使用して露光をする場合、第２図に示す通
りチップの露光領域２１の全面をある決められた大きさ
のサブフィールド２２に区切り、さらにその中をＥＢ２
３をふりながら矢印Ｉに示す経路でステップ・アンド・
リピートによって露光してゆく。
りチップの露光領域２１の全面をある決められた大きさ
のサブフィールド２２に区切り、さらにその中をＥＢ２
３をふりながら矢印Ｉに示す経路でステップ・アンド・
リピートによって露光してゆく。
電子ビームは図示しない電子銃から出される電子を磁気
レンズ系を用いてビームとなし、試料（例えばウェハ）
上に塗布されたレジストに照射する。
レンズ系を用いてビームとなし、試料（例えばウェハ）
上に塗布されたレジストに照射する。
この場合、サブフィールド内にどんなパターンがあるに
せよ、例えば最上部の最も左のサブフィールドから矢印
■に示す如くサブフィールドをステップ・アンド・リピ
ートさせながらサブフィールド内を露光し、そして全面
の露光を完了する。
せよ、例えば最上部の最も左のサブフィールドから矢印
■に示す如くサブフィールドをステップ・アンド・リピ
ートさせながらサブフィールド内を露光し、そして全面
の露光を完了する。
この場合、露光面積が大きければ大きい程、レジストへ
のチャージアップは強く、従来の方法ではパターンの大
小に関係な（露光しているので、小さなパターンを露光
する時には大パターン露光のチャージアップの影響を受
はパターンがゆがんだり位置ずれを起したりする問題が
ある。
のチャージアップは強く、従来の方法ではパターンの大
小に関係な（露光しているので、小さなパターンを露光
する時には大パターン露光のチャージアップの影響を受
はパターンがゆがんだり位置ずれを起したりする問題が
ある。
第３図を参照して上記をより具体的に説明すると、一つ
のサブフィールド２２に４個の大パターン２４と１個の
小パターン２５とがある場合でも、露光は大パターン２
４→大パターン２４→小パターン２５→大パターン２４
−大パターン２４の順に■、■０１．■で示す如くなさ
れる。このとき、ＥＢがレジストに照射されるとレジス
トに電荷が蓄積され、大パターン２４の間に一つの電界
が作られる。大パターン２４のＥＢ前照射後に小パター
ン２５をＥＢ前照射るときに、ＥＢが前記した電界の影
響によって直進しなくなり、パターン２５は位置ずれし
て露光され、パターン２５は現実には斜線を付して示す
如くに描画される。
のサブフィールド２２に４個の大パターン２４と１個の
小パターン２５とがある場合でも、露光は大パターン２
４→大パターン２４→小パターン２５→大パターン２４
−大パターン２４の順に■、■０１．■で示す如くなさ
れる。このとき、ＥＢがレジストに照射されるとレジス
トに電荷が蓄積され、大パターン２４の間に一つの電界
が作られる。大パターン２４のＥＢ前照射後に小パター
ン２５をＥＢ前照射るときに、ＥＢが前記した電界の影
響によって直進しなくなり、パターン２５は位置ずれし
て露光され、パターン２５は現実には斜線を付して示す
如くに描画される。
さらには、第４図に示される如く同じ寸法のパターン２
６ａ、 ２６ｂ、、、、が互い違いに上下に、すなわち
パターン２６ａ、 ２６ｃ、 ２６ｅは高く、パターン
２６ｂ。
６ａ、 ２６ｂ、、、、が互い違いに上下に、すなわち
パターン２６ａ、 ２６ｃ、 ２６ｅは高く、パターン
２６ｂ。
２６ｄ、 ２６ｆは低く配置されているとき、従来は■
。
。
■０３０．■の順に露光してきた。その結果、パターン
２６ａと２６ｃの部分のレジストにチャージアップが発
生し、それらの間に作られる電界によってパターン２６
ｂを描画するとき、現実には点線に示すパターンが描画
される。
２６ａと２６ｃの部分のレジストにチャージアップが発
生し、それらの間に作られる電界によってパターン２６
ｂを描画するとき、現実には点線に示すパターンが描画
される。
このように現実に描画されるパターンに位置ずれが発生
すると、最終的に形成される素子が設計したものとは違
う不良品になったり、特性が悪影響を受ける問題がある
。
すると、最終的に形成される素子が設計したものとは違
う不良品になったり、特性が悪影響を受ける問題がある
。
本発明はこのような点に鑑みて創作されたもので、ＥＢ
露光において、チャージアップの発生が抑えられた露光
方法を提供することを目的とする。
露光において、チャージアップの発生が抑えられた露光
方法を提供することを目的とする。
第１図は本発明実施例の図で、図中、１１はサブフィー
ルド、１２は小パターン、１３は大パターン、１４は小
パターン領域、１５は大パターン領域である。
ルド、１２は小パターン、１３は大パターン、１４は小
パターン領域、１５は大パターン領域である。
本発明の方法においては、小パターン１２と大パターン
１３をそれぞれ検知し、次いで小パターン１２を含む小
パターン領域１４、大パターンを含む領域１５の順に電
子ビーム（ＥＢ）で露光する。
１３をそれぞれ検知し、次いで小パターン１２を含む小
パターン領域１４、大パターンを含む領域１５の順に電
子ビーム（ＥＢ）で露光する。
上記の方法において、サブフィールドのステップ・アン
ド・リピートによる露光は原則とするが、露光データを
計算機処理により露光面積の小さなものから順に並び代
え、実際に露光するときは露光エリア全面において露光
面積の小さなものから順に露光を行っていく。この露光
方法ならばチャージアップの少ないものからプリントし
ていくことになるので、パターンに対して悪影響は与え
ない。
ド・リピートによる露光は原則とするが、露光データを
計算機処理により露光面積の小さなものから順に並び代
え、実際に露光するときは露光エリア全面において露光
面積の小さなものから順に露光を行っていく。この露光
方法ならばチャージアップの少ないものからプリントし
ていくことになるので、パターンに対して悪影響は与え
ない。
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。
。
本発明の一実施例（第１図（ａ））においては、露光デ
ータを電算機処理し、一つのサブフィールド１１におい
て小パターン１２については小パターン領域１４を、ま
た大パターン１３に対しては大パターン領域１５を設定
し、露光面積の小なるものから並び代える。ここで、大
パターン領域の大きさに差があれば、露光順序は小なる
領域を次々に優先させて順々に露光する。この方法によ
ると、チャージアップの少ない領域から順にチャージア
ップの大なる領域へと露光してゆくのであるから、チャ
ージアップの与える影響は最小に抑えられる。
ータを電算機処理し、一つのサブフィールド１１におい
て小パターン１２については小パターン領域１４を、ま
た大パターン１３に対しては大パターン領域１５を設定
し、露光面積の小なるものから並び代える。ここで、大
パターン領域の大きさに差があれば、露光順序は小なる
領域を次々に優先させて順々に露光する。この方法によ
ると、チャージアップの少ない領域から順にチャージア
ップの大なる領域へと露光してゆくのであるから、チャ
ージアップの与える影響は最小に抑えられる。
上記したサブフィールドごとの方法の変型例としては、
第２図に示した露光領域２１全体にわたって前記した処
理をなし、小なるパターンの存在する小パターン領域か
ら順により大なるパターンを包含する大パターン領域へ
と露光するもので、この方法によるときは従来の同一寸
法のサブフィールドに代えて大小異なった各種のサブフ
ィールドが存在することになる。
第２図に示した露光領域２１全体にわたって前記した処
理をなし、小なるパターンの存在する小パターン領域か
ら順により大なるパターンを包含する大パターン領域へ
と露光するもので、この方法によるときは従来の同一寸
法のサブフィールドに代えて大小異なった各種のサブフ
ィールドが存在することになる。
いずれの方法もステップ・アンド・リピートしながら露
光させるから、飛び飛びにステップ・アンド・リピート
することに従来例に比べ若干時間がかかるが、パターン
描画の精度が上昇することの利点が大であるので、僅か
の時間の差のもつ意義は大きくない。しかも、従来例に
比べ、上記二つの方法のいずれも、露光そのものに要す
る時間には変りがないから、上記二つの方法で長くなる
時間は僅かである。
光させるから、飛び飛びにステップ・アンド・リピート
することに従来例に比べ若干時間がかかるが、パターン
描画の精度が上昇することの利点が大であるので、僅か
の時間の差のもつ意義は大きくない。しかも、従来例に
比べ、上記二つの方法のいずれも、露光そのものに要す
る時間には変りがないから、上記二つの方法で長くなる
時間は僅かである。
本発明の応用例は第１図（ｂｌに示され、この例による
と、第４図に示した如きパターンの描画において、サブ
フィールドを隣接する二つのパターンが順に露光される
如くに設定し、先行するパターンの露光におけるチャー
ジアップが次に露光されるパターンの露光に影響しない
ようにする。同図を参照すると、同じ寸法のパターン１
６が上下の順に配列されているとき、下方位置のパター
ンの上部を直角に横切る線１７をサブフィールドの一つ
の辺とし、パターン１６の下部を辺１７に平行に延びる
線１８をサブフィールドの他の辺とし、先ず辺１７の上
方部分を露光し、次に辺１７と１８で囲まれる領域を露
光し、以下この順に露光する。この方法によると、最初
のサブフィールド１９Ａが露光され、そこにチャージア
ップが発生しても、その隣のサブフィールド１９Ｂには
まだチャージアップが発生していないから、サブフィー
ルド１９Ａと１９８との間にはまだ電界が作られていな
い。それ故に、サブフィールド１９Ｂを露光するときＥ
Ｂはなんらの影響も受けることなく直進してパターン１
６を正確に描画し、以下順にサブフィールド１９Ｇ、
１９０．、、、の順に露光するのですべてのパターン１
６が正確に描画されることになる。
と、第４図に示した如きパターンの描画において、サブ
フィールドを隣接する二つのパターンが順に露光される
如くに設定し、先行するパターンの露光におけるチャー
ジアップが次に露光されるパターンの露光に影響しない
ようにする。同図を参照すると、同じ寸法のパターン１
６が上下の順に配列されているとき、下方位置のパター
ンの上部を直角に横切る線１７をサブフィールドの一つ
の辺とし、パターン１６の下部を辺１７に平行に延びる
線１８をサブフィールドの他の辺とし、先ず辺１７の上
方部分を露光し、次に辺１７と１８で囲まれる領域を露
光し、以下この順に露光する。この方法によると、最初
のサブフィールド１９Ａが露光され、そこにチャージア
ップが発生しても、その隣のサブフィールド１９Ｂには
まだチャージアップが発生していないから、サブフィー
ルド１９Ａと１９８との間にはまだ電界が作られていな
い。それ故に、サブフィールド１９Ｂを露光するときＥ
Ｂはなんらの影響も受けることなく直進してパターン１
６を正確に描画し、以下順にサブフィールド１９Ｇ、
１９０．、、、の順に露光するのですべてのパターン１
６が正確に描画されることになる。
以上述べてきたように本発明によれば、ＥＢ露光におい
て発生するレジストのチャージアップの影響が最小に抑
えられ、露光精度の向上に有効である。
て発生するレジストのチャージアップの影響が最小に抑
えられ、露光精度の向上に有効である。
第１図（ａ）は本発明実施例の図、第１図（ｂ）は本発
明応用例の図、 第２図はＥＢｉ光方決方法す図、 第３図と第４図は従来例の問題点を示す図である。 第１図において、 １１はサブフィールド、 １２は小パターン、 １３は大パターン、 １４は小パターン領域、 １５は大パターン領域である。 代理人 弁理士 久木元 彰 復代理人 弁理士 大 菅 義 之 本鵞明欠に伊１の圀 Ａ延Ｍ４日月メ（・用例めロコ 第１図（ｂ） ＥＢ蕗尤方范を元才ｍ 第２図 ’４４ ＃’ｌ ／ｌ ｐノ１８ 点、 ｔ ｙｒ、ｔ
ａ第３図 状来伊１−間Ｒｉ−＊ホオ圀 第４図
明応用例の図、 第２図はＥＢｉ光方決方法す図、 第３図と第４図は従来例の問題点を示す図である。 第１図において、 １１はサブフィールド、 １２は小パターン、 １３は大パターン、 １４は小パターン領域、 １５は大パターン領域である。 代理人 弁理士 久木元 彰 復代理人 弁理士 大 菅 義 之 本鵞明欠に伊１の圀 Ａ延Ｍ４日月メ（・用例めロコ 第１図（ｂ） ＥＢ蕗尤方范を元才ｍ 第２図 ’４４ ＃’ｌ ／ｌ ｐノ１８ 点、 ｔ ｙｒ、ｔ
ａ第３図 状来伊１−間Ｒｉ−＊ホオ圀 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 マスクの小パターン（１２）と大パターン（１３）とそ
れぞれ検知し、 小パターンを含む小パターン領域（１４）から順により
大なるパターンを含む大パターン領域（１５）へと小パ
ターンを優先させて露光することを特徴とする電子ビー
ム露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11354887A JPS63280419A (ja) | 1987-05-12 | 1987-05-12 | 電子ビ−ム露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11354887A JPS63280419A (ja) | 1987-05-12 | 1987-05-12 | 電子ビ−ム露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63280419A true JPS63280419A (ja) | 1988-11-17 |
Family
ID=14615095
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11354887A Pending JPS63280419A (ja) | 1987-05-12 | 1987-05-12 | 電子ビ−ム露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63280419A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02187450A (ja) * | 1989-01-13 | 1990-07-23 | Mitsubishi Petrochem Co Ltd | 延伸テープ |
| KR100376347B1 (ko) * | 1999-09-07 | 2003-03-17 | 엔이씨 일렉트로닉스 코포레이션 | 전자 빔 노광에 의한 소자 패턴의 이미지 형성방법 |
-
1987
- 1987-05-12 JP JP11354887A patent/JPS63280419A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02187450A (ja) * | 1989-01-13 | 1990-07-23 | Mitsubishi Petrochem Co Ltd | 延伸テープ |
| KR100376347B1 (ko) * | 1999-09-07 | 2003-03-17 | 엔이씨 일렉트로닉스 코포레이션 | 전자 빔 노광에 의한 소자 패턴의 이미지 형성방법 |
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