JP2008006638A - インプリント用モールド及びインプリント用モールド製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明のインプリント用モールドは、凹凸状パターンの少なくとも凹部の角をラウンド形状にしたことを特徴とすることにより、インプリントにおけるモールド離型時に、モールド材料中の応力集中を緩和することが出来る。このため、モールドパターンの破壊を低減することが可能となる。特に、高アスペクト比のパターン転写であってもモールドパターン破壊を低減することが可能となる。よって、転写パターン欠陥の低減、モールドの長寿命化も可能となり、インプリント法における良好な転写パターン形成と大幅なコストダウンが期待出来る。
【選択図】 図1
Description
特定のインプリント法に限定されず、
熱可塑性樹脂にパターン転写する熱インプリント法、
光硬化性樹脂にパターン転写する光インプリント法、
熱や光を必要としないHSQ(Hydrogen Silses Quioxane)にパターン転写する室温インプリント法、
ゲル状のガラス材料にパターン転写するゾルゲルインプリント法、
金属やガラスへ直接パターン転写する直接インプリント法など、
それぞれに適する凹凸状パターン形成材料を使用することが出来る。
まず、モールド形成基材1としてSi基板上にレジスト2をコートし(図2(b))、EBリソグラフィもしくはフォトリソグラフィ技術によって、レジストパターンが形成される(図2(c))。
次に、パターニングされたレジストをエッチングマスクとして、Siの等方性ドライエッチングを行い、凹部がラウンド形状となったモールド20を形成する(図4(b))。最後に、酸素プラズマアッシングや基板洗浄によりレジスト剥離を行い、Siモールド200を形成する(図4(c))。ラウンド形状にする工程として、異方性ドライエッチングから連続的に等方性ドライエッチングを用いる場合、モールドパターンの加工に用いたレジストを利用できるため工程を簡便化することが出来る。
次に、この基材に電子線レジスト2(ZEP520/日本ゼオン社製)を500nm厚コートし(図2(b))、
次に、電子線描画装置にて100〜400nmのラインパターン描画し、
次に、有機現像によりレジストパターンを形成した(図2(c))。このときの条件は、描画時のドーズを100μC/cm2、現像時間を2分とした。
次に、ICPドライエッチング装置を用いたSiの異方性ドライエッチングによって、深さ1000nmのSiパターンを形成した(図3(a))。Si異方性エッチングの条件は、C4F8流量30sccm、O2流量30sccm、Ar流量50sccm、圧力2Pa、ICPパワー500W、RIEパワー130Wとした。
次に、O2プラズマアッシング(条件:O2流量500sccm、圧力30Pa、RFパワー1000W)によってレジストを剥離してモールド10を形成した(図3(b))。
次に、レジストを残したまま、連続して等方性ドライエッチングを行うことにより、凹部の角をラウンド形状とした。凹部をラウンド形状にする工程におけるSiの等方性ドライエッチングの条件は、(SF6流量30sccm、O2流量20sccm、Ar流量70sccm、圧力2.2Pa、ICPパワー500W、RIEパワー10W)とした。
次に、O2プラズマアッシング(条件:O2流量500sccm、圧力30Pa、RFパワー1000W)によってレジストを剥離し、Siモールドの凹部の角が図1(b)に示すようなラウンド形状のSiモールドを形成した。
次に、Siモールドのパターンの角部をラウンド形状にするために、Siの等方性ドライエッチングを行った(図3(c))。ドライエッチング装置には、ICP型ドライエッチング装置を用い、このときのSi等方性エッチングの条件は、SF6流量30sccm、O2流量20sccm、Ar流量70sccm、圧力2.2Pa、ICPパワー500W、RIEパワー10Wとした。
その結果、モールドの凹部の角が、図1(a)に示すようなラウンド形状になった。本実施例の等方性ドライエッチングでは、パターン全体が等方的にエッチングされるため、Siモールドのパターン凹部の角がラウンド形状となるだけでなく、インプリント用モールド全体に丸みを帯びさせることが出来た。
次に、パターンの凹部の角をラウンド形状にする工程をウェットエッチング処理としてSiモールドを作製した。通常、単結晶Siの場合を水酸化カリウム溶液でエッチングすると、結晶方位面に従った面方位になるため、Siモールドの結晶性や結晶方位に合わせて、溶液を選択する必要があるが、フッ硝酸を用いれば等方的なエッチングが可能となる。本実施例では、単結晶Siをモールド材料としているので、フッ硝酸にてエッチングを行い、凹部の角を図1(a)に示すようなラウンド形状にした。本実施例のウェットエッチングでは、パターン全体が等方的にエッチングされるため、Siモールドのパターン凹部の角がラウンド形状となるだけでなく、インプリント用モールド全体に丸みを帯びさせることが出来た。
次に、Siモールドのパターンの凹部の角をラウンド形状にする工程をアニール処理としてSiモールドを作製した。アニール装置には、エキシマレーザアニール装置(エキシマレーザ波長308nm/装置LA5060J/日本製鋼所社製)を用いて、幅0.4mm、長さ100mmの均一なラインビームをスキャン照射することで、モールド表面のみアニールを行った。このとき照射エネルギー密度を300nJ/cm2とした。
その結果、モールドの凹部の角が、図1(a)に示すようなラウンド形状になった。また、Siモールドのパターン凹部の角がラウンド形状となるだけでなく、インプリント用モールド全体に丸みを帯びさせることが出来た。
上記実施例1〜5で作製したSiモールドを用いて、底部の角の曲率半径を走査電子顕微鏡写真から測定した。さらに、これらのSiモールドを同一条件で熱インプリントを実施し、モールドパターン破壊の発生するアスペクト比(パターンの深さ/パターンの開口幅の値)を調べた。
2・・・レジスト
10・・・モールド
100、200・・・パターン凹部の角をラウンド形状としたモールド
100a、200b・・・モールドのパターン凹部の角のラウンド形状箇所
300・・・基板
310・・・樹脂
400・・・応力集中箇所
Claims (3)
- 凹凸状パターンが形成されたインプリント用モールドにおいて、
該パターンの少なくとも凹部の角をラウンド形状にしたこと
を特徴とするインプリント用モールド。 - 凹凸状パターンを備え、該パターンの少なくとも凹部の角がラウンド形状であるインプリント用モールドの製造方法であって、
凹凸状パターンを作製する工程と、
凹凸上パターンを作製した後に凹部をラウンド形状にする工程と
を行うことを特徴とするインプリント用モールド製造方法。 - 請求項2に記載のインプリント用モールド製造方法であって、
凹部をラウンド形状にする工程に、ウェットエッチング、ドライエッチングまたは、アニール処理のいずれかを用いること
を特徴とするインプリント用モールド製造方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US8475702B2 (en) | 2009-07-21 | 2013-07-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Imprint device and imprint method |
JP2014241321A (ja) * | 2013-06-11 | 2014-12-25 | Hoya株式会社 | インプリント用モールド、パターンドメディア作製用基板およびパターンドメディア、並びにこれらの製造方法 |
JP2015147360A (ja) * | 2014-02-07 | 2015-08-20 | 大日本印刷株式会社 | インプリントモールドとこれを用いたインプリント方法およびインプリントモールドを製造するためのマスターモールド |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000231011A (ja) * | 1999-02-09 | 2000-08-22 | Sharp Corp | 光学素子およびその製造に用いるスタンパ |
JP2005327787A (ja) * | 2004-05-12 | 2005-11-24 | Hitachi Cable Ltd | 微細パターン形成用モールド及びその製造方法 |
JP2006026873A (ja) * | 2004-07-21 | 2006-02-02 | Nikon Corp | パターン基板の製造方法、凹凸基板の製造方法、及びパターン基板の製造に用いられる型 |
JP2006051796A (ja) * | 2004-03-29 | 2006-02-23 | Konica Minolta Holdings Inc | 成形方法、冷却装置、光学素子及び成形装置 |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000231011A (ja) * | 1999-02-09 | 2000-08-22 | Sharp Corp | 光学素子およびその製造に用いるスタンパ |
JP2006051796A (ja) * | 2004-03-29 | 2006-02-23 | Konica Minolta Holdings Inc | 成形方法、冷却装置、光学素子及び成形装置 |
JP2005327787A (ja) * | 2004-05-12 | 2005-11-24 | Hitachi Cable Ltd | 微細パターン形成用モールド及びその製造方法 |
JP2006026873A (ja) * | 2004-07-21 | 2006-02-02 | Nikon Corp | パターン基板の製造方法、凹凸基板の製造方法、及びパターン基板の製造に用いられる型 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8475702B2 (en) | 2009-07-21 | 2013-07-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Imprint device and imprint method |
JP2014241321A (ja) * | 2013-06-11 | 2014-12-25 | Hoya株式会社 | インプリント用モールド、パターンドメディア作製用基板およびパターンドメディア、並びにこれらの製造方法 |
JP2015147360A (ja) * | 2014-02-07 | 2015-08-20 | 大日本印刷株式会社 | インプリントモールドとこれを用いたインプリント方法およびインプリントモールドを製造するためのマスターモールド |
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