JP2008311617A - ナノ構造体およびナノ構造体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】Siを含む基板の表面に形成された、深さが2μm以上のパターンを有するナノ構造体であって、
前記パターンの表面にGa又はInを含み、該Ga又はInの濃度の最大値が前記基板の深さ方向に前記パターンの表面より50nm以内に位置しているナノ構造体を構成する。
また、その製造方法として、前記Siを含む基板の表面に集束したGaイオン又はInイオンを照射して、該基板の表面を削りながらGaイオン又はInイオンを注入し、該基板の表面にGa又はInを含む層を形成し、これをエッチングマスクとしてドライエッチングする方法を構成する。
【選択図】 図1
Description
従来から、微細構造の形成には、フォトリソグラフィーによるパターン形成方法が用いられてきている。
これによるパターン形成では、基板上にレジスト等の感光剤を塗布してレジスト膜を形成後、紫外光等の光源からフォトマスクを介してレジスト上に露光し、現像する。
そして、前記レジスト膜にパターンを転写し、これをマスクとして前記基板をエッチングする手法が採られる。基板の加工完了後は、前記レジスト膜を剥離する。
例えば、光源に水銀ランプを用いた場合は波長365nm、KrFエキシマレーザーを用いた場合は波長248nmである。
したがって、これらを使用して線幅が500nm以下のパターンを形成するのは困難である。また、線幅が100nm以下のパターンを形成するのはさらに困難である。このような微細なパターンを形成する場合、特に2μm以上、特に10μm以上の深さに加工する場合は加工精度を維持することが一層困難になる。
これらはそれぞれ電子ビームリソグラフィーおよびイオンビームリソグラフィーと呼ばれている。
これらの電子ビームリソグラフィーならびにイオンビームリソグラフィーでは、フォトマスクを使用せず、レジスト膜に電子ビームまたはイオンビームでパターンを直接描画することができる。
例えば、特許文献1では図14、図15に示すような、イオンビームによる段差パターンの形成方法が提案されている。
図14、図15において、1201はGaAs基板、1202はSiNx膜、1202aはイオン注入部、1202bは段差パターン、1203はGaイオン、1204はCF4のラジカルである。
この方法では、イオンビームの加速電圧、イオンの原子種、イオンの価数の少なくとも1つを変えてイオン注入し、被エッチング材の深さ方向にイオン濃度ピーク領域を形成した後、ドライエッチングにより段差パターンの形成が行われる。また、特許文献2では、図16に示すようにGaAs基板に表面酸化膜の存在、又は酸素分子照射のもとで、Gaイオンを打ち込む加工方法が開示されている。
図16において、1301はGaAs層、1302は自然酸化膜、1303は酸化膜Ga2O3、1304はGaイオンビーム、1305はGaイオンが注入されたGaAs層である。
さらに、特許文献3では、図17に示すような、マイクロマシンを形成する方法が提案されている。
図17において、1401はSi基体、1402は集束イオンビームである。
この方法では、Si基板に直接、O、Be、N等のFIBにより加速電圧を制御しつつ照射し、Si化合物領域を形成することによってマイクロマシンを形成する手法が採られている。
Si含有無機レジストにGaイオンビームを注入する時、同領域近傍に電子線を照射することで、電気的に中性化したイオンビームを照射する方法である。
さらに、特許文献5では、図19に示すようなSiNx膜などのマスク材にGaイオンを打ち込み、マスク材をエッチングするパターニング方法が開示されている。
また、特許文献6では、図20に示すようなエッチング方法が提案されている。図20において、1702は絶縁膜、1703はシリコンウエハー、1704はイオン打込み領域、1705は非打込み領域である。この方法では、シリコン基板上の絶縁膜をマスクとしてイオンを打込み、ドライエッチングすることで、サイドエッチングの無い100nm程度の段差を形成するエッチング方法である。さらに、特許文献6では、図21に示すようなイオン打込みとドライエッチングを平行して行う装置も同時に提案されている。
図21において、1711はイオン源、1712はイオン、1713はイオンの質量分離をするマグネット、1714はプラズマ反応層、1715は被加工物、1716はプラズマである。このような装置を用いてイオン打込みとドライエッチングを併行して行う方法も提案されている。
例えば、レジスト膜をマスクとして深さ2μm以上の構造体を作製しようとすると、エッチングに耐えるためにレジスト膜厚を厚くする必要がある。
そのため、500nm以下、特に100nm以下の線幅によるパターンの形成は困難である。
また、上記特許文献1による段差パターンの形成方法においては、いくつかのイオン注入深さに濃度ピークを持つマスクを形成する際、加速電圧、イオンの原子種、イオンの価数の少なくとも1つを変えてイオン注入することが必要となる。そのため、条件の変更、条件だしに時間と手間を要する上、2μm以上、特に10μm以上の深さのエッチングは困難である。また、図14に示すように、この手法では、打込まれたイオン濃度ピークは基板の最表面ではなくいくつかの注入深さに極大値を持つ分布になっている。
また、上記特許文献2によるGaイオンを打ち込む加工方法においても、GaAs基板の加工には、500℃程度の高温の加熱工程が必要となる。
さらに、上記特許文献3によるマイクロマシンを形成する方法では、加速電圧40〜1000kV以上で酸素等の軽元素をイオン化しているため、ビームスポットは、0.1μm程度であり、数μmオーダーの加工しかできないものである。また、高アスペクトな段差形成のためには、より高電圧印加が必要となるため、電圧印加の制限がある上、注入深さを深くするほど、注入したイオンの横への広がりが大きくなる。そのため、高アスペクトな微細パターン形成には適さないものである。
従って、レジストをパターニング後、さらに下層の金属磁性体層を備える積層膜をエッチングし、さらにレジストを剥離するプロセスを行っている。
また、Gaイオン注入時に同領域近傍に電子線を照射するためGaイオン注入領域の位置精度が電子線に影響される。位置精度の良い電子ビーム照射の条件出しが困難である。
また、上記特許文献5では、Si基板上にSiNxやSiO2などの薄膜をマスク材として用いており、そのマスク材にイオン注入を行う手法である。
これらのプロセスは、電子デバイス等に用いるとGaイオンがデバイス性能に影響を及ぼす場合があり、Gaを含むマスク材の剥離や注入したGaを取り除くための高温過熱工程が必要になる。
さらに、上記特許文献6では、Si基板全体に直接各種イオンを打込む事もできる。ただし、図21のイオン打込み方式を見ると、この手法ではイオンを偏向して基板に照射する構成になっているが、イオンを収束する構成やアパチャーが記載されていない。
従って、微細パターンを形成するためにはSiウエハーに絶縁層などのマスクをパターニング後、イオン注入を行い、マスク材を除去して、非打込み領域のエッチングを行う事が必要になる。この手法では、イオンは、FIBに比べ収束が十分でない構成のため、マスクがないと、100nm以下のパターニングは困難である。
この様な手法は、マスクと被エッチング材とのエッチング選択比を高くとるのが困難であるので、2μm以上(特に10μm以上)の深さを有する構造体を形状制御性よく形成することが困難である。
すなわち、高アスペクトな構造体、つまり深さまたは高さに対して幅が狭い構造体の形成が困難である。特に、幅がサブミクロン(特に500nm以下)で、深さが2μm以上の深堀を必要とする微細パターンには適さないものである。
本発明のナノ構造体とは、MEMS(microelectromechanical system)やNEMS(nanoelectromechanical system)、光学デバイス等、2μm以上(特に10μm以上)の深さを有する構造体を示す。
本発明のナノ構造体は、Siを含む基板の表面に形成された、深さが2μm以上のパターンを有するナノ構造体であって、
前記パターンの表面にGa又はInを含み、該Ga又はInは前記基板の深さ方向に所定の濃度分布を有し、該濃度の最大値が前記パターンの最表層に位置していることを特徴とする。
また、本発明のナノ構造体は、前記Ga又はInの濃度の最大値が、前記パターンの表面より50nm以内に位置していることを特徴とする。
本発明において、最表層とは、深さが0〜50nmの領域を示すものとする。
また、本発明のナノ構造体は、前記パターンの表面において、X線光電子分光分析法によって検出されるGa又はInとSiの元素組成比Ga/Si又はIn/Siが、0.4原子%以上であることを特徴とする。
また、本発明のナノ構造体は、前記パターンの表面において、X線光電子分光分析法によって検出されるGaのピークが、1110から1120eVの範囲内であることを特徴とする。
また、本発明のナノ構造体は、少なくとも500nm以下の線幅のパターンを有することを特徴とする。
また、本発明のナノ構造体の製造方法は、Siを含む基板を用い、エッチングによってナノ構造体を製造するナノ構造体の製造方法であって、
前記Siを含む基板の表面に集束したGaイオン又はInイオンを照射して、該基板の表面を削りながら該Gaイオン又はInイオンを注入し、該基板の表面にGa又はInを含む層を形成する工程と、
前記基板の表面に形成されたGa又はInを含む層をエッチングマスクとして、フッ素(F)を含むガスでドライエッチングし、所定の線幅による深さが2μm以上のパターンを有するナノ構造体を形成する工程(深堀エッチング工程ともいう)と、を含むことを特徴とする。
ここでいう深堀エッチング工程とは、特にアスペクト比(深さと幅の比)が5以上の構造体のRIE(Reactive Ion Etching)工程を意味する。その一例は、公知のBosh式RIE工程がある。
また、本発明のナノ構造体の製造方法は、前記Gaイオン又はInイオンの注入に際し、X線光電子分光分析法によって検出されるGaイオン又はInイオンの注入量を、Siに対して0.4原子%以上とすることを特徴とする。
また、本発明のナノ構造体の製造方法は、Siを含む基板を用い、エッチングによって該基板表面に所定ピッチによる凹凸形状のパターンを有するナノ構造体を製造するナノ構造体の製造方法であって、
前記Siを含む基板の表面に集束したGaイオン又はInイオンを照射するに際し、Gaイオン又はInイオンをスキャンし、前記基板の表面にGa又はInを含む層を所定のピッチで形成する工程と、
前記基板の表面に所定のピッチで形成されたGa又はInを含む層をエッチングマスクとして、フッ素(F)を含むガスでドライエッチングし、所定ピッチと線幅による凹凸形状のパターンを有するナノ構造体を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
また、本発明のナノ構造体の製造方法は、前記基板の表面に形成されるGa又はInを含む層のピッチが、少なくとも1μm以下であることを特徴とする。
また、本発明のナノ構造体の製造方法は、Siを含む基板を用い、エッチングによって該基板表面に複数段の段差パターンを有するナノ構造体を製造するナノ構造体の製造方法であって、
前記基板の表面に段差パターンを形成する工程と、
前記基板表面に形成された段差パターン上に、集束したGaイオン又はInイオンを照射して該基板の表面にGa又はInを含む層を形成する工程と、
前記基板の表面に形成されたGa又はInを含む層をエッチングマスクとして、前記基板表面をフッ素(F)を含むガスでドライエッチングして深堀加工し、複数段の段差パターンを形成する工程と、を含むことを特徴とする。
また、本発明のナノ構造体の製造方法は、上記したナノ構造体の製造方法を、少なくとも1回以上繰り返すことにより、更に段差の増加した段差パターンを有するナノ構造体を製造することを特徴とする。
また、本発明は、線幅が500nm以下、特に100nm以下で、深さが2μm以上のパターンを有するナノ構造体を実現することができる。
また、本発明の製造方法によれば、Siを含む基板の表面に、高アスペクトでナノオーダーのパターンを有するナノ構造体の製造が可能となる。
すなわち、本発明者らは、2μm以上の深さのエッチングに耐える十分なマスク性能が必要である点に着目し、マスク材料について鋭意検討を行った。
その結果、Siを含む構造体表面にGaを注入する際、濃度や注入条件を制御することで良好なマスク性能を得ることができることを見出し、本発明の完成に至ったものである。具体的には、Siを含む構造体の最表面に集束したGaイオンを照射する。これにより、構造体の表面をわずかに削りながらGaイオンが注入される。
このため、通常のイオン注入とは異なり、最表面近傍にGaの濃度がピークをもつ領域が形成される。
ここで、上記最表面近傍とは、上記構造体の表面から深さ方向に所定の濃度分布を有するGaの該濃度の最大値が、上記構造体の最表層(表面より50nm以内)に位置するように分布されている領域をいう。
本発明では、深さ0〜50nmの領域を最表層(最表面も含む)と定義した。
そして、当該Gaの分布は、理想的にはGaの上記深さ方向における濃度最大値を有する領域が、最表層に位置することである。
本発明において、上記最表層は、好ましくは0〜50nm、より好ましくは0〜20nmであって、実質的に最表面(0nm)も含む。本発明において、実質的に最表面とは、厳密に深さ0nmだけでなく、10nm以内の範囲の分布も含む。
さらに、Gaイオンの注入領域がSiを含む構造体の最表面に特定することにより、Gaイオン打ち込み工程に際し加速電圧を小さくすることができ、Siを含む構造体に不要なダメージを与えることを抑制することができる。
以上のように、極微量のGaイオンをSiを含む構造体の最表層に選択的に注入することで、従来において達成することができなかったエッチングに対する極めて高いマスク性能を付与することが可能となる。
なお、以上ではエッチング深さを2μm以上の深さにすることが可能であることについて説明したが、エッチング深さはエッチング条件により制御可能であり、本発明は1μm以下にする場合にも適用できることは勿論のことである。
また、本発明では、Siを含む構造体表面にGaイオンを注入する例を示したが、Gaの代りにInイオンを用いた場合でも同様の結果が期待できる。
また、本発明のナノ構造体は、MEMSやNEMSあるいは光学デバイスなどの2μm以上の深さを有する構造に適用される。
つぎに、本発明のパターン形成方法を適用した本発明の第1の実施形態におけるナノ構造体およびナノ構造体の製造方法について説明する。
図1に、本実施の形態におけるSiを含む基板の表面に、所望のGaを含むパターンを有するナノ構造体の構成例について説明する。図1(a)は平面図、図1(b)は断面図である。
図1において、11は基板、12はパターン、12aはパターン表面、13はエッチング底面である。
例えば、シリコン、SiO2、SiN、等の単体基板は勿論のこと、SiO2上のシリコン膜、SiO2上のSiN膜、シリコン上のSiO2膜、シリコン上のSiN膜、SiN上のシリコン膜、SiN上のSiO2膜を用いることができる。また任意の基板(例えば金属、ガラス、樹脂、セラミックス等)上のSiを含む膜、等を用いることができる。パターン表面12aは、表面にGaを含む層である。パターン12は、パターン表面12aを含み基板11上に構成された凸部で構成されている。
パターン幅Wは、100nm以下が可能であるが、Ga/Siが0.4原子%以上であれば、数100μm程度も可能である。
パターン表面12aとエッチング底面13の距離d、すなわち、エッチング深さは、2μm以上とされる。
なお、以上の説明では、Gaによる場合について説明したが、Inによる場合においても、In/Siが0.4原子%以上であれば、上記Gaの場合と同様の結果が期待できる。
二次イオン質量分析法(SIMS:Secondary Ion−microprobe Mass Spectrometry)と、
X線光電子分光分析法(XPS:X−ray Photoelectron Spectroscopy)と、によって確認した。
また、表面分析精度向上のため、基板端部にパターン12aと同等のGa注入領域を200μm□程度の大きさで形成した。
特に、線幅Wが100nmで作製されたパターン12上の、パターン表面12aと同等のGa注入領域におけるGaの深さ方向の濃度を分析したところ、つぎのような結果が得られた。
まず、X線光電子分光分析法(XPS)により分析し、Ga元素とSi元素の元素組成比Ga/Siを算出した。その結果、Ga/Siが0.4原子%以上であった。
次に、二次イオン質量分析法(SIMS)により分析して確認した。その結果、図2に示すような最表面近傍に濃度最大値を持つ結果が得られた。
この結果は、図1のパターン表面12aを断面TEM元素分析した値とよく一致している。
図4に、本実施の形態におけるナノ構造の製造方法の一例を説明する図を示す。なお、図4には図1の第1の実施形態と同じ構成に同一の符号が付されているので、共通する部分の説明は省略する。
図4において、14は集束イオンビーム(FIB)、15は集束イオンビーム(FIB)の照射領域、16は反応性イオンエッチングを示している。
Gaイオンによる集束イオンビーム(FIB)装置では、加速電圧30kV程度で分解能7nm以下に集束させることが可能である。また、加速電圧が高いほど分解能は高くなるが、通常は30乃至40kV程度の条件で用いられる。本発明においては、注入したイオンの濃度最大値を有する領域の深さが最表層(パターン表面から0〜50nm)に位置するように制御することが重要である。
例えば、半導体ウエハー等のデバイスに欠陥が生じた場合にその断面形態を確認するため、このようなGaイオンによる集束イオンビーム(FIB)装置により、所望の位置を微小にエッチング加工し、取り除く際などに用いられる。
従って、Si基板や石英基板等のデバイスでよく用いられる材料に関しては、照射条件によるエッチング深さの関係が既に得られている。
装置使用者は、装置モニター上でビームを指定し、加工領域、加工深さを設定すると、その条件によって自動的に加工時間を算出し、指定した加工深さにエッチング可能である。また、加工領域は、モニター上で指定した領域のみをFIBスキャンすることで容易に制御可能である。
従って、このようなGaイオンによる集束イオンビーム(FIB)装置を用いれば、Gaイオン注入量も指定位置に指定条件で容易に調整可能である。
本実施の形態においては、前述したように、エッチング前のGa量をX線光電子分光分析法(XPS)による分析で確認した。
これにより、本発明者らによって、Si量に対し、0.4原子%以上の注入量でエッチングに対するマスク効果を発揮するという知見が得られた。マスク効果を発揮するGa量は0.4原子%以上であり、上限は無いが、必要以上に注入すると時間もかかる上、コスト増大の1つの要因となる。従って、50原子%以下とすることが望ましい。
これにより、前述したように、図2に示すような結果が得られた。SIMS分析では、試料の最表面2nm程度は、プロファイルが乱れることが知られている。図2は、その影響を取り除いた結果を示している。
十分なマスク性能を得るGaイオン注入量は、5×1014/cm2程度以上の注入量が必要である。
例えば、Si基板に30kVで十分に集束したGaイオンを3.3×1015/cm2程度注入したところ、表面をわずかに削りながら注入される。
このため、t0=6nmの深さで、Ga濃度N0=6.5×1020/cm3程度(約1.3原子%)の濃度を有する。
このような濃度勾配を持つ分布になるのは、5×1014/cm2程度以上注入した場合であり、少ない場合は、表面が削られないので、最表面のGa濃度は低くなる。
例えば、注入量2×1014/cm2では、深さ約20nm程度に極大値を持つ濃度勾配を示す。
このようにGaを注入する際の加速電圧とイオン注入量とを制御することで、最表層に選択的にイオンを注入することができる。
本発明においては好ましくは0〜50nm、より好ましくは0〜30nm、最適には0〜20nmである。
イオン濃度の極大値がこの範囲を超える深い位置に分布するように注入すると、母材である基板にダメージを与える場合があるため好ましくない。
導入ガスは、例えばSF6とC4F8を交互に導入し、所望の時間エッチングを行う。
100nm以下の構造体は、走査型電子顕微鏡(SEM)でその形態を確認することが可能である。
エッチング途中の状態を確認するため、表面分析用に基板端部に形成した200μm□程度の注入領域を、光学顕微鏡で観察することが可能である。
その位置をモニターすることで100nm以下の構造体位置を予想することもできる。
光学顕微鏡で十分な段差が得られた基板を、走査型電子顕微鏡(SEM)評価したところ、図10に示すように、十分な段差を得ることができていることが確認できた。
すなわち、Gaイオン注入量5×1015/cm2程度以上では、表面が滑らかで、2μm以上の十分な段差を得ることができていることが確認できた。
この位置を走査型電子顕微鏡(SEM)観察したところ、細い針状のピラーが多数観察され、照射位置の凹凸が激しく、エッチングに対するマスク効果も認められない。
この結果から、原因を予想すると、十分に集束したGaイオンビームでは、ある一定以上のイオンビーム注入によって、表面がわずかに削れながら、イオンビームが照射され続ける。
この結果、最表面近傍(最表面層)のGa濃度が最大値を持つ領域が形作られ、当該領域がエッチング耐性向上の機能を有するものと推定される。
従って、一定濃度以上のGaイオンを注入することで、構造体の最表面近傍すなわち表面から0〜50nmの深さ領域である最表層にGa濃度の最大値を持つようにイオンを注入することが可能である。
このような濃度勾配を有する領域を形成することで、表面が平滑で、2μm以上のエッチング耐性を持つ良好なパターンが形成可能になる。
次に、本発明の第2の実施形態におけるSiを含む基板を用い、エッチングによって該基板表面に所定ピッチによる凹凸形状のパターンを有するナノ構造体を製造するナノ構造体の製造方法について説明する。
図5に、本実施形態におけるパターン形成方法を説明する図を示す。
図5において、21はSiを含む基板、22はパターン、22aはパターン表面、23はエッチング底面、24は集束イオンビーム(FIB)、25はFIB照射領域、26は反応性イオンエッチングである。
また、図6に本実施の形態のパターン形成方法における集束イオンビーム(FIB)の照射条件の一例を示す。
図6には、図5に示した部位と同じ部位に図5に示した符号と同一の符号が付されており、FIB照射領域25にピッチ(d)でFIB照射した場合のドーズ量と位置の一例が示されている。
例えば、SiO2上のシリコン膜、SiO2上のSiN膜、シリコン上のSiO2膜、シリコン上のSiN膜、SiN上のシリコン膜、SiN上のSiO2膜、等を用いることができる。
また、任意の基板(例えば金属、ガラス、樹脂、セラミックス等)上にSiを含む膜、等を用いることができる。
パターン表面22aは、表面にGaを含む層である。パターン22は、パターン表面22aを含み基板21上に構成された表面に凹凸面を有する凸部である。
パターン幅Wは、500nm以下が可能であるが、Ga/Siが0.4原子%以上であれば、数100μm程度も可能である。
パターン表面22aとエッチング底面23の距離D、即ち、エッチング深さは、エッチング条件で制御可能であり、1μm以下にすることもでき、また10μm以上も可能である。
まず、十分洗浄した基板21をFIB装置に導入し(図5(a))、所望の位置にGaイオン24を照射し、Gaイオン照射領域25を形成する(図5(b))。
GaイオンFIB装置では、加速電圧30kV程度で例えば分解能5〜7nm以下に集束させることが可能である。
このようなよく集束されたイオン源は、通常のイオン注入と異なり、主として表面加工に用いられている。
例えば、半導体ウエハー等のデバイスに欠陥が生じた場合にその断面形態を確認するため、このようなGaイオンFIB装置により、所望の位置を微小にエッチング加工し、取り除く際などに用いられる。
従って、Si基板や石英基板等のデバイスでよく用いられる材料に関しては、照射条件によるエッチング深さの関係が既に得られている。
従って、装置使用者は、このような集束イオンビーム(FIB)装置を用いることにより、装置モニター上でビームを指定し、加工領域、加工深さを設定するとその条件によって、自動的に加工時間を算出し、指定した加工深さにエッチング可能である。
また、加工領域は、モニター上で指定した領域のみを集束イオンビーム(FIB)装置でスキャンすることで、簡単に制御可能である。従って、Gaイオン注入量も指定位置に指定条件で容易に調整可能である。
同様に、Gaイオン照射時のピッチをdとし、ドーズ量が基板面内方向にあるエネルギー分布を持つよう照射を行う。
ピッチdは、1μm以下で制御することが可能である。さらに必要に応じて、1μm以上のピッチも形成可能である。
図6で、ピッチd=1μmとすると、1点あたり、5×1014/cm2程度以上となるようGaイオン注入を行う。
導入ガスは、例えばSF6とC4F8を交互に導入し、所望の時間エッチングを行う。
上記のようなガスを用いることで、エッチングとパターンの側壁保護を交互に行うことができるので、このエッチングで垂直性の良い深堀のパターンを得ることが可能になる。
更に、上記Gaマスクを用いた深堀RIEにおいて、加工条件を調整することによって、側壁の傾斜角度、平坦度、または形状を制御することが可能である。
加工条件を調整することは、エッチングとパターンの側壁保護の2つの作用を交互に行う際、それぞれの時間、装置内圧力、加工パワー、及びSF6とC4F8の流量等を目的に合わせて最適に調整することを意味する。
エッチング時間を変えることでエッチング底面23の深さを変えることができる。数分程度のエッチングで凹凸部を持ったパターンの形成が可能となる。
以上の製造方法によれば、Siを含む基板の表面に、高アスペクトでナノオーダーのパターンを有するナノ構造体の製造が可能となる。
[実施例1]
実施例1においては、図1に示したナノ構造体を作製する一例について説明する。
基板11として、Si基板を用いた。パターン幅Wは、100nm、エッチング深さは20μmとした。
本実施例におけるナノ構造体作製方法は、上記本発明の実施の形態で説明した図4に示すナノ構造の製造方法と、基本的に同じ工程によるものであるから、ここでも図4を用いて説明する。
その際、Si基板11は、集束イオンビーム(FIB)14に対し、垂直になるようセットする。
予め、集束イオンビーム(FIB)14はよく調整を行ってあるが、照射前には、基板エッジ近傍で確認した。
中央に長さ10μm、幅W=100nmの照射領域を5箇所、基板の端に評価用として200μm□の照射領域を2箇所セットし、集束イオンビーム(FIB)による照射を行い、基板11の表面に7箇所のイオンビーム照射領域15を作製する。
照射時の条件は、加速電圧30kV、ビーム電流5nAとし、通常のSi基板加工では、50nm程度エッチングすることになるよう照射時間を調整する(図4(b))。
照射後に、再度基板エッジ近傍でビームを確認したところ、精度良く加工されていた。
イオンビーム照射領域15は、Gaが検出され、Siに対するGa量は、約7原子%である。Ga以外にO、C等も検出された。
次に、この基板11を反応性イオンエッチング装置にセットし、フッ素(F)雰囲気中で反応性イオンエッチング16を行った。
導入ガスは、SF6とC4F8を交互に導入し、約5分のエッチングを行う(図4(c))。
上記のようなガスを用いることで、エッチングとパターンの側壁保護を交互に行うことができるので、このエッチングで垂直性の良い深堀のパターンを得ることが可能になる。
装置から取り出し、光学顕微鏡でエッチング深さを確認したところ、約20μmであった。
また、基板中央部の微小パターンを走査型電子顕微鏡(SEM)で確認したところ、パターン表面12aは、平坦であり、幅W=100nm程度、深さd=20μm程度であることがわかった。基板の端に形成した評価用の200μm□照射領域と同等にエッチングされていることを確認した。
比較例1では、実施例1と同等の基板を用い、同等の加工領域を設定してGaイオンビーム照射を行った。
加速電圧30kV、ビーム電流5nAとし、照射時間のみ実施例1の1/10程度になるよう時間を調整した。
イオンビーム照射後に、100μm□領域のXPS表面分析を行ったところ、イオンビーム照射領域の最表面では、Gaが検出され、Siに対するGa量は、約0.3原子%であった。Ga以外にO、C等も検出された。
光学顕微鏡と走査型電子顕微鏡(SEM)で確認したところ、パターン表面の凹凸が激しく、照射位置のエッチング耐性が不十分であることがわかった。深さdは、ほとんど測定できない1μm以下のレベルであった。
実施例2では、実施例1と同等の基板表面をフッ酸処理し、表面酸化層を取り除いた基板を用いた。実施例1と同等条件でGaイオン照射を行った。
実施例1と同様に、XPS分析を行ったところ、イオンビーム照射領域15は、Gaが検出され、Siに対するGa量は、約6原子%であった。
Ga以外にC等も検出された。Gaを示すピーク近傍を拡大表示したところ、図3に示すXPS表面分析の結果が得られていた。
Ga金属を示すピークが、1110から1120eVの範囲内(1116〜1117eV近傍)に確認された。
光学顕微鏡と走査型電子顕微鏡(SEM)で確認したところ、パターン表面2aは、平坦であり、幅W=100nm程度、深さd=22μm程度であることがわかった。
基板の端に形成した評価用の100μm□照射領域と同等にエッチングされていることを確認した。
実施例1に比べエッチング深さがやや深いのは、イオン照射していない位置の自然酸化膜が取り除かれたためと考えられる。
イオン照射領域15は、エッチング後も平坦であり、Gaイオン照射によってマスク効果を持つことを確認した。
実施例3においては、図5に示したナノ構造体を作製する一例について説明する。
基板21としてSiを用いた。パターン幅Wは、2μm、ドーズピッチd=500nm、オーバーラップ0%、エッチング深さは2μmとした。
本実施例におけるナノ構造体作製方法は、上記本発明の実施の形態で説明した図5に示すナノ構造の製造方法と、基本的に同じ工程によるものであるから、ここでも図5を用いて説明する。
予め、集束イオンビーム(FIB)24はよく調整を行ってあるが、照射前には、基板エッジ近傍で精度を確認した。中央に長さ10μm、幅W=2μm、ピッチd=500nmの照射領域を5箇所、基板の端に評価用として100μm□の照射領域を2箇所セットし、集束イオンビーム(FIB)による照射を行い、基板21の表面に7箇所のイオンビーム照射領域25を作製した。
照射時の条件は、加速電圧30kV、ビーム電流5nAとし、通常のSi基板加工では、50nm程度エッチングすることになるよう照射時間を調整した(図5(b))。
照射後に、再度基板エッジ近傍でビームを確認したところ、精度良く加工されていた。
イオンビーム照射領域25は、Gaが検出され、Siに対するGa量は、約7原子%であった。
Ga以外にO、C等も検出された。
導入ガスは、SF6とC4F8を交互に導入し、約2分のエッチングを行った(図5(c))。
上記のようなガスを用いることで、エッチングとパターンの側壁保護を交互に行うことができるので、このエッチングで垂直性の良い深堀パターンを得ることが可能になる。
装置から取り出し、光学顕微鏡でエッチング深さを確認したところ、約2μmであった。また、基板中央部の微小パターンを走査型電子顕微鏡(SEM)で確認したところ、パターン表面22aは、500nmのピッチで凹凸を有しており、幅W=2μm、深さD=2μm程度であることがわかった。
基板の端に形成した評価用の200μm□照射領域と同等にエッチングされていることを確認した。
比較例2では、実施例3と同等の基板を用い、同等の加工領域を設定してGaイオンビーム照射を行った。
加速電圧30kV、ビーム電流5nAとし、ドーズピッチを50nm、オーバーラップを50%になるよう加工条件を調整した。
次に、この基板を実施例1と同等条件で反応性イオンエッチングを行った。
光学顕微鏡と走査型電子顕微鏡(SEM)で確認したところ、パターン表面が平坦な、パターンが得られた。
エッチング深さは、実施例3と同様2μmであることがわかった。
実施例4では、実施例3と同等の基板を用い、図7に示すような条件でイオンビーム照射を行った。
すなわち、ドーズピッチd1=100nm、照射無し領域d2=600nm、繰り返しドーズ周期d3=2.6μm、エッチング深さD=20μmとした。
他の条件は、実施例1と同等条件でGaイオン照射を行った。
実施例5では、実施例3と同等の基板を用い、図9に示すようなパターンを形成した。図9において、41は基板、42a、42bは集束イオンビーム(FIB)の照射領域、43はエッチング底面である。
集束イオンビーム(FIB)の照射領域42aは、実施例1と同等条件で、集束イオンビーム(FIB)の照射領域42bは、ドーズピッチを50nm、オーバーラップを50%になるよう加工条件を調整した。
光学顕微鏡と走査型電子顕微鏡(SEM)で確認したところ、表面に凹凸を持つパターンと平坦な表面を確認した。
両パターンのエッチング深さDは、約20μmであった。
実施例6においては、上記実施例とは異なる形態によるナノ構造体(3次元構造体)の製造方法について説明する。
図11に、本実施例におけるナノ構造体(3次元構造体)の製造方法について説明する断面図を示す。
図11において、101はシリコン基板、102はアルミ薄膜、103はレジストパターン、104は溝パターン、105はエッチングマスク、106はナノ構造体である。
次に、シリコン基板101上に、例えば、アルミ薄膜102をEB蒸着法により200nm厚さに成膜する(図11(b))。
次に、シリコン基板101上に、フォトレジスト膜を塗布形成し、露光及び現像を行うことで、レジストパターン103を形成する(図11(c))。
このときに、露光に用いる位置合わせマーク(不図示)のパターンも形成しておく。
その後、レジストパターン103を、例えばレジスト剥離液を用いて除去すると、アルミ薄膜102からなるパターンが形成される(図11(d))。
例えば、SF6ガスとC4F8ガスを交互に用いるプロセス適用の深堀RIE(Deep Reactive Ion Etching)を用いて、シリコン基板101に幅200nm、200nmピッチ、深さ4μmの溝パターン104を形成する。
そして、アルミ薄膜102からなるパターンをウェットエッチングで除去し、シリコン基板101上に2段の段差パターンを形成する(図11(e))。
このエッチングマスク105の形成条件は、例えば、Gaの集束イオンビーム(FIB)を加速電圧30kV、ビーム電流500nAとする。
このとき、基板内のGaイオンの深さ分布ピークは、シリコン基板101の表面(パターン表面)から、数10nm程度となる。
この深堀RIEによって、シリコン基板101に、1段が幅100nm、200nmピッチ、深さ4μm幅100nmで、構造深さが10μmで、3段のナノ構造体106を形成することができる(図11(g))。
この深堀RIEには、例えば、SF6ガスとC4F8ガスを交互に用いるBoschプロセスを適用することで、エッチングマスクを薄くすることができる。
すなわち、シリコン基板101と、エッチングマスク105のエッチング選択比を高くすることができるため、エッチングマスクは、数10nm程度でも充分である。
本発明においては、Gaイオンの深さ分布ピークは、基板の最表層、すなわち0〜50nmが好ましく、より好ましくは0〜30nm、最適には0〜20nmの深さにピークがある。
上記のようなガスを用いることで、エッチングとパターンの側壁保護を交互に行うことができるので、このエッチングで垂直性の良い深堀のパターンを得ることが可能になる。
なお、必要に応じてシリコン基板101上のGaイオン含有部分105に含まれるGaは、例えば、オーブンで600℃程度に加熱した後、塩酸溶液でエッチングすることで除去しても良い。
このため、高アスペクトな段差パターンを有するナノ構造体を製造可能である。
実施例7においては、上記実施例とは更に異なる形態による複数段の段差パターンを有するナノ構造体(3次元構造体)の製造方法について説明する。
図12に、本実施例におけるナノ構造体(3次元構造体)の製造方法について説明する断面図を示す。
図12において、201はシリコン基板、202はアルミ薄膜、203はレジストパターン、204は開孔パターン、205はエッチングマスク、206は開孔、207はナノ構造体である。
次に、シリコン基板201上に、例えば、アルミ薄膜202をEB蒸着法により例えば、200nm厚さに成膜する(図12(b))。
次に、シリコン基板201上に、フォトレジスト膜を塗布形成し、露光及び現像を行うことで、レジストパターン203を形成する(図12(c))。
このときに、露光に用いる位置合わせマーク(不図示)のパターンも形成しておく。
その後、レジストパターン203を例えばレジスト剥離液を用いて除去し、アルミ薄膜202からなるパターンを形成する(図12(d))。
これにより、シリコン基板200に直径300nm、500nmピッチ、深さ4μmの開孔パターン204を形成する。
そして、アルミ薄膜202からなるパターンをウェットエッチングで除去し、シリコン基板上に2段の段差パターンを形成する(図12(e))。
そして、シリコン基板の段差パターン上の所望位置に、Gaの集束イオンビーム(FIB)を基板面内走査で照射しながらGa含有部分からなるエッチングマスク205を形成する図12(f)。
このエッチングマスク205の形成条件は、例えば、Gaの集束イオンビーム(FIB)を加速電圧30kV、ビーム電流500nAとする。
このとき、基板内のGaイオンの深さ分布ピークは、シリコン基板201の表面から、数10nm程度となる。
このDeep RIEには、例えば、SF6ガスとC4F8ガスを交互に用いるBoschプロセスを適用することで、エッチングマスクを薄くすることができる。
すなわち、シリコン基板201と、エッチングマスク205のエッチング選択比を高くすることができるため、エッチングマスクは、数10nm程度でも充分である。
本発明においては、Gaイオンの深さ分布ピークは、基板の最表層、すなわち0〜50nmが好ましく、より好ましくは0〜30nm、最適には0〜20nmの深さにピークがある。
上記のようなガスを用いることで、エッチングとパターンの側壁保護を交互に行うことができるので、このエッチングで垂直性の良い深堀のパターンを得ることが可能になる。
以上により、シリコン基板201に、開孔中央が100nmΦで、400nmピッチ、深さが8μmの、2段のナノ構造体207を形成することができる(図12(h))。
なお、以上のナノ構造体の製造方法を、少なくとも1回以上繰り返すことにより、更に段差の増加した段差パターンを有するナノ構造体を製造するようにしてもよい。
この結果、高アスペクトな段差パターンを有するナノ構造体を形成可能になる。
図13に、インプリント法で形成する例を説明する図を示す。
図13において、301は合成石英基板、302は樹脂、303は成形型となるシリコン基板によるナノ構造体、304は圧力を示している。
また、305は成形型により転写された樹脂からなる3次元構造体である。
次に、合成石英基板301上に、インプリントする樹脂302として、例えば、PMMA(Polymethylmethacrylate)を塗布した後、例えば、110℃以上に加熱する(図13(b))。
次に、加熱により軟化した樹脂302に、成形型であるナノ構造体303を、数メガパスカル程度の圧力304で押付ける(図13(c))。
なお、ナノ構造体303の型の除去には、上述の剥離以外にも、基板押付け前の、型への離型剤の成膜と、型押付け後の型の剥離によって行っても良い。
実施例8においては、上記実施例とは異なる形態によるナノ構造体(3次元構造体)の製造方法について説明する。
図11に、本実施例におけるナノ構造体(3次元構造体)の製造方法について説明する断面図を示す。
図11において、101はシリコン基板、102はアルミ薄膜、103はレジストパターン、104は溝パターン、105はエッチングマスク、106はナノ構造体である。
次に、シリコン基板101上に、例えば、アルミ薄膜102をEB蒸着法により200nm厚さに成膜する(図11(b))。
次に、シリコン基板101上に、フォトレジスト膜を塗布形成し、露光及び現像を行うことで、レジストパターン103を形成する(図11(c))。
このときに、露光に用いる位置合わせマーク(不図示)のパターンも形成しておく。
その後、レジストパターン103を、例えばレジスト剥離液を用いて除去すると、アルミ薄膜102からなるパターンが形成される(図11(d))。
例えば、SF6ガスとC4F8ガスを交互に用いるプロセス適用の深堀RIE(Deep Reactive Ion Etching)を用いて、シリコン基板101に幅800nm、1600nmピッチ、深さ8μmの溝パターン104を形成する。
そして、アルミ薄膜102からなるパターンをウェットエッチングで除去し、シリコン基板101上に1段の段差パターンを形成する(図11(e))。
このエッチングマスク105の形成条件は、例えば、Gaの集束イオンビーム(FIB)を加速電圧30kV、ビーム電流5nAとする。
このとき、基板内のGaイオンの深さ分布ピークは、シリコン基板101の表面(パターン表面)から、数10nm程度となる。
この深堀RIEによって、シリコン基板101に、1段が幅400nm、深さ4μmで、構造深さが12μmで、ピッチが1600nmの3段のナノ構造体106を形成することができる(図11(g))。
この深堀RIEには、例えば、SF6ガスとC4F8ガスを交互に用いるプロセスを適用することで、エッチングマスクを薄くすることができる。
すなわち、シリコン基板101と、エッチングマスク105のエッチング選択比を高くすることができるため、エッチングマスクは、数10nm程度でも充分である。
本発明においては、Gaイオンの深さ分布ピークは、基板の最表層、すなわち0〜50nmが好ましく、より好ましくは0〜30nm、最適には0〜20nmの深さにピークがある。
上記のようなガスを用いることで、エッチングとパターンの側壁保護を交互に行うことができるので、このエッチングで垂直性の良い深堀のパターンを得ることが可能になる。
なお、必要に応じてシリコン基板101上のGaイオン含有部分105に含まれるGaは、例えば、オーブンで600℃程度に加熱した後、塩酸溶液でエッチングすることで除去しても良い。
このため、高アスペクトな段差パターンを有するナノ構造体を製造可能である。
実施例9においては、上記実施例とは更に異なる形態による複数段の段差パターンを有するナノ構造体(3次元構造体)の製造方法について説明する。
図12に、本実施例におけるナノ構造体(3次元構造体)の製造方法について説明する断面図を示す。
図12において、201はシリコン基板、202はアルミ薄膜、203はレジストパターン、204は開孔パターン、205はエッチングマスク、206は開孔、207はナノ構造体である。
次に、シリコン基板201上に、例えば、アルミ薄膜202をEB蒸着法により例えば、200nm厚さに成膜する(図12(b))。
次に、シリコン基板201上に、フォトレジスト膜を塗布形成し、露光及び現像を行うことで、レジストパターン203を形成する(図12(c))。
このときに、露光に用いる位置合わせマーク(不図示)のパターンも形成しておく。
その後、レジストパターン203を例えばレジスト剥離液を用いて除去し、アルミ薄膜202からなるパターンを形成する(図12(d))。
これにより、シリコン基板200に直径300nm、400nmピッチ、深さ5μmの開孔パターン204を形成する。
そして、アルミ薄膜202からなるパターンをウェットエッチングで除去し、シリコン基板上に1段の段差パターンを形成する(図12(e))。
そして、シリコン基板の段差パターン上の所望位置に、Gaの集束イオンビーム(FIB)を基板面内走査で照射しながらGa含有部分からなるエッチングマスク205を形成する図12(f)。
このエッチングマスク205の形成条件は、例えば、Gaの集束イオンビーム(FIB)を加速電圧30kV、ビーム電流5nAとする。
このとき、基板内のGaイオンの深さ分布ピークは、シリコン基板201の表面から、数10nm程度となる。
このDeep RIEには、例えば、SF6ガスとC4F8ガスを交互に用いるBoschプロセスを適用することで、エッチングマスクを薄くすることができる。
すなわち、シリコン基板201と、エッチングマスク205のエッチング選択比を高くすることができるため、エッチングマスクは、数10nm程度でも充分である。
本発明においては、Gaイオンの深さ分布ピークは、基板の最表層、すなわち0〜50nmが好ましく、より好ましくは0〜30nm、最適には0〜20nmの深さにピークがある。
上記のようなガスを用いることで、エッチングとパターンの側壁保護を交互に行うことができるので、このエッチングで垂直性の良い深堀のパターンを得ることが可能になる。
以上により、シリコン基板201に、開孔中央が100nmΦで、1段の幅が100nm、1段の深さが5μmで、構造深さが10μmでピッチが400nmの2段のナノ構造体207を形成することができる(図12(h))。
なお、以上のナノ構造体の製造方法を、少なくとも1回以上繰り返すことにより、更に段差の増加した段差パターンを有するナノ構造体を製造するようにしてもよい。
この結果、高アスペクトな段差パターンを有するナノ構造体を形成可能になる。
図13に、インプリント法で形成する例を説明する図を示す。
図13において、301は合成石英基板、302は樹脂、303は成形型となるシリコン基板によるナノ構造体、304は圧力を示している。
また、305は成形型により転写された樹脂からなる3次元構造体である。
次に、合成石英基板301上に、インプリントする樹脂302として、例えば、PMMA(Polymethylmethacrylate)を塗布した後、例えば、110℃以上に加熱する(図13(b))。
次に、加熱により軟化した樹脂302に、成形型であるナノ構造体303を、数メガパスカル程度の圧力304で押付ける(図13(c))。
なお、ナノ構造体303の型の除去には、上述の剥離以外にも、基板押付け前の、型への離型剤の成膜と、型押付け後の型の剥離によって行っても良い。
なお、上記実施例では、収束イオンビームにGa金属を液体金属イオン源に用いた場合を示したが、これ以外にもInを液体金属イオン源として用いた場合にも、同様の結果が期待できる。
この結果、高アスペクトな段差パターンを有するナノ構造体を製造可能になる。また、これを型として用いることで、基板上に高アスペクトな段差を有するナノ構造体の反転構造を製造することが可能となる。
12、22、32:パターン
12a、22a、32a:パターン表面
13、23、33、43:エッチング底面
14、24:集束イオンビーム(FIB)
15、25:集束イオンビーム(FIB)の照射領域
16、26:反応性イオンエッチング
42a、42b:集束イオンビーム(FIB)の照射領域
101、201:シリコン基板
102、202:アルミ薄膜
103、203:レジストパターン
104:溝パターン
105、205:エッチングマスク
106:ナノ構造体
204:開孔パターン
206:開孔
207:ナノ構造体
301:合成石英基板
302:樹脂
303:成形型となるシリコン基板によるナノ構造体
304:圧力
305:成形型により転写された樹脂からなる3次元構造体
Claims (11)
- Siを含む基板の表面に形成された、深さが2μm以上のパターンを有するナノ構造体であって、
前記パターンの表面にGa又はInを含み、該Ga又はInは前記基板の深さ方向に所定の濃度分布を有し、該濃度の最大値が前記パターンの最表層に位置していることを特徴とするナノ構造体。 - 前記Ga又はInの濃度の最大値が、前記パターンの表面より50nm以内に位置していることを特徴とする請求項1に記載のナノ構造体。
- 前記パターンの表面において、X線光電子分光分析法によって検出されるGa又はInとSiの元素組成比Ga/Si又はIn/Siが、0.4原子%以上であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のナノ構造体。
- 前記パターンの表面において、X線光電子分光分析法によって検出されるGaのピークが、1110から1120eVの範囲内であることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載のナノ構造体。
- 少なくとも500nm以下の線幅のパターンを有することを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載のナノ構造体。
- Siを含む基板を用い、エッチングによってナノ構造体を製造するナノ構造体の製造方法であって、
前記Siを含む基板の表面に集束したGaイオン又はInイオンを照射して、該基板の表面を削りながら該Gaイオン又はInイオンを注入し、該基板の表面にGa又はInを含む層を形成する工程と、
前記基板の表面に形成されたGa又はInを含む層をエッチングマスクとして、フッ素(F)を含むガスでドライエッチングし、所定の線幅による深さが2μm以上のパターンを有するナノ構造体を形成する工程と、
を含むことを特徴とするナノ構造体の製造方法。 - 前記Gaイオン又はInイオンの注入に際し、X線光電子分光分析法によって検出されるGaイオン又はInイオンの注入量を、Siに対して0.4原子%以上とすることを特徴とする請求項6に記載のナノ構造体の製造方法。
- Siを含む基板を用い、エッチングによって該基板表面に所定ピッチによる凹凸形状のパターンを有するナノ構造体を製造するナノ構造体の製造方法であって、
前記Siを含む基板の表面に集束したGaイオン又はInイオンを照射するに際し、Gaイオン又はInイオンをスキャンし、前記基板の表面にGa又はInを含む層を所定のピッチで形成する工程と、
前記基板の表面に所定のピッチで形成されたGa又はInを含む層をエッチングマスクとして、フッ素(F)を含むガスでドライエッチングし、所定ピッチと線幅による凹凸形状のパターンを有するナノ構造体を形成する工程と、
を含むことを特徴とするナノ構造体の製造方法。 - 前記基板の表面に形成されるGa又はInを含む層のピッチが、少なくとも1μm以下であることを特徴とする請求項8に記載のナノ構造体の製造方法。
- Siを含む基板を用い、エッチングによって該基板表面に複数段の段差パターンを有するナノ構造体を製造するナノ構造体の製造方法であって、
前記基板の表面に段差パターンを形成する工程と、
前記基板表面に形成された段差パターン上に、集束したGaイオン又はInイオンを照射して該基板の表面にGa又はInを含む層を形成する工程と、
前記基板の表面に形成されたGa又はInを含む層をエッチングマスクとして、前記基板表面をフッ素(F)を含むガスでドライエッチングして深堀加工し、複数段の段差パターンを形成する工程と、
を含むことを特徴とするナノ構造体の製造方法。 - 請求項10に記載のナノ構造体の製造方法を、少なくとも1回以上繰り返すことにより、更に段差の増加した段差パターンを有するナノ構造体を製造することを特徴とするナノ構造体の製造方法。
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