JP3036506B2 - 電子ビーム露光装置用一括アパチャの製造方法 - Google Patents
電子ビーム露光装置用一括アパチャの製造方法Info
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子ビーム露光装
置部品、特に一括アパチャの製造方法に関するものであ
る。
置部品、特に一括アパチャの製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】ダイナミックランダムアクセスメモリ
（ＤＲＡＭ）に代表される半導体電子部品は、近年ます
ますその集積度を増しており、これらの製造においては
極微細な加工技術が要求されている。半導体製造工程に
おいて極微細なレジストパターンを実現する手段とし
て、部分一括照射法を採用した電子ビーム露光法が有望
視されている。この露光方法では半導体パターンの一部
あるいは全部の形状通りにＳｉ基板等を開口した一括ア
パチャが用いられる。従来は、（Ｙ．Ｎａｋａｙａｍ
ａ，Ｈ．Ｓａｔｏｈ ｅｔａｌ．，”Ｔｈｅｒｍａｌ
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ ｏｆ Ｓｉ Ｍａｓ
ｋ ｆｏｒ ＥＢ Ｃｅｌｌ Ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ
Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ”，Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐ
ｈｙｓ．，Ｖｏｌ．３１（１９９２）ＰＰ．４２６８−
４２７２ ＰＡＲＴ１，ＮＯ．１２Ｂ，Ｄｅｃｅｍｂｅ
ｒ １９９２、及び、Ｙ．Ｎａｋａｙａｍａ，Ｓ．Ｏｋ
ａｚａｋｉ，ａｎｄ Ｎ．Ｓａｔｏｈ，”Ｅｌｅｃｔｏ
ｒｏｎ−Ｂｅａｍ Ｃｅｌｌ Ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ
Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ：Ａ Ｎｅｗ Ｈｉｇｈ−Ｔｈ
ｒｏｕｐｕｔ Ｅｒｅｃｔｒｏｎｂｅａｍ Ｄｉｒｅｃ
ｔ−Ｗｒｉｔｉｎｇ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｕｓｉｎ
ｇ Ａ Ｓｐｅｃｉａｌｌｙ Ｔａｉｌｏｒｅｄ Ｓｉ
Ａｐａｒｔｕｒｅ”，Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈ
ｎｏｌ．Ｂ８（６），Ｎｏｖ／Ｄｅｃ １９９０）に記
載されているように、一括アパチャの作製には従来の半
導体プロセス技術、すなわち、フォトリソグラフィによ
るレジストパターニングや、プラズマを利用したエッチ
ング技術、あるいは、ウェットエッチング等の技術を用
い、Ｓｉ基板を所望のパターンに貫通加工している。こ
の一括アパチャの開口パターンは、まず、Ｓｉ基板を表
面から約１５μｍ〜２０μｍの深さまでプラズマエッチ
ングした後、パターンの無いＳｉ基板裏側からさらにバ
ックエッチング等の手段により残りの５００〜６００μ
ｍを裏面エッチングしてパターン部を開口することによ
り得ている。
（ＤＲＡＭ）に代表される半導体電子部品は、近年ます
ますその集積度を増しており、これらの製造においては
極微細な加工技術が要求されている。半導体製造工程に
おいて極微細なレジストパターンを実現する手段とし
て、部分一括照射法を採用した電子ビーム露光法が有望
視されている。この露光方法では半導体パターンの一部
あるいは全部の形状通りにＳｉ基板等を開口した一括ア
パチャが用いられる。従来は、（Ｙ．Ｎａｋａｙａｍ
ａ，Ｈ．Ｓａｔｏｈ ｅｔａｌ．，”Ｔｈｅｒｍａｌ
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ ｏｆ Ｓｉ Ｍａｓ
ｋ ｆｏｒ ＥＢ Ｃｅｌｌ Ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ
Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ”，Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐ
ｈｙｓ．，Ｖｏｌ．３１（１９９２）ＰＰ．４２６８−
４２７２ ＰＡＲＴ１，ＮＯ．１２Ｂ，Ｄｅｃｅｍｂｅ
ｒ １９９２、及び、Ｙ．Ｎａｋａｙａｍａ，Ｓ．Ｏｋ
ａｚａｋｉ，ａｎｄ Ｎ．Ｓａｔｏｈ，”Ｅｌｅｃｔｏ
ｒｏｎ−Ｂｅａｍ Ｃｅｌｌ Ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ
Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ：Ａ Ｎｅｗ Ｈｉｇｈ−Ｔｈ
ｒｏｕｐｕｔ Ｅｒｅｃｔｒｏｎｂｅａｍ Ｄｉｒｅｃ
ｔ−Ｗｒｉｔｉｎｇ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｕｓｉｎ
ｇ Ａ Ｓｐｅｃｉａｌｌｙ Ｔａｉｌｏｒｅｄ Ｓｉ
Ａｐａｒｔｕｒｅ”，Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈ
ｎｏｌ．Ｂ８（６），Ｎｏｖ／Ｄｅｃ １９９０）に記
載されているように、一括アパチャの作製には従来の半
導体プロセス技術、すなわち、フォトリソグラフィによ
るレジストパターニングや、プラズマを利用したエッチ
ング技術、あるいは、ウェットエッチング等の技術を用
い、Ｓｉ基板を所望のパターンに貫通加工している。こ
の一括アパチャの開口パターンは、まず、Ｓｉ基板を表
面から約１５μｍ〜２０μｍの深さまでプラズマエッチ
ングした後、パターンの無いＳｉ基板裏側からさらにバ
ックエッチング等の手段により残りの５００〜６００μ
ｍを裏面エッチングしてパターン部を開口することによ
り得ている。
【０００３】図７に上記文献による一括アパチャの作製
方法を示す。以下、一括アパチャ作製工程図に従って一
括アパチャの作製方法を説明する。まず、Ｓｉ基板の表
面にレジスト５を１μｍほどスピンコートし、ｇ線ある
いはｉ線縮小投影露光装置、コンタクト露光装置、電子
線露光装置等により露光した後、現像してレジストバタ
ーンを得る（図７（ａ）セルパターン露光／現像工
程）。Ｓｉ基板にはエッチングストッパとして中間にＳ
ｉ酸化膜９を挾んで２枚のＳｉ基板８ａ、８ｂを貼り合
わせた貼り合わせＳｉ基板８（以下、Ｓｉ基板８と記
す）がよく用いられる。次ぎに、このレジスト５をエッ
チングマスクとしてブラズマエッチングによりＳｉ基板
８を２０μｍほどエッチングする（図７（ｂ）Ｓｉエッ
チング工程）。この時、よりよいエッチング形状を得る
ため、エツチングマスクとしてレジスト５の替わりにＳ
ｉ酸化膜を用いる場合がある。この場合、レジスト塗布
に先だってＳｉ基板８の表面に約１μｍのＳｉ酸化膜を
熱酸化あるいはＣＶＤにより形成し、前述の要領で形成
したレジストパターンによりまずＳｉ酸化膜をエッチン
グしてこのＳｉ酸化膜をパターニングし、次いでレジス
ト５を剥離し、パターニングしたＳｉ酸化膜をエッチン
グマスクにＳｉ基板８をエッチングすればよい。次ぎ
に、Ｓｉ基板８の表面及び裏面にＳｉ窒化膜６を形成
し、更に、レジスト５を塗布し、表面パターンに対して
目合わせを行ない、裏面パターンを露光／現像して、レ
ジスト５をパターニングする（図７（ｃ）窒化膜形成、
レジスト塗布／露光／現像工程）。このレジストパター
ンをエッチングマスクにＳｉ窒化膜６をエッチングし、
レジスト除去後、Ｓｉ窒化膜６をエッチングストッパと
してＫＯＨ溶液等によりＳｉ基板８を裏面より６００μ
ｍエッチングする（図７（ｄ）バックエッチング工
程）。最後にＳｉ窒化膜６を熱燐酸により除去し、Ｓｉ
基板８表面に導電層７としてＡｕ等の金属膜を形成し
（図７（ｅ）導電層形成工程）、所定の大きさに切り出
して一括アパチャを完成する。
方法を示す。以下、一括アパチャ作製工程図に従って一
括アパチャの作製方法を説明する。まず、Ｓｉ基板の表
面にレジスト５を１μｍほどスピンコートし、ｇ線ある
いはｉ線縮小投影露光装置、コンタクト露光装置、電子
線露光装置等により露光した後、現像してレジストバタ
ーンを得る（図７（ａ）セルパターン露光／現像工
程）。Ｓｉ基板にはエッチングストッパとして中間にＳ
ｉ酸化膜９を挾んで２枚のＳｉ基板８ａ、８ｂを貼り合
わせた貼り合わせＳｉ基板８（以下、Ｓｉ基板８と記
す）がよく用いられる。次ぎに、このレジスト５をエッ
チングマスクとしてブラズマエッチングによりＳｉ基板
８を２０μｍほどエッチングする（図７（ｂ）Ｓｉエッ
チング工程）。この時、よりよいエッチング形状を得る
ため、エツチングマスクとしてレジスト５の替わりにＳ
ｉ酸化膜を用いる場合がある。この場合、レジスト塗布
に先だってＳｉ基板８の表面に約１μｍのＳｉ酸化膜を
熱酸化あるいはＣＶＤにより形成し、前述の要領で形成
したレジストパターンによりまずＳｉ酸化膜をエッチン
グしてこのＳｉ酸化膜をパターニングし、次いでレジス
ト５を剥離し、パターニングしたＳｉ酸化膜をエッチン
グマスクにＳｉ基板８をエッチングすればよい。次ぎ
に、Ｓｉ基板８の表面及び裏面にＳｉ窒化膜６を形成
し、更に、レジスト５を塗布し、表面パターンに対して
目合わせを行ない、裏面パターンを露光／現像して、レ
ジスト５をパターニングする（図７（ｃ）窒化膜形成、
レジスト塗布／露光／現像工程）。このレジストパター
ンをエッチングマスクにＳｉ窒化膜６をエッチングし、
レジスト除去後、Ｓｉ窒化膜６をエッチングストッパと
してＫＯＨ溶液等によりＳｉ基板８を裏面より６００μ
ｍエッチングする（図７（ｄ）バックエッチング工
程）。最後にＳｉ窒化膜６を熱燐酸により除去し、Ｓｉ
基板８表面に導電層７としてＡｕ等の金属膜を形成し
（図７（ｅ）導電層形成工程）、所定の大きさに切り出
して一括アパチャを完成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の製法に
よれば、その作製プロセスは煩雑であり、高価な半導体
製造装置や高度な加工技術を必要とし、歩留が低い等の
欠点がある。則ち、一般的な一括照射型電子線露光装置
の縮小比（ウェハ上で描画される寸法対アパチャ上の寸
法の比）が１／１０〜１／１００であり、例えば、ウェ
ハ上に０．１μｍの描画パターンを得ようとする場合、
アパチャ上では幅１μｍ〜１０μｍの寸法になる。この
幅の寸法に対して１５〜２０μｍの深さにＳｉをエッチ
ングすることはアスペクト比（深さ対幅の比）が最大２
０となり、現状では技術的に非常に困難である。また、
Ｓｉ基板裏側よりＳｉ基板を５００μｍ〜６００μｍウ
エットエツチングするにはＫＯＨ等のエッチング液が用
いられるが、このエッチング工程はエッチングレートが
低いため長時問を要する。このため、Ｓｉ基板の表面が
エッチング中にエッチング液に侵されて歩留まりが低下
する問題がある。
よれば、その作製プロセスは煩雑であり、高価な半導体
製造装置や高度な加工技術を必要とし、歩留が低い等の
欠点がある。則ち、一般的な一括照射型電子線露光装置
の縮小比（ウェハ上で描画される寸法対アパチャ上の寸
法の比）が１／１０〜１／１００であり、例えば、ウェ
ハ上に０．１μｍの描画パターンを得ようとする場合、
アパチャ上では幅１μｍ〜１０μｍの寸法になる。この
幅の寸法に対して１５〜２０μｍの深さにＳｉをエッチ
ングすることはアスペクト比（深さ対幅の比）が最大２
０となり、現状では技術的に非常に困難である。また、
Ｓｉ基板裏側よりＳｉ基板を５００μｍ〜６００μｍウ
エットエツチングするにはＫＯＨ等のエッチング液が用
いられるが、このエッチング工程はエッチングレートが
低いため長時問を要する。このため、Ｓｉ基板の表面が
エッチング中にエッチング液に侵されて歩留まりが低下
する問題がある。
【０００５】また、半導体デバイス製造において要求さ
れる加工寸法精度は５％以下とされているため、アパチ
ャの加工寸法精度は０．０５μｍ〜０．５μｍとなり、
高い加工寸法精度が要求される。さらに、電子ビームを
形状良く通過させるためにはエッチング後のテーパー角
が８９度以上でなければならず、要求する加工精度が極
端に厳しいため、従来の技術では実現が難しい。
れる加工寸法精度は５％以下とされているため、アパチ
ャの加工寸法精度は０．０５μｍ〜０．５μｍとなり、
高い加工寸法精度が要求される。さらに、電子ビームを
形状良く通過させるためにはエッチング後のテーパー角
が８９度以上でなければならず、要求する加工精度が極
端に厳しいため、従来の技術では実現が難しい。
【０００６】更に、従来の技術では、深さの異なる開口
を形成するのが困難であるから、電子線の透過率をパタ
ーンの所望位置で異ならせて近接効果を補償した一括ア
パチャを製造するのは難しい。
を形成するのが困難であるから、電子線の透過率をパタ
ーンの所望位置で異ならせて近接効果を補償した一括ア
パチャを製造するのは難しい。
【０００７】本発明は上記問題点を解決することを目的
としている。
としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の一括アパチャ製
造方法は、集束イオンビームにより基板をエツチングし
て製造する方法であり、詳しくは、以下に示す方法であ
る。
造方法は、集束イオンビームにより基板をエツチングし
て製造する方法であり、詳しくは、以下に示す方法であ
る。
【０００９】第１の発明は、集束イオンビームにより基
板表面を、電子線を吸収又は散乱するに十分な膜厚が得
られる深さにエッチングして基板表面に所望パターンの
開口を形成する工程と、前記開口が形成された基板の裏
面を集束イオンビームにより基板縁部を残して、前記開
口に達する深さまで一様にエッチングする工程とを有す
ることを特徴とする電子ビーム露光装置用一括アパチャ
の製造方法である。
板表面を、電子線を吸収又は散乱するに十分な膜厚が得
られる深さにエッチングして基板表面に所望パターンの
開口を形成する工程と、前記開口が形成された基板の裏
面を集束イオンビームにより基板縁部を残して、前記開
口に達する深さまで一様にエッチングする工程とを有す
ることを特徴とする電子ビーム露光装置用一括アパチャ
の製造方法である。
【００１０】第２の発明は、集束イオンビームにより基
板縁部を残して基板裏面を、電子線を吸収又は散乱する
に十分な膜厚が得られる深さに一様にエッチングする工
程と、裏面がエッチングされた前記基板表面に集束イオ
ンビームを照射して所望パターンの開口を形成する工程
とを有することを特徴とする電子ビーム露光装置用一括
アパチャの製造方法である。
板縁部を残して基板裏面を、電子線を吸収又は散乱する
に十分な膜厚が得られる深さに一様にエッチングする工
程と、裏面がエッチングされた前記基板表面に集束イオ
ンビームを照射して所望パターンの開口を形成する工程
とを有することを特徴とする電子ビーム露光装置用一括
アパチャの製造方法である。
【００１１】第３の発明は、集束イオンビームにより基
板縁部を残して基板裏面を、電子線を吸収又は散乱する
に十分な膜厚が得られる深さに一様にエッチングする工
程と、裏面がエッチングされた前記基板裏面に引き続き
集束イオンビームを照射して所望パターンの開口を形成
する工程とを有することを特徴とする電子ビーム露光装
置用一括アパチャの製造方法である。
板縁部を残して基板裏面を、電子線を吸収又は散乱する
に十分な膜厚が得られる深さに一様にエッチングする工
程と、裏面がエッチングされた前記基板裏面に引き続き
集束イオンビームを照射して所望パターンの開口を形成
する工程とを有することを特徴とする電子ビーム露光装
置用一括アパチャの製造方法である。
【００１２】第４の発明は、集束イオンビームにより基
板表面を、所望の基板位置のエッチング深さを制御して
パターン周辺部は電子線を吸収又は散乱するに十分な膜
厚が得られる深さにエッチングし、パターン中心部は前
記膜厚よりも薄い膜厚が得られる深さにエッチングし
て、基板表面に深さの異なる所望パターンの開口を形成
する工程と、前記開口が形成された基板の裏面を集束イ
オンビームにより基板縁部を残して、前記開口のうち最
も深く形成された開口に達する深さまで一様にエッチン
グして前記最も深く形成された開口を貫通させ、それ以
外の開口には薄膜を残す工程とを有することを特徴とす
る電子ビーム露光装置用一括アパチャの製造方法であ
る。
板表面を、所望の基板位置のエッチング深さを制御して
パターン周辺部は電子線を吸収又は散乱するに十分な膜
厚が得られる深さにエッチングし、パターン中心部は前
記膜厚よりも薄い膜厚が得られる深さにエッチングし
て、基板表面に深さの異なる所望パターンの開口を形成
する工程と、前記開口が形成された基板の裏面を集束イ
オンビームにより基板縁部を残して、前記開口のうち最
も深く形成された開口に達する深さまで一様にエッチン
グして前記最も深く形成された開口を貫通させ、それ以
外の開口には薄膜を残す工程とを有することを特徴とす
る電子ビーム露光装置用一括アパチャの製造方法であ
る。
【００１３】第５の発明は、集束イオンビームにより、
基板縁部を残して基板裏面を、電子線を吸収又は散乱す
るに十分な膜厚が得られる深さに一様にエッチングする
工程と、裏面がエッチングされた前記基板表面に集束イ
オンビームを照射して、所望の基板位置のエッチング深
さを制御して深さの異なる所望パターンの開口を形成
し、最も深く形成された開口を貫通させ、それ以外の開
口には開口底部に薄膜を残す工程とを有することを特徴
とする電子ビーム露光装置用一括アパチャの製造方法で
ある。
基板縁部を残して基板裏面を、電子線を吸収又は散乱す
るに十分な膜厚が得られる深さに一様にエッチングする
工程と、裏面がエッチングされた前記基板表面に集束イ
オンビームを照射して、所望の基板位置のエッチング深
さを制御して深さの異なる所望パターンの開口を形成
し、最も深く形成された開口を貫通させ、それ以外の開
口には開口底部に薄膜を残す工程とを有することを特徴
とする電子ビーム露光装置用一括アパチャの製造方法で
ある。
【００１４】第６の発明は、集束イオンビームにより、
基板縁部を残して基板裏面を、電子線を吸収又は散乱す
るに十分な膜厚が得られる深さに一様にエッチングする
工程と、裏面がエッチングされた前記基板裏面に引き続
き集束イオンビームを照射して、所望の基板位置のエッ
チング深さを制御して深さの異なる所望パターンの開口
を形成し、最も深く形成された開口を貫通させ、それ以
外の開口には開口部に薄膜を残す工程とを有することを
特徴とする電子ビーム露光装置用一括アパチャの製造方
法である。
基板縁部を残して基板裏面を、電子線を吸収又は散乱す
るに十分な膜厚が得られる深さに一様にエッチングする
工程と、裏面がエッチングされた前記基板裏面に引き続
き集束イオンビームを照射して、所望の基板位置のエッ
チング深さを制御して深さの異なる所望パターンの開口
を形成し、最も深く形成された開口を貫通させ、それ以
外の開口には開口部に薄膜を残す工程とを有することを
特徴とする電子ビーム露光装置用一括アパチャの製造方
法である。
【００１５】第７の発明は、集束イオンビーム照射と、
集束イオンビーム照射位置エッチングガスを噴射するこ
とにより基板表面を、電子線を吸収又は散乱するに十分
な膜厚が得られる深さにエッチングして基板表面に所望
パターンの開口を形成する工程と、前記開口が形成され
た基板の裏面を集束イオンビーム照射と、集束イオンビ
ーム照射位置エッチングガスを噴射することにより基板
縁部を残して、前記開口に達する深さまで一様にエッチ
ングする工程とを有することを特徴とする電子ビーム露
光装置用一括アパチャの製造方法である。
集束イオンビーム照射位置エッチングガスを噴射するこ
とにより基板表面を、電子線を吸収又は散乱するに十分
な膜厚が得られる深さにエッチングして基板表面に所望
パターンの開口を形成する工程と、前記開口が形成され
た基板の裏面を集束イオンビーム照射と、集束イオンビ
ーム照射位置エッチングガスを噴射することにより基板
縁部を残して、前記開口に達する深さまで一様にエッチ
ングする工程とを有することを特徴とする電子ビーム露
光装置用一括アパチャの製造方法である。
【００１６】第８の発明は、 集束イオンビーム照射
と、集束イオンビーム照射位置エッチングガスを噴射す
ることにより基板縁部を残して基板裏面を、電子線を吸
収又は散乱するに十分な膜厚が得られる深さに一様にエ
ッチングする工程と、裏面がエッチングされた前記基板
表面に集束イオンビームを照射し、集束イオンビーム照
射位置エッチングガスを噴射して所望パターンの開口を
形成する工程とを有することを特徴とする電子ビーム露
光装置用一括アパチャの製造方法である。
と、集束イオンビーム照射位置エッチングガスを噴射す
ることにより基板縁部を残して基板裏面を、電子線を吸
収又は散乱するに十分な膜厚が得られる深さに一様にエ
ッチングする工程と、裏面がエッチングされた前記基板
表面に集束イオンビームを照射し、集束イオンビーム照
射位置エッチングガスを噴射して所望パターンの開口を
形成する工程とを有することを特徴とする電子ビーム露
光装置用一括アパチャの製造方法である。
【００１７】第９の発明は、集束イオンビーム照射と、
集束イオンビーム照射位置エッチングガスを噴射するこ
とにより基板縁部を残して基板裏面を、電子線を吸収又
は散乱するに十分な膜厚が得られる深さに一様にエッチ
ングする工程と、裏面がエッチングされた前記基板裏面
に引き続き集束イオンビームを照射し、集束イオンビー
ム照射位置エッチングガスを噴射して所望パターンの開
口を形成する工程とを有することを特徴とする電子ビー
ム露光装置用一括アパチャの製造方法である。
集束イオンビーム照射位置エッチングガスを噴射するこ
とにより基板縁部を残して基板裏面を、電子線を吸収又
は散乱するに十分な膜厚が得られる深さに一様にエッチ
ングする工程と、裏面がエッチングされた前記基板裏面
に引き続き集束イオンビームを照射し、集束イオンビー
ム照射位置エッチングガスを噴射して所望パターンの開
口を形成する工程とを有することを特徴とする電子ビー
ム露光装置用一括アパチャの製造方法である。
【００１８】第１０の発明は、集束イオンビーム照射
と、集束イオンビーム照射位置エッチングガスを噴射す
ることにより基板表面を、所望の基板位置のエッチング
深さを制御してパターン周辺部は電子線を吸収又は散乱
するに十分な膜厚が得られる深さにエッチングし、パタ
ーン中心部は前記膜厚よりも薄い膜厚が得られる深さに
エッチングして、基板表面に深さの異なる所望パターン
の開口を形成する工程と、前記開口が形成された基板の
裏面を集束イオンビーム照射と、集束イオンビーム照射
位置エッチングガスを噴射することにより基板縁部を残
して、前記開口のうち最も深く形成された開口に達する
深さまで一様にエッチングして前記最も深く形成された
開口を貫通させ、それ以外の開口には薄膜を残す工程と
を有することを特徴とする電子ビーム露光装置用一括ア
パチャの製造方法である。
と、集束イオンビーム照射位置エッチングガスを噴射す
ることにより基板表面を、所望の基板位置のエッチング
深さを制御してパターン周辺部は電子線を吸収又は散乱
するに十分な膜厚が得られる深さにエッチングし、パタ
ーン中心部は前記膜厚よりも薄い膜厚が得られる深さに
エッチングして、基板表面に深さの異なる所望パターン
の開口を形成する工程と、前記開口が形成された基板の
裏面を集束イオンビーム照射と、集束イオンビーム照射
位置エッチングガスを噴射することにより基板縁部を残
して、前記開口のうち最も深く形成された開口に達する
深さまで一様にエッチングして前記最も深く形成された
開口を貫通させ、それ以外の開口には薄膜を残す工程と
を有することを特徴とする電子ビーム露光装置用一括ア
パチャの製造方法である。
【００１９】第１１の発明は、集束イオンビーム照射
と、集束イオンビーム照射位置エッチングガスを噴射す
ることにより、基板縁部を残して基板裏面を、電子線を
吸収又は散乱するに十分な膜厚が得られる深さに一様に
エッチングする工程と、裏面がエッチングされた前記基
板表面に集束イオンビームを照射し、集束イオンビーム
照射位置エッチングガスを噴射して、所望の基板位置の
エッチング深さを制御して深さの異なる所望パターンの
開口を形成し、最も深く形成された開口を貫通させ、そ
れ以外の開口には開口底部に薄膜を残す工程とを有する
ことを特徴とする電子ビーム露光装置用一括アパチャの
製造方法である。
と、集束イオンビーム照射位置エッチングガスを噴射す
ることにより、基板縁部を残して基板裏面を、電子線を
吸収又は散乱するに十分な膜厚が得られる深さに一様に
エッチングする工程と、裏面がエッチングされた前記基
板表面に集束イオンビームを照射し、集束イオンビーム
照射位置エッチングガスを噴射して、所望の基板位置の
エッチング深さを制御して深さの異なる所望パターンの
開口を形成し、最も深く形成された開口を貫通させ、そ
れ以外の開口には開口底部に薄膜を残す工程とを有する
ことを特徴とする電子ビーム露光装置用一括アパチャの
製造方法である。
【００２０】第１２の発明は、集束イオンビーム照射
と、集束イオンビーム照射位置エッチングガスを噴射す
ることにより、基板縁部を残して基板裏面を、電子線を
吸収又は散乱するに十分な膜厚が得られる深さに一様に
エッチングする工程と、裏面がエッチングされた前記基
板裏面に引き続き集束イオンビームを照射し、集束イオ
ンビーム照射位置エッチングガスを噴射して、所望の基
板位置のエッチング深さを制御して深さの異なる所望パ
ターンの開口を形成し、最も深く形成された開口を貫通
させ、それ以外の開口には開口部に薄膜を残す工程とを
有することを特徴とする電子ビーム露光装置用一括アパ
チャの製造方法である。
と、集束イオンビーム照射位置エッチングガスを噴射す
ることにより、基板縁部を残して基板裏面を、電子線を
吸収又は散乱するに十分な膜厚が得られる深さに一様に
エッチングする工程と、裏面がエッチングされた前記基
板裏面に引き続き集束イオンビームを照射し、集束イオ
ンビーム照射位置エッチングガスを噴射して、所望の基
板位置のエッチング深さを制御して深さの異なる所望パ
ターンの開口を形成し、最も深く形成された開口を貫通
させ、それ以外の開口には開口部に薄膜を残す工程とを
有することを特徴とする電子ビーム露光装置用一括アパ
チャの製造方法である。
【００２１】
【発明の実施の形態１】以下、本発明について図面を参
照して説明する。
照して説明する。
【００２２】図１（ａ）〜（ｃ）は実施の形態１の一括
アパチャ製造過程におけるＳｉ基板の斜視断面図であ
る。また、図８は本実施の形態１で使用する集束イオン
ビーム装置の一例を示す概略図である。図８の集束イオ
ンビーム装置は、イオン源（イオン源２１、シールド電
極２２、ガンアパチャ２３）、イオン集束系（集束レン
ズ２４、アパチャ２５、走査電極２６、対物レンズ２
７）、ガス供給系（ノズル２８、ヒータ２９、容器３
０、ガス源３１、バルブ３２、微動装置３３、バルブつ
まみ３４）、検出器３５、Ｘ−Ｙ駆動装置３６、試料載
置用のＸ−Ｙステージ３７から構成されている。
アパチャ製造過程におけるＳｉ基板の斜視断面図であ
る。また、図８は本実施の形態１で使用する集束イオン
ビーム装置の一例を示す概略図である。図８の集束イオ
ンビーム装置は、イオン源（イオン源２１、シールド電
極２２、ガンアパチャ２３）、イオン集束系（集束レン
ズ２４、アパチャ２５、走査電極２６、対物レンズ２
７）、ガス供給系（ノズル２８、ヒータ２９、容器３
０、ガス源３１、バルブ３２、微動装置３３、バルブつ
まみ３４）、検出器３５、Ｘ−Ｙ駆動装置３６、試料載
置用のＸ−Ｙステージ３７から構成されている。
【００２３】Ｓｉ基板２はＸ−Ｙステージ３７に載置さ
れ、イオン源２１から放出されて集束レンズ２４、対物
レンズ２７で集束されたＡｒイオンビーム１により加工
される。例えば、厚さ６２０μｍ、直径６インチのＳｉ
基板２に貫通孔を形成（貫通加工）して一括アパチャを
形成する場合、まず、図１（ａ）に示すように、真空中
でＳｉ基板２表面に集束したＡｒイオンビーム１をパタ
ーンデータに従って走査電極２６により偏向制御しなが
ら照射し、所望のパターン通りにエッチングする。この
時、Ｓｉ基板２から放出される２次電子は検出器３５で
検出され、映像として記録され、モニターされる。エッ
チングの深さｄは、電子線露光時に電子線を完全に遮蔽
するのに必要な膜厚ｄが得られる深さにする。本実施の
形態１では２０μｍの深さにエッチングした。この２０
μｍの深さは、シミュレ―ション結果によれば、５０ｋ
ｅＶの加速電圧の電子線露光装置において電子を完全に
遮蔽するのに充分な膜厚が得られる深さである。この膜
厚ｄは電子を完全に遮蔽する厚さにしなくてもよい。電
子が吸収・散乱されて、エネルギー損失や出射角分布変
化が生じて、膜中を通過した電子がＳｉ基板に到達でき
ない、或いは、膜中を通過した電子がＳｉ基板に到達し
ても十分なコントラストが得られれば、電子を完全に遮
蔽しなくてもよいから、２０μｍよりも浅くエッチング
してもよい。この膜厚については、実施の形態１以降に
示す全ての実施の形態に対しても適用できる。次ぎに、
Ｓｉ基板２の表裏を逆にし、図１（ｂ）に示すように、
Ａｒイオンビーム１を走査して縁部を残してＳｉ基板２
の裏面より６００μｍの深さまでＳｉ基板２を一様にエ
ッチングして貫通した開口１０を得、図１（ｃ）に示す
一括アパチャが完成する。
れ、イオン源２１から放出されて集束レンズ２４、対物
レンズ２７で集束されたＡｒイオンビーム１により加工
される。例えば、厚さ６２０μｍ、直径６インチのＳｉ
基板２に貫通孔を形成（貫通加工）して一括アパチャを
形成する場合、まず、図１（ａ）に示すように、真空中
でＳｉ基板２表面に集束したＡｒイオンビーム１をパタ
ーンデータに従って走査電極２６により偏向制御しなが
ら照射し、所望のパターン通りにエッチングする。この
時、Ｓｉ基板２から放出される２次電子は検出器３５で
検出され、映像として記録され、モニターされる。エッ
チングの深さｄは、電子線露光時に電子線を完全に遮蔽
するのに必要な膜厚ｄが得られる深さにする。本実施の
形態１では２０μｍの深さにエッチングした。この２０
μｍの深さは、シミュレ―ション結果によれば、５０ｋ
ｅＶの加速電圧の電子線露光装置において電子を完全に
遮蔽するのに充分な膜厚が得られる深さである。この膜
厚ｄは電子を完全に遮蔽する厚さにしなくてもよい。電
子が吸収・散乱されて、エネルギー損失や出射角分布変
化が生じて、膜中を通過した電子がＳｉ基板に到達でき
ない、或いは、膜中を通過した電子がＳｉ基板に到達し
ても十分なコントラストが得られれば、電子を完全に遮
蔽しなくてもよいから、２０μｍよりも浅くエッチング
してもよい。この膜厚については、実施の形態１以降に
示す全ての実施の形態に対しても適用できる。次ぎに、
Ｓｉ基板２の表裏を逆にし、図１（ｂ）に示すように、
Ａｒイオンビーム１を走査して縁部を残してＳｉ基板２
の裏面より６００μｍの深さまでＳｉ基板２を一様にエ
ッチングして貫通した開口１０を得、図１（ｃ）に示す
一括アパチャが完成する。
【００２４】本発明は、このように集束イオンビーム１
をパターンデータに従つて偏向制御しながら直接Ｓｉ基
板２にＡｒイオンビームを照射してエッチングを行なう
ため、本発明は、従来技術のようにレジストを塗布、現
像したり剥離する必要はない。また、Ｓｉ基板裏面も集
束イオンビームでエッチングするので、裏面エッチング
中にエッチング液で表面が侵されることがなく、パター
ン不良発生が防止でき歩留まりが向上する。さらに、集
束イオンビームの照射角を変えることでエッチングによ
り形成される側壁の角度も変えられるので、垂直に照射
することで、テーパー角がほぼ垂直なアパチャが得られ
る。
をパターンデータに従つて偏向制御しながら直接Ｓｉ基
板２にＡｒイオンビームを照射してエッチングを行なう
ため、本発明は、従来技術のようにレジストを塗布、現
像したり剥離する必要はない。また、Ｓｉ基板裏面も集
束イオンビームでエッチングするので、裏面エッチング
中にエッチング液で表面が侵されることがなく、パター
ン不良発生が防止でき歩留まりが向上する。さらに、集
束イオンビームの照射角を変えることでエッチングによ
り形成される側壁の角度も変えられるので、垂直に照射
することで、テーパー角がほぼ垂直なアパチャが得られ
る。
【００２５】尚、上記の効果は、以下に示す実施の形態
に於いても得られることは言うまでもない。
に於いても得られることは言うまでもない。
【００２６】上記実施の形態１ではＡｒイオンビームを
偏向・走査したが、Ａｒイオンビームを走査する替わり
に、Ａｒイオンビームを固定し、Ｓｉ基板２を載置した
Ｘ−Ｙステージ３７をＸ−Ｙ駆動装置３６により駆動・
走査してもよい。
偏向・走査したが、Ａｒイオンビームを走査する替わり
に、Ａｒイオンビームを固定し、Ｓｉ基板２を載置した
Ｘ−Ｙステージ３７をＸ−Ｙ駆動装置３６により駆動・
走査してもよい。
【００２７】上記実施の形態１では開口を貫通孔とした
が、開口を貫通孔とせず、開口底部に薄膜を設けてもよ
い。則ち、Ｓｉ基板表面から２０μｍエッチングした
が、それよりも浅くエッチングし、裏面からは６００μ
ｍエッチングして開口に薄膜を残して形成、或いは、表
面側から２０μｍエッチングし、裏面側からは６００μ
ｍよりも浅くエッチングして開口に薄膜を残して形成し
てもよい。この方法は、同心円状のパターンを形成する
場合に有効である。
が、開口を貫通孔とせず、開口底部に薄膜を設けてもよ
い。則ち、Ｓｉ基板表面から２０μｍエッチングした
が、それよりも浅くエッチングし、裏面からは６００μ
ｍエッチングして開口に薄膜を残して形成、或いは、表
面側から２０μｍエッチングし、裏面側からは６００μ
ｍよりも浅くエッチングして開口に薄膜を残して形成し
てもよい。この方法は、同心円状のパターンを形成する
場合に有効である。
【００２８】
【発明の実施の形態２】図２（ａ）、（ｂ）に本実施の
形態２の一括アパチャ製造工程におけるＳｉ基板の断面
図を示す。本実施の形態２は、Ｓｉ基板表面の加工パタ
ーンを保護するために、先にＳｉ基板裏面より一様にエ
ツチングを行なった後、引き続きＳｉ基板裏面からエッ
チングしてＳｉ基板表面にパターン加工を行なった例で
ある。以下、図２、図８を参照して説明する。
形態２の一括アパチャ製造工程におけるＳｉ基板の断面
図を示す。本実施の形態２は、Ｓｉ基板表面の加工パタ
ーンを保護するために、先にＳｉ基板裏面より一様にエ
ツチングを行なった後、引き続きＳｉ基板裏面からエッ
チングしてＳｉ基板表面にパターン加工を行なった例で
ある。以下、図２、図８を参照して説明する。
【００２９】先ず、厚さ６２０μｍ、直径６インチのＳ
ｉ基板２を裏面を上にしてＸ−Ｙステージ３７に載置
し、図２（ａ）に示すように、真空中でＡｒイオンビー
ム１を矢印４０の如くラスタ走査しながら、Ｓｉ基板裏
面にＡｒイオンビーム１を連続照射し、Ｓｉ基板縁部を
残して裏面中心部を一様にエッチングする。エッチング
の深さは電子線露光時に電子線を完全に遮蔽するのに必
要な膜厚ｄが得られる深さにする。本実施の形態２では
Ｓｉ基板裏面を６００μｍの深さにエッチングし、厚さ
２０μｍの膜を残した。この２０μｍの厚さは、５０ｋ
ｅＶの加速電圧の電子線露光装置において電子を完全に
遮蔽するのに充分な膜厚である。この膜厚ｄは、実施の
形態１で説明したのと同様に、電子を完全に遮蔽する厚
さにしなくてもよい。
ｉ基板２を裏面を上にしてＸ−Ｙステージ３７に載置
し、図２（ａ）に示すように、真空中でＡｒイオンビー
ム１を矢印４０の如くラスタ走査しながら、Ｓｉ基板裏
面にＡｒイオンビーム１を連続照射し、Ｓｉ基板縁部を
残して裏面中心部を一様にエッチングする。エッチング
の深さは電子線露光時に電子線を完全に遮蔽するのに必
要な膜厚ｄが得られる深さにする。本実施の形態２では
Ｓｉ基板裏面を６００μｍの深さにエッチングし、厚さ
２０μｍの膜を残した。この２０μｍの厚さは、５０ｋ
ｅＶの加速電圧の電子線露光装置において電子を完全に
遮蔽するのに充分な膜厚である。この膜厚ｄは、実施の
形態１で説明したのと同様に、電子を完全に遮蔽する厚
さにしなくてもよい。
【００３０】次に、図２（ｂ）に示すように、パターン
データに従ってＡｒイオンビーム１を偏向制御しながら
更にＳｉ基板裏面にＡｒイオンビームを照射し、Ｓｉ基
板２を裏面から２０μｍエッチングして、所望パターン
の貫通した開口１０を形成し、一括アパチャを完成す
る。
データに従ってＡｒイオンビーム１を偏向制御しながら
更にＳｉ基板裏面にＡｒイオンビームを照射し、Ｓｉ基
板２を裏面から２０μｍエッチングして、所望パターン
の貫通した開口１０を形成し、一括アパチャを完成す
る。
【００３１】尚、パターンデータに従ってＡｒイオンビ
ームを偏向制御する替わりに、図２（ａ）と同様に、Ａ
ｒイオンビーム１をラスタ走査しながら開口１０を形成
する部分のみイオン照射するようにＡｒイオンビームの
照射を断続的に制御してもよい。
ームを偏向制御する替わりに、図２（ａ）と同様に、Ａ
ｒイオンビーム１をラスタ走査しながら開口１０を形成
する部分のみイオン照射するようにＡｒイオンビームの
照射を断続的に制御してもよい。
【００３２】
【発明の実施の形態３】図３（ａ）、（ｂ）に本実施の
形態３の一括アパチャ製造工程におけるＳｉ基板の断面
図を示す。本実施の形態３は、実施の形態２と同様に、
Ｓｉ基板表面の加工パターンを保護するために、先にＳ
ｉ基板裏面よりエツチングを行なった後、Ｓｉ基板表面
をエッチングしてパターン加工を行なった例である。以
下、図３、図８を参照して説明する。
形態３の一括アパチャ製造工程におけるＳｉ基板の断面
図を示す。本実施の形態３は、実施の形態２と同様に、
Ｓｉ基板表面の加工パターンを保護するために、先にＳ
ｉ基板裏面よりエツチングを行なった後、Ｓｉ基板表面
をエッチングしてパターン加工を行なった例である。以
下、図３、図８を参照して説明する。
【００３３】先ず、厚さ６２０μｍ、直径６インチのＳ
ｉ基板２を裏面を上にしてＸ−Ｙステージ３７に載置
し、図３（ａ）に示すように、Ａｒイオンビーム１を矢
印４０の如くラスタ走査しながら、Ｓｉ基板裏面にＡｒ
イオンビーム１を連続照射し、Ｓｉ基板縁部を残して裏
面中心部を一様にエッチングする。エッチングの深さ
は、電子線露光時に電子線を完全に遮蔽するのに必要な
膜厚ｄが得られる深さにする。本実施の形態３ではＳｉ
基板裏面を６００μｍの深さにエッチングし、厚さ２０
μｍの膜を残した。この２０μｍの厚さは、５０ｋｅＶ
の加速電圧の電子線露光装置において電子を完全に遮蔽
するのに充分な膜厚である。この膜厚ｄは、実施の形態
１で説明したのと同様に、電子を完全に遮蔽する厚さに
しなくてもよい。
ｉ基板２を裏面を上にしてＸ−Ｙステージ３７に載置
し、図３（ａ）に示すように、Ａｒイオンビーム１を矢
印４０の如くラスタ走査しながら、Ｓｉ基板裏面にＡｒ
イオンビーム１を連続照射し、Ｓｉ基板縁部を残して裏
面中心部を一様にエッチングする。エッチングの深さ
は、電子線露光時に電子線を完全に遮蔽するのに必要な
膜厚ｄが得られる深さにする。本実施の形態３ではＳｉ
基板裏面を６００μｍの深さにエッチングし、厚さ２０
μｍの膜を残した。この２０μｍの厚さは、５０ｋｅＶ
の加速電圧の電子線露光装置において電子を完全に遮蔽
するのに充分な膜厚である。この膜厚ｄは、実施の形態
１で説明したのと同様に、電子を完全に遮蔽する厚さに
しなくてもよい。
【００３４】次に、図３（ｂ）に示すように、Ｓｉ基板
表面を上にして、パターンデータに従ってＡｒイオンビ
ーム１を偏向制御しながらＳｉ基板表面にＡｒイオンビ
ームを照射し、Ｓｉ基板２を表面から２０μｍエッチン
グして、所望パターンの貫通した開口１０を形成し、一
括アパチャを完成する。
表面を上にして、パターンデータに従ってＡｒイオンビ
ーム１を偏向制御しながらＳｉ基板表面にＡｒイオンビ
ームを照射し、Ｓｉ基板２を表面から２０μｍエッチン
グして、所望パターンの貫通した開口１０を形成し、一
括アパチャを完成する。
【００３５】尚、パターンデータに従ってＡｒイオンビ
ームを偏向制御する替わりに、図３（ａ）と同様に、Ａ
ｒイオンビーム１をラスタ走査しながら開口１０を形成
する部分のみイオン照射するようにＡｒイオンビームの
照射を断続的に制御してもよい。
ームを偏向制御する替わりに、図３（ａ）と同様に、Ａ
ｒイオンビーム１をラスタ走査しながら開口１０を形成
する部分のみイオン照射するようにＡｒイオンビームの
照射を断続的に制御してもよい。
【００３６】上記実施の形態１〜３では、集束イオンビ
ームを偏向・走査したが、集束イオンビームは偏向・走
査せずに、Ｘ−Ｙステージを駆動してＳｉ基板を移動さ
せてもよい。
ームを偏向・走査したが、集束イオンビームは偏向・走
査せずに、Ｘ−Ｙステージを駆動してＳｉ基板を移動さ
せてもよい。
【００３７】
【発明の実施の形態４】図４（ａ）、（ｂ）に本実施の
形態４の一括アパチャ製造工程におけるＳｉ基板の断面
図を示す。本実施の形態４は、イオンビームアシストエ
ッチングによりＳｉ基板をエッチングしてパターン加工
を行なった例である。以下、図４、図８を参照して説明
する。
形態４の一括アパチャ製造工程におけるＳｉ基板の断面
図を示す。本実施の形態４は、イオンビームアシストエ
ッチングによりＳｉ基板をエッチングしてパターン加工
を行なった例である。以下、図４、図８を参照して説明
する。
【００３８】先ず、厚さ６２０μｍ、直径６インチのＳ
ｉ基板２を表面を上にしてＸ−Ｙステージ３７に載置
し、集束イオンビームは偏向制御せずに、Ｘ−Ｙ駆動装
置３６によりパターンデータに従ってＸ−Ｙステージ３
７を移動制御してＳｉ基板を移動しながら、Ｓｉ基板２
の表面にＧａイオンビーム１を照射すると共にノズル２
８からＸｅＦ2ガス３８を噴射してＳｉ基板２の表面を
エッチングし、所望パターンの開口１０を形成する。エ
ッチングの深さｄは、電子線露光時に電子線を完全に遮
蔽するのに必要な膜厚ｄが得られる深さにする。本実施
の形態４ではＳｉ基板表面を２０μｍの深さにエッチン
グし、厚さ６００μｍを残した。この２０μｍの厚さ
は、５０ｋｅＶの加速電圧の電子線露光装置において電
子を完全に遮蔽するのに充分な膜厚である。この膜厚ｄ
は、実施の形態１で説明したのと同様に、電子を完全に
遮蔽する厚さにしなくてもよい。ＸｅＦ2ガス３８は、
ガス源３１としてＸｅＦ2を容器３０に入れ、ヒータ２
９によりＸｅＦ2を加熱・昇華し、ＸｅＦ2の蒸気をバル
ブ３２を介してノズル２８から噴射する。噴射したＸｅ
Ｆ2ガス３８は、イオンビームによりＸｅとＦ2に解離さ
れ、このうちのＦ2がＳｉ基板２をエッチングする。こ
の場合、イオンによるスパッタリングとＦ２によるエッ
チングの効果が重なり合って、加工速度はイオンのみの
場合よりも１０倍速くなる。
ｉ基板２を表面を上にしてＸ−Ｙステージ３７に載置
し、集束イオンビームは偏向制御せずに、Ｘ−Ｙ駆動装
置３６によりパターンデータに従ってＸ−Ｙステージ３
７を移動制御してＳｉ基板を移動しながら、Ｓｉ基板２
の表面にＧａイオンビーム１を照射すると共にノズル２
８からＸｅＦ2ガス３８を噴射してＳｉ基板２の表面を
エッチングし、所望パターンの開口１０を形成する。エ
ッチングの深さｄは、電子線露光時に電子線を完全に遮
蔽するのに必要な膜厚ｄが得られる深さにする。本実施
の形態４ではＳｉ基板表面を２０μｍの深さにエッチン
グし、厚さ６００μｍを残した。この２０μｍの厚さ
は、５０ｋｅＶの加速電圧の電子線露光装置において電
子を完全に遮蔽するのに充分な膜厚である。この膜厚ｄ
は、実施の形態１で説明したのと同様に、電子を完全に
遮蔽する厚さにしなくてもよい。ＸｅＦ2ガス３８は、
ガス源３１としてＸｅＦ2を容器３０に入れ、ヒータ２
９によりＸｅＦ2を加熱・昇華し、ＸｅＦ2の蒸気をバル
ブ３２を介してノズル２８から噴射する。噴射したＸｅ
Ｆ2ガス３８は、イオンビームによりＸｅとＦ2に解離さ
れ、このうちのＦ2がＳｉ基板２をエッチングする。こ
の場合、イオンによるスパッタリングとＦ２によるエッ
チングの効果が重なり合って、加工速度はイオンのみの
場合よりも１０倍速くなる。
【００３９】次に、図４（ｂ）に示すように、Ｓｉ基板
裏面を上にしてＳｉ基板をＸ−Ｙステージに載置し、Ｘ
−Ｙステージ３７を矢印４０の如くラスタ走査しながら
Ｓｉ基板裏面にＧａイオンビーム連続照射とＸｅＦ2ガ
ス噴射を施し、Ｓｉ基板縁部を残して残り６００μｍを
裏面から一様にエッチングして、所望パターンの貫通し
た開口１０を形成し、一括アパチャを完成する。
裏面を上にしてＳｉ基板をＸ−Ｙステージに載置し、Ｘ
−Ｙステージ３７を矢印４０の如くラスタ走査しながら
Ｓｉ基板裏面にＧａイオンビーム連続照射とＸｅＦ2ガ
ス噴射を施し、Ｓｉ基板縁部を残して残り６００μｍを
裏面から一様にエッチングして、所望パターンの貫通し
た開口１０を形成し、一括アパチャを完成する。
【００４０】上記実施の形態４では、Ｓｉ基板表面を加
工する際、パターンデータに従ってＸ−Ｙステージを移
動制御したが、この替わりに、Ｘ−Ｙステージをラスタ
走査しながら開口１０を形成する部分のみイオン照射す
るようにＧａイオンビームの照射を断続的に制御しても
よい。この場合、ＸｅＦ2ガスは、Ｇａイオンビーム照
射に同期してガス噴射をオン／オフ制御する方法と、イ
オンビームのオン／オフに関係なく連続して噴射する方
法とがあるが、どちらの方法を採用してもよい。
工する際、パターンデータに従ってＸ−Ｙステージを移
動制御したが、この替わりに、Ｘ−Ｙステージをラスタ
走査しながら開口１０を形成する部分のみイオン照射す
るようにＧａイオンビームの照射を断続的に制御しても
よい。この場合、ＸｅＦ2ガスは、Ｇａイオンビーム照
射に同期してガス噴射をオン／オフ制御する方法と、イ
オンビームのオン／オフに関係なく連続して噴射する方
法とがあるが、どちらの方法を採用してもよい。
【００４１】
【発明の実施の形態５】図５（ａ）、（ｂ）に本実施の
形態５の一括アパチャ製造工程におけるＳｉ基板の断面
図を示す。本実施の形態５は、Ｓｉ基板表面の加工パタ
ーンを保護するために、先にＳｉ基板裏面よりエツチン
グを行なった後、Ｓｉ基板表面をエッチングしてイオン
ビームアシストエッチングによりパターン加工を行なっ
た例である。以下、図５、図８を参照して説明する。
形態５の一括アパチャ製造工程におけるＳｉ基板の断面
図を示す。本実施の形態５は、Ｓｉ基板表面の加工パタ
ーンを保護するために、先にＳｉ基板裏面よりエツチン
グを行なった後、Ｓｉ基板表面をエッチングしてイオン
ビームアシストエッチングによりパターン加工を行なっ
た例である。以下、図５、図８を参照して説明する。
【００４２】先ず、厚さ６２０μｍ、直径６インチのＳ
ｉ基板２を裏面を上にしてＸ−Ｙステージ３７に載置
し、集束イオンビームは走査せずに、Ｘ−Ｙステージ３
７をＸ−Ｙ駆動装置３６により、図５（ａ）に示すよう
に、矢印４０の如くラスタ走査してＳｉ基板を移動させ
ながら、Ｓｉ基板裏面にＧａイオンビーム１を連続照射
すると共に、ノズル２８からＸｅＦ2ガス３８を噴射
し、Ｓｉ基板縁部を残して裏面中心部を一様にエッチン
グする。エッチングの深さは、電子線露光時に電子線を
完全に遮蔽するのに必要な膜厚ｄが得られる深さにす
る。本実施の形態５ではＳｉ基板裏面を６００μｍの深
さにエッチングし、厚さ２０μｍの膜を残した。この２
０μｍの厚さは、５０ｋｅＶの加速電圧の電子線露光装
置において電子を完全に遮蔽するのに充分な膜厚であ
る。この膜厚ｄは、実施の形態１で説明したのと同様
に、電子を完全に遮蔽する厚さにしなくてもよい。
ｉ基板２を裏面を上にしてＸ−Ｙステージ３７に載置
し、集束イオンビームは走査せずに、Ｘ−Ｙステージ３
７をＸ−Ｙ駆動装置３６により、図５（ａ）に示すよう
に、矢印４０の如くラスタ走査してＳｉ基板を移動させ
ながら、Ｓｉ基板裏面にＧａイオンビーム１を連続照射
すると共に、ノズル２８からＸｅＦ2ガス３８を噴射
し、Ｓｉ基板縁部を残して裏面中心部を一様にエッチン
グする。エッチングの深さは、電子線露光時に電子線を
完全に遮蔽するのに必要な膜厚ｄが得られる深さにす
る。本実施の形態５ではＳｉ基板裏面を６００μｍの深
さにエッチングし、厚さ２０μｍの膜を残した。この２
０μｍの厚さは、５０ｋｅＶの加速電圧の電子線露光装
置において電子を完全に遮蔽するのに充分な膜厚であ
る。この膜厚ｄは、実施の形態１で説明したのと同様
に、電子を完全に遮蔽する厚さにしなくてもよい。
【００４３】次に、図５（ｂ）に示すように、Ｓｉ基板
表面を上にしてＸ−ＹステージにＳｉ基板を載置し、パ
ターンデータに従ってＸ−Ｙステージ３７を移動しなが
らＳｉ基板表面にＧａイオンビーム照射とＸｅＦ2ガス
３８噴射を施し、Ｓｉ基板２を表面から２０μｍエッチ
ングして、所望パターンの貫通した開口１０を形成し、
一括アパチャを完成する。
表面を上にしてＸ−ＹステージにＳｉ基板を載置し、パ
ターンデータに従ってＸ−Ｙステージ３７を移動しなが
らＳｉ基板表面にＧａイオンビーム照射とＸｅＦ2ガス
３８噴射を施し、Ｓｉ基板２を表面から２０μｍエッチ
ングして、所望パターンの貫通した開口１０を形成し、
一括アパチャを完成する。
【００４４】上記実施の形態５では、Ｓｉ基板表面を加
工する際、パターンデータに従ってＸ−Ｙステージを移
動制御したが、この替わりに、Ｘ−Ｙステージをラスタ
走査しながら開口１０を形成する部分のみイオン照射す
るようにＧａイオンビーム１の照射を断続的に制御して
もよい。また、裏面を加工した後、Ｓｉ基板の表面を上
にしてＸ−Ｙステージに再載置して表面を加工したが、
実施の形態２と同様に、裏面を一様にエッチングした
後、引き続いて裏面からＧａイオンビーム照射とＸｅＦ
2ガス噴射を行い、残り２０μｍを所望パターンにエッ
チングして貫通した開口を形成してもよい。
工する際、パターンデータに従ってＸ−Ｙステージを移
動制御したが、この替わりに、Ｘ−Ｙステージをラスタ
走査しながら開口１０を形成する部分のみイオン照射す
るようにＧａイオンビーム１の照射を断続的に制御して
もよい。また、裏面を加工した後、Ｓｉ基板の表面を上
にしてＸ−Ｙステージに再載置して表面を加工したが、
実施の形態２と同様に、裏面を一様にエッチングした
後、引き続いて裏面からＧａイオンビーム照射とＸｅＦ
2ガス噴射を行い、残り２０μｍを所望パターンにエッ
チングして貫通した開口を形成してもよい。
【００４５】
【発明の実施の形態６】図６（ａ）、（ｂ）に本実施の
形態６の一括アパチャ製造工程におけるＳｉ基板の断面
図を示す。本実施の形態６は、エッチング深さを任意に
制御することにより、例えば、図６（ｂ）に示すよう
に、パターンの中心部に任意の膜厚の薄膜３を残してお
き周辺部に対して通過する電子の強度を変化させて、所
謂、電子の後方散乱に起因する周辺部と中心部に蓄積さ
れる露光量の差による近接効果を補正するアパチャを作
製した例である。以下、図６、図８を参照して説明す
る。
形態６の一括アパチャ製造工程におけるＳｉ基板の断面
図を示す。本実施の形態６は、エッチング深さを任意に
制御することにより、例えば、図６（ｂ）に示すよう
に、パターンの中心部に任意の膜厚の薄膜３を残してお
き周辺部に対して通過する電子の強度を変化させて、所
謂、電子の後方散乱に起因する周辺部と中心部に蓄積さ
れる露光量の差による近接効果を補正するアパチャを作
製した例である。以下、図６、図８を参照して説明す
る。
【００４６】先ず、厚さ６２０μｍ、直径６インチのＳ
ｉ基板２を裏面を上にしてＸ−Ｙステージ３７に載置
し、図６（ａ）に示すように、真空中でＡｒイオンビー
ム１を矢印４０の如くラスタ走査しながら、Ｓｉ基板裏
面にＡｒイオンビーム１を連続照射し、Ｓｉ基板縁部を
残して裏面中心部を一様にエッチングする。エッチング
の深さは、電子線露光時に電子線を完全に遮蔽するのに
必要な膜厚ｄが得られる深さにする。本実施の形態６で
はＳｉ基板裏面を６００μｍの深さにエッチングし、厚
さ２０μｍの膜を残した。この２０μｍの厚さは、５０
ｋｅＶの加速電圧の電子線露光装置において電子を完全
に遮蔽するのに充分な膜厚である。この膜厚ｄは、実施
の形態１で説明したのと同様に、電子を完全に遮蔽する
厚さにしなくてもよい。次に、図６（ｂ）に示すよう
に、Ｓｉ基板表面を上にして、パターンデータに従って
Ｓｉ基板表面にＡｒイオンビームを照射し、Ｓｉ基板２
を表面からエッチングして所望開口パターンを形成し、
一括アパチャを完成する。この時、Ａｒイオンビームの
照射時間を制御して各開口のエッチング深さを変え、パ
ターン周辺部の開口１０ａは貫通孔とし、パターンの中
心部の開口１０ｂには薄膜３を残して、通過する電子の
強度をパターン周辺部と中心部とで異なるアパチャとし
た。この実施の形態６では、図６（ｂ）に示すように、
中央の開口１０ｂの薄膜３の膜厚がその両側の開口１０
ｂの薄膜３の膜厚よりも厚くなっており、更に、その外
側の開口１０ａは貫通孔になっている。この開口１０ａ
にも薄膜を設けてもよい。この様に、本発明は集束イオ
ンビームでエッチングするため、任意の場所のエッチン
グ深さを任意に制御できるので、従来は製造が困難であ
った、場所によりエッチング深さの異なるアパチャを、
本実施の形態６に依れば容易に製造できる。
ｉ基板２を裏面を上にしてＸ−Ｙステージ３７に載置
し、図６（ａ）に示すように、真空中でＡｒイオンビー
ム１を矢印４０の如くラスタ走査しながら、Ｓｉ基板裏
面にＡｒイオンビーム１を連続照射し、Ｓｉ基板縁部を
残して裏面中心部を一様にエッチングする。エッチング
の深さは、電子線露光時に電子線を完全に遮蔽するのに
必要な膜厚ｄが得られる深さにする。本実施の形態６で
はＳｉ基板裏面を６００μｍの深さにエッチングし、厚
さ２０μｍの膜を残した。この２０μｍの厚さは、５０
ｋｅＶの加速電圧の電子線露光装置において電子を完全
に遮蔽するのに充分な膜厚である。この膜厚ｄは、実施
の形態１で説明したのと同様に、電子を完全に遮蔽する
厚さにしなくてもよい。次に、図６（ｂ）に示すよう
に、Ｓｉ基板表面を上にして、パターンデータに従って
Ｓｉ基板表面にＡｒイオンビームを照射し、Ｓｉ基板２
を表面からエッチングして所望開口パターンを形成し、
一括アパチャを完成する。この時、Ａｒイオンビームの
照射時間を制御して各開口のエッチング深さを変え、パ
ターン周辺部の開口１０ａは貫通孔とし、パターンの中
心部の開口１０ｂには薄膜３を残して、通過する電子の
強度をパターン周辺部と中心部とで異なるアパチャとし
た。この実施の形態６では、図６（ｂ）に示すように、
中央の開口１０ｂの薄膜３の膜厚がその両側の開口１０
ｂの薄膜３の膜厚よりも厚くなっており、更に、その外
側の開口１０ａは貫通孔になっている。この開口１０ａ
にも薄膜を設けてもよい。この様に、本発明は集束イオ
ンビームでエッチングするため、任意の場所のエッチン
グ深さを任意に制御できるので、従来は製造が困難であ
った、場所によりエッチング深さの異なるアパチャを、
本実施の形態６に依れば容易に製造できる。
【００４７】この実施の形態６では、Ｓｉ基板裏面を先
にエッチングしたが、実施の形態１のように、Ｓｉ基板
表面を先にエッチングしてパターンを形成した後、Ｓｉ
基板裏面をエッチングしてもよい。また、Ｓｉ基板裏面
を加工した後、Ｓｉ基板の表面を上にしてＸ−Ｙステー
ジに再載置して表面を加工したが、実施の形態２と同様
に、Ｓｉ基板裏面を一様にエッチングした後、引き続い
て裏面からＧａイオンビーム照射を行い、残り２０μｍ
を、基板の周辺部と中心部とでエッチング深さを変えて
所望パターンにエッチングして、中心部には薄膜を有す
る開口を形成し、周辺部には貫通した開口を形成しても
よい。この場合、薄膜はＳｉ基板表面側に形成される。
更に、実施の形態４、５のように、集束イオンビーム照
射部にＸｅＦ2ガス等のエッチングガスを噴射してエッ
チングしてもよい。
にエッチングしたが、実施の形態１のように、Ｓｉ基板
表面を先にエッチングしてパターンを形成した後、Ｓｉ
基板裏面をエッチングしてもよい。また、Ｓｉ基板裏面
を加工した後、Ｓｉ基板の表面を上にしてＸ−Ｙステー
ジに再載置して表面を加工したが、実施の形態２と同様
に、Ｓｉ基板裏面を一様にエッチングした後、引き続い
て裏面からＧａイオンビーム照射を行い、残り２０μｍ
を、基板の周辺部と中心部とでエッチング深さを変えて
所望パターンにエッチングして、中心部には薄膜を有す
る開口を形成し、周辺部には貫通した開口を形成しても
よい。この場合、薄膜はＳｉ基板表面側に形成される。
更に、実施の形態４、５のように、集束イオンビーム照
射部にＸｅＦ2ガス等のエッチングガスを噴射してエッ
チングしてもよい。
【００４８】上記実施の形態１〜６では開口を貫通孔と
したが、図６（ｂ）に示した開口１０ｂの様に、実施の
形態１〜６において全ての開口に薄膜を設けてもよい。
したが、図６（ｂ）に示した開口１０ｂの様に、実施の
形態１〜６において全ての開口に薄膜を設けてもよい。
【００４９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は電子ビー
ム露光装置部品である一括アパチャの製造方法におい
て、集束イオンビームにより基板をエッチングするの
で、レジスト塗布、現像、レジスト剥離等、従来の煩雑
な製造プロセスがなくなり作製に要する時間が短縮でき
る。また、任意の場所のエッチング深さを任意に制御で
きるから、場所によりエッチング深さの異なるアパチャ
を容易に製造でき、近接効果を補償したアパチャの製造
も容易にできると共に、高い加工精度が得られ、０．０
５μｍの加工寸法精度も可能となる。更に、Ｓｉ基板裏
面も集束イオンビームでエッチングするので、裏面エッ
チング中にエッチング液で表面が侵されることがなく、
パターン不良発生が防止でき歩留まりが向上する。ま
た、集束イオンビームの照射角を変えることでエッチン
グにより形成される側壁の角度も変えられるので、垂直
に照射することで、テーパー角がほぼ垂直なアパチャが
得られ、アスペクト比の大きい開口が形成でき、加工寸
法精度も高く、微小パターンの形成も容易である。
ム露光装置部品である一括アパチャの製造方法におい
て、集束イオンビームにより基板をエッチングするの
で、レジスト塗布、現像、レジスト剥離等、従来の煩雑
な製造プロセスがなくなり作製に要する時間が短縮でき
る。また、任意の場所のエッチング深さを任意に制御で
きるから、場所によりエッチング深さの異なるアパチャ
を容易に製造でき、近接効果を補償したアパチャの製造
も容易にできると共に、高い加工精度が得られ、０．０
５μｍの加工寸法精度も可能となる。更に、Ｓｉ基板裏
面も集束イオンビームでエッチングするので、裏面エッ
チング中にエッチング液で表面が侵されることがなく、
パターン不良発生が防止でき歩留まりが向上する。ま
た、集束イオンビームの照射角を変えることでエッチン
グにより形成される側壁の角度も変えられるので、垂直
に照射することで、テーパー角がほぼ垂直なアパチャが
得られ、アスペクト比の大きい開口が形成でき、加工寸
法精度も高く、微小パターンの形成も容易である。
【図１】 本発明の第１の実施の形態を説明するため
のＳｉ基板の断面斜視図
のＳｉ基板の断面斜視図
【図２】 本発明の第２の実施の形態を説明するため
のＳｉ基板の断面図
のＳｉ基板の断面図
【図３】 本発明の第３の実施の形態を説明するため
のＳｉ基板の断面図
のＳｉ基板の断面図
【図４】 本発明の第４の実施の形態を説明するため
のＳｉ基板の断面図
のＳｉ基板の断面図
【図５】 本発明の第５の実施の形態を説明するため
のＳｉ基板の断面図
のＳｉ基板の断面図
【図６】 本発明の第６の実施の形態を説明するため
のＳｉ基板の断面図
のＳｉ基板の断面図
【図７】 従来の製造方法における各製造工程のＳｉ
基板の断面図
基板の断面図
【図８】 本発明の製造方法に使用する集束イオンビ
ーム装置例の概略図
ーム装置例の概略図
１ 集束イオンビーム ２ Ｓｉ基板 ３ 薄膜 ５ レジスト ６ Ｓｉ窒化膜 ７ 導電層 ８ 貼り合わせＳｉ基板 ８ａ Ｓｉ基板 ８ｂ Ｓｉ基板 ９ Ｓｉ酸化膜 １０ 開口 １０ａ 開口 １０ｂ 開口 ２１ イオン源 ２２ シールド電極 ２３ ガンアパチャ ２４ 集束レンズ ２５ アパチャ ２６ 走査電極 ２７ 対物レンズ ２８ ノズル ２９ ヒータ ３０ 容器 ３１ ガス源 ３２ バルブ ３３ 微動装置 ３４ バルブつまみ ３５ 検出器 ３６ Ｘ−Ｙ駆動装置 ３７ Ｘ−Ｙステージ
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 1/16 H01J 37/305
Claims (12)
- 【請求項１】 集束イオンビームにより基板表面を、電
子線を吸収又は散乱するに十分な膜厚が得られる深さに
エッチングして基板表面に所望パターンの開口を形成す
る工程と、前記開口が形成された基板の裏面を集束イオ
ンビームにより基板縁部を残して、前記開口に達する深
さまで一様にエッチングする工程とを有することを特徴
とする電子ビーム露光装置用一括アパチャの製造方法。 - 【請求項２】 集束イオンビームにより基板縁部を残し
て基板裏面を、電子線を吸収又は散乱するに十分な膜厚
が得られる深さに一様にエッチングする工程と、裏面が
エッチングされた前記基板表面に集束イオンビームを照
射して所望パターンの開口を形成する工程とを有するこ
とを特徴とする電子ビーム露光装置用一括アパチャの製
造方法。 - 【請求項３】 集束イオンビームにより基板縁部を残し
て基板裏面を、電子線を吸収又は散乱するに十分な膜厚
が得られる深さに一様にエッチングする工程と、裏面が
エッチングされた前記基板裏面に引き続き集束イオンビ
ームを照射して所望パターンの開口を形成する工程とを
有することを特徴とする電子ビーム露光装置用一括アパ
チャの製造方法。 - 【請求項４】 集束イオンビームにより基板表面を、所
望の基板位置のエッチング深さを制御してパターン周辺
部は電子線を吸収又は散乱するに十分な膜厚が得られる
深さにエッチングし、パターン中心部は前記膜厚よりも
薄い膜厚が得られる深さにエッチングして、基板表面に
深さの異なる所望パターンの開口を形成する工程と、前
記開口が形成された基板の裏面を集束イオンビームによ
り基板縁部を残して、前記開口のうち最も深く形成され
た開口に達する深さまで一様にエッチングして前記最も
深く形成された開口を貫通させ、それ以外の開口には薄
膜を残す工程とを有することを特徴とする電子ビーム露
光装置用一括アパチャの製造方法。 - 【請求項５】 集束イオンビームにより、基板縁部を残
して基板裏面を、電子線を吸収又は散乱するに十分な膜
厚が得られる深さに一様にエッチングする工程と、裏面
がエッチングされた前記基板表面に集束イオンビームを
照射して、所望の基板位置のエッチング深さを制御して
深さの異なる所望パターンの開口を形成し、最も深く形
成された開口を貫通させ、それ以外の開口には開口底部
に薄膜を残す工程とを有することを特徴とする電子ビー
ム露光装置用一括アパチャの製造方法。 - 【請求項６】 集束イオンビームにより、基板縁部を残
して基板裏面を、電子線を吸収又は散乱するに十分な膜
厚が得られる深さに一様にエッチングする工程と、裏面
がエッチングされた前記基板裏面に引き続き集束イオン
ビームを照射して、所望の基板位置のエッチング深さを
制御して深さの異なる所望パターンの開口を形成し、最
も深く形成された開口を貫通させ、それ以外の開口には
開口部に薄膜を残す工程とを有することを特徴とする電
子ビーム露光装置用一括アパチャの製造方法。 - 【請求項７】 集束イオンビーム照射と、集束イオンビ
ーム照射位置エッチングガスを噴射することにより基板
表面を、電子線を吸収又は散乱するに十分な膜厚が得ら
れる深さにエッチングして基板表面に所望パターンの開
口を形成する工程と、前記開口が形成された基板の裏面
を集束イオンビーム照射と、集束イオンビーム照射位置
エッチングガスを噴射することにより基板縁部を残し
て、前記開口に達する深さまで一様にエッチングする工
程とを有することを特徴とする電子ビーム露光装置用一
括アパチャの製造方法。 - 【請求項８】 集束イオンビーム照射と、集束イオンビ
ーム照射位置エッチングガスを噴射することにより基板
縁部を残して基板裏面を、電子線を吸収又は散乱するに
十分な膜厚が得られる深さに一様にエッチングする工程
と、裏面がエッチングされた前記基板表面に集束イオン
ビームを照射し、集束イオンビーム照射位置エッチング
ガスを噴射して所望パターンの開口を形成する工程とを
有することを特徴とする電子ビーム露光装置用一括アパ
チャの製造方法。 - 【請求項９】 集束イオンビーム照射と、集束イオンビ
ーム照射位置エッチングガスを噴射することにより基板
縁部を残して基板裏面を、電子線を吸収又は散乱するに
十分な膜厚が得られる深さに一様にエッチングする工程
と、裏面がエッチングされた前記基板裏面に引き続き集
束イオンビームを照射し、集束イオンビーム照射位置エ
ッチングガスを噴射して所望パターンの開口を形成する
工程とを有することを特徴とする電子ビーム露光装置用
一括アパチャの製造方法。 - 【請求項１０】 集束イオンビーム照射と、集束イオン
ビーム照射位置エッチングガスを噴射することにより基
板表面を、所望の基板位置のエッチング深さを制御して
パターン周辺部は電子線を吸収又は散乱するに十分な膜
厚が得られる深さにエッチングし、パターン中心部は前
記膜厚よりも薄い膜厚が得られる深さにエッチングし
て、基板表面に深さの異なる所望パターンの開口を形成
する工程と、前記開口が形成された基板の裏面を集束イ
オンビーム照射と、集束イオンビーム照射位置エッチン
グガスを噴射することにより基板縁部を残して、前記開
口のうち最も深く形成された開口に達する深さまで一様
にエッチングして前記最も深く形成された開口を貫通さ
せ、それ以外の開口には薄膜を残す工程とを有すること
を特徴とする電子ビーム露光装置用一括アパチャの製造
方法。 - 【請求項１１】 集束イオンビーム照射と、集束イオン
ビーム照射位置エッチングガスを噴射することにより、
基板縁部を残して基板裏面を、電子線を吸収又は散乱す
るに十分な膜厚が得られる深さに一様にエッチングする
工程と、裏面がエッチングされた前記基板表面に集束イ
オンビームを照射し、集束イオンビーム照射位置エッチ
ングガスを噴射して、所望の基板位置のエッチング深さ
を制御して深さの異なる所望パターンの開口を形成し、
最も深く形成された開口を貫通させ、それ以外の開口に
は開口底部に薄膜を残す工程とを有することを特徴とす
る電子ビーム露光装置用一括アパチャの製造方法。 - 【請求項１２】 集束イオンビーム照射と、集束イオン
ビーム照射位置エッチングガスを噴射することにより、
基板縁部を残して基板裏面を、電子線を吸収又は散乱す
るに十分な膜厚が得られる深さに一様にエッチングする
工程と、裏面がエッチングされた前記基板裏面に引き続
き集束イオンビームを照射し、集束イオンビーム照射位
置エッチングガスを噴射して、所望の基板位置のエッチ
ング深さを制御して深さの異なる所望パターンの開口を
形成し、最も深く形成された開口を貫通させ、それ以外
の開口には開口部に薄膜を残す工程とを有することを特
徴とする電子ビーム露光装置用一括アパチャの製造方
法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4565698A JP3036506B2 (ja) | 1998-02-26 | 1998-02-26 | 電子ビーム露光装置用一括アパチャの製造方法 |
| TW088102709A TW413856B (en) | 1998-02-26 | 1999-02-23 | Electron-beam cell projection aperture formation method |
| US09/256,710 US6150280A (en) | 1998-02-26 | 1999-02-24 | Electron-beam cell projection aperture formation method |
| CNB991008421A CN1146022C (zh) | 1998-02-26 | 1999-02-25 | 电子束单元投影孔径生成方法 |
| KR1019990006595A KR100313326B1 (ko) | 1998-02-26 | 1999-02-26 | 전자빔셀투영어퍼쳐 형성방법 |
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