KR20020065366A - 포토마스크의 수정 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

위상 시프트 패턴을 포함하는 마스크 패턴을 갖는 포토마스크 기판을 준비하는 공정과, 상기 마스크 패턴의 일부를 제거함으로써 참조 구멍을 형성하는 공정과, 상기 참조 구멍을 포함하는 영역에 이온 빔원으로부터 이온 빔을 조사하여, 상기 참조 구멍으로부터 2차 하전 입자를 방출시키는 공정과, 상기 2차 하전 입자를 검출기에 의해 검출함으로써, 상기 참조 구멍의 위치를 인식하는 공정과, 상기 인식된 참조 구멍의 위치와, 상기 마스크 패턴의 결함의 위치와의 위치 관계를 산출하는 공정과, 상기 산출된 위치 관계에 기초하여 상기 이온 빔원으로부터 상기 결함에 이온 빔을 조사함으로써, 상기 결함을 수정하는 공정으로 이루어지는 포토마스크의 수정 방법에 있어서, 상기 포토마스크 기판의 상면에 대하여 수직인 방향에서 본 상기 참조 구멍의 패턴은 실질적으로 장방형이고, 또한 상기 장방형 패턴의 길이 방향과 상기 위상 시프트 패턴의 길이 방향이 평행하다.

Description

포토마스크의 수정 방법 및 반도체 장치의 제조 방법{METHOD OF CORRECTING A PHOTOMASK AND METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은 반도체 집적 회로의 제조에 이용하는 포토마스크의 수정 방법, 특히 포토마스크의 결함 개소에 집속 이온 빔(focused ion beam : FIB)을 조사하여 결함의 수복을 행하는 포토마스크의 수정 방법에 관한 것이다.
집속 이온 빔을 이용한 포토마스크의 결함 수정에서는, 차지 업에 의한 이미지의 드리프트나 마스크 혹은 마스크 홀더의 열팽창에 의한 드리프트를 토탈하여 보정하기 위해서, 원 포인트 드리프트 보정(one point drift correction)이 이용되고 있다. 이 원 포인트 드리프트 보정에서는 포토마스크의 패턴 내에 핀홀을 형성하고, 이 핀홀을 참조점으로 하여 수정 개소로 빔을 이동시킴으로써, 수정 정밀도를 높이고 있다. 이하, 원 포인트 드리프트 보정의 구체적인 예에 대하여 도 8 ∼도 10을 참조하여 설명한다.
우선, 포토마스크용 기판(11) 상에 형성된 패턴(12)의 일부에 집속 이온 빔(22a)을 조사하여 참조점이 되는 핀홀(13)을 형성한다. 계속해서, 핀홀(13)을 포함하는 스캔 영역(14)에 이온 빔원(21)으로부터 이온 빔(22b)을 조사한다. 핀홀(13)이 형성된 개소로부터 방출되는 2차 이온(2차 하전 입자(secondary charged particle): 23)를 검출기(24)로 검출함으로써 참조점을 인식한다. 계속해서, 검출된 핀홀(13)의 위치(참조점의 위치)와, 사전에 인식되어 있는 수정 개소와의 상대적인 위치 관계를 산출한다. 또한, 다시 핀홀(13)의 위치를 확인한 후, 수정 개소에 이온 빔을 조사하여 결함의 수복을 행한다. 이후, 참조점 확인을 위한 이온 빔 조사와 결함 수정을 위한 이온 빔 조사를 반복하여 행함으로써 결함 수정이 완료된다. 이와 같이 하여, 결함 수정 처리 직전에 참조점을 확인함으로써, 드리프트의 영향을 최소한으로 억제하는 것이 가능하다.
상술한 바와 같은 원 포인트 드리프트 보정을 이용하여 결함 수정을 행하는 경우, 종래는 참조점(핀홀)의 평면적인 패턴 형상은 이상적으로는 원형이 좋다고 되어 있다(예를 들면, 특공평 5-4660호 공보). 이러한 관점에서 종래는 세로 방향 및 가로 방향에서 같은 도트수(예를 들면 4×4 도트)가 되도록 정방형 형상으로 이온 빔을 조사하여 핀홀을 형성하고 있었다.
그러나, 포토 마스터로서 위상 시프트 마스크(phase shift mask)를 이용하는 경우, 핀홀이 형성된 개소에서는 적절한 위상 시프트 작용(위상 효과)을 얻을 수없다. 그 때문에, 패턴에 대하여 상대적으로 핀홀이 커지면 전사상(projected image)에 악영향을 끼치는 영역이 넓어지게 된다. 또한, 핀홀이 크면 핀홀을 검출하기 위한 스캔 영역을 넓게 해야만 한다. 그 때문에, 빔 스캔에 의한 패턴으로의 손상이 넓은 영역에 미치게 된다. 따라서, 패턴이 작아지면 전사상의 라인 치수가 감소한다는 문제가 생긴다. 또한, 핀홀 흔적의 수정을 행하는 경우에도 수정용으로 퇴적하는 카본막은 위상 시프트 작용을 갖지 않기 때문에, 패턴이 작아지면 전사상에 악영향을 미치는 영역이 넓어지게 된다.
또한, 도 10에 도시한 바와 같이, 검출기(24)는 일반적으로 핀홀(13)의 경사 상방에 배치된다. 그 때문에, 핀홀의 패턴이 정방형 형상이면, 이하와 같은 문제가 생긴다. 핀홀(13)로부터 생기는 2차 이온(23)은 검출기(24)가 핀홀(13)의 경사 상방에 배치되어 있기 때문에, 검출기(24)측 측벽(도 10에 있어서 좌측 측벽)에 의해 어느 정도 차단된다고 생각된다. 그 때문에, 도 10에 도시한 핀홀(13)의 X 방향의 길이를 어느 정도 길게 할 필요가 있다. 이 경우, 핀홀(13)이 정방형 패턴이면, 핀홀(13)의 Y 방향의 길이도 X 방향의 길이와 동등해진다. X 방향에 대해서는 핀홀(13)에 대하여 좌측 측벽에 의해, 2차 이온의 검출기(24)로의 도달이 제한된다. 그 때문에, 2차 이온의 수율(yield)이 핀홀(13)에 대하여 우측 영역으로 편항되고, 어느정도의 위치 정밀도는 얻어진다. 그런데, Y 방향에 대해서는 그와 같은 상황은 발생하기 어렵기 때문에, Y 방향의 핀홀의 위치 정밀도(인식 정밀도)를 충분히 얻을 수 없다. 실제로, 도 11에 도시한 바와 같이, 핀홀에 대응하는 2차 이온상(secondary ion image: 31)은 Y 방향으로 긴 이미지가 된다.
또한, 상술한 바와 같이 종래는 검출기(24)측 측벽에 의해 많은 2차 이온이 차단되기 때문에, 핀홀 바닥부 즉 기판의 노출면으로부터의 2차 이온이 효율적으로 검출기에 도달하지 못한다는 문제도 있었다.
이와 같이, 원 포인트 드리프트 보정을 이용한 종래의 포토마스크의 수정 방법으로는 포토마스크로서 위상 시프트 마스크를 이용한 경우에, 위상 시프트 작용(위상 효과)을 얻을 수 없는 영역이 커져서, 적정한 전사상을 얻을 수 없다는 문제가 있었다. 또, 참조용 핀홀의 위치 정밀도(인식 정밀도)를 충분히 얻을 수 없다는 문제가 있었다. 또한, 핀홀로부터의 2차 이온(2차 하전 입자)을 효율적으로 검출기에 입사시키지 못한다는 문제가 있었다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 포토마스크의 일례를 나타낸 평면도.
도 2는 도 1에 도시한 핀홀의 근방을 나타낸 평면도.
도 3a 및 도 3b는 도 1에 도시한 핀홀의 형성 방법을 나타낸 단면도.
도 4는 도 1에 도시한 핀홀의 검출 방법을 나타낸 도면.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 방법에 의해 얻어지는 2차 이온상을 나타낸 도면.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 포토마스크의 수정 방법을 나타낸 흐름도.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 포토마스크를 반도체 장치의 제조에 적용하는 예를 나타낸 도면.
도 8은 종래 기술에 따른 포토마스크에서의 핀홀의 근방을 나타낸 평면도.
도 9는 종래 기술에 따른 핀홀의 형성 방법을 나타낸 단면도.
도 10은 종래 기술에 따른 핀홀의 검출 방법을 나타낸 도면.
도 11은 종래 기술에 따른 방법에 의해 얻어지는 2차 이온상을 나타낸 도면.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
11 : 기판
12 : 패턴
13 : 핀홀
14 : 스캔 영역
21 : 이온 빔원
22a : 집속 이온 빔
22b : 이온 빔
23 : 2차 하전 입자(secondary charged particle)
24 : 검출기
본 발명의 제1 시점은, 위상 시프트 패턴을 포함하는 마스크 패턴을 갖는 포토마스크 기판을 준비하는 공정과, 상기 마스크 패턴의 일부를 제거함으로써 참조 구멍을 형성하는 공정과, 상기 참조 구멍을 포함하는 영역에 이온 빔원으로부터 이온 빔을 조사하여, 상기 참조 구멍으로부터 2차 하전 입자를 방출시키는 공정과, 상기 2차 하전 입자를 검출기에 의해 검출함으로써, 상기 참조 구멍의 위치를 인식하는 공정과, 상기 인식된 참조 구멍의 위치와, 상기 마스크 패턴의 결함의 위치와의 위치 관계를 산출하는 공정과, 상기 산출된 위치 관계에 기초하여 상기 이온 빔원으로부터 상기 결함에 이온 빔을 조사함으로써, 상기 결함을 수정하는 공정으로 이루어지는 포토마스크의 수정 방법에 있어서, 상기 포토 마스크 기판의 상면에 대하여 수직인 방향으로부터 본 상기 참조 구멍의 패턴은 실질적으로 장방형이고, 또한 상기 장방형 패턴의 길이 방향과 상기 위상 시프트 패턴의 길이 방향이 평행하다.
본 발명의 제2 시점은, 마스크 패턴을 갖는 포토 마스크 기판을 준비하는 공정과, 상기 마스크 패턴의 일부를 제거함으로써 참조 구멍을 형성하는 공정과, 상기 참조 구멍을 포함하는 영역에 이온 빔원으로부터 이온 빔을 조사하여, 상기 참조 구멍으로부터 2차 하전 입자를 방출시키는 공정과, 상기 2차 하전 입자를 상기 참조 구멍의 경사 상방에 그 입사 부분이 위치하는 검출기에 의해 검출함으로써, 상기 참조 구멍의 위치를 인식하는 공정과, 상기 인식된 참조 구멍의 위치와, 상기 마스크 패턴의 결함의 위치와의 위치 관계를 산출하는 공정과, 상기 산출된 위치 관계에 기초하여 상기 이온 빔원으로부터 상기 결함에 이온 빔을 조사함으로써, 상기 결함을 수정하는 공정으로 이루어지는 포토마스크의 수정 방법에 있어서, 상기 포토마스크 기판의 상면에 대하여 수직인 방향으로부터 본 상기 참조 구멍의 패턴은 실질적으로 장방형이고, 또한 상기 장방형 패턴의 길이 방향과, 상기 검출기의 입사 부분과 상기 참조 구멍을 연결하는 직선을 상기 포토마스크 기판의 상면에 투영한 직선이 평행하다.
본 발명의 제3 시점은, 마스크 패턴을 갖는 포토마스크 기판을 준비하는 공정과, 상기 마스크 패턴의 일부를 제거함으로써 참조 구멍을 형성하는 공정과, 상기 참조 구멍을 포함하는 영역에 이온 빔원으로부터 이온 빔을 조사하여, 상기 참조 구멍으로부터 2차 하전 입자를 방출시키는 공정과, 상기 2차 하전 입자를 상기 참조 구멍의 경사 상방에 그 입사 부분이 위치하는 검출기에 의해 검출함으로써,상기 참조 구멍의 위치를 인식하는 공정과, 상기 인식된 참조 구멍의 위치와, 상기 마스크 패턴의 결함 위치와의 위치 관계를 산출하는 공정과, 상기 산출된 위치 관계에 기초하여 상기 이온 빔원으로부터 상기 결함에 이온 빔을 조사함으로써, 상기 결함을 수정하는 공정으로 이루어지는 포토마스크의 수정 방법에 있어서, 상기 참조 구멍은 상기 검출기의 입사 부분이 위치하는 측의 제1 측벽과 제1 측벽에 대향하는 제2 측벽으로 규정되며, 상기 제1 측벽의 하단과 상단을 연결하는 평면의 경사가 상기 제2 측벽의 하단과 상단을 연결하는 평면의 경사보다도 완만하다.
<실시예>
이하, 본 발명의 실시예에 따른 원 포인트 드리프트 보정을 이용한 포토마스크의 수정 방법을 도면을 참조하여 설명한다.
도 1은 본 실시예의 포토마스크의 일례를 나타낸 평면도, 도 2는 도 1에 도시한 참조용 핀홀의 근방을 나타낸 평면도, 도 3a 및 도 3b는 도 1에 도시한 핀홀의 형성 방법을 나타낸 단면도(도 2의 X 방향의 단면도), 도 4는 도 1에 도시한 핀홀의 검출 방법을 나타낸 도면, 도 5는 본 실시예의 방법에 의해 얻어지는 2차 이온상(secondary ion image)을 나타낸 도면, 도 6은 본 실시예의 방법을 나타낸 흐름도이다.
우선, 포토마스크로서, 하프톤 위상 시프트 마스크(half tone phase shift mask) 혹은 임베디드 위상 시프트 마스크(embedded phase shift mask) 등의 위상 시프트 마스크를 준비하고, 수정 장치 내에 세트한다(단계 S1). 이 위상 시프트 마스크는 석영 기판(11) 상에, MoSi막으로 이루어지는 위상 시프트 패턴(12)(위상효과를 발생시키기 위한 패턴)이 형성된 것이다.
포토마스크를 세트한 후, 이온 빔원의 출사부로부터 집속 이온 빔을 기판(11) 상에 조사하고, 패턴(12) 내측에 참조점이 되는 핀홀(13)을 형성한다(단계 S2).
이 때, 도 2에 도시한 바와 같이, 핀홀(13)의 평면적인 패턴이 실질적으로 거의 장방형 패턴이 되며, 또한 위상 시프트 패턴(12)의 길이 방향(X 방향)과 핀홀(13)의 패턴의 길이 방향이 실질적으로 거의 평행해지도록 한다. 예를 들면, X 방향으로 4 도트, Y 방향으로 1 도트가 되도록, 장방형에 이온 빔을 조사한다.
또한, 핀홀(13)은 도 3a 및 도 3b에 도시한 바와 같이 2 단계로 나누어서 형성한다. 우선, 도 3a에 도시한 바와 같이 집속 이온 빔(22a)에 의해 패턴(12) 형성용 막을 막 두께 방향으로 반 정도 연삭한다. 그 후, 도 3b에 도시한 바와 같이, 빔의 조사 영역을 X 방향으로 좁히고, 핀홀(13)에 대하여 우측 영역을 선택적으로 깎아냄으로써, 기판(11)의 표면을 노출시킨다. 그 결과, 핀홀(13)에 대하여 좌측 측벽은 측벽의 하단으로부터 상단을 향하여 단계적으로 후퇴한 형상이 된다. 그리하여, 좌측 측벽의 하단과 상단을 연결하는 평면의 경사가, 우측 측벽의 하단과 상단을 연결하는 평면의 경사보다도 완만해진다. 또, 도 3a 및 도 3b에 도시한 예에서는 측벽을 2 단계로 후퇴시키도록 하였지만, 3 단계 이상이어도 된다. 또한, 측벽을 연속적으로 후퇴시키도록 해도 된다.
이상과 같이 하여 핀홀(13)을 형성한 후, 핀홀(13)을 포함하는 스캔 영역(14)(도 2 참조) 내에 이온 빔을 조사하여 참조점이 되는 핀홀의 위치를 검출(인식)한다(단계 S3, S4). 즉, 도 4에 도시한 바와 같이 핀홀(13)의 형성에 이용한 이온 빔원(21)으로부터 이온 빔(22b)을 핀홀(13)의 저면 즉 기판(11)의 노출면에 조사한다. 그리고, 핀홀(13)의 저면으로부터 방출된 2차 이온(2차 실리콘 이온: 23)을 핀홀(13)의 경사 상방에 배치된 검출기(24)에 의해 검출한다. 검출기(24)의 선단은 통형상으로 되어있다. 이 때, 이 선단 부분(2차 이온 입사 부분)과 핀홀(13)(빔 조사 부분)을 연결하는 직선을 기판(11) 표면에 투영한 직선과, 핀홀(13)의 장방형 패턴의 길이 방향이 평행해지도록 한다. 다시 말해서, 그와 같은 평행 관계가 얻어지도록 위상 시프트 패턴(12)이 형성된 기판(11)을 장치 내에 사전에 세트해 둔다.
검출기(24)에 의해 얻어진 2차 이온상(31)은 도 5에 도시한 바와 같이 점 형상이 된다. 이 2차 이온상(31)으로부터 구해지는 핀홀(13)의 위치와, 사전에 구해진 수정 개소(결함 개소: 15)의 위치(도 1 참조)에 기초하여 핀홀(13)과 수정 개소(15)와의 상대적인 위치 관계를, 도시하지 않은 제어 장치 내에서 산출한다(단계 S5). 예를 들면, 도 1에 도시한 바와 같이, 핀홀(13)의 위치를 R(0, 0)으로 하여 수정 개소(15)의 위치 D(x, y)가 구해진다.
다음에, 이온 빔원(21)으로부터 출사되는 이온 빔의 조사 위치를 핀홀(13)의 위치로 복귀시킨다. 그 후, 상술한 바와 같이 하여 구해진 위치 관계에 기초하여 이온 빔의 조사 위치를 수정 개소(15)의 위치로 이동시킨다. 또한, 이온 빔원(21)으로부터 수정 개소(15)에 이온 빔을 조사하여 수정 개소(15)의 결함 수정을 행한다(단계 S6). 수정 개소(15)의 결함이 도 1에 도시한 바와 같은 패턴 결손인 경우에는 결손 부분에 이온 빔을 조사하면서 카본막을 퇴적함으로써 수정을 행한다. 수정 개소(15)의 결함이 패턴 잉여인 경우에는 잉여 부분에 이온 빔을 조사하여 에칭을 행함으로써 수정을 행한다.
이후, 상술한 단계 S3에서 단계 S6까지의 처리를 필요 횟수 행한다(단계 S7). 이와 같이 하여, 결함의 수정이 완료된다. 또한, 필요에 따라 핀홀(13)의 수복 처리도 행한다.
이와 같이 하여 얻어진 포토마스크는 반도체 장치(집적 회로 장치)의 제조에 적용된다. 즉, 도 7에 도시한 바와 같이, 포토마스크(41)의 패턴을 반도체 기판(42) 상의 포토레지스트에 투영함으로써 집적 회로를 형성하기 위한 미세 패턴이 얻어진다.
이상과 같이, 본 실시예에 따르면 장방형의 핀홀 패턴의 길이 방향과 위상 시프트 패턴의 길이 방향이 평행하기 때문에, 장방형 패턴의 짧은 변의 폭이 좁아지고 있다. 즉, 위상 시프트 작용(위상 효과)에 의해 광 강도 분포가 생기는 방향에서 장방형 패턴의 폭이 좁아지고 있다. 그 때문에, 위상 효과를 감소시키는 영역을 작게 할 수 있다. 따라서, 위상 시프트 패턴의 치수(선폭)가 작아져도 핀홀 흔적의 수정이 불필요해진다. 또한, 핀홀 흔적의 수정을 행하는 경우에도 수정용으로 퇴적하는 카본막에 의해 위상 효과가 악영향을 받게 되는 영역을 최소한으로 억제할 수 있다. 또한, 핀홀의 폭이 좁아지기 때문에, 핀홀 검출 시의 스캔 영역도 좁아지고, 빔 스캔에 의한 패턴으로의 손상을 최소한으로 억제할 수 있다. 이와 같이 본 실시예에서는, 참조용 핀홀에 의한 영향을 최소한으로 억제하여 효과적으로 원 포인트 드리프트 보정을 행하는 것이 가능해진다.
또한, 본 실시예에 따르면, 핀홀의 평면 패턴의 치수가 X 방향에서 상대적으로 길고 Y 방향에서 상대적으로 짧다. 그 때문에, 검출기로의 2차 이온의 도달량을 어느 정도 확보할 수 있고, 더구나 핀홀의 위치 검출 정밀도를 향상시킬 수 있다. 즉, X 방향에 대해서는 종래와 마찬가지로, 어느 정도의 위치 검출 정밀도 및 2차 이온의 도달량이 얻어진다. 또한, Y 방향에 대해서는 핀홀의 폭을 좁게 함으로써, 종래에 비하여 대폭 위치 검출 정밀도를 향상시킬 수 있다. 또, 본 효과는 위상 시프트 마스크에 한하지 않고, 위상 시프트 작용을 이용하지 않은 통상 마스크(소위 바이너리 마스크, 대표적으로는 크롬 마스크)에 대해서도 얻을 수 있다.
또한, 본 실시예에 따르면 검출기측 측벽이 연속적 또는 단계적으로 경사지고, 그 평균적인 경사가 완만하게 되어 있다. 그 때문에, 검출기측 측벽에 의해 차단되는 2차 하전 입자의 비율을 저감시키는 것이 가능하다. 따라서, 핀홀의 바닥부 즉 기판의 노출부를 작게 해도 2차 하전 입자를 효율적으로 검출기에 입사시키는 것이 가능해진다. 예를 들면, 도 3a, 도 3b 및 도 4에 도시한 바와 같이, 핀홀(13)의 검출기(24)측 측벽을 경사지게 하는, 바람직하게 측벽의 상단과 하단을 연결하는 평면의 경사각을 검출기(24)의 선단과 핀홀(13)을 연결하는 직선의 경사각과 동등하게 함으로써, 2차 이온을 효율적으로 검출기에 도달시킬 수 있다. 그 때문에, 핀홀(13)의 저면을 작게 해도 2차 이온의 수율 저감을 억제할 수 있어, 기판이 손상을 받는 영역을 저감시킬 수 있다. 또, 본 효과는 위상 시프트 마스크에 한하지 않고, 위상 시프트 작용을 이용하지 않는 통상의 마스크(소위 바이너리 마스크, 대표적으로는 크롬 마스크)에 대해서도 얻어진다.
이상, 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것은 아니고, 그 취지를 일탈하지 않는 범위 내에서 여러가지 변형하여 실시하는 것이 가능하다. 또한, 상기 실시예에는 여러가지의 단계의 발명이 포함되어 있고, 개시된 구성 요건을 적절하게 조합함으로써 여러가지의 발명을 추출할 수 있다. 예를 들면, 개시된 구성 요건으로부터 몇개의 구성 요건이 삭제되어도 소정의 효과가 얻어지는 것이면 발명으로서 추출될 수 있다.
본 발명에 따르면, 포토마스크로서 위상 시프트 마스크를 이용한 경우에, 개구부가 평면적인 패턴 형상 및 그 패턴 형상과 위상 시프트용 패턴과의 관계를 최적화함으로써, 참조용의 개구부를 형성한 것의 영향을 최소한으로 억제하여, 적정인 전사상을 얻는 것이 가능해진다.
또한, 본 발명에 따르면, 개구부가 평면적인 패턴 형상 및 개구부와 검출기의 위치 관계를 최적화함으로써, 개구부의 위치 검출 정밀도를 향상시킬 수 있고, 개구부의 인식 정밀도를 향상시키는 것이 가능해진다.
또한, 본 발명에 따르면, 개구부의 형상을 최적화함으로써, 개구부에서의 2차 하전 입자를 효율적으로 검출기에 입사되는 것이 가능해진다.

Claims (16)

  1. 포토마스크의 수정 방법에 있어서,
    위상 시프트 패턴을 포함하는 마스크 패턴을 갖는 포토마스크 기판을 준비하는 공정과,
    상기 마스크 패턴의 일부를 제거함으로써 참조 구멍을 형성하는 공정과,
    상기 참조 구멍을 포함하는 영역에 이온 빔원으로부터 이온 빔을 조사하여 상기 참조 구멍으로부터 2차 하전 입자를 방출시키는 공정과,
    상기 2차 하전 입자를 검출기에 의해 검출함으로써 상기 참조 구멍의 위치를 인식하는 공정과,
    상기 인식된 참조 구멍의 위치와 상기 마스크 패턴의 결함의 위치와의 위치 관계를 산출하는 공정과,
    상기 산출된 위치 관계에 기초하여 상기 이온 빔원으로부터 상기 결함에 이온 빔을 조사함으로써 상기 결함을 수정하는 공정
    을 포함하고,
    상기 포토마스크 기판의 상면에 대하여 수직인 방향으로부터 본 상기 참조 구멍의 패턴은 실질적으로 장방형이고, 또한 상기 장방형 패턴의 길이 방향과 상기 위상 시프트 패턴의 길이 방향이 평행한 포토마스크의 수정 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 검출기의 입사 부분은 상기 참조 구멍의 경사 상방에 위치하고,
    상기 장방형 패턴의 길이 방향과, 상기 검출기의 입사 부분과 상기 참조 구멍을 연결하는 직선을 상기 포토마스크 기판의 상면에 투영한 직선이 평행한 포토마스크의 수정 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 참조 구멍은 상기 검출기의 입사 부분이 위치하는 측의 제1 측벽과 제1 측벽에 대향하는 제2 측벽으로 규정되며, 상기 제1 측벽의 하단과 상단을 연결하는 평면의 경사가 상기 제2 측벽의 하단과 상단을 연결하는 평면의 경사보다도 완만한 포토마스크의 수정 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 검출기의 입사 부분은 상기 참조 구멍의 경사 상방에 위치하고,
    상기 참조 구멍은 상기 검출기의 입사 부분이 위치하는 측의 제1 측벽과 제1 측벽에 대향하는 제2 측벽으로 규정되며, 상기 제1 측벽의 하단과 상단을 연결하는 평면의 경사가 상기 제2 측벽의 하단과 상단을 연결하는 평면의 경사보다도 완만한 포토마스크의 수정 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 참조 구멍은 상기 이온 빔원으로부터 이온 빔을 조사함으로써 형성된포토마스크의 수정 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 참조 구멍을 포함하는 영역에 이온 빔을 조사하는 공정으로부터 상기 결함을 수정하는 공정까지의 처리를 복수 회 행하는 포토마스크의 수정 방법.
  7. 포토마스크의 수정 방법에 있어서,
    마스크 패턴을 갖는 포토마스크 기판을 준비하는 공정과,
    상기 마스크 패턴의 일부를 제거함으로써 참조 구멍을 형성하는 공정과,
    상기 참조 구멍을 포함하는 영역에 이온 빔원으로부터 이온 빔을 조사하여 상기 참조 구멍으로부터 2차 하전 입자를 방출시키는 공정과,
    상기 2차 하전 입자를, 상기 참조 구멍의 경사 상방에 그 입사 부분이 위치하는 검출기에 의해 검출함으로써 상기 참조 구멍의 위치를 인식하는 공정과,
    상기 인식된 참조 구멍의 위치와, 상기 마스크 패턴의 결함 위치와의 위치 관계를 산출하는 공정과,
    상기 산출된 위치 관계에 기초하여 상기 이온 빔원으로부터 상기 결함에 이온 빔을 조사함으로써 상기 결함을 수정하는 공정
    을 포함하고,
    상기 포토마스크 기판의 상면에 대하여 수직인 방향으로부터 본 상기 참조 구멍의 패턴은 실질적으로 장방형이고, 또한 상기 장방형 패턴의 길이 방향과, 상기 검출기의 입사 부분과 상기 참조 구멍을 연결하는 직선을 상기 포토마스크 기판의 상면에 투영한 직선이 평행한 포토마스크의 수정 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 참조 구멍은 상기 검출기의 입사 부분이 위치하는 측의 제1 측벽과 제1 측벽에 대향하는 제2 측벽으로 규정되며, 상기 제1 측벽의 하단과 상단을 연결하는 평면의 경사가 상기 제2 측벽의 하단과 상단을 연결하는 평면의 경사보다도 완만한 포토마스크의 수정 방법.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 참조 구멍은 상기 이온 빔원으로부터 이온 빔을 조사함으로써 형성된 포토마스크의 수정 방법.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 참조 구멍을 포함하는 영역에 이온 빔을 조사하는 공정부터 상기 결함을 수정하는 공정까지의 처리를 복수 회 행하는 포토마스크의 수정 방법.
  11. 포토마스크의 수정 방법에 있어서,
    마스크 패턴을 갖는 포토마스크 기판을 준비하는 공정과,
    상기 마스크 패턴의 일부를 제거함으로써 참조 구멍을 형성하는 공정과,
    상기 참조 구멍을 포함하는 영역에 이온 빔원으로부터 이온 빔을 조사하여 상기 참조 구멍으로부터 2차 하전 입자를 방출시키는 공정과,
    상기 2차 하전 입자를 상기 참조 구멍의 경사 상방에 그 입사 부분이 위치하는 검출기에 의해 검출함으로써 상기 참조 구멍의 위치를 인식하는 공정과,
    상기 인식된 참조 구멍의 위치와 상기 마스크 패턴의 결함의 위치와의 위치 관계를 산출하는 공정과,
    상기 산출된 위치 관계에 기초하여 상기 이온 빔원으로부터 상기 결함에 이온 빔을 조사함으로써 상기 결함을 수정하는 공정
    을 포함하고,
    상기 참조 구멍은 상기 검출기의 입사 부분이 위치하는 측의 제1 측벽과 제1 측벽에 대향하는 제2 측벽으로 규정되고, 상기 제1 측벽의 하단과 상단을 연결하는 평면의 경사가 상기 제2 측벽의 하단과 상단을 연결하는 평면의 경사보다도 완만한 포토마스크의 수정 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 참조 구멍은 상기 이온 빔원으로부터 이온 빔을 조사함으로써 형성된 포토마스크의 수정 방법.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 참조 구멍을 포함하는 영역에 이온 빔을 조사하는 공정부터 상기 결함을 수정하는 공정까지의 처리를 복수 회 행하는 포토마스크의 수정 방법.
  14. 청구항 제1항의 방법에 의해 수정된 포토마스크를 이용하여 반도체 기판 상에 패턴을 투영하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  15. 청구항 제7항의 방법에 의해 수정된 포토마스크를 이용하여 반도체 기판 상에 패턴을 투영하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  16. 청구항 제11항의 방법에 의해 수정된 포토마스크를 이용하여 반도체 기판 상에 패턴을 투영하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
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