JPH05226237A - 電子ビーム露光方法 - Google Patents

電子ビーム露光方法

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JPH05226237A
JPH05226237A JP2393892A JP2393892A JPH05226237A JP H05226237 A JPH05226237 A JP H05226237A JP 2393892 A JP2393892 A JP 2393892A JP 2393892 A JP2393892 A JP 2393892A JP H05226237 A JPH05226237 A JP H05226237A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
exposure
focus
electron beam
pattern
auxiliary
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP2393892A
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English (en)
Inventor
Tamon Shinmoto
多聞 真本
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、電子ビーム露光方法に関し、正確
な補助露光を行って、正確な近接効果補正を行うことが
でき、均一なパターン形成を行うことができる電子ビー
ム露光方法を提供することを目的とする。 【構成】 電子ビームを用いてパターン形成を行う際、
電子ビームのフォーカスをずらして露光することによ
り、露光領域内の電子ビームの後方散乱強度を均一にす
る電子ビーム露光方法において、補助露光の電子ビーム
のフォーカスを露光される面の上と下の両側にずらして
露光するように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電子ビーム露光方法に
係り、詳しくは、電子ビームを用いた半導体集積回路の
パターン形成方法に適用することができ、特に、露光さ
れたパターンに不均一性をもたらす近接効果を補正する
ことができる電子ビーム露光方法に関する。
【0002】近年、半導体集積回路の高集積化に伴い、
光を用いた露光装置に変わって電子ビームを用いたパタ
ーン描画技術が開発されてきている。
【0003】
【従来の技術】従来の電子ビーム露光方法における近接
効果の補正は、まず、計算機処理により所望のパターン
である主パターンと、この主パターンの周囲に適切な補
助露光パターンを発生させ、これらの露光データを電子
ビーム露光装置に登録し、主パターンを通常の条件で露
光した後、ぼかした電子ビームを用いて主パターンに補
助パターンを重ねて露光することにより、主パターン周
辺部の露光量不足を補うようにして行っていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の電子ビーム露光方法では、電子ビームのフォー
カスをずらしてぼけた電子ビームを用いており、電子ビ
ーム露光装置がシャープなビームにおいて正確な位置に
ビームが照射されるように設計されているため、特に電
流密度が低く広範囲に広がるぼけたビームに対して正確
な位置決めをする(偏向する)ことが困難であった。
【0005】仮に、ぼけたビームに対して正確な偏向を
行うことができたとしても、故意にフォーカスをずらし
ているため、特に、電子ビームの垂直入射度に対してフ
ォーカスのずらし量が大きい時には、正確な位置決めが
困難であった。このため、正確な補助露光を行い難く、
正確な近接効果補正を行い難く、均一なパターン形成を
行い難いという問題があった。
【0006】そこで本発明は、正確な補助露光を行っ
て、正確な近接効果補正を行うことができ、均一なパタ
ーン形成を行うことができる電子ビーム露光方法を提供
することを目的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明による電子ビーム
露光方法は上記目的達成のため、電子ビームを用いてパ
ターン形成を行う際、電子ビームのフォーカスをずらし
て露光することにより、露光領域内の電子ビームの後方
散乱強度を均一にする電子ビーム露光方法において、補
助露光の電子ビームのフォーカスを露光される面の上と
下の両側にずらして露光するものである。
【0008】本発明においては、前記フォーカスをずら
して露光する際の各露光量は、所定露光量の半分である
ようにしてもよく、この場合、補助露光の位置ずれを効
率良くなくすことができ好ましい。
【0009】
【作用】本発明では、電子ビーム露光装置が露光面にフ
ォーカスが合った状態で位置ずれがないよう調整されて
いるため、露光される面の上下の両側にフォーカスをず
らして半分ずつ露光量を与えるようにすることにより、
補助露光の位置ずれを実効上なくすことができる。な
お、フォーカスのずらし量に対して位置ずれが甚だし
く、上記のようにフォーカスをずらして露光した結果、
補助露光が分裂するような場合はフォーカスをよりジャ
ストフォーカスに近い点で多数回、両側でずらすように
すればよい。この場合、フォーカスのずらし量に応じた
重みをつけて、露光量、露光面積を増減させる。
【0010】
【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。図
1(a)〜(d)は本発明の一実施例に則した電子ビー
ム露光方法を説明する図であり、図1(a)は主パター
ン露光領域とフォーカスをずらして露光されるべき補助
パターンとを示す図、図1(b)は主パターン露光領域
とウエハーの上にフォーカスをずらして露光した時の補
助パターンとを示す図、図1(c)は主パターン露光領
域とウエハーの下にフォーカスをずらして露光した時の
補助パターンとを示す図、図1(d)は図1(b)及び
図1(c)の補助露光を各々半分の露光量で行った場合
の補助パターンを示す図である。図1において、1〜4
は各々主パターン露光領域、補助パターン露光領域、露
光量の多い領域、露光量の小さい領域である。なお、図
1(d)に示す補助パターン2は図1(a)に示す補助
パターン2と略同じ強度の電子の後方散乱を与え、近接
効果を行ううえで略同等の効果を与えるものである。
【0011】次に、その電子ビーム露光方法について説
明する。まず、基板上に位置合わせマークが形成された
ウエハーにレジストを塗布し、電子ビーム露光装置でこ
の位置合わせマークを読み取ることによりフォーカスを
合わせ、ウエハーと電子ビーム制御系、ステージ制御系
の位置合わせを行う。次いで、主パターンを露光した
後、図1(b)に示す如く、ウエハーの上に電子ビーム
のフォーカスをずらしてぼけたビームを用いて補助パタ
ーン2を露光する。この時、補助パターン2の露光はフ
ォーカスを合わせた状態での露光装置の認識している位
置に行われるため、フォーカスの合ったビームと同じ正
確さは望めない。図1(b)では、左上部分が近接効果
の補正量が不十分な状態となっており、右下部分が近接
効果の補正量が十分過ぎる状態になっている。次いで、
図1(c)に示す如く、ウエハーの下に電子ビームのフ
ォーカスをずらしてぼけたビームを用いて補助パターン
2を露光する。この補助パターンの露光される位置は、
ジャストフォーカスの近傍ではビーム入射の軌跡は線型
であるため、上にフォーカスをずらした場合の補助パタ
ーン2と、狙いの位置を中心として反対の方向にずれ
る。
【0012】従って、両方のビームに半分ずつの露光量
を与えることにより、図1(d)に示す如く、所望の露
光、即ち均一な後方散乱強度を実現することができる。
なお、これらの補助露光は多階段にフォーカスをずらし
て行ってもよい。
【0013】
【発明の効果】本発明によれば、正確な補助露光を行っ
て、正確な近接効果補正を行うことができ、均一なパタ
ーン形成を行うことができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に則した電子ビーム露光方法
を説明する図である。
【符号の説明】
1 主パターン露光領域 2 補助パターン露光領域 3 露光量の多い領域 4 露光量の小さい領域

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 電子ビームを用いてパターン形成を行う
    際、電子ビームのフォーカスをずらして露光することに
    より、露光領域内の電子ビームの後方散乱強度を均一に
    する電子ビーム露光方法において、 補助露光の電子ビームのフォーカスを露光される面の上
    と下の両側にずらして露光することを特徴とする電子ビ
    ーム露光方法。
  2. 【請求項2】 前記フォーカスをずらして露光する際の
    各露光量は、所定露光量の半分であることを特徴とする
    請求項1記載の電子ビーム露光方法。
JP2393892A 1992-02-10 1992-02-10 電子ビーム露光方法 Withdrawn JPH05226237A (ja)

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JPH05226237A true JPH05226237A (ja) 1993-09-03

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