KR100307566B1 - 차아지빔 묘화장치 및 묘화방법 - Google Patents

차아지빔 묘화장치 및 묘화방법

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Abstract

노광될 레지스트가 도포된 표면을 갖는 웨이퍼 (1) 가 소정의 위치에 우선 배치된다. 웨이퍼 (1) 의 위치와 상기 레지스트를 노광하기 위해 조사된 전자빔 (2) 의 조사위치 양자가 정렬된다.
다음, 제품화될 칩이 형성될 웨이퍼 (1) 의 칩 영역 (1a) 으로 전자빔 (2) 을 조사함으로써 칩 영역 (1a) 을 노광시킨다.
다음으로, 칩 영역 (1a) 의 주변에 배치되고, 제품화되지 않을 불완전한 칩이 형성되어 있는 주변영역 (1b) 을, 칩 영역 (1a) 을 노광시킬 때의 전자빔 (2) 의 조사위치 정확도보다는 낮은 정확도로, 그리고 칩영역 (1a) 을 노광시킬 때의 노광량 보다는 적은 노광량으로 설정하여, 전자빔 (2) 으로 노광한다.
노광후에, 전자빔이 조사된 웨이퍼 (1) 는 소정의 위치로부터 제거된다.

Description

차아지빔 묘화장치 및 묘화방법{CHARGED BEAM DRAWING APPARATUS AND METHOD THEREOF}
본 발명은 차아지빔 묘화장치 및 묘화방법에 관한 것이다.
최근에, 반도체 장치는 그의 복잡한 구성으로 인해, 차아지빔(예를 들어, 전자빔) 이 웨이퍼 상에 도포된 레지스트를 노광하기 위해 사용되고 있다.
웨이퍼가 칩 사이즈의 다수의 부분으로 분할될 때, 상기 웨이퍼의 표면은 제품화된 칩 (디바이스칩) 이 형성되는 칩영역과 (형태의 불완전함으로 인해 제품화되지 않을) 주변칩이 형성되는 주변영역을 포함한다.
하나의 주변칩의 영역은 디바이스 칩 보다 작은 영역을 갖는다. 그러므로, 만일 전자빔이, 칩영역과 동일한 노광 데이터를 기초로하여 주변영역으로 조사되면, 전자빔은 웨이퍼를 유지하기 위한 웨이퍼 홀더로 조사될 가능성이 있을 수도 있다.
만일 전자빔이 웨이퍼 홀더로 조사되면, 소량의 유기물질로 구성된 오일 미스트(oil mist) 가 웨이퍼 홀더 상에 인쇄되고, 그 후 절연막이 웨이퍼 홀더 상에형성된다. 그런 절연막은, 전자빔을 다음의 웨이퍼 상으로 조사할 때, 특히 주변영역을 노광할 때 차아지된다. 절연막의 차아지는 전자빔의 드리프트를 발생시킨다. 전자빔의 조사위치가 드리프트되면, 전자빔의 조사위치가 적절한 위치로부터 벗어나게 된다. 그러므로, 레지스트의 노광영역은 적절한 위치로부터 또한 벗어나게 되어서 레지스트가 정확하지 않게 패턴되게 된다.
일본특개평 제 8-51052 호에는 상기의 문제점을 극복하기 위한 기술이 개시되어 있다. 특개평 제 8-51052 호에 개시된 기술에 따르면, 주변칩은 가장 작은 다수의 영역으로 분할되어져서, 주변영역을 노광할 때, 그 영역으로 전자빔이 조사될 수 있도록 되어 있다. 전자빔은 웨이퍼 홀더로는 조사되지 않고, 주변 영역으로만 조사되도록 제어된다. 주변영역의 노광시에는, 포지티브형 레지스트가 웨이퍼 상에 도포된 후, 전자빔이 전체 주변 영역으로 조사되고, 주변 영역으로부터 레지스트를 제거한다.
그러나, 특개평 제 8-51052 호에 개시된 기술에서는, 다음과 같은 문제점을 발견하였다.
주변영역에 형성된 주변칩은 제품화될 수 없기 때문에, 주변영역을 노광할 때의 조사위치 정확도의 정도와 노광량의 정도는 칩영역을 노광할 때보다 낮을 수도 있다.
그러나, 상술된 기술에 따르면, 웨이퍼 홀더보다는 주변칩으로 전자빔이 조사되도록 하기 위하여 다수의 작은 영역으로 분할되기만 할 뿐이다. 그러므로, 전력이 비경제적으로 소비되며, 제품화될 반도체 장치의 처리량이 낮다는 점에 문제가 있다.
상기와 같이 주변영역 상의 레지스트가 제거된다면, 칩영역 내에 형성된 레지스트의 측벽이 노광된다. 그런 후, 레지스트가 주변영역으로부터 제거된 후 실행된 에칭에서, 칩영역 내에 형성된 레지스트의 측벽이 에칭될 수도 있다.
칩영역 내에 형성된 레지스트의 측벽이 상술된 것처럼 불필요하게 에칭된다면, 제품화될 반도체 장치의 수율이 낮아질 수도 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 낮은 소비전력으로 작동할 수 있는 차아지빔 묘화장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 제품화된 반도체 장치의 높은 처리량을 실현할 수 있는 차아지빔 묘화방법을 제공하는 것이다.
그의 또 다른 목적은 제품화될 반도체 장치의 높은 수율을 실현할 수 있는 차아지빔 묘화방법을 제공하는 것이다.
상술된 목적으로 얻기 위하여, 본 발명의 제 1 의 측면에 따르면,
노광될 레지스트가 도포된 표면을 갖는 웨이퍼 상으로 조사될 차아지빔 (2) 을 방출하는 파티클 소오스 (23) 와,
각각이 차아지빔이 통과할 수 있는 개구를 갖는 소정수의 마스크 (24,26) 와,
차아지빔 (2) 의 수렴의 정도를 변화하고 차아지빔의 직진방향을 변화시키는 하나 이상의 렌즈 (25, 26, 27) 와.
파티클 소오스 (23) 와 마스크 (24,26), 혹은 상기 렌즈들 (25,27,28) 중 적어도 어느 하나를 제어함으로써, 차아지빔 (2) 의 소정의 조사위치 정확성과 소정의 노광량으로 차아지빔 (2) 을 웨이퍼 (1) 로 조사하는 컨트롤러 (30) 를 구비하며,
상기 컨트롤러 (30) 는, 제품화될 디바이스칩을 포함하는 칩영역 (1a) 의 주변에 위치되며, 제품화되지 않는 불완전 주변칩이 형성되는 주변영역 (1b) 을 노광할 때의 차아지빔 (2) 조사 위치의 정확도가, 웨이퍼 (1) 의 칩영역 (1a) 를 노광할 때의 조사 위치의 정확도 보다는 낮게 설정하여, 차아지빔 (2) 을 웨이퍼 (1) 상의 주변영역으로 조사하는 차아지빔 묘화장치를 제공한다.
본 발명에 따르면, 웨이퍼 상에 도포된 레지스트를 노광하기 위한 노광시간은 종래 기술에 따라서 레지스트를 노광하기 위한 노광시간보다 단축될 수 있다. 예를들어, 렌즈(전자기 렌즈) 의 작동을 안정화시키는데 다소의 시간 소비가 발생되는 경우에는, 매 샷(shot) 마다 렌즈가 안정화할 때까지 기다려야한다. 칩영역과 동일한 정확도로 주변영역을 노광할 필요가 없다면, 차아지빔의 조사위치의 정확도를 보다 낮게 설정함으로써 단축된 노광시간이 실현될 수 있다.
컨트롤러 (30) 는, 칩영역 (1a) 을 노광할 때의 노광량보다 적은 노광량으로 주변영역 (1b) 을 차아지빔 (2) 으로 조사할 수도 있다.
컨트롤러 (30) 는
마스크 (24,26) 혹은 렌즈들 (25,27,28) 중 적어도 어느 하나를 제어함으로써 차아지빔 (2) 의 사이즈를 제어하고,
차아지빔 (2) 의 사이즈를 확장함으로써, 칩영역 (1a) 을 노광할 때의 노광량보다, 주변영역 (1b) 을 노광할 때의 노광량을 적게 설정할 수도 있다.
차아지빔 (2) 의 소정의 조사위치 정확성을 유지하기 위하여, 렌즈 (25,27,28) 의 상태를 안정화시키기 위한 대기 시간이 경과된 후에, 컨트롤러 (30) 는, 차아지빔 (2) 을 웨이퍼 (1) 로 조사할 수도 있다.
주변영역 (1b) 을 노광할 때 렌즈 (25,27,28) 의 상태를 안정화시키기 위한 대기 시간은, 칩영역 (1a) 를 노광할 때의 렌즈 (25,27,28) 의 상태를 안정화시키기 위한 시간보다 단축될 수 있다.
컨트롤러 (30) 는, 렌즈 (25,27,28) 를 제어함으로써, 주변영역 (1b) 으로 차아지빔 (2) 을 조사하면서 주변영역 (1b) 를 주사할 수도 있다.
이렇게 함으로써, 차아지빔 (2) 의 조사가 시작된 후에, 주변영역 (1b) 을 노광할 때 렌즈 (25,27,28) 의 상태를 안정화시키기 위한 대기 시간은 실질적으로 제로가 될 수 있다.
파티클 소오스 (23) 는 차아지빔으로서 전자빔 (2)을 방출할 수도 있다.
본 발명의 제 2 측면에 따르면, 차아지빔 묘화방법은,
노광될 레지스트가 도포되는 표면을 갖는 웨이퍼 (1) 를 소정의 위치에 정렬하는 단계와,
차아지빔 (2) 을 웨이퍼 (1) 상으로 조사함으로써, 소정의 조사위치 정확도와 소정의 노광량으로 레지스트를 노광하는 단계를 구비하며,
상기 노광은, 웨이퍼 (1) 의 칩영역 (1a) 를 노광할 때의 차아지빔 (2) 의조사위치 정확도 보다, 제품화될 디바이스 칩을 포함하는 칩영역 (1a) 의 주변에 배치되며 제품화되지 않는 불완전한 주변칩이 형성되는 주변영역 (1b) 을 노광할 때의 차아지빔 (2) 의 조사위치 정확도를 낮게 설정하여, 웨이퍼 (1) 의 주변영역 (1b) 으로 차아지빔 (2) 을 조사하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따르면, 단축된 노광시간은 주변영역에서 차아지빔의 조사위치 정확도를 낮춤으로서 실현할 수 있다.
차아지빔 (2) 을 조사하는 단계는,
칩영역 (1a) 을 노광할 때의 노광량보다 주변영역 (1b) 를 노광할 때의 노광량을 적게 설정하면서 주변영역 (1b) 으로 차아지빔 (2) 을 조사하는 단계를 구비한다.
차아지빔 (2) 을 조사하는 단계는
차아지빔 (2) 의 사이즈를 제어하는 단계와,
차아지빔 (2) 의 사이즈를 확장함으로써, 칩영역 (1a) 을 노광할 때의 노광량보다 주변영역 (1b) 을 노광할 때의 노광량을 적게 설정하는 단계를 구비한다.
차아지빔 (2) 을 조사하는 단계는, 소정의 조사위치 정확도를 유지하기 위하여, 차아지빔의 조사위치를 안정화시키기 위한 대기 시간이 경과한 후에, 웨이퍼 (1) 상으로 차아지빔 (2) 을 조사하는 단계를 구비할 수도 있다.
주변영역 (1b) 을 노광할 때의 차아지빔 (2) 의 조사위치를 안정화시키기 위한 대기 시간은, 칩영역 (1a) 을 노광할 때의 차아지빔 (2) 의 조사위치를 안정화시키기 위한 대기 시간 보다 단축할 수도 있다.
차아지빔 (2) 을 조사하는 단계는 주변영역 (1b) 상으로 차아지빔 (2) 을 조사면서 주변영역 (1b) 을 주사하는 단계를 포함할 수도 있다.
적어도 주변영역 (1b) 에 형성된 레지스트는 네가티브형일 수도 있다.
노광하는 단계는 칩영역 (1a) 의 단부로부터 소정의 폭으로 연장한, 주변영역 (1b) 내의 영역으로 차아지빔 (2) 을 조사하는 단계를 포함할 수도 있다.
차아지빔 (2) 을 조사하는 단계는 차아지빔으로서 전자빔 (2) 을 조사하는 단계를 포함할 수도 있다.
본 발명의 상기된 목적, 그밖의 목적 및 장점은 다음의 상세한 설명과 첨부된 도면에 의해 좀 더 명확하게 될 것이다.
도 1 은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전자빔 묘화장치를 보여주는 구조 다이어그램이다.
도 2 는 도 1 에 도시된 컨트롤러와 묘화기를 도시한 구조 다이어그램이다.
도 3 은 웨이퍼 상에 조사된 전자량과 제 1 마스크와 제 2 마스트의 상대 위치를 도시하는 개략도이다.
도 4 는 전자빔의 사이즈를 변화할 때 노광된 조사 영역을 도시하는 다이어그램이다.
도 5 는 웨이퍼 표면으로 제품화된 칩이 형성된 웨이퍼 표면의 칩영역과 제품화되지 않을 불완전한 칩이 형성되어 있는 웨이퍼 표면의 주변영역을 도시하는 다이어그램이다.
도 6 은 도 1 에 도시된 전자빔 묘화장치의 작동을 도시하는 플로우차트이다.
도 7a 는 칩영역을 노광하기 위한 과정을 도시하는 다이어그램이다.
도 7b 는 주변영역을 노광하기 위한 과정을 도시하는 다이어그램이다.
도 8 은 주변영역을 노광하고 칩영역을 노광하기에 필요한 준비시간 사이의비교를 보여주는 다이어그램이다.
도 9a 및 도 9b 는 주변영역 내의 노광영역을 각각 예시하는 다이어그램이다.
도 10 은 칩영역과 주변영역 모두를 동일한 정확도로 노광할 때의 전자빔 묘화장치의 작동을 도시하는 플로우차트이다.
첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 제 1 실시예에 따르는 전자빔 묘화장치를 설명할 것이다.
도 1 은 본 발명의 제 1 실시예에 따르는 전자빔 묘화장치를 도시하는 구조 다이어그램이다.
도 1 에 도시된 바와 같이, 전자빔은 운반기 (10), 묘화기 (20) 및 컨트롤러 (30) 를 구비한다.
운반기 (10) 는 레지스트가 도포된 표면을 갖는 웨이퍼를 묘화기 (20) 위로 올려놓을수 있도록 흡수판을 갖는 아암을 포함한다. 운반기 (10) 는 묘화기 (20) 로부터 웨이퍼를 내려놓는다.
묘화기 (20) 는 전자빔을 웨이퍼 상으로 조사함으로써 웨이퍼 상의 레지스트를 노광한다.
컨트롤러 (30) 는 컴퓨터 등을 구비하며 기록매체로부터 제공된 데이터 혹은 네트워크를 경유하여 전송된 데이터를 기초로하여 묘화기 (20) 의 작동을 제어한다.
도 2 는 컨트롤러 (30) 와 묘화기 (20) 를 도시하는 구조 다이어그램이다.
도 2 에 도시된 바와같이, 묘화기 (20) 는 운반게이트 (carry gate : 21), 스테이지 (22), 전자원 (23), 제 1 마스크 (24), 방사 렌즈 (25), 제 2 마스크 (26), 수렴렌즈 (27) 및 대물렌즈 (28) 를 구비한다.
운반게이트 (21) 는 웨이퍼 (1) 를 안으로 밖으로 이동하기 위한 통로이다.
스테이지 (22) 는 웨이퍼 (1) 가 배치된 스테이지이다.
전자원 (23) 은 열음극 또는 냉음극을 구비하며, 전자빔 (2) 을 방출한다.
제 1 마스크 (24) 는 전자빔 (2) 이 통과하는 개구를 갖는 금속판이며, 전자원 (23) 으로부터 전자량을 제한한다.
방사렌즈 (25) 는 편광코일 등을 각각 포함하는 편광자들이며, 제 1 마스크 (24) 를 통과하는 전자의 직진방향을 변화시킨다.
제 2 마스크 (26) 는 전자빔 (2) 통과하는 개구를 갖는 금속판이며, 방사렌즈 (25) 에 의해서 변화된 직진방향의 전자량을 제한한다. 제 2 마스크 (26) 의 개구의 사이즈는 제 1 마스크 (24) 의 개구의 사이즈와 동일하거나 혹은 더 작다.
수렴렌즈 (27) 는 전자석 등을 각각 포함하는 수렴장치이며 제 2 마스크(26) 를 통과하는 전자빔 (2) 의 수렴의 정도를 변화시킨다.
각각의 대물렌즈 (28) 는 전자석 등을 구비하며 전자빔 (2) 을 수렴한다.
컨트롤러 (30) 는 도 2 에 도시된 바와 같이 다수의 기능을 갖는다. 특히, 컨트롤러 (30) 는 전자원 컨트롤러 (31), 제 1 마스크 컨트롤러 (32), 방사렌즈 컨트롤러 (33), 제 2 마스크 컨트롤러 (34), 수렴렌즈 컨트롤러 (35) 및 대물렌즈 컨트롤러 (36) 로서 작용한다.
전자원 컨트롤러 (31) 로서의 컨트롤러 (30) 는 전자원 (23) 의 전극에 전압을 인가함으로써 전자빔 (2) 을 방출한다.
제 1 마스크 (32) 로서의 컨트롤러 (30) 는, 예를 들어, 각 묘화마다, 제 1 마스크 (24) 의 위치를 변화시킴으로써 제 1 마스크 (24) 를 통과하는 전자량을 제어한다.
방사렌즈 컨트롤러 (33) 로서의 컨트롤러 (30) 는 예를 들어, 방사렌즈 (25) 로 흐르는 전류의 사이즈를 변화시킴으로써, 제 1 마스크 (24) 를 통과하는 전자의 직진방향을 변화시킨다.
제 2 마스크 컨트롤러 (34) 로서의 컨트롤러 (30) 는, 예를 들어 각 제조 로트(lot) 에서 제 2 마스크 (26) 의 위치를 변화시킴으로서 제 2 마스크 (26) 를 통과하는 전자량을 제어한다. 즉, 웨이퍼 (1) 상으로 조사된 전자량은 제 1 마스크 (24) 와 제 2 마스크 (26) 의 상대위치에 따라서 제어된다.
도 3 은 제 1 마스크 (24) 와 제 2 마스크 (26) 사이의 위치 관계와 웨이퍼 (1) 상에 조사된 전자량을 도시하는 개략도이다.
도 3 에 도시된 바와 같이, 제 1 마스크 (24) 의 개구 (24a) 를 통과한 전자는 제 2 마스크 (26) 에 도달한다. 제 2 마스크 (26) 에 도달하여 제 2 마스크 (26) 의 개구 (26a) 에 도달한 전자는 제 2 마스크 (26) 를 통과한다. 즉, 전자가 도달된 제 2 마스크 (26) 의 영역 (24b) 과 개구 (26a) 가 오버랩되는 영역 (41) 에 도달한 전자들만이 웨이퍼 (1) 상으로 조사된다. 도 3 에서, 직선으로 그려진 부분이 영역 41 을 나타낸다.
따라서, 컨트롤러 (30) 는, 제 1 마스크 (24) 와 제 2 마스크 (26) 의 상대위치를 제어함으로써, 웨이퍼 (1) 상으로 조사된 전자량을 쉽게 제어할 수 있다. 영역 41 의 최대 사이즈는 개구 (26a) 의 사이즈와 일치한다.
더욱이, 컨트롤러 (30) 는 제 1 마스크 (24) 와 제 2 마스크 (26) 의 상대 위치를 제어함으로써, 전자빔 (2) 의 사각형 형태를 제어한다.
수렴렌즈 컨트롤러 (35) 로서의 컨트롤러 (30) 는 예를들어, 수렴렌즈 (27) 로 흐르는 전류의 사이즈를 변화시킴으로써 전자빔 (2) 의 수렴을 제어한다.
대물렌즈 컨트롤러 (36) 로서의 컨트롤러 (30) 는 예를들어, 대물렌즈 (28) 로 흐르는 전류의 사이즈를 제어함으로써 전자빔 (2) 을 수렴시킨다.
컨트롤러 (30) 는 제 1 마스크 (24), 제 2 마스크 (26) 및 수렴렌즈 (27) 등을 제어함으로써 전자빔 (2) 의 사이즈를 변화시킨다. 컨트롤러 (30) 는, 전자빔 (2) 의 사이즈를 변화시키고 그 영역을 주사함으로써, 전자가 조사되는 영역의 폭을 제어한다. 특히, 전자의 조사 영역의 폭이 3 개의 폭으로 제어되는 경우에는, 예를들어, 컨트롤러 (30) 는 조사영역을 주사하기 위한 조사영역의 폭에 따라서 전자빔 (2) 의 사이즈를 3 개의 사이즈로 변화시킨다.
예를들어, 도 4 에 도시된 사다리꼴의 묘화영역을 노광하는 경우에는, 컨트롤러 (30) 는, 큰 사이즈의 전자빔 (2) 으로 묘화영역을 주사함으로써, 우선, 도 4 에 도시된 최대폭 영역 (42a) 을 노광한다. 그런 후, 컨트롤러 (30) 는 전자빔 (2) 의 사이즈를 축소하여 중간폭 영역 (42b) 을 노광하도록 중간폭 영역 (42b) 을 주사한다. 컨트롤러 (30) 는 전자빔 (2) 의 사이즈를 또한 축소하여, 도 4 에 도시된 최소폭 영역 (42c) 을 노광하도록, 최소폭 영역 (42c) 을 주사한다. 따라서, 컨트롤러 (30) 는, 전자빔 (2) 의 사이즈를 계속적으로 감소시킴으로써 다양한 형태의 영역을 노광할 수 있다.
상술된 구조를 갖는 전자빔 묘화장치의 작동이 다음에 설명될 것이다. 전자빔 묘화장치가 전자빔 (2) 을 조사하는 웨이퍼 (1) 표면은 도 5 에 도시된 바아같이 형성된다.
도 5 에 도시된 것처럼, 웨잎 (1) 는 제품화될 칩 (디바이스 칩) 이 형성될 영역 (칩영역 (1)) 과 제품화되지 않는 불완전한 칩 (주변칩) 이 형성된 영역 (주변영역 (1b)) 을 포함한다. 도 5 에서, 직선으로 그어진 부분이 칩영역 (1a) 을 나타낸다.
도 6 은 상기 장치가 웨이퍼 (1) 의 일부분을 노광할 때 전자빔 묘화장치의 작동을 설명하기 위한 플로우차트이다.
우선, 운반기 (10) 가, 레지스트가 도포된 표면을 갖는 웨이퍼 (1) 를 묘화기 (20) 로 올려놓고, 스테이지 (22) 상에 웨이퍼 (1) 를 배치한다 (단계 S1).네가티브 혹은 포지티브형 레지스트 중 어느 하나를 그 목적에 따라서 사용할 수 있다.
컨트롤러 (30) 는 웨이퍼 (1) 의 위치와 제 1 마스크 (24) 및 제 2 마스크 (26) 의 위치를 조정한다 (단계 S2).
이어서, 컨트롤러 (30) 는, 제 1 마스크 (24), 방사렌즈 (25), 제 2 마스크 (26), 수렴렌즈 (27) 및 대물렌즈 (28) 를 제어함으로써, 웨이퍼 (1) 의 칩영역을 아래의 기재된 방법으로 노광한다 (단계 S3).
도 7a 는 칩영역 (1a) 을 노광하는 과정을 도시하는 다이어그램이다. 도 7a 에서, 직선으로 그어진 부분은 전자빔 (2) 의 조사 영역을 나타낸다.
도 7a 에 설명된 것처럼, 하나의 디바이스 칩은 예를 들어 다수의 메인영역 (51) 으로 분할된다. 각각의 메인영역 (51) 은 다수의 서브영역 (52) 으로 분할되면, 이들 각각도 또한 다수의 서브서브영역 (53) 으로 분할된다. 예를들어, 메인영역 (51) 의 사이즈는 모든 사이드가 5,000 ㎛ 이며(5,000 ㎛), 서브영역 (52) 의 사이즈는 모든 사이드가 500 ㎛ 인 (500 ㎛) 반면에, 서브서브 영역 (53) 의 사이즈는 모든 사이드가 5㎛ (5㎛) 이다. 서브서브영역 (53) 의 사이즈는 제 2 마스크 (26) 의 개구 (26a) 의 사이즈와 일치한다.
컨트롤러 (30) 는 우선 전자빔 (2) 을 서브서브영역 (53) 의 대응하는 하나로 조사한다. 특히, 컨트롤러 (30) 는 전자빔 (2) 의 조사영역의 사이즈를, 제 1 마스크 (24) 와 제 2 마스크 (26) 등을 제어함으로써 제어하며, 전자빔 (2) 을서브서브영역 (53) 내의 소정의 영역으로 조사한다. 컨트롤러 (30) 는 전자빔 (2) 의 위치를, 방사렌즈 (25), 수렴렌즈 (27) 및 대물렌즈 (28) 를 제어함으로써 제어된다. 그런 후, 컨트롤러 (30) 는 전자빔 (2) 을 동일한 서브서브영역 (53) 내의 다음번의 소정의 영역으로 조사한다.
상술된 작동을 반복할 때, 컨트롤러 (30) 는 하나의 서브서브영역 (53) 을 노광하여 소정의 패턴 (전극의 패턴 혹은 디바이스 칩을 형성하기 위한 배선) 을 기재하도록 한다. 칩영역(1a) 상에, 전자빔 (2) 이 전극 혹은 배선의 소정의 패턴을 묘화하도록 조사되며, 전자빔 (2) 의 조사영역이 모든 샷마다 적절한 위치로부터 편향되거나 혹은 서로 오버랩되는 것을 방지하기 위하여, 컨트롤러 (30) 는 전자빔 (2) 의 노광량과 방출 위치를 제어한다. 배선 혹은 전극은 다양한 폭을 가지고 있기 때문에, 하나의 샷으로 전극 혹은 배선 등의 패턴을 묘화하도록 서브서브영역 (53) 을 노광하는 것은 불가능하다. 특히, 컨트롤러 (30) 는, 예를 들어, 제 1 마스크 (24), 제 2 마스크 (26), 방사렌즈 (25), 수렴렌즈 (27) 및 대물렌즈 (28) 를 제어함으로써, 배선 혹은 전극의 폭이 변화할 때마다, 전자빔 (2) 의 사이즈를 변화시키도록 되어 있다.
컨트롤러 (30) 는 서브서브영역 (53) 을 노광한 후에, 전자빔 (2) 을 소정의 패턴으로 동일한 서브영역 (52) 내에 있는 다음의 서브서브 영역 (53) 으로 조사한다.
유사하게, 하나의 서브영역 (52) 내의 전체 서브서브영역 (53) 이 노광된 후에, 컨트롤러 (30) 는, 상술된 과정을 따라서 하나의 단일 메인영역 (51) 내의 다음의 서브영역 (52) 으로 전자빔 (20 을 조사한다.
하나의 메인영역 (51) 내의 전체 서브영역 (52) 이 노광된 후에, 컨트롤러 (30) 는 상술된 것처럼, 전자빔 (2) 을 다음의 메인영역 (51) 으로 조사한다.
상술된 방법에서, 컨트롤러 (30) 는 연속적인 순서로 칩영역 (1a) 내의 메인영역 (51) 을 노광한다.
따라서, 칩영역 (1a) 이 상기와 같이 노광된 후에, 컨트롤러 (30) 는 제 1 마스크 (24), 방사렌즈 (25), 제 2 마스크 (26), 수렴렌즈 (27) 및 대물렌즈 (28) 를 제어하고, 전자빔 (2) 을 상기된 방법으로 주변영역으로 조사한다(단계 S4).
컨트롤러 (30) 는 전자빔 (2) 을 칩영역 (1a) 으로 조사하여서, 상술된 것처럼, 배선 혹은 전극의 패턴을 묘화하기 때문에, 높은 정확도를 가지고 전자빔 (2)의 노광량과 방출 위치를 제어할 필요가 있다. 주변영역 (1b) 은 칩영역 (1a) 내에 형성된 레지스트의 벽을 보호하기 위한 목적으로 노광된다. 그런 후, 주변영역 (1b) 에서는, 높은 정확도로 전자빔 (2) 의 노광량 및 방출 위치를 제어할 필요가 없다. 특히, 노광량은 레지스트가 노광될 수 있는 최소량으로 설정될 수도 있으며, 전자빔 (2) 의 조사영역은 칩영역 (1a) 을 침해하지 않도록 제어될 수도 있다.
도 7b 는 주변영역 (1b) 를 노광하기 위한 과정을 도시하는 다이어그램이다. 도 7b 에서, 직선으로 그어진 영역이 전자빔 (2)의 조사영역을 나타내고 있다.
도 7b 에 도시된 바와 같이, 주변영역 (1b) 이 노광될 때에도, 상기 영역은 다수의 메인영역 (51), 서브영역 (52) 및 서브서브영역 (53) 으로 분할된다.
컨트롤러 (30) 는 우선 서브서브영역 (53) 의 대응하는 하나로 전자빔 (2) 을 조사한다. 주변영역 (1b) 은 임의의 배선 혹은 전극을 포함하지 않기 때문에. 조사영역의 폭은 일정하게 즉, 전자빔 (2) 의 사이즈가 일정하게 유지되도록 설정될 수도 있다. 그런 후, 컨트롤러 (30) 는 도 7b 내에 도시된 것처럼, 맨 끝 단부로부터 서브서브영역 (53) 을 주사하며, 그 위에 전자빔 (2) 을 조사한다. 전자빔 (2) 의 주사속도는 레지스트가 노광되는 최소 노광량과 전자빔 (2) 의 전류밀도에 따라서 결정된다.
컨트롤러 (30) 가 하나의 단일 서브서브영역 (53) 을 노광한 후, 동일한 서브영역 (52) 내의 다음의 서브서브영역 (53) 을 전자빔 (2) 으로 주사한다.
이어서, 동일한 서브영역 (52) 내의 전체 서브서브 영역 (53) 이 상술된 바와 같이 노광된 후, 컨트롤러 (30) 는 전자빔 (2) 을, 상술된 방법으로 동일한 메인 영역 (51) 내의 다음의 서브영역 (52) 으로 조사한다.
컨트롤러 (30) 가 동일한 메인영역 (51) 내의 전체 서브영역 (52) 을 노광한 후에, 상술된 방법에 따라서 다음의 메인영역 (51) 으로 전자빔을 조사한다.
그런 후, 컨트롤러는 주변영역 (1b) 내의 메인영역 (51) 을 연속적인 순서로 노광한다.
컨트롤러 (30) 가 주변영역 (1b) 을 노광한 후, 운반기 (10) 는 묘화기 (20) 로부터 웨이퍼 (1) 를 내려놓으며 (단계 S5), 그렇게함으로써 웨이퍼 (1) 상에 실행된 묘화 과정이 완성된다.
상술된 바와 같이, 조사 위치의 정확도 혹은 노광량은, 칩영역 (1a) 과 주변영역 (1b) 에서 상이하게 할 수도 있어서, 주변영역 (1b) 을 노광함으로서 발생되는 처리량의 감소를 최소화하도록 유지한다.
특히, 상술된 칩영역 (1a) 를 노광하기 위해 요구되는 시간은 노광을 준비하기 위한 시간과 영역을 실질적으로 노광하기 위한 시간을 포함한다. 준비시간은, 모든 샷에서 전자의 직진방향을 변화시키기 위한 방사렌즈 (25) 등의 상태가 안정화될 때까지 기다리는 시간을 포함한다.
주변영역 (1b) 의 노광시에, 상술된 것처럼, 컨트롤러 (30) 는 노광을 위하여 반드시 필요한 최소의 정도로, 노광량 및 조사위치의 정확도를 제어하며, 주변영역 (1b) 내의 소정의 영역을 주사하면서 그 위에 전자빔 (2) 을 조사한다. 그러므로, 방사렌즈 (25) 가 안정화되는 안정화를 위한 대기가 필요하지 않으며, 도 8 에 도시된 것처럼, 짧은 준비 시간이, 노광을 위하여 필요하게 되는데, 즉 주변영역 (1b) 를 노광하기 위해 필요한 시간이 단축된다. 상술된 준비 시간은 노광량의 정확도를 개선하기 위한 목적으로 빔 전류를 측정하기 위한 시간과 조사영역의 근접효과를 보정하기 위한 시간을 포함한다.
주변영역 (1b) 의 노광시에, 컨트롤러 (30) 는, 주변영역(1b) 을 주사하면서 그 위에 전자빔 (2) 을 조사함으로써 메인영역 (51), 서브영역 (52) 및 서브서브영역 (53) 으로 연속적으로 노광할 수도 있다. 이렇게 행할 때, 컨트롤러 (30) 는 한 샷으로 주변영역 (1b) 을 노광할 수도 있어서, 전자빔 (2) 의 노광이 시작된 후에, 방사렌즈 (25) 등의 상태를 안정화하기 위한 대기가 실질적으로 필요가 없어진다.
따라서, 도 10 에 도시된 바와 같이, 예를 들어, 칩영역 (1a) 과 주변영역 (1b) 을 구별하지 않고, 동일한 정확도를 가지고 이들 영역을 노광하는 노광시간 보다, 그들 사이에서 상이한 정확도를 가지고 노광하는 것이, 칩영역 (1a) 와 주변영역 (1b) 을 노광하는 노광 시간을 단축할 수 있다.
주변영역 (1b) 에서의 노광량은 칩영역 (1a) 에서의 노광량 보다 적으며, 그래서 노광에 요구되는 소비전력이 종래의 경우보다 적게 된다.
칩영역 (1a) 의 노광에서, 전자빔 (2) 의 조사위치와 노광량의 정확도는 제한되어 있지 않으며, 그러므로, 제품화될 장치의 높은 수율이 실현될 수 있다.
본 발명의 제 2 실시예에 따르는 전자빔 묘화장치는 첨부된 도면을 참조하여 설명될 것이다.
본 발명의 제 2 실시예에 따르는 전자빔 묘화장치의 구조는 제 1 실시예에서 도시된 것과 실질적으로 동일하다.
칩영역 (1a) 을 노광하는 방법도 제 1 실시예에서 도시된 방법과 실질적으로 동일하다.
제 2 실시예에서, 제 1 실시예와 상이한 것은 주변영역 (1b) 을 노광하는 방법이다.
컨트롤러 (30) 는, 주변영역 (1b) 를 노광할 때, 수렴렌즈 (27) 및 대물렌즈 (28) 를 제어함으로써, 전자빔 (2) 의 사이즈를 레지스트로 조사되도록 확장한다. 즉, 컨트롤러 (30) 는, 예를 들어, 전자빔의 사이즈를 서브서브영역 (53) 의 사이즈와 동일하게 되도록 하기 위하여 렌즈들 (28) 과 수렴렌즈 (27) 를 제어한다.
그런 렌즈를 제어함으로써, 컨트롤러 (30) 는 한 샷으로 서브서브영역 (53) 을 노광할 수도 있다. 특히, 컨트롤러 (30) 는 하나의 서브서브영역 (53) 의 노광시에 전자빔 (2) 의 조사위치를 변화시킬 필요가 없어서, 방사렌즈 (25) 의 상태를 안정화하기 위한 대기 시간은 실질적으로 제로가 된다.
서브서브영역 (53) 을 노광한 후에, 컨트롤러 (30) 는 전자빔 (2) 의 조사 위치를, 방사렌즈 (25) 를 제어함으로써 시프트하고 한 샷으로 동일한 서브영역 (52) 내의 다음의 서브서브영역 (53) 을 노광한다.
하나의 단일 서브영역 (52) 내의 전체 서브서브영역 (53) 을 노광한 후에, 컨트롤러 (30) 는 상기된 방법으로 동일한 메인영역 (51) 내의 다음의 서브영역 (52) 으로 전자빔 (2) 을 조사한다.
메인영역 (51) 내의 전체 서브영역 (52) 을 노광한 후에, 컨트롤러 (30) 는 상기된 방법으로 다음의 메인영역 (51) 으로 전자빔 (2) 을 조사한다.
유사하게, 연속적인 순서로 컨트롤러 (30) 는 주변영역 (1b) 내의 메인영역 (51) 을 노광한다.
전자빔 (2) 의 사이즈를 확장할 때, 컨트롤러 (30) 는 한 샷으로 하나의 서브서브영역 (53) 을 노광함으로써, 하나의 서브서브영역 (53) 을 노광할 때, 방사렌즈 (25) 를 안정화시키기 위한 대기 시간이 필요없어서, 주변영역 (1b) 의 노광시간이 단축된다. 이것은 반도체 장치를 높은 처리량으로 제품화 할 수 있게 한다.
전자빔 (2) 의 확장에서, 단일영역당 노광량이 작게 된다. 결과적으로,노광에서 소비된 전력은 종래 보다 감소된다.
칩영역 (1a) 의 노광에서는, 전자빔의 조사위치와 노광량이 높은 정확도로 제어하기 때문에, 고수율의 제품화된 반도체 장치가 실현화될 수 있다.
본 발명의 제 1 실시예에 따르면, 상술된 바와 같이, 주변영역 (1b) 은 칩영역 (1a) 에서 형성된 레지스트의 측벽을 보호하기 위하여 노광되어서, 주변영역 (1b) 의 전체부분을 노광할 필요가 없다. 예를 들어, 도 9a 에 도시된 바와같이, 칩영역 (1a) 의 주변에 있는 임의의 폭의 영역 (예를 들어 1 cm) 을 노광할 수도 있다. 그렇게 함으로써, 작은 영역만이 필연적으로 노광되며, 웨이퍼 (1) 를 노광하기 위한 노광시간이 단축된다.
제 2 실시예에서도, 주변영역 (1b) 은 칩영역 (1a) 내에 형성된 레지스트의 측벽을 보호하기 위하여 노광되어서, 주변영역 (1b) 의 전체 부분은 상술된 바와같이 반드시 노광될 필요는 없다. 예를 들어, 도 9b 에서 도시된 바와같이, 칩영역의 주변부(1b) 에서 임의의 폭의 영역만이 노광될 수 있다. 따라서, 작은 영역만이 노광될 필요가 있으며, 웨이퍼 (1) 를 노광하기 위한 노광시간을 단축하게 된다.
제 2 실시예에서, 컨트롤러 (30) 가 또한 주변영역 (1b) 을 노광할 때, 수렴렌즈 (27) 와 대물렌즈 (28) 들을 제어함으로써, 레지스트로 조사된 전자빔 (2) 의 사이즈를 확장할 수도 있다. 예를들어, 전자빔 (2) 의 사이즈가 서브영역 (52) 과 일치하도록 조정한다면, 컨트롤러 (30) 는 한 샷으로 서브영역 (52) 을 노광할 수도 있다. 즉, 하나의 서브영역 (52) 내의 서브서브영역 (53) 을 노광할 때,방사렌즈 (25) 등을 안정화시키기 위한 대기 시간이 필요없으며, 방사렌즈등이 안정화될 시간은 실질적으로 제로이다. 전자빔 (2) 의 사이즈가 메인영역 (51)과 일치하여 확장된다면, 하나의 메인영역 (51) 을 노광할 때, 컨트롤러 (30) 는 한 샷에서 메인영역 (51) 을 노광할 수 있으며, 방사렌즈 (25) 등을 안정화하기 위한 대기 시간은 실질적으로 제로이다.
전자빔 (2) 의 사이즈가 상술된 것처럼 확장된다면, 전자빔 (2) 의 형태는 촛점을 벗어날 수도 있다. 그러나, 주변영역 (1b) 을 노광하면서 실현할 때는, 전자빔 (2)의 사이즈의 확장은 임의의 심각한 문제를 발생하지 않는다.
제 1 실시예와 제 2 실시예에서, 노광시간이 얼마나 단축될 수 있는지를 다음에서 기재할 것이다.
웨이퍼 (1) 를 노광하기 위하여 필요한 시간 (웨이퍼 묘화시간) 은 다음의 식에 따라서 일반적으로 얻어질 수 있다.
웨이퍼 묘화시간 = 정렬 시간 + 실제 묘화 시간 + α(초기/완성 처리 시간)
α 는 예를 들어 웨이퍼 (1) 를 안으로 밖으로 운반하기 위해 필요한 시간이다.
상술된 실제 묘화 시간은 다음의 식에 의해서 일반적으로 얻을 수 있다.
실제 묘화시간 = 칩의 수 x [Nc x (Tss + Dr/D) + Ts x Ns + Tm x Nm]
여기서 Nc 는 칩당 샷의 수이며, Tss 는 서브서브영역 (53) 을 노광할 때, 방사렌즈 (25) 등을 안정화하기 위해 기다리는 시간이며, Dr 은 레지스트 감도이며, D 는 상술된 전류밀도이며, Ts 는 서브영역 (52) 을 노광할 때, 방사렌즈 (25)등을 안정화하기 위한 대기 시간이며, Ns 는 칩당 서브영역 (52) 의 수를 나타내며, Tm 은 메인영역 (51) 을 노광할 때, 방사렌즈 (25) 등이 안정화되기 위해 기다리는 시간이며, Nm 은 칩당 메인영역 (51) 의 수를 나타낸다.
전제가 되는 요건으로서, 각 칩사이즈는 모든 사이드에서 15 mm (15mm) 이고, 칩당 샷의 수(Nc) 는 1.12 x 107샷이고, 레지스트 감도 (Dr) 는 5.0 uC/㎠ 이며, 전류밀도 (D) 는 10A/㎠ 이다. 또한 칩영역 (1a) 내에 형성된 칩의 수는 52 개이며, 주변영역 (1b) 을 노광할 때 증가하는 칩의 수는 24 개이다.
상술된 전제조건을 기초로하여 칩영역 (1a) 을 묘화하기 위한 실제 과정의 결과로서, 정렬시간은 93 초이며, 실제묘화는 772.7 초가 걸리며, α는 6.4 초이며, 웨이퍼 (1) 당 묘화시간 (칩묘화시간) 은 872.1 초이다.
상술된 조건을 기초로하여 주변영역 (1b) 을 묘화하기 위한 실제 과정의 결과로서, 주변영역 (1b) 의 실제 묘화시간은 다음과 같다.
주변영역 (1b) 내에 형성된 24 개의 칩이 칩영역 (1a) 내의 칩과 동일한 정확도로 노광되는 경우에, 요구되는 시간은 칩영역 (1a) 내의 24 개의 칩을 노광하기 위해 요구되는 시간과 동일하다. 그러므로, 주변영역 (1b) 를 묘화하기 위해 요구되는 시간은 772.7/52 x 24 = 356.6(초) 가 된다. 이것은 칩영역 (1a) 을 묘화하기 위하여 요구된 상술된 시간의 약 40% 이다.
제 2 실시예에서 설명된 바와 같이, 전자빔의 사이즈를 메인영역 (51) 의 사이즈로 확장할 때, 메인영역 (51) 이 묘화될 때, Tss, Ts, 및 Tm 은 모두 제로로동일하다. 그러므로, 상술된 실제 묘화시간은 다음의 식에 따라서 얻어질 수 있다.
칩의 수 X Nc x Dr/D (= 샷의 총수 x Dr/D)
특히, 칩영역 (1a) 의 주변부가 1 cm 의 폭으로 노광되는 경우에는, 주변영역(1b) 의 노광될 영역은 약 3,600 ㎟ 이다. 만일 한 샷으로 노광될 영역이 5㎛(25um2) 이면, 주변영역 (1b) 에서의 실제 묘화 시간은 다음의 식으로부터 얻을 수 있다.
실제 묘화 시간 = 총 샷의 수 x Dr/D
= 3,600(㎟)/25(um2) x Dr/D
= 72(초)
결과값, 즉, 실제 묘화시간은 상술된 칩 묘화시간의 단지 8% 이다.
상술된 결과에 따라서, 칩영역 (1a) 을 노광하기 위한 정확도보다 낮은 정확도로 주변영역 (1b) 을 노광할 경우가, 칩영역 (1a) 과 동일한 정확도로 주변영역 (1b) 을 노광할 때의 경우보다 , 웨이퍼 (1) 를 묘화하는데 걸리는 시간이 단축된다.
주변영역 (1b) 은 제 1 실시예와 제 2 실시예에 도시된 방법의 조합으로 노광될 수도 있다. 예를 들어, 주변영역 (1b) 은 그 사이즈로 확장된 전자빔 (2) 으로 주사될 수도 있다.
또한 웨이퍼 (1) 상의 레지스트는 전자 대신에 이온 등의 차아지 파티클에의해서 노광될 수도 있다. 차아지 파티클에 의해서 노광될 수 있는 레지스트는 웨이퍼 (1) 에 우선적으로 도포될 필요가 있다.
본 발명의 넓은 정신 및 영역으로부터 벗어나지 않는 한도에서 다양항 실시예와 변화가 실행될 수 있다. 상술된 실시예는 본 발명의 영역을 제한하는 것이 아니라, 본 발명을 설명하기 위한 것이다. 본 발명의 영역은 실시예 이외에 첨부된 청구항에 의해서 도시된다. 본 발명의 청구항과 동드한 의미 내에서 그리고 청구항 내에서 행해진 다앙한 변형은 본 발명의 영역 내로서 간주될 것이다.
본 출원은 1998년 8월 5일자로 일본에서 출원된 출원번호 제 10-221659 호를 기초로한 것으로, 명세서, 청구항 도면 및 요약부분을 지니고 있다. 상기 일본 특허 출원의 개시는 그 전체를 참조로 사용할 수 있다.
본 발명에 따르면, 낮은 소비전력으로 작동할 수 있으며, 제품화될 반도체 장치의 높은 처리량과 높은 수율을 실현할 수 있는 차아지빔 묘화장치 및 방법을 제공한다.

Claims (20)

  1. 노광될 레지스트를 도포한 표면을 갖는 웨이퍼 (1) 상으로 조사될 차아지빔 (2) 을 방출하는 파티클 소오스 (23) 와,
    각각이 차아지빔이 통과할 수 있는 개구를 갖는 소정수의 마스크 (24,26) 와,
    차아지빔 (2) 의 직진방향을 변화시키고 차아지빔 (2) 의 수렴의 정도를 변화시키는 하나이상의 렌즈 (25, 27, 28) 와,
    상기 파티클 소오스 (23), 상기 마스크 (24, 26) 혹은 상기 렌즈 (25, 27,28) 중 적어도 어느 하나를 제어함으로써, 웨이퍼 (1) 상에 소정의 노광량과 소정의 조사위치 정확도로, 차아지빔 (2) 을 조사하는 컨트롤러 (30) 를 구비하며,
    상기 컨트롤러 (30) 는, 웨이퍼 (1) 의 칩영역 (1a) 을 노광할 때의 차아지빔 (2) 의 조사위치 정확도보다, 제품화될 디바이스칩을 포함하는 칩영역 (1a) 의 주변에 배치되며 제품화되지 않는 불완전한 주변칩이 형성되는 주변영역 (1b) 을 노광할 때의 차아지빔 (2) 의 조사위치 정확도를 낮게 설정하여, 웨이퍼 (1) 의 주변영역 (1b) 으로 차아지빔 (2) 을 조사하는 것을 특징으로 하는 차아지빔 묘화장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 컨트롤러 (30) 는, 소정의 조사위치 정확도를 유지하기 위하여, 상기렌즈 (25, 27, 28) 의 상태를 안정화시키기 위한 대기 시간을 경과한 후, 웨이퍼 상으로 차아지빔 (2) 을 조사하며,
    주변영역 (1b) 을 노광할 때의 상기 렌즈 (25, 27, 28) 의 상태를 안정화시키기 위한 대기 시간이, 칩영역 (1a) 을 노광할 때의 상기 렌즈 (25, 27, 28) 의 상태를 안정화시키기 위한 대기 시간보다 짧은 것을 특징으로 하는 차아지빔 묘화장치.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 컨트롤러 (30) 는 상기 렌즈 (25, 27, 28) 를 제어함으로써, 상기 주변영역 (1b) 상으로 차아지빔을 조사하면서 주변영역 (1b) 을 주사하는 것을 특징으로 하는 차아지빔 묘화장치.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 파티클 소오스 (23) 가 차아지빔으로서 전자빔 (2) 을 방출하는 것을 특징으로 하는 차아지빔 묘화장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 컨트롤러 (30) 는, 칩영역 (1a) 을 노광할 때의 노광량보다, 주변영역 (1b) 을 노광할 때의 노광량을 적게 설정함으로써, 주변영역 (1b) 상으로 차아지빔 (2) 을 조사하는 것을 특징으로 하는 장치.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 컨트롤러 (30) 는
    상기 마스크 (24, 26) 혹은 상기 렌즈 (25,27,28) 중 적어도 어느 하나를 제어함으로써 차아지빔 (2) 의 사이즈를 제어하며,
    차아지빔 (2) 의 사이지를 확장시킴으로써, 칩영역 (1a) 을 노광할 때의 노광량보다 주변영역 (1b) 을 노광할 때의 노광량을 적게 설정하는 것을 특징으로 하는 차아지빔 묘화장치.
  7. 제 5 항에 있어서, 상기 컨트롤러 (30) 는, 소정의 조사위치 정확도를 유지하기 위하여, 상기 렌즈 (25, 27, 28) 의 상태를 안정화시키기 위한 대기 시간이 경과한 후에, 웨이퍼 (1) 상으로 차아지빔 (2) 을 조사하며,
    상기 칩영역 (1a) 을 노광할 때의 상기 렌즈의 상태를 안정화시키기 위한 대기 시간보다, 주변영역 (1b) 을 노광할 때의 상기 렌즈 (25, 27, 28) 의 상태를 안정화시키기 위한 대기 시간이 짧은 것을 특징으로 하는 차아지빔 묘화장치.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 컨트롤러 (30) 는, 상기 렌즈 (25, 27, 28) 를 제어함으로써, 주변영역 (1b) 상으로 차아지빔 (2) 를 조사하면서 주변영역 (1b) 을 주사하는 것을 특징으로 하는 차아지빔 묘화장치.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 파티클 소오스 (23) 가 차아지빔으로서 전자빔 (2) 을 방출하는 것을 특징으로 하는 차아지빔 묘화장치.
  10. 노광될 레지스트가 도포되는 표면을 갖는 웨이퍼 (1)를 소정의 위치에 정렬하는 단계와,
    상기 웨이퍼 (1) 상으로 차아지빔 (2) 을 조사함으로써, 소정의 노광량과 소정의 조사위치 정확도로 레지스트를 노광하는 단계를 구비하며,
    상기 노광하는 단계는, 웨이퍼 (1) 의 칩영역 (1a) 을 노광할 때의 차아지빔 (2) 의 조사위치 정확도보다, 제품화될 장치 칩을 포함하는 칩영역 (1a) 의 주변에 배치되며 제품화되지 않는 불완전한 주변영역이 형성되는 주변영역 (1b) 을 노광할 때의 차아지빔의 조사위치 정확도를 낮게 설정하여, 웨이퍼 (1) 상의 주변영역 (1b) 으로 차아지빔 (2) 을 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 차아지빔 묘화방법.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 노광하는 단계는, 소정의 조사위치 정확도를 유지하기 위하여, 차아지빔 (2) 의 조사위치를 안정화시키기 위한 대기 시간을 경과한 후에, 웨이퍼 (2) 상으로 차아지빔 (2) 을 조사하는 단계를 포함하며,
    주변영역 (1b) 을 노광할 때의 조사위치를 안정화시키기 위한 대기 시간이, 상기 칩영역 (1a) 을 노광할 때의 조사위치를 안정화시키기 위한 대기 시간보다 짧은 것을 특징으로 하는 차아지빔 묘화방법.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 노광하는 단계는 주변영역 (1b) 상으로 차아지빔 (2) 을 조사하면서 주변영역 (1b) 을 주사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 차아지빔 묘화방법.
  13. 제 12 항에 있어서, 적어도 주변영역 (1b) 내에 형성된 레지스트는 네가티브형이며,
    상기 노광하는 단계는, 칩영역 (1a) 으로부터 소정의 폭으로 연장된, 주변영역 (1b) 내의 영역으로 차아지빔 (2) 을 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 차아지빔 묘화방법.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 노광하는 단계는 차아지빔으로서 전자빔 (2) 을 조사하는 것을 특징으로 하는 차아지빔 묘화방법.
  15. 제 10 항에 있어서, 상기 노광하는 단계는, 주변영역 (1b) 을 노광할 때의 노광량을 칩영역 (1a) 을 노광할 때의 노광랑보다 적게 설정하여, 주변영역 (1b) 으로 차아지빔 (2) 을 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 차아지빔 묘화방법.
  16. 제 15 항에 있어서, 상기 차아지빔 (2) 을 조사하는 단계는
    차아지빔 (2) 의 사이즈를 제어하는 단계와,
    상기 차아지빔 (2) 의 사이즈를 확장함으로써, 상기 칩영역 (1a) 을 노광할 때의 노광량보다 주변영역 (1b) 을 노광할 때의 노광량을 적게 설정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 차아지빔 묘화방법.
  17. 제 15 항에 있어서, 상기 차아치빔 (2) 을 조사하는 단계는, 소정의 조사위치 정확도를 유지하기 위하여, 차아지빔 (2) 의 조사위치를 안정화시키기 위한 대기 시간이 경과한 후에, 웨이퍼 (1) 상으로 차아지빔 (2) 을 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 차아지빔 묘화방법.
  18. 제 17 항에 있어서, 상기 차아지빔 (2) 을 조사하는 단계는 상기 주변영역 (1b) 상으로 차아지빔 (2) 을 조사하면서 주변영역 (1b) 을 주사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 차아지빔 묘화방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    적어도 주변영역 (1b) 에 형성된 레지스트는 네가티브형이며,
    상기 노광단계는, 칩영역 (1a) 의 단부로부터 소정의 폭으로 연장된, 주변영역 (1b) 내의 영역으로 차아지빔을 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 차아지빔 묘화방법.
  20. 제 19 항에 있어서, 상기 차아지빔 (2) 을 조사하는 단계는 차아지빔으로서 전자빔 (2) 을 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 차아지빔 묘화방법.
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