KR100313326B1 - 전자빔셀투영어퍼쳐 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 집속이온빔을 기판의 상면에 인가하여 전자빔을 흡수 또는 산란하는 데 충분한 막두께를 얻을 수 있는 깊이까지 에칭함으로써 상면에 소망하는 패턴의 개구를 형성하는 단계와, 기판의 이면에 집속이온빔을 균일하게 인가하여, 가장자리부분을 제외하고는 개구에 도달하는 깊이까지 에칭하는 단계를 구비하는 전자빔셀투영어퍼쳐 형성방법을 제공한다.
Description
본 발명은 전자빔 노광장치의 구성요소에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 셀투영어퍼쳐 형성방법에 관한 것이다.
다이나믹랜덤액세스메모리(DRAM)등의 반도체전자부품은 그 집적도가 증가되어 왔고, 이에 따라 초미세 공정기술이 요구되어 왔다. 반도체 제조공정에서 초미세 레지스트패턴을 실현하는 수단으로서, 부분셀투영법를 채용한 전자빔노광법이 대두되고 있다. 이 노광방법은 반도체패턴의 일부 또는 전체 반도체패턴과 동일한 형상의 어퍼쳐를 갖는 Si기판으로 된 셀투영어퍼쳐를 사용한다.
종래에는, Si기판을 관통하는 소망하는 패턴을 얻기 위하여, 포토리소그래피를 사용하는 레지스트패터닝, 플라즈마를 사용하는 에칭 또는 습식에칭등의 종래 반도체공정기술을 채용함으로써 셀투영어퍼쳐가 제조되었다.(Y.Nakayama,H. Satoh et al ' Thermal Characteristics of Si Mask for EB Cell Projection Lithography ' , Jpn. J. Applied. Physicss. Vol. 31 (1992), pp. 4268 to 4272, PARTl, No. 12B, December 1992[1]과, Y. Nakayama, S. Okazaki and N. Satoh, 'Electron-Beam Cell Projection Lithography: A New High-Througput Erectron beam Direct-Writing Technology Using a Specially Tailored Si Aperture' , J.Vac.Sci. Technology B8 (6), Nov/ Dec 1990[2] 참조)
보다 상세하게는, Si기판은, 우선, 상면에서부터 약 15~20㎛의 깊이로 플라즈마 에칭된다. 그 다음에, Si기판은 백에칭되어 나머지 500~600㎛를 에칭함으로써, Si기판의 이면으로부터 패턴을 오픈한다.
도 7a 내지 도 7e는 상술한 문헌 [1]과 [2]에 따른 셀투영어퍼쳐 형성방법을 나타낸다. 이하, 각각의 셀투영어퍼쳐형성단계에 따라서 셀투영어퍼쳐형성방법을 설명한다.
먼저, Si기판의 표면이 두께 1㎛의 레지스트(5)로 스핀코팅되고, g선 또는 i선축소투영노광장치, 콘택노광장치, 전자빔노광장치등을 사용하여 노광한 후, 현상하여 레지스트패턴이 얻어진다(도 7a, 셀패턴노광/현상단계). 자주 사용되는 Si기판은 에치마스크(9)인 Si산화막으로써 두 개의 Si기판들(8a 및 8b)을 붙인 양면Si기판(8)(이하, 간단히 Si기판(8)이라 함)이다.
다음에, Si기판(8)은 레지스트(5)를 에칭마스크로 사용하여 약 20㎛의 깊이로 플라즈마에칭된다(도 7b, Si에칭단계). 여기서, 바람직한 에칭형상을 얻기 위해, 에치마스크로서 레지스트(5)대신 Si산화막이 사용될 수 있다. 이 경우, 레지스트도포에 앞서, Si기판의 표면상에 열산화 또는 CVD(화학기상증착)를 사용하여 약 1㎛의 두께로 Si산화막이 형성되고, 다음에, Si산화막의 패터닝을 위한 상술한 레지스트패턴을 통해 Si산화막이 에칭된다. 다음에, 레지스트(5)가 박리되어 패터닝된 Si산화막이 Si기판(8)의 에칭을 위한 에치마스크로서 사용된다.
다음에, Si기판(8)의 상면과 이면에 질화막(6)이 형성되고, 레지스트(5)가 도포된다. 상면패턴에 대하여 얼라인먼트가 수행되고, 이면패턴이 노광되고 현상되어 레지스트(5)를 패터닝한다(도 7c, 질화막형성, 레지스트도포/노광/현상단계).
이 레지스트패턴은 Si질화막(6)을 에칭하기 위한 에치마스크로서 사용된다. 레지스트 제거 후, Si질화막(6)을 에칭마스크로 사용하여, Si기판(8)은 KOH용액등을 사용하여 이면으로부터 600㎛ 에치된다(도 7d, 백에칭단계).
마지막으로, Si질화막(6)은 열인산에 의해 제거되고, Si기판(8)의 상면은 도전층(7)으로서 Au등의 금속막으로 덮여진다(도 7e, 도전층형성단계). 이 기판은 소정의 사이즈로 절단되어 셀투영어퍼쳐를 완성한다.
상술한 바와 같이, 종래의 제조방법은 상당히 복잡하고 고가의 반도체제조장치가 요구되며, 고도한 공정기술을 필요로 한다. 또한, 수율이 상당히 저하되는 문제점이 있다.
셀투영조사형 전자빔노광장치의 일반적인 축소비, 즉 어퍼쳐치수에 대한 웨이퍼상의 치수의 비는 1/10~1/100이다. 예컨데, 웨이퍼상에 0.1㎛의 패턴을 얻기 위하여, 어퍼쳐에서 패턴은 1~10㎛의 폭을 갖는다. Si가 이 폭에 대해 15~20㎛의 깊이로 에치될 경우에, 애스펙트비(폭에 대한 깊이의 비)는 최대 20이 된다. 현재 기술로서는 이를 얻기가 곤란하다.
더욱이, KOH등의 에칭용액을 사용하여 이면으로부터 500 ~ 600㎛까지 Si기판을 백에칭하는 것은 에칭율이 낮기 때문에 장시간이 요구된다. 이러한 이유로, Si기판의 표면은 에칭중에 에칭용액에 의해 열화되어, 수율이 저하되는 문제점이 있다.
또한, 반도체장치제조는 5%이하의 공정치수정밀도를 필요로 한다. 따라서, 어퍼쳐공정의 정확도는 0.05 ~ 0.5㎛의 공정밀도를 필요로 한다. 또한, 전자빔을 바람직한 형상으로 통과시키기 위해서는, 에칭후의 테이퍼각이 89°이상이 되어야 한다. 종래의 기술로는 이러한 엄격한 공정정밀도를 얻기가 곤란하다.
또한, 종래의 기술로는 서로 상이한 깊이를 갖는 어퍼쳐들을 형성하기가 곤란하다. 따라서, 소망하는 패턴위치에서 전자빔투과를 상이하게 함으로써 근접효과를 보상하는 셀투영장치를 제조하는 것이 곤란하다.
도 1a 내지 도 1c는 본 발명의 제 1 실시예를 설명하기 위한 Si기판의 단면도이다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 제 2 실시예를 설명하기 위한 Si기판의 단면도이다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 제 3 실시예를 설명하기 위한 Si기판의 단면도이다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 제 4 실시예를 설명하기 위한 Si기판의 단면도이다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 제 5 실시예를 설명하기 위한 Si기판의 단면도이다.
도 6a 및 도 6b는 본 발명의 제 6 실시예를 설명하기 위한 Si기판의 단면도이다.
도 7a 내지 도 7e는 종래 제조방법의 각각의 제조단계에서의 Si기판의 단면도이다.
도 8은 본 발명에 따른 제조방법에 사용되는 집속이온빔장치의 일 예를 나타내는 개략도이다.
※도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 집속이온빔 2 : Si기판
3 : 박막 5 : 레지스트
6 : Si질화막 7 : 도전층
9 : 에치마스크 10,10a,10b : 개구
21 : 이온원 22 : 쉴드전극
23 : 건어퍼쳐 24 : 집속렌즈
25 : 어퍼쳐 26 : 주사전극
27 : 대물랜즈 28 : 노즐
29 : 히터 30 : 용기
31 : 가스원 32 : 밸브
33 : 미동장치 35 : 검출기
36 : X-Y구동장치 37 : X-Y스테이지
따라서, 본 발명의 목적은 기판을 에칭하기 위하여 집속이온빔을 사용하는 셀투영어퍼쳐 제조방법을 제공하는 데 있다.
본 발명에 따른 전자빔셀투영어퍼쳐 제조방법은 집속이온빔을 기판의 상면에 인가하여 전자빔을 흡수 또는 산란하는 데 충분한 막두께를 얻을 수 있는 깊이까지 에칭함으로써 상기 상면에 소망하는 패턴의 개구를 형성하는 단계; 및 상기 기판의 이면에 상기 집속이온빔을 균일하게 인가하여, 가장자리부분을 제외한 상기 기판의 상기 이면을 상기 개구에 도달하는 깊이까지 에칭하는 단계를 구비한다.
본 발명의 다른 일면에 따르면, 전자빔셀투영어퍼쳐 제조방법은 기판의 이면에 집속이온빔을 균일하게 인가하여, 가장자리부분을 제외한 상기 기판의 상기 이면을 전자빔을 흡수 또는 산란하는 데 충분한 막두께를 얻을 수 있는 깊이까지 에칭하는 단계; 및 이면이 에칭된 상기 기판의 상면에 상기 집속이온빔을 인가하여, 소망하는 패턴의 개구를 형성하는 단계를 구비한다.
본 발명의 또 다른 일면에 따르면, 전자빔셀투영어퍼쳐 형성방법은 기판의 이면에 집속이온빔을 균일하게 인가하여, 가장자리부분을 제외한 상기 기판의 상기 이면을 전자빔을 흡수 또는 산란하는 데 충분한 막두께를 얻을 수 있는 깊이까지 균일하게 에칭하는 단계; 및 에칭된 상기 기판의 상기 이면에 상기 집속이온빔을 계속 인가하여, 소망하는 패턴의 개구를 형성하는 단계를 구비한다.
본 발명의 또 다른 일면에 따르면, 전자빔셀투영어퍼쳐 형성방법은 기판의 상면에 집속이온빔을 인가하여, 패턴의 주변부는 전자빔을 흡수 또는 산란하는 데 충분한 제 1 막두께를 얻을 수 있는 깊이까지 에칭하고, 상기 패턴의 중심부는 상기 제 1 막두께보다 얇은 제 2 막두께를 얻을 수 있는 깊이까지 에칭함으로써, 소망하는 위치에서의 서로 다른 에칭깊이들을 갖는 소망하는 패턴의 개구들을 형성하는 단계; 및 상기 기판의 이면에 상기 집속이온빔을 인가하여, 가장자리부분을 제외한 상기 기판의 상기 이면을 상기 제 1 막두께를 얻을 수 있는 깊이까지의 에칭에 의해 형성된 개구에 도달하는 깊이까지 균일하게 에칭함으로써, 관통홀로서의 개구와 저부로서 박막을 갖는 개구를 얻는 단계를 구비한다.
본 발명의 또 다른 일면에 따르면, 전자빔셀투영어퍼쳐 형성방법은 기판의 이면에 집속이온빔을 인가하여, 가장자리부분을 제외한 상기 기판의 이면을 전자빔을 흡수 또는 산란하는 데 충분한 막두께를 얻을 수 있는 깊이까지 균일하게 에칭하는 단계; 및 상기 기판의 상면에 상기 집속이온빔을 인가하여 상기 기판상의 위치에 따라 에칭깊이를 제어하면서 에칭함으로써, 깊이가 가장 깊은 개구는 관통홀이 되고 그 외의 깊이의 개구는 저부로서 박막을 갖게 하는 방식으로 다른 깊이들을 갖는 소망하는 패턴의 개구들을 얻는 단계를 구비한다.
본 발명의 또 다른 일면에 따르면, 전자빔셀투영어퍼쳐 형성방법은 기판의 이면에 집속이온빔을 인가하여, 상기 기판의 가장자리부분을 제외한 상기 기판의 상기 이면을 전자빔을 흡수 또는 산란하는 데 충분한 막두께를 얻을 수 있는 깊이까지 균일하게 에칭하는 단계; 및 에칭된 상기 기판의 상기 이면에 상기 집속이온빔을 인가하여, 상기 기판상의 위치에 따라 에칭깊이를 제어하면서 에칭을 수행함으로써, 깊이가 가장 깊은 개구는 관통홀이 되고 그 외의 깊이의 개구는 저부로서 박막을 갖게 하는 방식으로 다른 깊이들을 갖는 소망하는 패턴의 개구들을 얻는 단계를 구비한다.
본 발명의 또 다른 일면에 따르면, 전자빔셀투영어퍼쳐 형성방법은 기판의 상면에 집속이온빔을 인가하고 동시에 상기 접속이온빔이 조사된 부분에 에칭가스를 인가하여 전자빔을 흡수 또는 산란하는 데 충분한 막두께를 얻을 수 있는 깊이까지 에칭을 수행함으로써 상기 기판의 상기 상면에 소망하는 패턴의 개구를 형성하는 단계; 및 상기 기판의 이면에 상기 집속이온빔과 상기 에칭가스를 인가하여, 가장자리부분을 제외하고는 상기 개구에 도달하는 깊이까지 상기 기판의 상기 이면을 균일하게 에칭하는 단계를 구비한다.
본 발명의 또 다른 일면에 따르면, 전자빔셀투영어퍼쳐 형성방법은 기판의 이면에 집속이온빔을 인가하고 동시에 상기 집속이온빔이 조사된 부분에 에칭가스를 인가함으로써, 상기 기판의 가장자리부분을 제외하고는 전자빔을 흡수 또는 산란하는 데 충분한 막두께를 얻을 수 있는 깊이까지 상기 기판의 이면에 대해 균일한 에칭을 수행하는 단계; 및 이면이 에칭된 상기 기판의 상면에 상기 집속이온빔을 인가하고 동시에 상기 집속이온빔이 조사된 부분에 에칭가스를 인가함으로써, 소망하는 패턴의 개구를 형성하는 단계를 구비한다.
본 발명의 또 다른 일면에 따르면, 전자빔셀투영어퍼쳐 형성방법은 기판의 이면에 집속이온빔을 인가하고 동시에 상기 집속이온빔이 조사된 부분에 에칭가스를 인가함으로써, 상기 기판의 가장자리부분을 제외하고는 전자빔을 흡수 또는 산란하는 데 충분한 막두께를 얻을 수 있는 깊이까지 상기 기판의 상기 이면에 대해 균일한 에칭을 수행하는 단계; 및 에칭된 상기 기판의 상기 이면에 상기 집속이온빔을 인가하고 동시에 상기 집속이온빔이 조사된 부분에 에칭가스를 인가함으로써, 소망하는 패턴의 개구를 형성하는 단계를 구비한다.
본 발명의 또 다른 일면에 따르면, 전자빔셀투영어퍼쳐 형성방법은 기판의 상면에 집속이온빔을 인가하는 동시에 상기 집속이온빔이 조사된 부분에 에칭가스를 인가하여, 전자빔을 흡수 또는 산란하는 데 충분한 제 1 막두께를 얻을 수 있는 깊이까지 패턴의 주변부를 에칭하고 상기 제 1 막두께보다 얇은 제 2 막두께를 얻을 수 있는 깊이까지 상기 패턴의 중심부를 에칭함으로써, 소망하는 위치들에 다른 에칭깊이들을 갖는 소망하는 패턴의 개구들을 형성하는 단계; 및 개구들이 형성된 상기 기판의 이면에 상기 집속이온빔을 인가하고 동시에 상기 집속이온빔이 조사된 부분에 에칭가스를 인가하여, 가장자리부분을 제외한 상기 기판의 상기 이면을 상기 제 1 막두께를 얻을 수 있는 상기 깊이까지의 에칭에 의해 형성된 개구에 도달하는 깊이까지 균일하게 에칭함으로써, 관통홀로서의 개구와 저부로서 박막을 갖는 개구를 얻는 단계를 구비한다.
본 발명의 또 다른 일면에 따르면, 전자빔셀투영어퍼쳐 형성방법은 기판의 이면에 집속이온빔을 인가하고 동시에 상기 집속이온빔이 조사된 부분에 에칭가스를 인가하여, 상기 기판의 가장자리부분을 제외한 상기 기판의 상기 이면을 전자빔을 흡수 또는 산란하는 데 충분한 막두께를 얻을 수 있는 깊이까지 균일하게 에칭하는 단계; 및 상기 기판의 상면에 상기 집속이온빔을 인가하고 동시에 상기 집속이온빔이 조사된 부분에 에칭가스를 인가하여, 상기 기판상의 위치에 따라 에칭깊이를 제어하면서 에칭함으로써, 깊이가 가장 깊은 개구는 관통홀이 되고 그 외의 깊이의 개구는 저부로서 박막을 갖게 하는 방식으로 다른 깊이들을 갖는 소망하는 패턴의 개구들을 얻는 단계를 구비한다.
본 발명의 또 다른 일면에 따르면, 전자빔셀투영어퍼쳐 형성방법은 기판의 이면에 집속이온빔을 인가하고 동시에 상기 집속이온빔이 조사된 부분에 에칭가스를 인가하여, 상기 기판의 가장자리부분을 제외한 상기 기판의 상기 이면을 전자빔을 흡수 또는 산란하는 데 충분한 막두께를 얻을 수 있는 깊이까지 균일하게 에칭하는 단계; 및 에칭된 상기 기판의 상기 이면에 상기 집속이온빔을 인가하고 동시에 상기 접속이온빔이 조사된 부분에 에칭가스를 인가하여, 상기 기판상의 위치에 따라 에칭깊이를 제어하면서 에칭함으로써, 깊이가 가장 깊은 개구는 관통홀이 되고 그 외의 깊이의 개구는 저부로서 박막을 갖게 하는 방식으로 다른 깊이들을 갖는 소망하는 패턴의 개구들을 얻는 단계를 구비한다.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 설명한다.
제 1 실시예
도 1a 내지 도 1c는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 셀투영어퍼쳐 제조공정의 다른 단계들에서의 Si기판의 사시도들이다. 또한, 도 8은 제 1 실시예에 사용되는 집속이온빔장치의 일 예를 개략적으로 보여준다. 도 8의 집속이온빔장치는, 이온원(이온원(21), 쉴드전극(22), 건어퍼쳐(23))과, 이온집속계(집속렌즈(24), 어퍼쳐(25), 주사전극(26), 대물렌즈(27))와, 가스공급계(노즐(28), 히터(29), 용기(30), 가스원(31), 밸브(32), 미동장치(33), 밸브손잡이(34))와, 검출기(35), X-Y 구동장치(36), 그리고 샘플용 X-Y스테이지(37)를 구비한다.
Si기판(2)은 X-Y스테이지(37)상에 위치되어 이온원(21)으로부터 발산되고 집속렌즈(24)와 대물렌즈(27)에 의해 집속된 Ar이온빔(1)에 의해 처리된다. 예컨대, 620㎛의 두께를 갖는 6인치 Si기판(2) 내에 관통홀을 형성하여 셀투영어퍼쳐를 얻는 경우, 우선, 도 1a에 도시된 바와 같이, 진공 중에서, Si기판(2)의 표면에 집속된 Ar이온빔(1)은 소망의 패턴을 에칭하기 위한 패턴데이터에 따라 주사전극(26)에 의해 편향되도록 제어된다. 여기서, Si기판(2)으로부터 방사된 2차전자는 검출기(35)에 의해 검출되어 모니터되는 비디오데이터로서 기록된다. 에칭은 전자빔노광이 동안 전자빔이 완전히 차폐되기 위해 요구되는 막두께(d)를 얻을 수 있는 깊이(d)까지 수행된다.
제 1 실시예에서는, 20㎛ 깊이까지 에칭이 수행된다. 시뮬레이션 결과에 따르면, 50keV의 가속전압의 전자빔노광장치에서 전자를 완전히 차폐하는데 충분한 막두께가 얻을 수 있게 하는 깊이는 20㎛이다. 전자가 흡수되고 산란되어 에너지가 손실되고 방사각분포가 변화되어 막을 통과한 전자가 Si기판에 도달할 수 없는 경우에, 막두께(d)는 전자를 완전히 차폐하는 값, 즉 20㎛보다 작아도 된다. 막을 통과한 전자가 Si기판에 도달하는 경우에도, 충분한 콘트라스트가 얻어질 수 있다면, 아무 문제가 없다. 이는 후술하는 다른 실시예들에도 적용된다.
다음에, Si기판(2)은 뒤집어지고 Ar이온빔(1)이 주사되어 가장자리부를 그대로 남겨두고 Si기판(2)의 이면으로부터 600㎛의 깊이까지 에칭되어, 도 1b에 도시된 바와 같은 관통개구(10)를 얻는다. 따라서, 도 1c에 도시된 바와 같은 셀투영어퍼쳐가 완성된다.
따라서, 본 발명에 따르면, 종래기술에서의 레지스트도포, 현상, 또는 박리를 필요로 하지 않고, Si기판(2)상에 직접 Ar이온빔을 조사하여 에칭을 수행하도록 접속이온빔(1)은 패턴데이터에 따라 편향되도록 제어되면서 사용된다. 더욱이, Si기판의 이면도 집속이온빔에 의해 에치되고, 따라서, 백에칭용 에칭용액에 의한 상면이 악화될 위험이 없다. 즉, 패턴결함의 발생을 방지할 수 있고, 따라서 수율을 향상시킨다. 더욱이, 집속이온빔의 조사각을 변화시킴으로써, 에칭에 의해 형성되는 측벽의 각을 변화시킬 수 있다. 따라서, 수직조사를 수행함으로써, 거의 수직한 테이퍼각을 갖는 어퍼쳐를 얻을 수 있다.
상술한 효과는 상세하게 후술하는 다른 실시예에서도 얻을 수 있다.
제 1 실시예에서는 Ar이온빔의 편향/주사로 설명되었지만, Ar이온빔을 일정한 방향으로 고정시키고 X-Y구동장치(36)를 사용하여 Si기판(2)을 탑재한 X-Y스테이지를 구동/주사하는 것도 가능하다.
상술한 제 1 실시예에서, 어퍼쳐는 관통홀이지만, 어퍼쳐의 저부로서 박막을 제공하는 것도 가능하다. 즉, Si기판의 상면으로부터 20㎛ 에칭하는 것 대신에, 이면으로부터 600㎛ 에칭이 수행될 때 박막을 남기도록 더 얕은 에칭을 수행하는 것도 가능하다. 다르게는, 상면으로부터 20㎛에칭을 수행하고 이면으로부터 600㎛보다 얕게 에칭을 수행하여 어퍼쳐의 저면로서 박막을 남기는 것도 가능하다. 이 방법은 동축 패턴을 형성하는 경우에 유리하다.
제 2 실시예
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 셀투영어퍼쳐 제조단계에서의 Si기판의 단면도들이다. 이 실시예에서, Si기판 표면상의 가공된 패턴을 보호하기 위해, 먼저, Si기판은 이면으로부터 균일하게 백에칭되고, 그 다음에, Si기판의 이면으로부터 에칭이 더 수행되어 상면에 가공된 패턴을 얻는다. 이하, 도 2와 도 8을 참조하여 설명한다.
먼저, 620㎛의 두께를 갖는 6인치 Si기판(2)이 이면을 위로하여 X-Y스테이지(37)상에 위치된다. 도 2a에 도시된 바와 같이, 진공 중에서 Ar이온빔(1)을 래스터주사함으로써, Si기판(2)의 중심부분을 균일하게 에칭하고 Si기판(2)의 가장자리부분을 그대로 남기도록 Ar이온빔(1)은 Si기판(2)의 이면에 연속적으로 조사된다. 에칭은 전자빔노광 동안 전자빔을 완전히 차폐하기 위해 요구되는 막두께 'd'를 얻을 수 있는 충분한 깊이까지 수행된다.
제 2 실시예에서, 에칭은 Si기판(2)의 이면으로부터 600㎛의 깊이까지 수행되어 20㎛두께의 막을 남긴다. 이 20㎛의 두께는 50keV의 가속전압의 전자빔노광장치에서 전자를 완전히 차폐하는데 충분하다. 이 막두께(d)는 제 1 실시예에서 설명된 것과 동일한 방식으로 변경될 수 있다.
다음에, 도 2b에 도시된 바와 같이, 패턴데이터에 따라 편향되도록 제어되는 Ar이온빔이 Si기판(2)의 이면에 인가되어 Si기판(2)을 이면으로부터 20㎛까지 에치하여 제거한다. 따라서, 소망하는 패턴의 관통홀로서 개구(10)가 형성되어 셀투영어퍼쳐가 완성된다.
패턴데이터에 따라 Ar이온빔(1)을 편향제어하는 것 대신, 도 2a에 도시된 바와 같은 래스트주사를 위해 Ar이온빔(1)을 단속적으로 제어하여 개구(10)가 형성되는 부분들만을 조사하도록 하는 것도 가능하다.
제 3 실시예
도 3a 및 도 3b는 제 3 실시예에 따른 셀투영어퍼쳐 제조단계들에서의 Si기판의 단면도들이다. 제 3 실시예에서는, 제 1 실시예에서와 유사하게, Si기판 표면상의 가공된 패턴을 보호하기 위해, 먼저, Si기판은 이면으로부터 백에칭되고, 그 다음에, 패터닝을 위해 그 상면이 에칭된다. 이하, 도 3과 도 8을 참조하여 설명한다.
먼저, 620㎛의 두께를 갖는 6인치 Si기판(2)을 이면을 위로하여 X-Y스테이지상에 위치된다. 도 3a에 도시된 바와 같이, 화살표(40)로 표시된 바와 같이 Ar이온빔(1)을 래스터주사함으로써, 중심부분을 균일하게 에칭제거하고 가장자리부분을 남기도록 Ar이온빔(1)이 Si기판의 이면에 계속 조사된다. 에칭은 전자빔노광 동안 전자빔을 완전히 차폐하기 위해 요구되는 막두께(d)을 얻을 수 있는 충분한 깊이까지 수행된다. 제 3 실시예에서는, 백에칭이 600㎛의 깊이까지 수행되어 20㎛두께의 막이 남겨진다. 20㎛의 막뚜께는 250keV의 가속전압의 전자빔노광장치에서 전자를 완전히 차폐하는데 충분한 막두께이다. 이 막두께(d)는 제 1 실시예에서 설명된 것과 동일한 방식으로 변경될 수 있다.
다음에, 도 3b에 도시된 바와 같이, Si기판의 상면을 위로하여 위치되고, Ar이온빔(1)은 패턴데이터에 따라 편향되도록 제어되는 Si기판(2)을 상면으로부터 20㎛까지 에치제거하도록 인가된다. 따라서, 소망하는 패턴의 관통홀로서 개구(10)가 형성되어 셀투영어퍼쳐가 완성된다.
패턴데이터에 따라 Ar이온빔(1)을 제어/편향하는 대신, 도 2a에 도시된 바와 유사하게, 개구(10)가 형성되는 부분들만 조사하도록 Ar이온빔(1)을 단속적으로 제어하는 것도 가능하다.
상술한 제 1, 제 2 및 제 3 실시예들에서, 집속이온빔은 편향/주사된다. 그러나, 집속이온빔을 편향/주사하지 않고 Si기판을 갖는 X-Y스테이지를 이동시키는 것도 가능하다.
제 4 실시예
도 4a 및 도 4b는 제 4 실시예에 따른 셀투영어퍼쳐 제조단계들에서의 Si기판의 단면도들이다. 제 4 실시예에서, Si기판이 패터닝을 위해 이온빔어시스트에칭된다. 이하, 도 4와 도 8을 참조하여 설명한다.
먼저, 620㎛의 두께를 갖는 6인치 Si기판(2)이 상면을 위로하여 X-Y스테이지상에 위치된다. 집속이온빔을 편향하도록 제어하지 않고, Ga이온빔(1)이 Si기판(2)의 상면에 조사되고 노즐(28)로부터 XeF2가스(38)가 분사되는 동안 Si기판(2)을 가진 X-Y스테이지(37)는 X-Y구동장치(36)에 의해 패턴데이터에 따라 이동하도록 제어되어 소망하는 패턴의 개구(10)를 형성하도록 Si기판(2)의 표면이 에칭된다. 에칭은 전자빔노광 동안 전자빔을 완전히 차폐하기 위해 요구되는 막두께(d)를 얻을 수 있는 충분한 깊이(d)까지 수행된다. 제 4 실시예에서, 에칭은 상면으로부터 20㎛의 깊이까지 수행되어 600㎛두께의 막이 남아있게 한다.
이 20㎛의 두께는 50keV의 가속전압의 전자빔노광장치에서 전자를 완전히 차폐하는데 충분한 막두께이다. 이 막두께(d)는 제 1 실시예에서 설명된 것과 동일한 방식으로 변경될 수 있다.
XeF2가스(38)에 관해서는, XeF2가스는 가스원으로서의 용기(30)에 주입되고, 히터(29)에 의해 가열되어 XeF2증기로 승화되고 XeF2증기는 밸브(32)를 통해 노즐(28)로부터 분사된다. 분사된 XeF2가스(38)는 이온빔에 의해 Xe와 F2로 해리되어, 그것들중에서 F2는 Si기판(2)을 에칭하는데 소용된다. 이 경우, 에칭은 F2에 의한 에칭과 조합하는 이온스퍼터링에 의해 수행되어, 가공속도는 이온스퍼터링만 사용되는 경우보다 10배 증가한다.
다음에, 도 4b에 도시된 바와 같이, Si기판(2)을 이면을 위로하여 X-Y스테이지상에 위치된다. Ga이온빔과 XeF2가스가 Si기판(2)의 이면에 계속 인가되는 동안 X-Y스테이지(37)는 화살표(40)로 표시된 바와 같이 래스터주사되고, Si기판(2)의 이면으로부터 600㎛의 깊이까지 가장자리부분을 그대로 남긴 채 에칭을 수행하도록 한다. 따라서, 소망하는 패턴의 관통홀로서 개구(10)가 형성되어 셀투영어퍼쳐가 완성된다.
상술한 제 4 실시예에 있어서는, Si기판의 표면을 가공할 때 X-Y스테이지가 패턴데이터에 따라 이동하도록 제어된다. 이는, 개구(10)가 형성되는 부분에만 Ga이온빔을 조사하도록 제어하는 X-Y스테이지의 래스터주사로 대체될 수 있다. 이 경우, XeF2가스의 인가는 Ga이온빔에 동기하는 가스분사 온/오프로 제어되거나, XeF2가스가 이온빔의 온/오프에 관계없이 연속적으로 인가될 수 있다. 상기 방법들 중 어느 방법도 채용될 수 있다.
제 5 실시예
도 5a 및 도 5b는 제 5 실시예에 따른 셀투영어퍼쳐 제조단계들에서의 Si기판의 단면도들이다. 제 5 실시예에서, Si기판 표면상의 가공되는 패턴을 보호하기 위해서, 먼저, 백에칭이 Si기판의 이면으로부터 수행하고, 그 다음에, 그 상면이 패터닝을 위해 이온빔어시스트에칭된다. 이하, 도 5와 도 8을 참조하여 설명한다.
먼저, 620㎛의 두께를 갖는 6인치 Si기판(2)이 이면을 위로하여 X-Y스테이지상에 위치된다. 집속이온빔을 주사하지 않고, Ga이온빔(1)이 Si기판(2)의 상면에 계속 조사되고 XeF2가스(38)가 노즐(28)로부터 분사되는 동안 Si기판(2)을 가진 X-Y스테이지(37)는 도 5a에 화살표(40)로 도시된 래스터주사를 위해 X-Y구동장치(36)에 의해 이동하도록 제어되어, Si기판(2)은 중심부분이 균일하게 에칭되고 가장자리부분은 그대로 남겨진다. 에칭은 전자빔노광 동안 전자빔을 완전히 차폐하기 위해 요구되는 막두께(d)를 얻을 수 있는 충분한 깊이(d)까지 수행된다. 제 5 실시예에서, 에칭은 20㎛두께의 막을 남겨두드록 Si기판(2)의 이면으로부터 600㎛의 깊이까지 수행된다.
이 20㎛의 두께는 50keV의 가속전압의 전자빔노광장치에서 전자를 완전히 차폐하는데 충분한 막두께(d)이다. 이 막두께(d)는 제 1 실시예에서 설명된 것과 동일한 방식으로 변경될 수 있다.
다음에, 도 5b에 도시된 바와 같이, Si기판(2)은 상면을 위로하여 X-Y스테이지상에 위치된다. Ga이온빔과 XeF2가스가 Si기판(2)의 상면에 인가되는 동안 X-Y스테이지(37)는 패턴데이터에 따라 이동되어, 가장자리부분이 그대로 남겨지도록 Si기판은 그 상면으로부터 20㎛의 깊이까지 에칭된다. 따라서, 소망하는 패턴의 관통홀로서 개구(10)가 형성되어, 셀투영어퍼쳐가 완성된다.
상술한 제 5 실시예에서, Si기판의 표면을 가공할 때 X-Y스테이지가 패턴데이터에 따라 이동하도록 제어된다. 이는, 개구(10)가 형성되는 부분에만 Ga이온빔을 단속적 조사하도록 제어하는 X-Y스테이지의 래스터주사로 대체될 수 있다.
또한, 상술한 설명에서, Si기판의 이면은 상면의 가공 전에 가공된다. 그러나, 제 2 실시예에서와 유사하게, 이면을 균일하게 에칭하고, 이어서 이면에 Ga이온빔조사와 XeF2가스분사를 수행하여, 나머지 2O㎛를 소망하는 패턴으로 에칭하여 관통홀을 얻는 것도 가능하다.
제 6 실시예
도 6a 및 도 6b는 제 6 실시예에 따른 셀투영어퍼쳐 제조단계들에서의 Si기판의 단면도들이다. 제 6 실시예에서, 에칭깊이는 원하는 대로 선택된다. 예컨대, 도 6b에 도시된 바와 같이, 패턴의 중심부분에 임의의 두께의 박막(3)을 남기고 그 주변부분들을 통과하는 전자의 세기를 변화시켜, 중심부분과 주변부분 사이에서 전자의 후방산란에 기인하는 노광량의 차에 의한 소위 근접효과를 보정하는 어퍼쳐를 얻도록 한다. 이하, 도 6과 도 8을 참조하여 설명한다.
620㎛의 두께를 갖는 6인치 Si기판(2)을 이면을 위로하여 X-Y스테이지상에 위치된다다. 도 6a에 도시된 바와 같이, 진공 중의 Ar이온빔(1)이 래스터주사되어 Si기판(2)의 이면에 계속 인가된다. 따라서, Si기판(2)은 그 중심부가 균일하게 에칭되고 그 가장자리부분은 남겨진다. 에칭은 전자빔노광 동안 전자빔이 완전히 차폐하기 위해 요구되는 막두께(d)를 얻을 수 있는 충분한 깊이(d)까지 수행된다. 제 6 실시예에서, 에칭은 Si기판(2)의 이면으로부터 600㎛의 깊이까지 수행되어 20㎛두께의 막이 남겨진다.
이 20㎛두께는 50keV의 가속전압의 전자빔노광장치에서 전자를 완전히 차폐하는데 충분한 막두께이다. 이 막두께(d)는 제 1 실시예에서 설명된 것과 동일한 방식으로 변경될 수 있다.
다음에, 도 6b에 도시된 바와 같이, Si기판(2)은 상면을 위로하여 X-Y스테이지(37)상에 위치된다. Ar이온빔은 패턴데이터에 따라 Si기판(2)의 상면에 인가되어 Si기판(2)의 상면으로부터 에칭이 수행되어 소망하는 개구패턴을 형성함으로써, 셀투영어퍼쳐가 완성된다.
여기서, Ar이온빔의 조사시간은, 패턴의 주변부분의 개구(10a)가 관통홀이 되고 패턴의 중심부분의 개구(10b)가 저면로서 박막(3)을 갖는 방식으로, 개구들의 각각의 에칭깊이를 변화시키도록 제어된다. 그렇게 얻어진 어퍼쳐는 통과하는 전자의 세기를 변화시켜 중심부분과 주변부분 사이에서 다르게 한다.
제 6 실시예에서, 도 6b에 도시된 바와 같이, 중심개구(10b)는 그 저부로서 이웃하는 개구들(10b)의 박막보다 두꺼운 박막(3)을 갖는다. 또한, 개구들(10b)의 외측에 형성된 개구들(10a)은 관통홀들이다. 이 개구들(10a)도 박막을 가지는 것이 가능하다.
따라서, 집속이온빔을 사용하여 에칭을 수행하는 본 발명은 소망하는 값까지 에칭깊이를 제어할 수 있다. 즉, 종래의 방법에 따라 제조하는 것이 곤란하였던, 다른 위치들에 상이한 에칭깊이들을 갖는 개구는 제 6 실시예로 용이하게 제조될 수 있다.
제 6 실시예에서, 에칭은 Si기판의 이면에 대해 먼저 수행된다. 그러나, 제 1 실시예와 유사하게, Si기판의 상면에 대해 먼저 에칭을 수행하여 패턴을 형성하고, 다음에 Si기판의 이면을 에칭하는 것도 가능하다.
더욱이, 제 6 실시에에서, Si기판의 그 상면이 처리하기 전에 이면이 가공된다. 그러나, 제 2 실시예와 유사하게, Si기판의 이면을 균일하게 에칭한 다음에, 이면에 Ga이온빔 조사되어 나머지 20㎛를 가공하는 것도 가능하다. 즉, 에칭깊이는 중심부분과 주변부분 사이에서 서로 상이하게 되어, 중심부분은 박막을 갖는 개구를 구비하고 주변부분은 관통홀을 구비하게 할 수 있다. 이 경우, 박막은 Si기판의 상면측에 형성된다.
게다가, 제 4 및 5 실시예들에서, 집속이온빔에 의해 조사되는 부분에 XeF2가스등의 에칭가스를 인가하면서 에칭이 수행되는 것도 가능하다.
제 1 내지 제 6 실시예들에서, 개구는 관통홀이다. 그러나, 개구(10b)에서와 같이 제 1 내지 제 6 실시예에서의 모든 개구들은 박막들을 가질 수 있다.
본 발명은 본 발명의 사상 또는 필수적인 특징에서 벗어나지 않고 다른 특정한 형태들로 구현될 수 있다. 그러므로, 본 실시예들은 설명된 사항과 설명되지 않은 사항 모두가 고려될 수 있고, 본 발명의 범위는 상술한 설명에 의해서라기보다 첨부된 청구항들에 의해 나타내어지며, 청구항들과 등가의 의미와 범위내에 드는 모든 변형들은 본 발명의 범위내에 있는 것으로 간주된다.
명세서, 청구항, 도면 및 요약서를 포함하는 일본특허출원 평10-045656호 (1998년 2월 26일 출원)의 전체 개시내용은 그 전부가 참조로써 여기에 통합된다.
지금까지 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 셀투영어퍼쳐형성방법에서는, 기판에칭은 집속이온빔을 사용하여 수행되고, 따라서 레지스트도포, 현성, 레지스트박리등의 종래의 공정들이 수행될 필요가 없다. 이는 어퍼쳐형성에 요구되는 시간을 대폭적으로 감소시킨다.
더욱이, 어떤 위치에서도 에칭깊이를 제어할 수 있기 때문에, 위치에 따라 서로 상이한 에칭깊이들을 갖는 어퍼쳐를 용이하게 형성할 수 있다. 이는 근접효과를 보정할 수 있는 어퍼쳐를 용이하게 형성할 수 있게 할 뿐만 아니라, 0.05㎛ 정도의 높은 가공공정밀도를 얻을 수 있게 한다.
게다가, Si기판의 이면도 접속이온빔에 의해 에칭되기 때문에, 이면에칭시 에칭용액에 의해 상면이 열화될 위험이 없다. 이는 패턴결함들의 발생을 방지함으로써, 수율을 향상시킨다.
또한, 집속이온빔의 조사각도를 변화시킴으로써, 에칭에 의해 형성되는 측벽의 각도를 변화시킬 수 있다. 따라서, 집속이온빔을 수직으로 인가함으로써, 거의 수직인 테이퍼각도를 갖는 어퍼쳐를 얻을 수 있다. 이는 높은 가공치수정밀도의 큰 애스펙드비를 갖는 어퍼쳐를 형성하여 미세패턴 형성을 가능하게 한다.
Claims (12)
- 전자빔셀투영어퍼쳐 형성방법에 있어서,집속이온빔을 기판의 상면에 인가하여 전자빔을 흡수 또는 산란하는 데 충분한 막두께를 얻을 수 있는 깊이까지 에칭함으로써 상기 상면에 소망하는 패턴의 개구를 형성하는 단계; 및상기 기판의 이면에 상기 집속이온빔을 균일하게 인가하여, 가장자리부분을 제외한 상기 기판의 상기 이면을 상기 개구에 도달하는 깊이까지 에칭하는 단계를 구비하는 전자빔셀투영어퍼쳐 형성방법.
- 전자빔셀투영어퍼쳐 형성방법에 있어서,기판의 이면에 집속이온빔을 균일하게 인가하여, 가장자리부분을 제외한 상기 기판의 상기 이면을 전자빔을 흡수 또는 산란하는 데 충분한 막두께를 얻을 수 있는 깊이까지 에칭하는 단계; 및이면이 에칭된 상기 기판의 상면에 상기 집속이온빔을 인가하여, 소망하는 패턴의 개구를 형성하는 단계를 구비하는 전자빔셀투영어퍼쳐 형성방법.
- 전자빔셀투영어퍼쳐 형성방법에 있어서,기판의 이면에 집속이온빔을 균일하게 인가하여, 가장자리부분을 제외한 상기 기판의 상기 이면을 전자빔을 흡수 또는 산란하는 데 충분한 막두께를 얻을 수 있는 깊이까지 균일하게 에칭하는 단계; 및에칭된 상기 기판의 상기 이면에 상기 집속이온빔을 계속 인가하여, 소망하는 패턴의 개구를 형성하는 단계를 구비하는 전자빔셀투영어퍼쳐 형성방법.
- 전자빔셀투영어퍼쳐 형성방법에 있어서,기판의 상면에 집속이온빔을 인가하여, 패턴의 주변부는 전자빔을 흡수 또는 산란하는 데 충분한 제 1 막두께를 얻을 수 있는 깊이까지 에칭하고, 상기 패턴의 중심부는 상기 제 1 막두께보다 얇은 제 2 막두께를 얻을 수 있는 깊이까지 에칭함으로써, 소망하는 위치들에서 서로 다른 에칭깊이들을 갖는 소망하는 패턴의 개구들을 형성하는 단계; 및상기 기판의 이면에 상기 집속이온빔을 인가하여, 가장자리부분을 제외한 상기 기판의 상기 이면을 상기 제 1 막두께를 얻을 수 있는 깊이까지의 에칭에 의해 형성된 개구에 도달하는 깊이까지 균일하게 에칭함으로써, 관통홀로서의 개구와 저부로서 박막을 갖는 개구를 얻는 단계를 구비하는 전자빔셀투영어퍼쳐 형성방법.
- 전자빔셀투영어퍼쳐 형성방법에 있어서,기판의 이면에 집속이온빔을 인가하여, 가장자리부분을 제외한 상기 기판의 이면을 전자빔을 흡수 또는 산란하는 데 충분한 막두께를 얻을 수 있는 깊이까지 균일하게 에칭하는 단계; 및상기 기판의 상면에 상기 집속이온빔을 인가하여 상기 기판상의 위치에 따라 에칭깊이를 제어하면서 에칭함으로써, 깊이가 가장 깊은 개구는 관통홀이 되고 그 외의 깊이의 개구는 저부로서 박막을 갖게 하는 방식으로 다른 깊이들을 갖는 소망하는 패턴의 개구들을 얻는 단계를 구비하는 전자빔셀투영어퍼쳐 형성방법.
- 전자빔셀투영어퍼쳐 형성방법에 있어서,기판의 이면에 집속이온빔을 인가하여, 상기 기판의 가장자리부분을 제외한 상기 기판의 상기 이면을 전자빔을 흡수 또는 산란하는 데 충분한 막두께를 얻을 수 있는 깊이까지 균일하게 에칭하는 단계; 및에칭된 상기 기판의 상기 이면에 상기 집속이온빔을 인가하여, 상기 기판상의 위치에 따라 에칭깊이를 제어하면서 에칭을 수행함으로써, 깊이가 가장 깊은 개구는 관통홀이 되고 그 외의 깊이의 개구는 저부로서 박막을 갖게 하는 방식으로 다른 깊이들을 갖는 소망하는 패턴의 개구들을 얻는 단계를 구비하는 전자빔셀투영어퍼쳐 형성방법.
- 전자빔셀투영어퍼쳐 형성방법에 있어서,기판의 상면에 집속이온빔을 인가하고 동시에 상기 집속이온빔이 조사된 부분에 에칭가스를 인가하여 전자빔을 흡수 또는 산란하는 데 충분한 막두께를 얻을 수 있는 깊이까지 에칭을 수행함으로써 상기 기판의 상기 상면에 소망하는 패턴의 개구를 형성하는 단계; 및상기 기판의 이면에 상기 집속이온빔과 상기 에칭가스를 인가하여, 가장자리부분을 제외하고는 상기 개구에 도달하는 깊이까지 상기 기판의 상기 이면을 균일하게 에칭하는 단계를 구비하는 전자빔셀투영어퍼쳐 형성방법.
- 전자빔셀투영어퍼쳐 형성방법에 있어서,기판의 이면에 집속이온빔을 인가하고 동시에 상기 집속이온빔이 조사된 부분에 에칭가스를 인가함으로써, 상기 기판의 가장자리부분을 제외하고는 전자빔을 흡수 또는 산란하는 데 충분한 막두께를 얻을 수 있는 깊이까지 상기 기판의 이면에 대해 균일한 에칭을 수행하는 단계; 및이면이 에칭된 상기 기판의 상면에 상기 집속이온빔을 인가하고 동시에 상기 집속이온빔이 조사된 부분에 에칭가스를 인가함으로써, 소망하는 패턴의 개구를 형성하는 단계를 구비하는 전자빔셀투영어퍼쳐 형성방법.
- 전자빔셀투영어퍼쳐 형성방법에 있어서,기판의 이면에 집속이온빔을 인가하고 동시에 상기 집속이온빔이 조사된 부분에 에칭가스를 인가함으로써, 상기 기판의 가장자리부분을 제외하고는 전자빔을 흡수 또는 산란하는 데 충분한 막두께를 얻을 수 있는 깊이까지 상기 기판의 상기 이면에 대해 균일한 에칭을 수행하는 단계; 및에칭된 상기 기판의 상기 이면에 상기 집속이온빔을 인가하고 동시에 상기 집속이온빔이 조사된 부분에 에칭가스를 인가함으로써, 소망하는 패턴의 개구를 형성하는 단계를 구비하는 전자빔셀투영어퍼쳐 형성방법.
- 전자빔셀투영어퍼쳐 형성방법에 있어서,기판의 상면에 집속이온빔을 인가하는 동시에 상기 집속이온빔이 조사된 부분에 에칭가스를 인가하여, 전자빔을 흡수 또는 산란하는 데 충분한 제 1 막두께를 얻을 수 있는 깊이까지 패턴의 주변부를 에칭하고 상기 제 1 막두께보다 얇은 제 2 막두께를 얻을 수 있는 깊이까지 상기 패턴의 중심부를 에칭함으로써, 소망하는 위치들에 다른 에칭깊이들을 갖는 소망하는 패턴의 개구들을 형성하는 단계; 및개구들이 형성된 상기 기판의 이면에 상기 집속이온빔을 인가하고 동시에 상기 집속이온빔이 조사된 부분에 에칭가스를 인가하여, 가장자리부분을 제외한 상기 기판의 상기 이면을 상기 제 1 막두께를 얻을 수 있는 상기 깊이까지의 에칭에 의해 형성된 개구에 도달하는 깊이까지 균일하게 에칭함으로써, 관통홀로서의 개구와 저부로서 박막을 갖는 개구를 얻는 단계를 구비하는 전자빔셀투영어퍼쳐 형성방법.
- 전자빔셀투영어퍼쳐 형성방법에 있어서,기판의 이면에 집속이온빔을 인가하고 동시에 상기 집속이온빔이 조사된 부분에 에칭가스를 인가하여, 상기 기판의 가장자리부분을 제외한 상기 기판의 상기 이면을 전자빔을 흡수 또는 산란하는 데 충분한 막두께를 얻을 수 있는 깊이까지 균일하게 에칭하는 단계; 및상기 기판의 상면에 상기 집속이온빔을 인가하고 동시에 상기 집속이온빔이 조사된 부분에 에칭가스를 인가하여, 상기 기판상의 위치에 따라 에칭깊이를 제어하면서 에칭함으로써, 깊이가 가장 깊은 개구는 관통홀이 되고 그 외의 깊이의 개구는 저부로서 박막을 갖게 하는 방식으로 다른 깊이들을 갖는 소망하는 패턴의 개구들을 얻는 단계를 구비하는 전자빔셀투영어퍼쳐 형성방법.
- 전자빔셀투영어퍼쳐 형성방법에 있어서,기판의 이면에 집속이온빔을 인가하고 동시에 상기 집속이온빔이 조사된 부분에 에칭가스를 인가하여, 상기 기판의 가장자리부분을 제외한 상기 기판의 상기 이면을 전자빔을 흡수 또는 산란하는 데 충분한 막두께를 얻을 수 있는 깊이까지 균일하게 에칭하는 단계; 및에칭된 상기 기판의 상기 이면에 상기 집속이온빔을 인가하고 동시에 상기 집속이온빔이 조사된 부분에 에칭가스를 인가하여, 상기 기판상의 위치에 따라 에칭깊이를 제어하면서 에칭함으로써, 깊이가 가장 깊은 개구는 관통홀이 되고 그 외의 깊이의 개구는 저부로서 박막을 갖게 하는 방식으로 다른 깊이들을 갖는 소망하는 패턴의 개구들을 얻는 단계를 구비하는 전자빔셀투영어퍼쳐 형성방법.
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