JP2016504599A - エッチング速度を変化させるためのイオン注入 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明のいくつかの実施形態によれば、補強された薄い薄片状構造体を荷電粒子ビーム・システムを使用して作製する方法は、試料材料から薄片を部分的に形成すること、薄片に硬化材料をあるパターンで与えること、および薄片をミリングすることを含み、薄片の硬化材料を含む領域は、薄片の硬化材料を含まない領域よりも遅い速度でミリングされ、これにより、硬化材料が与えられたところに少なくとも1つの一段高い構造体が残されて、薄片が機械的に強化される。
いくつかの実施形態では、薄片をミリングすることがTEM試料をミリングすることを含む。いくつかの実施形態では、薄片の硬化材料を含む領域のミリング速度が、薄片の硬化材料を含まない領域のミリング速度よりも20%遅い。いくつかの実施形態では、硬化材料を与えることが、薄片にイオンを注入するために、薄片に向かって集束イオン・ビームを導くことを含む。いくつかの実施形態では、イオンを注入するために、薄片に向かって集束イオン・ビームを導くことが、薄片に向かってベリリウム・イオンのビームを導くことを含む。いくつかの実施形態では、薄片にイオンを注入するために薄片に向かって集束イオン・ビームを導くことが、0.1〜1.0nC/μm 2 の間のイオンの線量を供給することを含む。
いくつかの実施形態では、硬化材料を与えることおよび薄片をミリングすることが、荷電粒子ビーム・システム内の単一の集束カラムによって実行される。いくつかの実施形態では、この単一の集束カラムが、液体金属合金源またはプラズマ・イオン源と、これらのイオンを選択する質量フィルタとを備える。いくつかの実施形態では、薄片の最終的な厚さが20nm未満である。
本発明のいくつかの実施形態によれば、ナノスケール(nanoscale)構造体は、厚さ50nm未満の第1の領域を備え、第1の領域の少なくとも2つの側部が、第1の領域よりも薄い第2の領域によって取り囲まれており、第1の領域が、第2の領域を補強する支持構造体を形成する。
いくつかの実施形態では、第1の領域に隣接する第2の領域の厚さが30nm未満である。いくつかの実施形態では、第1の領域が、第2の領域内に配置された補強線を含む。いくつかの実施形態では、第1の領域が、第2の領域と同じ材料を含み、第1の領域には異なる材料の原子が加えられている。いくつかの実施形態では、第1の領域に加えられた異なる材料の原子が、イオン注入によって注入されたものである。いくつかの実施形態では、ベリリウムを用いて注入されたシリコンを第1の領域が含み、第2の領域がシリコンを含む。いくつかの実施形態では、ナノスケール構造体が薄片状TEM試料である。
いくつかの実施形態では、加工物をエッチングすることが、集束イオン・ビームまたは集束電子ビームを使用して加工物をミリングすることを含む。いくつかの実施形態では、加工物をエッチングすることが、荷電粒子ビームの存在下で分解する前駆体ガスに加工物をさらすことを含む。いくつかの実施形態では、加工物をエッチングすることが、荷電粒子ビームの存在を必要とせずに加工物をエッチングするエッチング剤に加工物をさらすことを含む。
いくつかの実施形態では、加工物をエッチングすることが、500nmよりも大きなスポット・サイズを有するイオン・ビームを加工物上へ導くことを含む。いくつかの実施形態では、加工物の表面に原子を注入するために、イオンの集束ビームを加工物に向かってあるパターンで導くことが、Be + 、Ga + 、Xe + 、Ar + 、O + 、In + 、Si + 、Kr + またはBi + イオンを導くことを含む。
本発明は幅広い適用可能性を有し、上記の例において説明し示した多くの利点を提供することができる。以上の本発明の説明は主に、極薄のTEM試料を作製する方法を対象としているが、本発明のさまざまな実施形態は任意の加工物上で使用することができる。この硬化現象を、バルク(薄くされていない)試料の表面で効果的に使用することもできる。実施形態を使用して、任意の構造体中に、他の目的の補強構造体または一段高い領域を生み出すことができる。
Claims (22)
- 補強された薄い薄片状構造体を荷電粒子ビーム・システムを使用して作製する方法であって、
試料材料から薄片を部分的に形成すること、
前記薄片に硬化材料をあるパターンで与えること、および
前記薄片をミリングすること
を含み、前記薄片の前記硬化材料を含む前記領域が、前記薄片の前記硬化材料を含まない前記領域よりも遅い速度でミリングされ、これにより、前記硬化材料が与えられたところに少なくとも1つの一段高い構造体が残されて、前記薄片が機械的に強化される
方法。 - 前記薄片をミリングすることがTEM試料をミリングすることを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記薄片の前記硬化材料を含む前記領域のミリング速度が、前記薄片の前記硬化材料を含まない前記領域のミリング速度よりも20%遅い、請求項1に記載の方法。
- 硬化材料を与えることが、前記薄片にイオンを注入するために、前記薄片に向かって集束イオン・ビームを導くことを含む、請求項1に記載の方法。
- イオンを注入するために、前記薄片に向かって集束イオン・ビームを導くことが、前記薄片に向かってベリリウム・イオンのビームを導くことを含む、請求項4に記載の方法。
- 前記薄片にイオンを注入するために、前記薄片に向かって集束イオン・ビームを導くことが、0.1〜1.0nC/μm2の間のイオン・ダズを供給することを含む、請求項4に記載の方法。
- 硬化材料を与えることおよび前記薄片をミリングすることが、前記荷電粒子ビーム・システム内の単一の集束カラムによって実行される、請求項1に記載の方法。
- 前記単一の集束カラムが、液体金属合金源またはプラズマ・イオン源と、前記イオンを選択する質量フィルタとを備える、請求項7に記載の方法。
- 前記薄片の最終的な厚さが20nm未満である、請求項1に記載の方法。
- 厚さ50nm未満の第1の領域を備え、前記第1の領域の少なくとも2つの側部が、前記第1の領域よりも薄い第2の領域によって取り囲まれており、前記第1の領域が、前記第2の領域を補強する支持構造体を形成する、ナノスケール構造体。
- 前記第1の領域に隣接する前記第2の領域の厚さが30nm未満である、請求項10に記載の構造体。
- 前記第1の領域が、前記第2の領域内に配置された補強線を含む、請求項10に記載の構造体。
- 前記第1の領域が、前記第2の領域と同じ材料を含み、前記第1の領域には異なる材料の原子が加えられている、請求項10に記載の構造体。
- 前記第1の領域に加えられた異なる材料の前記原子が、イオン注入によって注入されたものである、請求項12に記載の構造体。
- ベリリウムを注入されたシリコンを前記第1の領域が含み、前記第2の領域がシリコンを含む、請求項12に記載の構造体。
- 前記ナノスケール構造体が薄片状TEM試料である、請求項10に記載の構造体。
- 微視的構造体を作製する方法であって、
加工物の表面に原子を注入するために、イオンの集束ビームを前記加工物に向かってあるパターンで導くこと、および
前記加工物の一部分をエッチングすること
を含み、エッチングされた前記一部分が、前記パターンの少なくとも一部分を含み、注入された前記原子が、前記パターンの前記エッチング速度を低下させて、前記パターンの形態の突出した領域を形成する
方法。 - 前記加工物をエッチングすることが、集束イオン・ビームまたは集束電子ビームを使用して前記加工物をミリングすることを含む、請求項17に記載の方法。
- 前記加工物をエッチングすることが、荷電粒子ビームの前記存在下で分解する前駆体ガスに前記加工物をさらすことを含む、請求項18に記載の方法。
- 前記加工物をエッチングすることが、荷電粒子ビームの前記存在を必要とせずに前記加工物をエッチングするエッチング剤に前記加工物をさらすことを含む、請求項17に記載の方法。
- 前記加工物をエッチングすることが、500nmよりも大きなスポット・サイズを有するイオン・ビームを前記加工物上へ導くことを含む、請求項17に記載の方法。
- 前記加工物の表面に原子を注入するために、イオンの集束ビームを加工物に向かってあるパターンで導くことが、Be+、Ga+、Xe+、Ar+、O+、In+、Si+、Kr+またはBi+イオンを導くことを含む、請求項17に記載の方法。
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US9978586B2 (en) | 2015-11-06 | 2018-05-22 | Fei Company | Method of material deposition |
US9984889B2 (en) | 2016-03-08 | 2018-05-29 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Techniques for manipulating patterned features using ions |
EP3249676B1 (en) | 2016-05-27 | 2018-10-03 | FEI Company | Dual-beam charged-particle microscope with in situ deposition functionality |
CN106185798A (zh) * | 2016-07-22 | 2016-12-07 | 天津大学 | 基于聚焦离子束注入的脆性材料纳米切削方法 |
US9837246B1 (en) | 2016-07-22 | 2017-12-05 | Fei Company | Reinforced sample for transmission electron microscope |
US10229832B2 (en) | 2016-09-22 | 2019-03-12 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Techniques for forming patterned features using directional ions |
EP3364444A1 (en) | 2017-02-21 | 2018-08-22 | IMEC vzw | A method and apparatus for transmission electron microscopy |
CN110006934A (zh) * | 2017-12-28 | 2019-07-12 | Fei 公司 | 通过等离子体聚焦离子束处理生物低温样品的方法、装置和系统 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57157523A (en) * | 1981-03-25 | 1982-09-29 | Hitachi Ltd | Forming method for pattern |
JPH0371632A (ja) * | 1989-08-11 | 1991-03-27 | Sanyo Electric Co Ltd | エッチング方法 |
JPH07151658A (ja) * | 1993-11-30 | 1995-06-16 | Seiko Instr Inc | 試料加工方法 |
JP2000230891A (ja) * | 1999-02-09 | 2000-08-22 | Fuji Electric Co Ltd | 透過型電子顕微鏡用試料の作製方法 |
JP2005055387A (ja) * | 2003-08-07 | 2005-03-03 | Nec Tokin Corp | 試料作製方法 |
JP2009198412A (ja) * | 2008-02-25 | 2009-09-03 | Sii Nanotechnology Inc | 透過電子顕微鏡用試料の作製方法及び透過電子顕微鏡用試料 |
JP2009544120A (ja) * | 2006-07-14 | 2009-12-10 | エフ・イ−・アイ・カンパニー | マルチソース型のプラズマ集束イオン・ビーム・システム |
JP2012042461A (ja) * | 2010-07-30 | 2012-03-01 | Universitaet Ulm | Tem薄片、その製造プロセス、及び当該プロセスを実行する装置 |
US8277672B2 (en) * | 2009-04-17 | 2012-10-02 | Tiza Lab, LLC | Enhanced focused ion beam etching of dielectrics and silicon |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4775818A (en) | 1986-04-14 | 1988-10-04 | Hughes Aircraft Company | Liquid metal ion source and alloy |
US4971896A (en) * | 1987-12-08 | 1990-11-20 | Hitachi, Ltd. | Method for forming thin film pattern and method for fabricating thin film magnetic head using the same |
US6786978B2 (en) * | 2000-08-03 | 2004-09-07 | Texas Instruments Incorporated | Mass production of cross-section TEM samples by focused ion beam deposition and anisotropic etching |
US20020074897A1 (en) * | 2000-12-15 | 2002-06-20 | Qing Ma | Micro-electromechanical structure resonator frequency adjustment using radient energy trimming and laser/focused ion beam assisted deposition |
JP2005183937A (ja) * | 2003-11-25 | 2005-07-07 | Nec Electronics Corp | 半導体装置の製造方法およびレジスト除去用洗浄装置 |
CN103081054B (zh) * | 2010-08-31 | 2016-04-13 | Fei公司 | 使用包含低质量种类和高质量种类二者的离子源的导航和样本处理 |
JP5973466B2 (ja) | 2011-01-28 | 2016-08-23 | エフ・イ−・アイ・カンパニー | Tem試料の調製 |
US8859963B2 (en) * | 2011-06-03 | 2014-10-14 | Fei Company | Methods for preparing thin samples for TEM imaging |
-
2014
- 2014-01-10 US US14/759,158 patent/US10325754B2/en active Active
- 2014-01-10 EP EP14737997.8A patent/EP2943769B1/en active Active
- 2014-01-10 CN CN201480004617.9A patent/CN105008891B/zh active Active
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57157523A (en) * | 1981-03-25 | 1982-09-29 | Hitachi Ltd | Forming method for pattern |
JPH0371632A (ja) * | 1989-08-11 | 1991-03-27 | Sanyo Electric Co Ltd | エッチング方法 |
JPH07151658A (ja) * | 1993-11-30 | 1995-06-16 | Seiko Instr Inc | 試料加工方法 |
JP2000230891A (ja) * | 1999-02-09 | 2000-08-22 | Fuji Electric Co Ltd | 透過型電子顕微鏡用試料の作製方法 |
JP2005055387A (ja) * | 2003-08-07 | 2005-03-03 | Nec Tokin Corp | 試料作製方法 |
JP2009544120A (ja) * | 2006-07-14 | 2009-12-10 | エフ・イ−・アイ・カンパニー | マルチソース型のプラズマ集束イオン・ビーム・システム |
JP2009198412A (ja) * | 2008-02-25 | 2009-09-03 | Sii Nanotechnology Inc | 透過電子顕微鏡用試料の作製方法及び透過電子顕微鏡用試料 |
US8277672B2 (en) * | 2009-04-17 | 2012-10-02 | Tiza Lab, LLC | Enhanced focused ion beam etching of dielectrics and silicon |
JP2012042461A (ja) * | 2010-07-30 | 2012-03-01 | Universitaet Ulm | Tem薄片、その製造プロセス、及び当該プロセスを実行する装置 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
JOACHIM MAYER, ET AL.: ""TEM Sample Preparation and FIB-Induced Damage"", MRS BULLETIN, vol. Vol.32, JPN7017003688, May 2007 (2007-05-01), pages 4 - 7 * |
KYUSAKU NISHIOKA, ET AL.: "Reactive Ion Beam Etching Using a Selective Gallium Doping Method", JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, vol. 28, 9, JPN7017003689, 1989, pages L1671-L1672 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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