JP2005327787A

JP2005327787A - 微細パターン形成用モールド及びその製造方法

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Publication number: JP2005327787A
Application number: JP2004142261A
Authority: JP
Inventors: Haruyasu Komano; 晴保駒野
Original assignee: Hitachi Cable Ltd
Current assignee: Hitachi Cable Ltd
Priority date: 2004-05-12
Filing date: 2004-05-12
Publication date: 2005-11-24
Anticipated expiration: 2024-05-12
Also published as: JP4433874B2

Abstract

【課題】半導体表面に微細パターンを形成するための半永久的に使用可能な微細パターン形成用モールド及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板表面に微細パターンを転写すべくモールド本体の表面に凹凸１１ｄ、１１ｅを形成した微細パターン形成用モールドにおいて、上記凹凸１１ｄ、１１ｅが形成されるモールド１１ｃ本体を石英ガラス１１で形成すると共に、その凹凸側のモールド表面にＰ₂Ｏ₅、Ｂ₂Ｏ₃、ＧｅＯ₂のうち少なくとも１種類をドープしたＳｉＯ₂膜１５ａを形成し、その凸部１１ｅの表面のＳｉＯ₂膜を処理して略半球状若しくは丸みを帯びた先端部１５ｂを形成した微細パターン形成用モールド及びその製造方法である。
【選択図】図１

Description

本発明は、反応性イオンエッチングを用いた集積回路の微細パターン形成に係り、特にナノインプリント法に使用される微細パターン形成用モールド及びその製造方法に関するものである。

従来半導体表面への微細パターンの形成は、量子効果を用いて半導体素子を形成し、デバイスを作製する上で重要である。

量子効果により発現するパターン寸法は、数ｎｍから数十ｎｍの範囲である。この寸法範囲は、光の波長と同程度の値であるため、フォトリソグラフィを用いてこの寸法範囲での加工を精度良く行うことは困難である。故に、この寸法範囲の微細加工には、フォトリソグラフィに代わる方法として、電子線によりレジスト膜を露光するＥＢリソグラフィが利用されている（例えば、特許文献１参照。）。

このＥＢリソグラフィを用いた方法は、スループットが小さいという問題があった。

そこで、フォトリソグラフィやＥＢリソグラフィに代わる方法として、ナノインプリント法も用いられている（例えば、非特許文献１参照。）。

このナノインプリント法は、予め凹凸パターンを形成したＳｉＯ₂製のモールド（鋳型）を半導体表面に予め塗布したレジストに押し付けることにより、圧痕の凹凸パターンが形成されたレジストをマスクにして、半導体表面を反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）で加工して微細パターンを形成する方法である。

図４にこの方法を用いた従来の微細パターン形成の各工程の断面図を示す。

（工程１）：ＳｉＯ₂製のモールドの準備
予め凸部２７ａのパターンを形成したＳｉＯ₂製のモールド２７を用意する。

（工程２）：レジスト塗布
加工を施す半導体基板２１の表面にレジストを塗布しレジスト膜２８を形成する。

（工程３）：圧痕パターン形成
半導体基板２１表面に塗布して形成されたレジスト膜２８にＳｉＯ₂製のモールド２７の凸部２７ａを約１．３×１０^-7Ｐａの圧力で押し付けて、レジスト膜２８に凸部２７ａのパターンを転写する。

（工程４）：圧痕パターン形成後
モールド２７の押し付けによりレジスト２８にモールド２７の凸部２７ａのパターンが転写され、圧痕２９が形成されたレジストパターン２８ａの状態を示す。モールド２７の凸部２７ａが押し付けられた部分ではレジスト膜２８がなくなり、モールド２７の凸部２７ａが押し付けられていない部分にはそのままレジスト膜２８が残っている。

（工程５）：酸素を導入した反応性イオンエッチング加工
圧痕２９が形成されたレジストパターン２８ａ及び半導体基板２１に酸素を導入した反応性イオンエッチングで加工が施される。このエッチングによる加工は、半導体基板２１のレジストパターン２８ａが形成された側に行う。レジストパターン２８ａがマスクされた部分には半導体基板２１にエッチングによる半導体基板２１の侵食、除去が行われずに、このマスクされた部分が残る。この反応性イオンエッチングにより、微細なパターン３０が形成された半導体基板２１ｃの状態を示す。

（工程６）：レジストパターン除去
マスクしたレジストパターン２８ａが除去された半導体基板２１ｃを示す。

このような工程１〜６を経て、半導体基板２１表面に微細な凹状のパターン３０が形成された半導体基板２１ｃが得られる。

図４に示した加工に用いられる鋳型は、図５（ａ）に示すような角型若しくは円筒型の凸部２７ａを有したモールド２７や、図５（ｂ）に示すような円錐状の凸部３７ａを有したモールド３７が公知の例として上げられる。

特開２０００−９１５５５号公報 S.Y.Chou,et.all,Science,vol.272,p85-87,5April,1996

しかしながら、ナノインプリント法では、これらの凸部２７ａ、３７ａを有するモールド２７、３７を１．３×１０^-7の圧力で半導体表面２１のレジスト膜２８に押し付けるため凸部２７ａ、３７ａの先端部、角部に応力が集中して、数回の使用によりモールド２７、３７の凸部２７ａ、３７ａの先端部、角部に欠けが生じ、モールド２７、３７が使用できなくなるという問題があった。

そこで、本発明の目的は、半導体表面に微細パターンを形成するための半永久的に使用可能な微細パターン形成用モールド及びその製造方法を提供することにある。

本発明は上記目的を達成するために創案されたものであり、第１の発明は、半導体基板表面に微細パターンを転写すべくモールド本体の表面に凹凸を形成した微細パターン形成用モールドにおいて、上記凹凸が形成されるモールド本体を石英ガラスで形成すると共に、その凹凸側のモールド表面にＰ₂Ｏ₅、Ｂ₂Ｏ₃、ＧｅＯ₂のうち少なくとも１種類をドープしたＳｉＯ₂膜を形成し、その凸部の表面のＳｉＯ₂膜を処理して丸みを帯びた先端部を形成した微細パターン形成用モールドである。

第２の発明は、上記凸部が、略円柱状若しくは角型に形成され、その凸部の上面に上記ＳｉＯ₂膜からなる丸みを帯びた上記先端部が形成されるものである。

第３の発明は、上記凸部が、略円錐台状に形成され、その凸部の上面に上記ＳｉＯ₂膜からなる丸みを帯びた上記先端部が形成されるものである。

第４の発明は、半導体基板表面に微細パターンを転写すべくモールド本体の表面に凹凸を形成した微細パターン形成用モールドの製造方法において、上記凹凸が形成されるモールド本体を石英ガラスで形成し、その凹凸側のモールド本体にＰ₂Ｏ₅、Ｂ₂Ｏ₃、ＧｅＯ₂のうち少なくとも１種類をドープしたＳｉＯ₂膜を形成し、その凸部上のＳｉＯ₂膜に熱処理を加えて丸みを帯びた先端部を形成した微細パターン形成用モールドの製造方法である。

第５の発明は、上記ＳｉＯ₂膜が、プラズマＣＶＤ法より形成される製造方法である。

第６の発明は、上記熱処理は、温度８００〜１２００℃にて時間３０分〜数時間のアニール処理を行って、その凸部上のＳｉＯ₂膜に丸みを帯びた先端部を形成する製造方法である。

本発明によれば、半導体表面に微細パターンを形成するための半永久的に使用可能な微細パターン形成用モールド及びその製造方法を提供する。

以下、本発明の好適実施の形態を添付図面にしたがって説明する。

図１は、本発明の好適実施の形態を示す微細パターン形成用モールドの製造方法工程を示す。

半導体基板表面に微細パターンを転写すべくモールド本体の表面に微細パターンを転写するための凹凸を形成した微細パターン形成用モールドは、凹凸が形成されるモールド本体を石英ガラスで形成すると共に、その凹凸側のモールド表面にＰ₂Ｏ₅、Ｂ₂Ｏ₃、ＧｅＯ₂のうち少なくとも１種類をドープしたＳｉＯ₂膜を形成し、その凸部の表面のＳｉＯ₂膜を熱処理して丸みを帯びた略半円球状の先端部に形成した構造を成している。

図示したように、工程１〜工程６により順次モールド形成を行う。

（工程１）：レジスト膜形成
石英ガラス基板１１の表面にレジスト液を塗布して石英ガラス基板加工用のレジスト膜１２を形成する。石英ガラス基板１１は、モールド本体を形成するための部材である。レジスト膜１２は、ＥＢリソグラフィによりパターンを形成するために設けられるレジストである。このレジストには、例えばＥＢ（電子ビーム）蒸着レジストを用いると良い。

（工程２）：レジストパターン形成
石英ガラス基板１１の表面に形成されたレジスト膜１２をＥＢリソグラフィにより電子線で露光する。この露光により、レジスト膜１２の露光された部分が酸化、分解され、露光部分のレジスト膜１２が除去される。このようにして電子線露光により、レジスト膜１２にパターニングされた石英ガラス基板加工用のレジストパターン１２ａが形成される。このレジストパターン１２ａが形成されることで、次の工程３で行われる反応性イオンエッチングによりレジストパターン１２ａの在る部分が残り、この残った部分が石英ガラス基板１１に略円柱状若しくは角型の凸部を形成することになる。

（工程３）：石英ガラス基板の反応性イオンエッチング加工
石英ガラス基板１１の表面に形成されたレジストパターン１２ａをマスクとして、ＲＩＥ装置により反応性イオンエッチングを行う。これにより、レジストパターン１２ａがマスクされていない部分に深さ１００ｎｍのパターン１１ｄが形成される。パターン１１ｄがパターニングされた石英ガラス基板１１は、微細パターン形成用モールドの本体となる凹凸を有するモールド１１ｃの形状となる。

ここで行う反応性イオンエッチング加工においては、パターン１１ｄの深さは２０〜３００ｎｍ程度の範囲とし、形成されるモールドの適用条件を考慮し充分な強度等を得られるように適宜深さを設定するとよい。

（工程４）：レジストパターンの除去
パターン１１ｄが形成された石英ガラス基板１１の表面に在るレジストパターン１２ａを除去することで、石英ガラス基板１１に略円柱状若しくは角型の凸部１１ｅが形成された石英ガラス製のモールド１１ｃが得られる。

このレジストパターン１２ａの除去は、例えばＵＶ照射を行ってレジストパターン１２ａを酸化、分解させるとよく、酸化、分解された後の物質は排気されることでモールド１１ｃから除去される。

（工程５）：Ｐ₂Ｏ₅ドープトＳｉＯ₂膜の形成
モールド１１ｃの凸部１１ｅが形成された表面にプラズマＣＶＤ法により、例えばＰ₂Ｏ₅をドープしたＳｉＯ₂膜１５ａを膜厚１０ｎｍ程度に形成する。

ここで行うプラズマＣＶＤ法によるＳｉＯ₂膜１５ａの形成においては、ＳｉＯ₂膜１５ａの膜厚は５〜２０ｎｍ程度の範囲とし、形成されるモールドの適用条件を考慮し精度の高いパターン及び充分な強度等を得られるように適宜膜厚を設定するとよい。

ＳｉＯ₂膜１５ａはＰ₂Ｏ₅がドープされることにより、ＳｉＯ₂膜１５ａの融点（ガラス転移点）を下げる効果が得られる。

このＳｉＯ₂膜１５ａにドープする材質としてＰ₂Ｏ₅以外に、例えばＢ₂Ｏ₃、ＧｅＯ₂が用いられ、これらの材質をドープすることによりＰ₂Ｏ₅がドープされた場合と同様ＳｉＯ₂膜１５ａの融点（ガラス転移点）を下げる効果が得られる。

Ｐ₂Ｏ₅、Ｂ₂Ｏ₃、ＧｅＯ₂のうち少なくとも１種類をドープしてＳｉＯ₂膜１５ａを形成するとよい。

尚、図では説明の簡単のためＰ₂Ｏ₅をドープしたＳｉＯ₂膜１５ａがモールド１１ｃのパターン１１ｄ及び凸部１１ｅの各上面に付着するようになっているが、エッチングされた側面にも膜厚は異なるもののＳｉＯ₂膜１５ａが同様に形成される。

（工程６）：アニール処理
更に、ＳｉＯ₂膜１５ａが形成されたモールド１１ｃに加熱処理を行う。この加熱処理は、例えば温度１１００℃にて時間３０分〜数時間程度のアニール処理を行って、このアニール処理によりモールド１１ｃの凸部１１ｅ上のＳｉＯ₂膜１５ａをアニーリング処理して略半球状若しくは丸みを帯びた先端部１５ｂを形成する。

このようなアニール処理により形成された略半球状若しくは丸みを帯びた先端部１５ｂは、ガラス化しモールド１１ｃと一体化した状態となっている。

ここで行うアニール処理においては、加熱温度８００〜１２００℃程度の範囲とし、加熱温度及び加熱時間は形成するモールド１１ｃの充分な強度等を得られるように考慮してこの温度範囲及び時間内で適宜設定するとよい。

以上の工程を経て、略円柱状若しくは角型の凸部１１ｅが設けられたモールド１１ｃが形成され、このモールド１１ｃの凸部１１ｅに形成されたＳｉＯ₂膜１５ａを略半球状若しくは丸みを帯びた先端部１５ｂに形成することで所望のパターン形成用モールドが得られる。

図２は、本発明の他の実施の形態を示す微細パターン形成用モールドの製造方法工程を示す。

（工程１）：レジスト膜形成
石英ガラス基板１１の表面にレジスト液を塗布して石英ガラス基板加工用のレジスト膜１２を形成する。石英ガラス基板１１は、モールド本体を形成するための部材である。レジスト膜１２は、ＥＢリソグラフィによりパターンを形成するために設けられるレジストである。

（工程２）：レジストパターン形成
石英ガラス基板１１の表面に形成されたレジスト膜１２をＥＢリソグラフィにより電子線で露光する。この露光により、レジスト膜１２にパターニングされた石英ガラス基板加工用のレジストパターン１２ｂが形成される。このレジストパターン１２ｂが形成されることで、次工程３にて行われる反応性イオンエッチングによりレジストパターン１２ｂの在る部分が残り、この残った部分が石英ガラス基板１１に略円錐台状の凸部を形成することになる。

（工程３）：石英ガラス基板の反応性イオンエッチング加工
石英ガラス基板１１の表面に形成されたレジストパターン１２ｂをマスクとして、ＲＩＥ装置により反応性イオンエッチングを行う。これにより、レジストパターン１２ｂがマスクされていない部分に例えば深さ１００ｎｍのパターン１１ｇが形成される。

この反応性イオンエッチング加工を行う際に、石英ガラス基板１１を冷却することにより、エッチング時に用いられるエッチングガスの反応生成物が石英ガラス基板１１のエッチングされた側面に付着する。この側面に付着した反応生成物は保護膜のはたらきをし、このように反応生成物が付着した状態で反応性イオンエッチングが進行すると、図に示すようにエッチング面は傾斜した凹部を形成する。

この形成された凹部則ちパターン１１ｇがパターニングされた石英ガラス基板１１は、微細パターン形成用モールドの本体となる凹凸を有するモールド１１ｆの形状となる。

（工程４）：レジストパターンの除去
パターン１１ｇが形成されたモールド１１ｆの表面に在るレジストパターン１２ｂを除去することで、石英ガラス基板１１に略円錐台状の凸部１１ｈが形成された石英ガラス製のモールド１１ｆが得られる。

（工程５）：Ｐ₂Ｏ₅ドープトＳｉＯ₂膜の形成
モールド１１ｆの凸部１１ｈが形成された表面にプラズマＣＶＤ法により、例えばＰ₂Ｏ₅をドープしたＳｉＯ₂膜１５ｃを例えば膜厚１０ｎｍ程度に形成する。ＳｉＯ₂膜１５ｃはＰ₂Ｏ₅がドープされることにより、ＳｉＯ₂膜１５ａの融点（ガラス転移点）を下げる効果が得られる。

このＳｉＯ₂膜１５ｃにドープする材質としてＰ₂Ｏ₅以外に、例えばＢ₂Ｏ₃、ＧｅＯ₂が用いられ、これらの材質をドープすることによりＰ₂Ｏ₅がドープされた場合と同様ＳｉＯ₂膜１５ｃの融点（ガラス転移点）を下げる効果が得られる。

Ｐ₂Ｏ₅、Ｂ₂Ｏ₃、ＧｅＯ₂のうち少なくとも１種類をドープしてＳｉＯ₂膜１５ｃを形成するとよい。

尚、図では説明の簡単のためＰ₂Ｏ₅をドープしたＳｉＯ₂膜１５ｃがモールド１１ｆの上面に付着するようになっているが、エッチングされた側面（斜面）にも膜厚は異なるもののＳｉＯ₂膜１５ｃが同様に形成される。

（工程６）：アニール処理
更に、ＳｉＯ₂膜１５ｃが形成されたモールド１１ｆに加熱処理を行う。この加熱処理は、例えば温度１１００℃にて時間３０分〜数時間程度のアニール処理を行って、このアニール処理によりモールド１１ｆの凸部１１ｈ上のＳｉＯ₂膜１５ｃをアニーリングして略半球状若しくは丸みを帯びた先端部１５ｄを形成する。

ここで行うアニール処理においては、加熱温度８００〜１２００℃程度の範囲とし、加熱温度及び加熱時間は形成するモールドの充分な強度等を得られるように考慮してこの温度範囲及び時間内で適宜設定するとよい。

以上の各工程を経て、略円錐台状の凸部１１ｈが設けられたモールド１１ｆが形成され、このモールド１１ｆの凸部１１ｈに形成されたＳｉＯ₂膜１５ｃを略半球状若しくは丸みを帯びた先端部１５ｄに形成することで所望のパターン形成用モールドが得られる。

このモールド１１ｆは、凸部１１ｈの形状や形成されたパターンが前述のモールド１１ｃ（図１参照）とは異なる。この形状の相違以外は、同様の材質及び製造方法によりモールド１１ｆが形成されるため、先端部１５ｄを有したモールド１１ｆはモールド１１ｃと同様の強度及び繰り返しの使用に耐える耐久性を有する。

図１、２に示した工程により得られたパターン形成用モールドの例を図３に示す。

図３（ａ）は、本実施の形態により形成された円柱状若しくは角形の凸部７ａを有する微細パターン形成用モールド７を示す断面図である。

微細パターン形成用モールド７は、凹凸型のパターンを形成したモールドの凸部の表面にＰ₂Ｏ₅等をドープしたＳｉＯ₂膜を形成して、更にアニール処理を加えて凸部７ａの先端部が所定の曲率を有する略半球状若しくは丸みを帯びた形状となっている。

このため、この微細パターン形成用モールド７を図４、図５（ａ）に示す従来の微細パターン形成用のモールド２７の代わりに、図４に示す半導体基板２１の微細パターン形成に用いることができる。

微細パターン形成用モールド７は、略円筒状若しくは角型の凸部７ａの先端部が所定の曲率を有する半球状若しくは丸みを帯びた形状となっている。このため、凸部７ａの先端部の丸みを帯びた部分は応力を分散し易い形状となっている。

則ち、図４の工程３に示す半導体基板２１への押し付けを行った場合にも、微細パターン形成用モールド７は、従来モールド２７の凸部２７ａ（図５（ａ）参照）のように凸部の先端部、角部に応力が集中して欠けが生じるようなことはない。

このように、微細パターン形成用モールド７は、凸部７ａの先端部の丸みを帯びた形状のため、繰り返しの使用にも耐える耐久性の向上したパターン形成用のモールドとなっており、半導体基板の微細パターン形成に供する優れたモールドとなっている。

また、微細パターン形成用モールド７は、アニール処理により形成された略半球状若しくは丸みを帯びた先端部がガラス化しモールド１１ｃと一体化した状態となっている。このため、前述の図４工程３の圧痕パターン形成の際、レジスト膜２８に先端部１５ｂを約１．３×１０^-7Ｐａの圧力で押し付けて繰り返し使用しても、微細パターン形成用モールド７は、従来技術のように先端部、角部に欠けが生じることのない充分な強度を有したガラス化加工された先端部を有している。

図３（ｂ）は、他の実施の形態により形成された略円錐台状の凸部１７ａを有する微細パターン形成用モールド１７を示す断面図である。

微細パターン形成用モールド１７は、凹凸型のパターンを形成したモールドの凸部の表面にＰ₂Ｏ₅等をドープしたＳｉＯ₂膜を形成して、更にアニール処理を加えて凸部１７ａの先端部が所定の曲率を有する略半球状若しくは丸みを帯びた形状となっている。

このため、この微細パターン形成用モールド１７を図５（ｂ）に示す従来の微細パターン形成用モールド３７の代わりに、図４に示す半導体基板２１の微細パターン形成に用いることができる。

則ち、微細パターン形成用モールド１７は、略円錐台状の凸部１７ａの先端部が所定の曲率を有する略半球状若しくは丸みを帯びた形状となっている。このため、微細パターン形成用モールド１７は、図４の工程３に示す半導体基板２１への押し付けを行った場合にも、従来のモールド３７の凸部３７ａ（図５（ｂ）参照）のように微細パターン形成用モールド１７の凸部の先端部１５ｄ（図２（工程６）参照）に欠けが生じるようなことはない。

このように、微細パターン形成用モールド１７は、凸部１７ａ先端部の丸みを帯びた形状のため、繰り返しの使用にも耐える耐久性の向上したパターン形成用のモールドとなっており、半導体基板の微細パターン形成に供する優れたモールドとなっている。

また、微細パターン形成用モールド１７は、凸部の先端部１５ｄがガラス化しており充分な強度を有するため、繰り返しの使用にも耐える耐久性の向上したパターン形成用のモールドとなっている。

以上説明したように、本発明の微細パターン形成用モールド７、１７は、凹凸型のパターンを形成したモールド表面に、Ｐ₂Ｏ₅、Ｂ₂Ｏ₃、ＧｅＯ₂等の少なくとも一種類をドープしたＳｉＯ₂膜を形成し、更に熱処理を加えて凸部７ａ、１７ａの先端が所定の曲率を有する略半球状若しくは丸みを帯びた形状にすることで、半導体基板表面のレジスト膜への圧着に供する耐久性の向上した形状及び強度を有するモールドを実現する優れた効果を発揮する。

また、ＳｉＯ₂膜１５ａにＰ₂Ｏ₅、Ｂ₂Ｏ₃、ＧｅＯ₂がドープされることにより、微細パターン形成用モールド７、１７を形成する工程でＳｉＯ₂膜１５ａの融点（ガラス転移点）を下げる効果が得られる。

本実施の形態による微細パターン形成用モールドの製造工程１〜６を示す工程図である。他の実施の形態による微細パターン形成用モールドの製造工程１〜６を示す工程図である。図３（ａ）は、本実施の形態により形成された円柱状若しくは角形の凸部を有する微細パターン形成用モールドを示す断面図である。図３（ｂ）は、他の実施の形態により形成された円錐台状の凸部を有する微細パターン形成用モールドを示す断面図である。従来の微細パターン形成用のモールドを使用して、半導体表面にパターンを形成する工程１〜６を示す工程図である。図５（ａ）は、従来の円柱状若しくは角形の凸部を有する微細パターン形成用のモールドを示す断面図である。図５（ｂ）は、従来の円錐状の凸部を有する微細パターン形成用のモールドを示す断面図である。

符号の説明

１１石英ガラス基板
１１ｃモールド
１１ｄパターン
１１ｅ凸部
１２レジスト膜
１２ａレジストパターン
１５ａＳｉＯ₂膜
１５ｂ先端部

Claims

半導体基板表面に微細パターンを転写すべくモールド本体の表面に凹凸を形成した微細パターン形成用モールドにおいて、上記凹凸が形成されるモールド本体を石英ガラスで形成すると共に、その凹凸側のモールド表面にＰ₂Ｏ₅、Ｂ₂Ｏ₃、ＧｅＯ₂のうち少なくとも１種類をドープしたＳｉＯ₂膜を形成し、その凸部の表面のＳｉＯ₂膜を熱処理して丸みを帯びた先端部を形成したことを特徴とする微細パターン形成用モールド。
上記凸部が、略円柱状若しくは角型に形成され、その凸部の上面に上記ＳｉＯ₂膜からなる丸みを帯びた上記先端部が形成される請求項１記載の微細パターン形成用モールド。
上記凸部が、略円錐台状に形成され、その凸部の上面に上記ＳｉＯ₂膜からなる丸みを帯びた上記先端部が形成される請求項１記載の微細パターン形成用モールド。
半導体基板表面に微細パターンを転写すべくモールド本体の表面に凹凸を形成した微細パターン形成用モールドの製造方法において、上記凹凸が形成されるモールド本体を石英ガラスで形成し、その凹凸側のモールド本体にＰ₂Ｏ₅、Ｂ₂Ｏ₃、ＧｅＯ₂のうち少なくとも１種類をドープしたＳｉＯ₂膜を形成し、その凸部上のＳｉＯ₂膜に熱処理を加えて丸みを帯びた先端部を形成したことを特徴とする微細パターン形成用モールドの製造方法。
上記ＳｉＯ₂膜が、プラズマＣＶＤ法より形成される請求項４記載の微細パターン形成用モールドの製造方法。
上記熱処理は、温度８００〜１２００℃にて時間３０分〜数時間のアニール処理を行って、その凸部上のＳｉＯ₂膜に丸みを帯びた先端部を形成する請求項４または５記載の微細パターン形成用モールドの製造方法。