JP2005286293A - ステンシルマスクおよびその製造方法、並びに半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】被露光体に転写すべきパターン以外の観測用マークが、被露光体に転写されることを防止することができるステンシルマスクおよびその製造方法を提供する。さらに、当該ステンシルマスクを用いて露光を行う半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ステンシルマスク10は、周囲が厚膜の支持枠11により支持され、支持枠11により囲まれたメンブレン12に貫通孔によりマスクパターンPが形成される。メンブレン12には、ウエハ20に転写すべき回路パターンであるマスクパターンPの他に、アライメントに使用するマスクマークMAが形成されている。本実施形態では、マスクマークMAは貫通孔ではなく、メンブレン12の途中の深さまで彫り込まれて形成されている。従って、マスクマークMAに到達した電子線は遮蔽される。
【選択図】図2
【解決手段】ステンシルマスク10は、周囲が厚膜の支持枠11により支持され、支持枠11により囲まれたメンブレン12に貫通孔によりマスクパターンPが形成される。メンブレン12には、ウエハ20に転写すべき回路パターンであるマスクパターンPの他に、アライメントに使用するマスクマークMAが形成されている。本実施形態では、マスクマークMAは貫通孔ではなく、メンブレン12の途中の深さまで彫り込まれて形成されている。従って、マスクマークMAに到達した電子線は遮蔽される。
【選択図】図2
Description
本発明は、例えば、荷電粒子線を用いるリソグラフィ技術に使用されるステンシルマスクおよびその製造方法、並びに当該ステンシルマスクを用いて回路パターンを形成する半導体装置の製造方法に関する。
半導体装置製造のためのリソグラフィ工程では、各層の異なるパターン同士を正確に重ね合わせる必要があるため、光学的なアライメント計測技術が用いられている。
LEEPL(low energy electron beam proximity projection lithography)技術におけるアライメント方式では、X線リソグラフィ用に開発されたアライメントカメラを斜めに傾けてマーク像を検出する斜方結像方式が採用され、マスクのマスクマークとウエハのウエハマークを同時に検出し、その相対位置およびマスクとウエハ間のギャップを計測することができる(特許文献1参照)。
斜方結像方式では、アライメントマークとして2次元配列パターンを用い、パターンエッジからの後方散乱光を光学的に拡大した像から、マスクマークとウエハマークの相対位置を計測する。エッジ散乱光の照明として白色光を用いることにより、薄膜の変化に対する高い適応性を実現することができるという優れた特徴をもつ。
例えば、LEEPL技術では、パターンが略垂直な貫通孔により形成されたいわゆるステンシルマスクを用いており、貫通孔を通過した電子線によりウエハ上のレジストにパターンを転写している(特許文献2参照)。
特許第3101582号
特開2003−59819号公報
しかしながら、従来、マスクマークもウエハに転写すべきパターンと同様に略垂直に加工された貫通孔により形成していたため、ステンシルマスクを用いてウエハにパターンを露光すると、マスクマークもウエハに転写されてしまう。
マスクマークがウエハに転写されてしまうと、ウエハマークとマスクマークが一体となった新たなウエハマークが形成されてしまう。このため、次のリソグラフィ工程において、観測されるウエハマーク像が変化してしまい、ウエハマークを正確に検出することができないという問題がある。このため、一度使用されたウエハマークが次のリソグラフィ工程において使用できないという不都合が生じる。
また、現在縮小投影露光で使用されているアライメントマークと比較すると、斜方結像方式で使用されるマスクマークは大きいことから、マスクマークがウエハに転写されてしまうと、デバイスパターンを配置する実効面積が小さくなってしまうという問題がある。
本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、被露光体に転写すべきパターン以外の観測用マークが、被露光体に転写されることを防止することができるステンシルマスクおよびその製造方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、上記のステンシルマスクを用いて露光することにより、基板の基板側マークを複数の露光工程で使用することができ、パターンの実効面積を大きくすることができる半導体装置の製造方法を提供することにある。
上記の目的を達成するため、本発明のステンシルマスクは、荷電粒子線遮蔽膜と、被露光体に転写すべきパターンが前記荷電粒子線遮蔽膜に略垂直に形成された貫通孔からなるマスクパターンと、前記荷電粒子線を通過させないように前記荷電粒子線遮蔽膜に形成された観測用マークとを有する。
上記の本発明のステンシルマスクでは、荷電粒子線遮蔽膜の全体に荷電粒子線を照射した場合に、荷電粒子線は略垂直に形成された貫通孔からなるマスクパターンのみを通過し、観測用マークの形成箇所での通過が阻止される。従って、被露光体には、マスクパターンのみが転写される。
上記の目的を達成するため、本発明のステンシルマスクの製造方法は、荷電粒子線遮蔽膜を観測用マークのパターンでハーフエッチングして、前記荷電粒子線遮蔽膜に荷電粒子線を通過させない観測用マークを形成する工程と、前記荷電粒子線遮蔽膜を被露光体に転写すべきパターンで除去して、前記荷電粒子線遮蔽膜に貫通孔からなるマスクパターンを形成する工程とを有する。
上記の本発明のステンシルマスクの製造方法では、荷電粒子線遮蔽膜をハーフエッチングして観測用マークを形成し、荷電粒子線遮蔽膜を貫通するまで除去してマスクパターンを形成する。観測用マークとマスクパターンの形成工程の順序は逆でもよい。これにより、同一の電子線遮蔽膜に、貫通孔からなるマスクパターンと、荷電粒子線遮蔽膜の途中の深さまで彫り込まれた観測用マークが形成される。
上記の目的を達成するため、本発明のステンシルマスクの製造方法は、第1の荷電粒子線遮蔽膜上に第2の荷電粒子線遮蔽膜を形成する工程と、前記第2の荷電粒子線遮蔽膜を観測用マークのパターンで除去して、前記第2の荷電粒子線遮蔽膜に観測用マークを形成する工程と、前記第1および第2の荷電粒子線遮蔽膜を被露光体に転写すべきパターンで除去して、貫通孔からなるマスクパターンを形成する工程とを有する。
上記の本発明のステンシルマスクの製造方法では、第1の荷電粒子線遮蔽膜上に形成された第2の荷電粒子線遮蔽膜を加工して観測用マークを形成し、第1および第2の荷電粒子線遮蔽膜を貫通するまで除去してマスクパターンを形成する。これにより、電子線を通過させるマスクパターンと、電子線を通過させない観測用マークが形成される。
上記の目的を達成するため、本発明のステンシルマスクの製造方法は、第1の荷電粒子線遮蔽膜上に、当該第1の荷電粒子線遮蔽膜よりも膜厚の大きい第2の荷電粒子線遮蔽膜を形成する工程と、前記第2の荷電粒子線遮蔽膜を被露光体に転写すべきパターンで垂直に加工して、前記第2の荷電粒子線遮蔽膜の主面に略垂直な貫通孔からなるマスクパターンを形成する工程と、前記第2の荷電粒子線遮蔽膜を観測用マークのパターンで斜めに加工して、前記第2の荷電粒子線遮蔽膜の一方面から他方面へと斜めに貫通する貫通孔からなる観測用マークを形成する工程と、前記第2の荷電粒子線遮蔽膜をマスクとして前記第1の荷電粒子線遮蔽膜をエッチングする工程とを有する。
上記の本発明のステンシルマスクの製造方法では、第2の荷電粒子線遮蔽膜の主面に略垂直な貫通孔からなるマスクパターンを形成する工程に加えて、第2の荷電粒子線遮蔽膜の一方面から他方面へと斜めに貫通する貫通孔からなる観測用マークを形成している。そして、第2の荷電粒子線遮蔽膜をマスクとして第1の荷電粒子線遮蔽膜をエッチングすることにより、略垂直に加工されたマスクパターンと、斜めに加工された観測用マークが作製される。これにより、マスクパターンを通過するような角度で照射される荷電粒子線は、斜めに加工された観測用マークを通過しないこととなる。
上記の目的を達成するため、本発明の半導体装置の製造方法は、基板に形成された被加工層の上に荷電粒子線感光膜を形成する工程と、略垂直な貫通孔により形成されたマスクパターンと荷電粒子線を通過させないように形成された観測用マークとが荷電粒子線遮蔽膜に形成されたステンシルマスクと、前記基板とを位置合わせする工程と、前記ステンシルマスクに前記荷電粒子線を照射して、前記貫通孔を通過する前記荷電粒子線により前記マスクパターンを前記荷電粒子線感光膜に転写する工程と、転写後の前記荷電粒子線感光膜をマスクとして前記被加工層を加工することにより、半導体装置の回路パターンを形成する工程とを有する。
上記の本発明の半導体装置の製造方法では、荷電粒子線遮蔽膜の全体に荷電粒子線を照射した場合に、荷電粒子線は略垂直な貫通孔により形成されたマスクパターンのみを通過し、観測用マークの形成箇所での通過が阻止される。従って、荷電粒子線感光膜には、マスクパターンのみが転写される。転写後の荷電粒子線感光膜をマスクとして被加工層を加工することにより、半導体装置の回路パターンが形成される。
本発明のステンシルマスクおよびその製造方法によれば、被露光体に転写すべきパターン以外の観測用マークが、被露光体に転写されることを防止することができる。
本発明の半導体装置の製造方法によれば、基板の基板側マークを複数の露光工程で使用することができ、パターンの実効面積を大きくすることができる。
本発明の半導体装置の製造方法によれば、基板の基板側マークを複数の露光工程で使用することができ、パターンの実効面積を大きくすることができる。
以下に、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
図1は、本実施形態に係るステンシルマスクが使用される電子線等倍露光装置の一例を示す図である。
図1に示す露光装置1は、荷電粒子線として電子線EBを出射する電子銃2を備えており、この電子銃2から出射された電子線EBの経路を法線とする状態で、ステンシルマスク10が配置され、このステンシルマスク10との間に間隔を保って、図示しないステージにウエハ(基板)20が配置されている。ウエハ20の表面には、電子線感光膜であるレジスト膜22が形成されている。レジスト22が塗布されたウエハ20が本発明の被露光体である。ウエハ20の表面と、ステンシルマスク10の表面との間に約50μmの間隔が設けられるようにウエハ20が配置される。
電子銃2とステンシルマスク10との間には、電子線EBの経路を囲む状態で、電子銃2側から順に、電子線EBを平行化するコンデンサレンズ3と、電子線EBを制限するアパーチャ4と、電子線EBが平行なままでステンシルマスク10に垂直に入射するように偏向させる一対の主偏向器5a,5bと、電子線EBの照射位置の微調整を行うために電子線EBを偏向させる一対の副偏向器6a,6bとを有する。
上記の露光装置1は、ステンシルマスク10とウエハ20との相対位置を制御するため、アライメント光学系7と、制御部8とを備えている。
アライメント光学系7は、レジスト膜22が感光する領域を除く領域の波長のアライメント光Lを、ウエハ20およびステンシルマスク10の表面に対して斜めの方向から照射する。アライメント光Lは、ステンシルマスク10のメンブレン12を通過し、ウエハWのウエハマークを照射する。
アライメント光学系7は、アライメント光Lがウエハマーク(基板側マーク)とマスクマークに照射されることによる、ウエハマークとマスクマークからの散乱光を受光して、ウエハマークとマスクマークの観察画像を取得する。
制御部8は、アライメント光学系7により得られたウエハマークとマスクマークの観察画像に基づいて、ステンシルマスク10とウエハ20の位置ずれを検出する。さらに、制御部8は、上記のようにして得られたステンシルマスク10とウエハ20との位置ずれを解消するように、ステンシルマスク10とウエハ20との相対位置を調整し、アライメントを行う。上記の制御部8は、コンピュータと駆動装置とにより実現される。
図2(a)は本実施形態に係るステンシルマスクの平面図であり、図2(b)はメンブレンの要部断面図である。
図1、図2(a)および(b)に示すように、ステンシルマスク10は、周囲が厚膜の支持枠11により支持され、支持枠11により囲まれたメンブレン12に略垂直な貫通孔からなるマスクパターンPが形成される。メンブレン(荷電粒子線遮蔽膜)12は、例えば、シリコンSi、炭化シリコンSiC、ダイアモンド等により形成され、電子線を遮蔽する。
メンブレン12には、ウエハ20に転写すべき回路パターンであるマスクパターンPの他に、アライメントに使用する観測用マークとしてのマスクマーク(アライメントマーク)MAが形成されている。本実施形態では、マスクマークMAは貫通孔ではなく、メンブレン12の途中の深さまで彫り込まれて形成されている。例えば、メンブレン12の膜厚を600nm程度とすると、メンブレン12を100nm程度彫り込むことによりマスクマークMAが形成される。従って、マスクマークMAの形成箇所にも、500nm程度のメンブレン12が存在し、マスクマークMAに到達した電子線は遮蔽される。
なお、実際にはマスクパターンPおよびマスクマークMAは複数形成されているが、図2(b)および以降の図面では、図示の簡略化のため、マスクパターンPとマスクマークMAをメンブレン12に1つずつ示している。また、マスクマークMAは、後述するように実際には2次元配列パターンにより構成される。
次に、上記のステンシルマスク10を用いたウエハ20の露光および加工工程について説明する。
図3に示すように、アライメント時において、ウエハ20に対してステンシルマスク10が50μm程度の距離をもって保持された状態で、アライメント光Lを、ウエハ20とステンシルマスク10の表面に対して斜めの方向から照射する。そして、ウエハ20のウエハマークWAおよびステンシルマスク10のマスクマークMAからの散乱光を受光して、ウエハマークWAとマスクマークMAの観察画像を取得する。
図4は、アライメント光学系7により得られるウエハマークWAとマスクマークMAの観察画像を模式的に示す図である。
図4に示すように、2次元配列パターンからなる2列のウエハマークWAの間に、2次元配列パターンからなるマスクマークMAが観察される。このウエハマークWAおよびマスクマークMAの相対位置に基づいて、制御部8により、ステンシルマスク10とウエハ20の位置ずれが検出される。そして、位置ずれを解消するように、制御部8により、ステンシルマスク10に対するウエハ20の位置が調整される。なお、図3では図示の簡略化のため、ウエハマークWAおよびマスクマークMAを構成する2次元配列パターンのうちの1つのパターンのみの断面を示している。
アライメント後、図5(a)に示すように、ステンシルマスク10のメンブレン12に電子線EBを照射する。これにより、メンブレン12に形成された略垂直な貫通孔からなるマスクパターンPを通過した電子線EBによりウエハ20のレジスト膜22が露光される。この電子線EBの照射において、マスクマークMAの形成箇所にはメンブレン12が存在することから、マスクマークMAに到達した電子線EBの通過が阻止される。
半導体装置の製造においては、露光後、図5(b)に示すように、レジスト膜22を現像することにより、例えばレジスト膜22がポジ型であれば電子線照射部分が除去されて、レジスト膜22にパターン開口22aが形成される。
現像後、図5(c)に示すように、レジスト膜22をマスクとして被加工層21をエッチングすることにより、被加工層21がパターン加工されて、回路パターンが形成される。最後にレジスト膜22を除去することにより、被加工層21のパターン加工が終了する。
半導体装置の製造においては、被加工層21の上にさらに上層を積層し、レジスト膜を形成して、上記の露光工程(図5(a))、現像工程(図5(b))、エッチング工程(図5(c))を繰り返すことにより、集積回路が形成される。
次に、上記のステンシルマスク10の製造方法について、図6を参照して説明する。
まず、予め周囲に支持枠11が形成され、中央部にメンブレン12が形成されたマスクブランクスを用意する。このようなマスクブランクスは、例えばSOIウエハを用いて作製される。この場合には、SOIウエハの中央部のシリコン基板と酸化シリコン膜を除去することによりマスクブランクスが作製され、メンブレン12は、いわゆるSOI層と称されるシリコン層により構成される。
このようなマスクブランクスのメンブレン12に電子線レジストを塗布し、図6(a)に示すように、リソグラフィ技術によりマスクマークMAの形成箇所にパターン開口をもつレジストパターンR1を形成する。なお、後に形成するマスクマークMAとマスクパターンPとの相対位置を保つため、図示はしないが、レジストパターンR1に、マスクパターンPの形成のためのアライメントマークを形成するためのパターン開口をも形成しておく。
次に、図6(b)に示すように、レジストパターンR1をエッチングマスクとして、メンブレン12をハーフエッチングする。ハーフエッチングでは、メンブレン12を貫通するまでエッチングしないようにエッチング時間を制御する。当該ハーフエッチングは、例えばドライエッチングを採用し、塩素系ガスを用いる。これにより、メンブレン12の途中の深さまで彫り込まれて形成されたマスクマークMAが形成される。なお、図示はしないが、同時にマスクパターンPの形成のためのアライメントマークも形成される。その後、レジストパターンR1を除去する。
次に、メンブレン12に電子線レジストを塗布し、図6(c)に示すように、リソグラフィ技術によりマスクパターンPの形成箇所にパターン開口をもつレジストパターンR2を形成する。このリソグラフィにおいて、先に形成された、マスクパターンPの形成のためのアライメントマークを用いてマスクブランクスのアライメントを行う。
次に、図6(d)に示すように、レジストパターンR2をエッチングマスクとして、メンブレン12を貫通するまでドライエッチングする。当該ドライエッチングは、例えば、塩素系ガスを用いる。これにより、貫通孔からなるマスクパターンPが形成される。
以降の工程としては、レジストパターンR2を除去することにより、図2に示すステンシルマスク10が作製される。
上記の本実施形態に係るステンシルマスクによれば、ウエハ20に転写する必要のない観測用マークとしてのマスクマークMAは、メンブレン12の途中の深さまで彫り込まれて形成されていることから、電子線EBの通過を阻止することができ、ウエハ20に転写されることを防止することができる。このため、ウエハ20のウエハマークWAを複数の露光工程で使用することが可能となる。
このため、上記のステンシルマスクを用いてウエハ20にパターンを露光する半導体装置の製造方法によれば、形成される半導体装置のパターンの実効面積を大きくすることができる。
また、本実施形態に係るステンシルマスクの製造方法によれば、マスクマークMAの形成のためのリソグラフィ工程を別に追加するのみで上記のステンシルマスクを製造することができることから、製造時間を大幅に増加することもない。
(第2実施形態)
図7は本実施形態に係るステンシルマスクの要部断面図である。図2(a)に示すように、周囲に支持枠11が形成される点については、第1実施形態と同様であるため説明は省略する。
図7は本実施形態に係るステンシルマスクの要部断面図である。図2(a)に示すように、周囲に支持枠11が形成される点については、第1実施形態と同様であるため説明は省略する。
図7に示すように、本実施形態に係るステンシルマスク10は、メンブレン(第1の荷電粒子線遮蔽膜)12上にマスクマーク形成のためのマーク形成用層(第2の荷電粒子線遮蔽膜)13が形成されている。マーク形成用層13は、例えば窒化シリコンにより形成される。メンブレン12およびマーク形成用層13を略垂直に貫通する貫通孔によりマスクパターンPが形成される。メンブレン12は、例えば、シリコンSi、炭化シリコンSiC、ダイアモンド等により形成される。
本実施形態では、マーク形成用層13にマスクマークMAが形成される。図7に示すように、マスクマークMAはマーク形成用層13の途中の深さまで彫り込まれて形成される。これにより、マスクマークMAの形成箇所にも、メンブレン12が存在し、マスクマークMAに到達した電子線は遮蔽される。
なお、実際にはマスクパターンPおよびマスクマークMAは複数形成されているが、図7および以降の図面では、図示の簡略化のため、マスクパターンPとマスクマークMAを1つずつ示している。また、マスクマークMAは、第1実施形態で説明したように2次元配列パターンにより構成される(図4参照)。
上記のステンシルマスク10の製造方法について、図8〜図9を参照して説明する。
まず、予め周囲に支持枠11が形成され、中央部にメンブレン12が形成されたマスクブランクスを用意する。このようなマスクブランクスは、第1実施形態と同様に作製される。さらに、マスクブランクスのメンブレン12上にCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 法により窒化シリコンを堆積させてマーク形成用層13を形成する。
このようなマスクブランクスのマーク形成用層13上に電子線レジストを塗布し、図8(a)に示すように、リソグラフィ技術によりマスクマークMAの形成箇所にパターン開口をもつレジストパターンR1を形成する。なお、後に形成するマスクマークMAとマスクパターンPとの相対位置を保つため、図示はしないが、レジストパターンR1に、マスクパターンPの形成用のアライメントマークを形成するためのパターン開口をも形成しておく。
次に、図8(b)に示すように、レジストパターンR1をエッチングマスクとして、マーク形成用層13をハーフエッチングする。当該ハーフエッチングは、例えば、ドライエッチングを採用し、フロロカーボン系ガスを用いる。これにより、マーク形成用層13の途中の深さまで彫り込まれて形成されたマスクマークMAが形成される。また、図示はしないが、同時にマスクパターンPの形成用のアライメントマークも形成される。その後、図8(c)に示すように、レジストパターンR1を除去する。
次に、マーク形成用層13上に電子線レジストを塗布し、図9(d)に示すように、リソグラフィ技術によりマスクパターンPの形成箇所にパターン開口をもつレジストパターンR2を形成する。このリソグラフィにおいて、先に形成された、マスクパターンPの形成用のアライメントマークを用いてマスクブランクスのアライメントを行う。
次に、図9(e)に示すように、レジストパターンR2をエッチングマスクとして、マーク形成用層13を貫通するまでドライエッチングする。当該ドライエッチングは、例えば、フロロカーボン系ガスを用いる。その後、図9(f)に示すように、レジストパターンR2を除去する。
以降の工程としては、マーク形成用層13をエッチングマスクとして、メンブレン12を貫通するまでドライエッチングすることにより、図7に示すように略垂直な貫通孔からなるマスクパターンPをもつステンシルマスクが作製される。
上記の本実施形態に係るステンシルマスクによれば、ウエハ20に転写する必要のない観測用マークとしてのマスクマークMAはマーク形成用層13に形成されており、下層にメンブレン12が存在することから、電子線EBの通過を阻止することができ、ウエハ20にマスクマークMAが転写されることを防止することができる。このため、ウエハ20のウエハマークWAを複数の露光工程で使用することが可能となる。
このため、上記のステンシルマスクを用いてウエハ20にパターンを露光する半導体装置の製造方法によれば、形成される半導体装置のパターンの実効面積を大きくすることができる。
また、本実施形態に係るステンシルマスクの製造方法によれば、マスクマークMAの形成のためのリソグラフィ工程を別に追加するのみで上記のステンシルマスクを製造することができることから、製造時間を大幅に増加することもない。さらに、マスクパターンPと比較して大きいマスクマークMAをメンブレン12に直接形成しないことから、ステンシルマスク10の強度を保つことができる。
(第3実施形態)
図10(a)は、本実施形態に係るステンシルマスクの要部断面図である。図2(a)に示すように、周囲に支持枠11が形成される点については、第1実施形態と同様であるため説明は省略する。
図10(a)は、本実施形態に係るステンシルマスクの要部断面図である。図2(a)に示すように、周囲に支持枠11が形成される点については、第1実施形態と同様であるため説明は省略する。
図10(a)に示すように、本実施形態に係るステンシルマスクは、メンブレン(第1の荷電粒子線遮蔽膜)12上にマスクマーク形成のためのマーク形成用層(第2の荷電粒子線遮蔽膜)13が形成されている。マーク形成用層13は、例えば窒化シリコンにより形成される。メンブレン12およびマーク形成用層13を略垂直に貫通する貫通孔によりマスクパターンPが形成される。メンブレン12は、例えば、シリコンSi、炭化シリコンSiC、ダイアモンド等により形成される。
本実施形態では、マスクマークMA’は、マーク形成用層13およびメンブレン12の積層膜の一方面から他方面へと斜めに貫通する貫通孔により形成されている。マスクマークMA’は、マーク形成用層13およびメンブレン12の主面に垂直な法線Vに対して角度θをもつ。なお、マスクパターンPは、法線Vに対して略平行な貫通孔により形成される。電子線EBは、ステンシルマスク10に対してほぼ垂直、すなわち法線Vに沿って照射される。このため、電子線は、ステンシルマスク10のマスクパターンPのみを通過し、マスクマークMA’を通過しない。
電子線EBを通過させないため、マーク形成用層13およびメンブレン12の合計膜厚をtとし、マスクマークMA’の開口径をWとした場合に、θ≧ArcTan(W/t)を満たすことが好ましい。これについて図10(b)を参照して説明する。
図10(b)は、マスクマークMA’の貫通孔におけるマーク形成用層13側の点H1のx座標をx0 とする。ここで、マーク形成用層13に垂直に入射する電子線EBがマスクマークMA’を貫通しないためには、点H1と一続きのメンブレン12側の点H2のx座標がx0 +Wである必要がある。これにより、マーク形成用層13あるいはメンブレン12の主面に対して垂直方向から観察した場合には、貫通孔とならないからである。
上記の関係を満たすマスクマークMA’の貫通孔の傾斜角度をαとした場合には、図10(b)の斜線部分に着目すると、αは、ArcTan(W/t)で示される。従って、角度θがα以上あれば、電子線EBは通過しないといえる。
マスクマークMA’の開口径Wは、例えば300nm〜500nmである。ここで、マスクマークMA’の開口径Wを500nm、マーク形成用層13とメンブレン12の合計膜厚tを500nmとすると、角度θは、45°以上にする必要がある。
なお、実際にはマスクパターンPおよびマスクマークMA’は複数形成されているが、図10および以降の図面では、図示の簡略化のため、1つのマスクパターンPと2つのマスクマークMA’のみを示している。また、マスクマークMA’は、第1実施形態で説明したように2次元配列パターンにより構成される(図4参照)。
次に、上記のステンシルマスクの製造方法について、図11および図12を参照して説明する。
まず、予め周囲に支持枠11が形成され、中央部にメンブレン12が形成されたマスクブランクスを用意する。このようなマスクブランクスは、第1実施形態と同様に作製される。さらに、マスクブランクスのメンブレン12上にCVD法により窒化シリコンを堆積させて、マーク形成用層13を形成しておく。なお、マーク形成用層13の膜厚に対して、メンブレン12の膜厚を無視できる程度(マーク形成用層13の5%以下)に、メンブレン12を予め薄膜化しておくことが好ましい。
このようなマスクブランクスのマーク形成用層13上に電子線レジストを塗布し、図11(a)に示すように、リソグラフィ技術によりマスクパターンの形成箇所にパターン開口をもつレジストパターンR1を形成する。なお、後に形成するマスクマークMA’とマスクパターンとの相対位置を保つため、図示はしないが、レジストパターンR1に、マスクマークの形成用のアライメントマークを形成するためのパターン開口をも形成しておく。
次に、図11(b)に示すように、レジストパターンR1をエッチングマスクとして、マーク形成用層13をドライエッチングする。これにより、マーク形成用層13にマスクパターンPが形成される。また、図示はしないが、同時にマスクマークMA’の形成用のアライメントマークも形成される。その後、レジストパターンR1を除去する。
次に、図11(c)に示すように、マーク形成用層13上に電子線レジストR2’を塗布する。そして、後に形成するマスクマークMA’の角度θだけメンブレン12およびマーク形成用層13を傾けた状態で、電子線露光を行う。この電子線露光において、先に形成された、マスクマークMA’の形成用のアライメントマークを用いてマスクブランクスのアライメントを行う。電子線露光の後、現像を行う。これにより、図12(d)に示すように、マーク形成用層13の主面に垂直な法線Vに対して、角度θだけ傾いて形成された開口をもつレジストパターンR2が形成される。
次に、マーク形成用層13およびメンブレン12を傾けた状態のまま、ドライエッチングを行う。これにより、エッチャント(エッチング種)は、角度θに沿ってマーク形成用層13に入射し、マーク形成用層13をエッチングする。当該ドライエッチングは、例えば、フロロカーボン系ガスを用いる。その後、レジストパターンR2を除去する。この結果、図12(e)に示すように、マーク形成用層13の主面の法線Vに対して角度θをもつマスクマークMA’が形成される。
最後に、マーク形成用層13をエッチングマスクとして、メンブレン12をエッチングする。これにより、図12(f)に示すように、マスクパターンPおよびマスクマークMA’は、メンブレン12を貫通することとなる。
上記の本実施形態に係るステンシルマスクによれば、ウエハ20に転写する必要のない観測用マークとしてのマスクマークMA’は、マーク形成用層13およびメンブレン12の主面の法線Vに対して角度θをもつことから、電子線EBの通過を阻止することができ、ウエハ20にマスクマークMA’が転写されることを防止することができる。このため、ウエハ20のウエハマークWAを複数の露光工程で使用することが可能となる。
このため、上記のステンシルマスクを用いてウエハ20にパターンを露光する半導体装置の製造方法によれば、形成される半導体装置のパターンの実効面積を大きくすることができる。
なお、上記の実施形態では、マーク形成用層13およびメンブレン12を斜めに傾けることにより、エッチング種を斜め入射させるようにしたが、それ以外にも、例えば、エッチング種の進行方向を規制する電極の角度を調整することにより、斜め貫通孔をもつマスクマークMA’の形成が可能である。
(第4実施形態)
図13は、本実施形態に係るステンシルマスクの要部斜視図である。図2(a)に示すように、周囲に支持枠11が形成される点については、第1実施形態と同様であるため説明は省略する。
図13は、本実施形態に係るステンシルマスクの要部斜視図である。図2(a)に示すように、周囲に支持枠11が形成される点については、第1実施形態と同様であるため説明は省略する。
本実施形態では、中央部の電子線照射領域において、メンブレン12の強度を補強する梁部14が複数形成されている。梁部14は、例えば、支持枠11と同等の厚みをもつ。このため、ステンシルマスク10の強度を向上させることができる。
梁部14により区画されたメンブレン12に、略垂直な貫通孔からなるマスクパターンPと、メンブレン12の途中の深さまで彫り込まれたマスクマークMAが形成されている。あるいは、第2実施形態のように、メンブレン12上に形成されたマーク形成用層13にマスクマークMAを形成してもよい。あるいは、第3実施形態のように、斜め貫通孔からなるマスクマークMA’であってもよい。
上記のステンシルマスクの製造方法については、第1実施形態ないし第3実施形態と実質的に同様である。
例えばステンシルマスクの作製のためのマスクブランクスをSOIウエハから製造する場合には、SOIウエハのシリコン基板と酸化シリコン膜をエッチング加工することにより、支持枠11と同時に梁部14を形成する。これにより、梁部14が形成されたマスクブランクスが作製される。
例えばステンシルマスクの作製のためのマスクブランクスをSOIウエハから製造する場合には、SOIウエハのシリコン基板と酸化シリコン膜をエッチング加工することにより、支持枠11と同時に梁部14を形成する。これにより、梁部14が形成されたマスクブランクスが作製される。
このようにして作製されたマスクブランクスに対して、第1実施形態ないし第3実施形態で説明した方法を採用することにより、垂直な貫通孔からなるマスクパターンPと、貫通孔でないマスクマークMA、あるいは斜め貫通孔からなるマスクマークMA’をもつステンシルマスクを作製することができる。
上記の本実施形態に係るステンシルマスクによれば、第1〜第3実施形態と同様の効果を奏することができる。また、メンブレン12が厚膜の梁部14により補強されているため、ステンシルマスクの強度をさらに向上させることができる。
本発明は、上記の実施形態の説明に限定されない。
例えば、貫通孔でないマスクマークと斜め貫通孔からなるマスクマークが混在するステンシルマスクを用いてもよい。
また、例えば、本実施形態では荷電粒子線として電子線を用いる例について説明したが、イオンビームを採用することも可能である。また、本実施形態では、ステンシルマスクを使用する露光装置の例として電子線等倍露光装置について説明したが、電子線縮小投影露光装置に使用することもできる。また、本発明の観測用マークとして、本実施形態では被露光体とのアライメントに使用されるマスクマークMAを例に説明したが、ウエハ20に転写する必要のない観測用マークであれば特に限定はない。さらに、本実施形態で説明した材料や数値は一例であり、これに限定されるものではない。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
例えば、貫通孔でないマスクマークと斜め貫通孔からなるマスクマークが混在するステンシルマスクを用いてもよい。
また、例えば、本実施形態では荷電粒子線として電子線を用いる例について説明したが、イオンビームを採用することも可能である。また、本実施形態では、ステンシルマスクを使用する露光装置の例として電子線等倍露光装置について説明したが、電子線縮小投影露光装置に使用することもできる。また、本発明の観測用マークとして、本実施形態では被露光体とのアライメントに使用されるマスクマークMAを例に説明したが、ウエハ20に転写する必要のない観測用マークであれば特に限定はない。さらに、本実施形態で説明した材料や数値は一例であり、これに限定されるものではない。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
1…露光装置、2…電子銃、3…コンデンサレンズ、4…アパーチャ、5a,5b…主偏向器、6a,6b…副偏向器、7…アライメント光学系、8…制御部、10…ステンシルマスク、11…支持枠、12…メンブレン(荷電粒子線遮蔽膜、第1の荷電粒子線遮蔽膜)、13…マーク形成用層(第2の荷電粒子線遮蔽膜)、14…梁部、20…ウエハ、21…被加工層、22…レジスト膜(荷電粒子線感光膜)、22a…パターン開口、P…マスクパターンP、MA,MA’…マスクマーク(アライメントマーク、観測用マーク)、WA…ウエハマーク(基板側マーク)、EB…電子線(荷電粒子線)、R1,R2…レジストパターン
Claims (10)
- 荷電粒子線遮蔽膜と、
被露光体に転写すべきパターンが前記荷電粒子線遮蔽膜に略垂直に形成された貫通孔からなるマスクパターンと、
前記荷電粒子線を通過させないように前記荷電粒子線遮蔽膜に形成された観測用マークと
を有するステンシルマスク。 - 前記観測用マークは、前記被露光体との位置合わせのためのアライメントマークを含む
請求項1記載のステンシルマスク。 - 前記観測用マークは、前記荷電粒子線遮蔽膜の途中の深さまで彫り込まれて形成された
請求項1記載のステンシルマスク。 - 前記観測用マークは、前記荷電粒子線を通過させないように、前記荷電粒子線遮蔽膜の一方面から他方面へと斜めに貫通する貫通孔により形成された
請求項1記載のステンシルマスク。 - 荷電粒子線遮蔽膜を観測用マークのパターンでハーフエッチングして、前記荷電粒子線遮蔽膜に荷電粒子線を通過させない観測用マークを形成する工程と、
前記荷電粒子線遮蔽膜を被露光体に転写すべきパターンで除去して、前記荷電粒子線遮蔽膜に貫通孔からなるマスクパターンを形成する工程と
を有するステンシルマスクの製造方法。 - 第1の荷電粒子線遮蔽膜上に第2の荷電粒子線遮蔽膜を形成する工程と、
前記第2の荷電粒子線遮蔽膜を観測用マークのパターンで除去して、前記第2の荷電粒子線遮蔽膜に観測用マークを形成する工程と、
前記第1および第2の荷電粒子線遮蔽膜を被露光体に転写すべきパターンで除去して、貫通孔からなるマスクパターンを形成する工程と
を有するステンシルマスクの製造方法。 - 第1の荷電粒子線遮蔽膜上に、当該第1の荷電粒子線遮蔽膜よりも膜厚の大きい第2の荷電粒子線遮蔽膜を形成する工程と、
前記第2の荷電粒子線遮蔽膜を被露光体に転写すべきパターンで略垂直に加工して、前記第2の荷電粒子線遮蔽膜の主面に略垂直な貫通孔からなるマスクパターンを形成する工程と、
前記第2の荷電粒子線遮蔽膜を観測用マークのパターンで斜めに加工して、前記第2の荷電粒子線遮蔽膜の一方面から他方面へと斜めに貫通する貫通孔からなる観測用マークを形成する工程と、
前記第2の荷電粒子線遮蔽膜をマスクとして前記第1の荷電粒子線遮蔽膜をエッチングする工程と
を有するステンシルマスクの製造方法。 - 前記観測用マークを形成する工程において、
前記第2の荷電粒子線遮蔽膜上に、観測用マークのパターンをもつレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜をマスクとして、前記第2の荷電粒子線遮蔽膜に対して斜め方向からエッチング種を入射させることにより、斜めに貫通する貫通孔を形成する工程と、
前記レジスト膜を除去する工程と
を有する請求項7記載のステンシルマスクの製造方法。 - 基板に形成された被加工層の上に荷電粒子線感光膜を形成する工程と、
略垂直な貫通孔により形成されたマスクパターンと荷電粒子線を通過させないように形成された観測用マークとが荷電粒子線遮蔽膜に形成されたステンシルマスクと、前記基板とを位置合わせする工程と、
前記ステンシルマスクに前記荷電粒子線を照射して、前記貫通孔を通過する前記荷電粒子線により前記マスクパターンを前記荷電粒子線感光膜に転写する工程と、
転写後の前記荷電粒子線感光膜をマスクとして前記被加工層を加工することにより、半導体装置の回路パターンを形成する工程と
を有する半導体装置の製造方法。 - 前記観測用マークは、前記基板との位置合わせのためのアライメントマークを含み、
前記基板を位置合わせする工程において、前記基板に形成された基板側マークと、前記アライメントマークとを観測して、前記ステンシルマスクと前記基板とを位置合わせする
請求項9記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004339922A JP2005286293A (ja) | 2004-03-03 | 2004-11-25 | ステンシルマスクおよびその製造方法、並びに半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004058993 | 2004-03-03 | ||
JP2004339922A JP2005286293A (ja) | 2004-03-03 | 2004-11-25 | ステンシルマスクおよびその製造方法、並びに半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005286293A true JP2005286293A (ja) | 2005-10-13 |
Family
ID=35184283
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2004339922A Pending JP2005286293A (ja) | 2004-03-03 | 2004-11-25 | ステンシルマスクおよびその製造方法、並びに半導体装置の製造方法 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP2005286293A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN116815140A (zh) * | 2023-06-21 | 2023-09-29 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体工艺设备及其工艺腔室 |
-
2004
- 2004-11-25 JP JP2004339922A patent/JP2005286293A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN116815140A (zh) * | 2023-06-21 | 2023-09-29 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体工艺设备及其工艺腔室 |
CN116815140B (zh) * | 2023-06-21 | 2024-03-26 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体工艺设备及其工艺腔室 |
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