JP2009274348A - モールド作製方法 - Google Patents
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Abstract
【構成】マスクを、レジストを塗布したモールドの所定位置に近接して位置づけるステップと、近接して位置づけた状態で、電子線をマスクに照射してマスク上の微小パターンを透過した電子線をマスク上のレジストに露光するステップと、露光した後に、マスクを次の位置に位置づけた後、露光することを繰り返すステップと、繰り返した後に、モールド上の露光されたレジストを現像するステップと、現像した後のモールドをエッチングし、マスク上のパターンに対応するパターンをモールド上に形成するステップとを有する。
【選択図】 図1
Description
となる。一方、マスク転写では、
・1時間+12×12×20秒=1.8時間
となってマスク転写を応用する有利さが明らかとなり、極めて短時間にモールド16を作製することが可能となる。
11、15、22:レジスト
12:シリコンウェハ
13:開口パターン
14:ステンシルマスク
16:モールド
32:電子源
33:コンデンサレンズ
34:縮小レンズ系
Claims (8)
- パターンを転写する押し型(以下「モールド」という)を作製するモールド作製方法において、
前記モールドにレジストを塗布するステップと、
電子線が透過するパターンを有する一定面積のマスクを、前記レジストを塗布したモールドの所定位置に近接して位置づけるステップと、
前記近接して位置づけた状態で、電子線を前記マスクに照射して当該マスク上の微小パターンを透過した電子線を前記モールド上のレジストに露光するステップと、
前記露光した後に、前記マスクを次の位置に位置づけた後、露光することを繰り返すステップと、
前記繰り返した後に、モールド上の露光されたレジストを現像するステップと、
前記現像した後のモールドをエッチングし、前記マスク上のパターンに対応するパターンを当該モールド上に形成するステップと、
前記モールド上のレジストを除去するステップと
を有するモールド作製方法。 - 前記電子線をマスクに照射するとして、細い電子線で当該マスク上を全面走査あるいはマスク上のパターンのある部分のみを走査することを特徴とする請求項1記載のモールド作製方法。
- 前記細い電子線として、前記マスク上の最も細いパターンの幅のサイズあるいは若干太いサイズのパターンとしたことを特徴とする請求項1あるいは請求項2記載のモールド作製方法。
- 前記マスクと前記モールドあるいは前記モールドを塗布したレジストとの間の間隔をd、モールド上に形成する最小のパターンの幅をsとしたとき、前記マスクを照射する電子線の開き角度α<<s/d(ラジアン)としたことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載のモールド作製方法。
- 前記モールドにアライメントマークを形成しておき、当該アライメントマークを基準に前記マスクに位置づけることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれかに記載のモールド作製方法。
- 前記マスクにアライアメントマークを形成しておき、当該アライメントマークを基準に前記モールドに位置づけることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれかに記載のモールド作製方法。
- 前記マスクにレジストを塗布して一定面積のパターンを電子線描画した後に現像し、更に、エッチングして電子線が透過するパターンを作製したことを特徴とする請求項1から請求項6のいずれかに記載のモールド作製方法。
- 前記マスクを電子線で全面照射あるいは全面走査あるいは開口したパターンの部分のみを全面走査し、当該マスク上に形成したパターンを透過した電子線を電磁型あるいは静電型の縮小レンズを用いて前記モールドに塗布したレジスト上に縮小したパターンを形成して露光することを特徴とする請求項1から請求項7のいずれかに記載のモールド作製方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009276600A (ja) * | 2008-05-15 | 2009-11-26 | Horon:Kk | マスク転写方法 |
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2008
- 2008-05-15 JP JP2008128280A patent/JP5144848B2/ja active Active
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