JPH0371632A - エッチング方法 - Google Patents
エッチング方法Info
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- JPH0371632A JPH0371632A JP20809489A JP20809489A JPH0371632A JP H0371632 A JPH0371632 A JP H0371632A JP 20809489 A JP20809489 A JP 20809489A JP 20809489 A JP20809489 A JP 20809489A JP H0371632 A JPH0371632 A JP H0371632A
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- Japan
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- etched
- implanted
- ion
- excited
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- Pending
Links
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 16
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は半導体装置の製造技術にとって有用なエツチン
グ方法に関する。
グ方法に関する。
（ロ）従来の技術
半導体装置の製造に際し、プラズマエツチング方法がし
ばしば採用される。しかし、近午、低温、低損傷等の特
徴を有する光励起エツチング方法が活発に研究されてい
る。例えば、Ｔｓｕｎｅｏ Ｕｒｉｓｕ ａｎｄ Ｈａ
ｋａｒｕ Ｋｙｕｒａｇｉ：”５ｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎ
ｒａｄｉａｔｉ。
ばしば採用される。しかし、近午、低温、低損傷等の特
徴を有する光励起エツチング方法が活発に研究されてい
る。例えば、Ｔｓｕｎｅｏ Ｕｒｉｓｕ ａｎｄ Ｈａ
ｋａｒｕ Ｋｙｕｒａｇｉ：”５ｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎ
ｒａｄｉａｔｉ。
ｎ−ｅｘｃｉｔｅｄ ｃｈｅｍｉｃａｌ−ｖａｐｏｒ
ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ａｎｄ ｅｔｃｈｉｎｇ”、Ｊ
、Ｖａｃ、Ｓｃｉ、Ｔｅｃｈｎｏｌ、Ｂ５，１４３６
（１９８７）は、反応ガスとしてＳＦ、ガスを用い、軟
Ｘ線よ））長波長の連続光照射により、ＳｌやＳｉｎｇ
を光励起エツチングすることを開示している。
ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ａｎｄ ｅｔｃｈｉｎｇ”、Ｊ
、Ｖａｃ、Ｓｃｉ、Ｔｅｃｈｎｏｌ、Ｂ５，１４３６
（１９８７）は、反応ガスとしてＳＦ、ガスを用い、軟
Ｘ線よ））長波長の連続光照射により、ＳｌやＳｉｎｇ
を光励起エツチングすることを開示している。
一方、光励起エツチング方法でも、選択エツチングを行
う場合にはマスクが必要とされる。
う場合にはマスクが必要とされる。
（ハ）発明が解決しようとする課題
本発明は、光励起エツチング方法において特に効果のあ
るマスク形成手段を組込んだ光励起エツチング方法を提
供するものである。
るマスク形成手段を組込んだ光励起エツチング方法を提
供するものである。
（ニ）課題を解決するための手段
本発明のエツチング方法は、被エツチング物の表面部分
の選択された領域にイオンを注入し、この注入領域をマ
スクとして被エツチング物の光励起エツチングを行うこ
とを特徴とする。
の選択された領域にイオンを注入し、この注入領域をマ
スクとして被エツチング物の光励起エツチングを行うこ
とを特徴とする。
イオン注入のためには、集束イオンビーム装置を用いる
のが好適である。その場合、周知な如く、ビーム径を０
．１μｍ以下にまで絞ることができる。
のが好適である。その場合、周知な如く、ビーム径を０
．１μｍ以下にまで絞ることができる。
注入イオン種としては、Ａｕ、Ｓｉ、Ｂｅ等の種々の元
素のイオンを使用し得る。
素のイオンを使用し得る。
ドーズ量は選択比の問題から１０１３〜１０１４ｉ。
ｎｓ／ｃｍ”が適当である。
（ホ）作 用
光励起エツチングにおいて、イオン注入領域に対し、イ
オン非注入領域の方がエツチングされやすく、従ってイ
オン注入領域はエツチングマスクの役目を果す。
オン非注入領域の方がエツチングされやすく、従ってイ
オン注入領域はエツチングマスクの役目を果す。
（へ）実施例
本発明実施例においては、第１図に示す如く、まず被エ
ツチング物としての基板（１）の表面部分の選択された
領域（２）に集束イオンビームによりイオンを注入する
。次に第２図に示す如く、反応ガス（３）の存在下で励
起光（４）を照射すると、領域（２）以外の部分が速く
エツチングされ、従って励起光（・１）を基板（１）の
表面に垂直に照射することにより、領域（２）の直下の
みがエツチングされずに残る。領域（２）はその後、除
去されても良い。
ツチング物としての基板（１）の表面部分の選択された
領域（２）に集束イオンビームによりイオンを注入する
。次に第２図に示す如く、反応ガス（３）の存在下で励
起光（４）を照射すると、領域（２）以外の部分が速く
エツチングされ、従って励起光（・１）を基板（１）の
表面に垂直に照射することにより、領域（２）の直下の
みがエツチングされずに残る。領域（２）はその後、除
去されても良い。
以下に具体例を示す。
［具体例１コ
基板二〇型Ｓｉ （１００）
注入イオン：８０ｋｅＶ Ａｕ”
ドーｆ：＠ ： Ｉ Ｘ １０ 目１ｏｎｓＡｎ”注
入深さ；約５００人 励起光波長＝６λより長波長側の連続光からなるＳＯＲ
放射光 照射量： ３６０００ ｍ１ｎＸ’ｍＡ基板温度：室温
（２２℃） 反応ガス： Ｓ Ｆ ｓ ＋ Ａ ｒ ガス圧 ＳＦｓ ： ０．０５Ｔｏ ｒ ｒ Ａｒ ：０．２５Ｔｏｒｒ 以上の条件で、領域（２）の部分のエツチング深さは５
０Å以下であったのに対し、領域（２）以外の部分は３
００入の深さまでエツチングされた。
入深さ；約５００人 励起光波長＝６λより長波長側の連続光からなるＳＯＲ
放射光 照射量： ３６０００ ｍ１ｎＸ’ｍＡ基板温度：室温
（２２℃） 反応ガス： Ｓ Ｆ ｓ ＋ Ａ ｒ ガス圧 ＳＦｓ ： ０．０５Ｔｏ ｒ ｒ Ａｒ ：０．２５Ｔｏｒｒ 以上の条件で、領域（２）の部分のエツチング深さは５
０Å以下であったのに対し、領域（２）以外の部分は３
００入の深さまでエツチングされた。
〔具体例２コ
基板： Ｓ ｒ Ｏを
注入イオン：８０ｋｅＶ Ａｕ”
ドーズｆＡ ： ４ ｘ １０ ”１ｏｎｓ／ｃｏ＋”
励起光波長：６人より長波長側の連続光からなるＳＯＲ
放射光 照射１ｋ ： ３００００ｍｉｎＸｍＡ基板温度：室温
（２２℃） 反応ガス：Ｓ Ｆ ｓ ＋ Ａ ｒ ガス圧 ＳＦｇ： ０．２５Ｔｏ ｒ ｒ Ａｒ ：０．５Ｔｏｒｒ 以上の条件で、領域（２）の部分のエツチング深さは６
００λであったのに対し、領域（２）以外の部分は３０
００Ａの深さまでエツチングされた。
励起光波長：６人より長波長側の連続光からなるＳＯＲ
放射光 照射１ｋ ： ３００００ｍｉｎＸｍＡ基板温度：室温
（２２℃） 反応ガス：Ｓ Ｆ ｓ ＋ Ａ ｒ ガス圧 ＳＦｇ： ０．２５Ｔｏ ｒ ｒ Ａｒ ：０．５Ｔｏｒｒ 以上の条件で、領域（２）の部分のエツチング深さは６
００λであったのに対し、領域（２）以外の部分は３０
００Ａの深さまでエツチングされた。
（ト） 発明の効果
本発明によれば、マスク作成の工程を含めてドライエツ
チングができるので、工程の連続化及び汚染物混入の軽
減化を図れる。
チングができるので、工程の連続化及び汚染物混入の軽
減化を図れる。
第１図及び第２図は本発明の詳細な説明するための工程
別断面図である。 第１図
別断面図である。 第１図
Claims (1)
- （１）被エッチング物の表面部分の選択された領域にイ
オンを注入し、この注入領域をマスクとして前記被エッ
チング物の光励起エッチングを行うことを特徴とするエ
ッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20809489A JPH0371632A (ja) | 1989-08-11 | 1989-08-11 | エッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20809489A JPH0371632A (ja) | 1989-08-11 | 1989-08-11 | エッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0371632A true JPH0371632A (ja) | 1991-03-27 |
Family
ID=16550538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20809489A Pending JPH0371632A (ja) | 1989-08-11 | 1989-08-11 | エッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0371632A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5286340A (en) * | 1991-09-13 | 1994-02-15 | University Of Pittsburgh Of The Commonwealth System Of Higher Education | Process for controlling silicon etching by atomic hydrogen |
| JP2008311617A (ja) * | 2007-05-15 | 2008-12-25 | Canon Inc | ナノ構造体およびナノ構造体の製造方法 |
| WO2014110379A1 (en) | 2013-01-11 | 2014-07-17 | Fei Company | Ion implantation to alter etch rate |
-
1989
- 1989-08-11 JP JP20809489A patent/JPH0371632A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5286340A (en) * | 1991-09-13 | 1994-02-15 | University Of Pittsburgh Of The Commonwealth System Of Higher Education | Process for controlling silicon etching by atomic hydrogen |
| JP2008311617A (ja) * | 2007-05-15 | 2008-12-25 | Canon Inc | ナノ構造体およびナノ構造体の製造方法 |
| WO2014110379A1 (en) | 2013-01-11 | 2014-07-17 | Fei Company | Ion implantation to alter etch rate |
| CN105008891A (zh) * | 2013-01-11 | 2015-10-28 | Fei公司 | 用于变更蚀刻速率的离子注入 |
| JP2016504599A (ja) * | 2013-01-11 | 2016-02-12 | エフ・イ−・アイ・カンパニー | エッチング速度を変化させるためのイオン注入 |
| EP2943769A4 (en) * | 2013-01-11 | 2016-08-17 | Fei Co | IMPLANTATION OF IONS TO MODIFY AN ENGRAVING SPEED |
| US10325754B2 (en) | 2013-01-11 | 2019-06-18 | Fei Company | Ion implantation to alter etch rate |
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