JP5973466B2 - Tem試料の調製 - Google Patents
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Description
・イオン・ビーム・システムに基板を装填すること、
・イオン・ビーム・ミリングによって基板から試料を切り離すこと、
・基板から、垂直軸、頂面および底面を有する試料を抜き取ること、
・試料を試料ホルダに取り付けること、
・試料ホルダを、イオン・ビームが試料の垂直軸を横切るように配置すること、
・一様に平らな表面を形成するために、試料の底面をミリングして、試料の底面の少なくとも一部分を除去すること、
・試料の底面がイオン・ビーム源の方を向き、イオン・ビームが試料の垂直軸と平行になるように試料ホルダを配置すること、
・試料の少なくとも一部分を厚さ30nm以下まで薄くするミリング・パターンに従ってイオン・ビームを導くことによって試料を薄くすること
を含む。
・イオン・ビーム源と、イオン・ビームを一軸に沿って基板の表面に集束させる光学部品とを含むイオン・ビーム・システムに基板を装填すること、
・垂直軸と、イオン・ビーム源に最も近い頂面と、イオン・ビーム源とは反対の側に位置する底面とを有する試料を、イオン・ビーム・ミリングによって基板から分離すること、
・分離した試料にマイクロプローブを取り付けること、
・取り付けたマイクロプローブを使用して基板から試料を抜き取ること、
・頂面および底面の向きが逆になるようにマイクロプローブを回転させることによって試料を逆さにすること、
・逆さにした試料を試料ホルダに取り付け、取り付けた試料からマイクロプローブを切り離すこと、
・イオン・ビーム軸の角度が試料の垂直軸に対して30度から90度になるように試料ホルダを配置すること、
・試料の底面から少なくとも25nmを除去して、イオン・ビーム軸と平行な平らな表面を形成すること、
・試料の頂面が、イオン・ビーム源とは反対の方を向き、イオン・ビーム軸が試料の垂直軸と平行になるように試料ホルダを配置すること、
・試料の少なくとも一部分を厚さ30nm以下まで薄くするミリング・パターンに従ってイオン・ビームを導くことによって試料を薄くすること
を含む。
・イオン・ビーム源と、イオン・ビームを一軸に沿って基板の表面に集束させる光学部品と、試料を操作するマイクロマニピュレータとを含むイオン・ビーム・システムと、
・コンピュータ命令を記憶したコンピュータ可読メモリと
を備え、この装置を制御し、以下のステップをこの装置に実行させるプログラムをこのコンピュータ命令が含む:
・基板上の所望の試料部位の位置を決定するステップ、
・イオン・ビーム・ミリングによって基板から試料を切り離すステップ、
・基板から、垂直軸、頂面および底面を有する試料を抜き取るステップ、
・試料を試料ホルダに取り付けるステップ、
・試料ホルダを、イオン・ビームが試料の垂直軸を横切るように配置するステップ、
・一様に平らな表面を形成するために、試料の底面をミリングして、試料の底面の少なくとも一部分を除去するステップ、
・試料の底面がイオン・ビーム源の方を向き、イオン・ビームが試料の垂直軸と平行になるように試料を配置するステップ、ならびに
・試料の少なくとも一部分を厚さ30nm以下まで薄くするミリング・パターンに従ってイオン・ビームを導くことによって試料を薄くステップ。
Claims (15)
- TEM分析用の試料を調製する方法であって、
イオン・ビーム・システムに基板を装填すること、
イオン・ビーム・ミリングによって前記基板から試料を切り離すこと、
前記基板から、垂直軸、頂面および底面を有する前記試料を抜き取ることであって、前記頂面は、前記試料の抜き取りに先立ってイオン・ビーム源に最も近い基板表面の方を向いた前記試料の上部であり、前記底面は、前記試料の抜き取りに先立って前記イオン・ビーム源に最も近い基板表面とは反対側の方を向いた前記試料の下部であり、前記垂直軸は前記頂面に垂直な軸であること、
前記試料を試料ホルダに取り付けること、
前記試料ホルダを、イオン・ビームが前記試料の前記垂直軸を横切るように配置すること、
一様に平らな表面を形成するために、前記試料の前記底面をミリングして、前記試料の前記底面の少なくとも一部分を除去すること、
前記試料の前記底面が前記イオン・ビーム源の方を向き、前記イオン・ビームが前記試料の前記垂直軸と平行になるように前記試料ホルダを配置すること、
前記試料の少なくとも一部分を厚さ30nm以下まで薄くするミリング・パターンに従って前記イオン・ビームを導くことによって前記試料を薄くすること
を含む方法。 - 前記試料を試料ホルダに取り付けることが、
前記試料の前記垂直軸に対して垂直な軸を中心に前記試料を回転させて、前記試料の前記頂面および前記底面を逆さにすること、ならびに
逆さにした前記試料を試料ホルダに取り付けること
を含む、請求項1に記載の方法。 - 前記イオン・ビームが前記試料の前記垂直軸を横切るように前記試料ホルダを配置することが、前記イオン・ビームと前記試料の前記垂直軸との間の角度が35度から90度になるように前記試料ホルダを配置することを含む、請求項1または2に記載の方法。
- ミリング・パターンに従って前記イオン・ビームを導くことによって前記試料を薄くすることが、前記試料の少なくとも一部分を厚さ15nm以下まで薄くすることを含む、請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。
- 一様に平らな表面を形成するために、前記試料の前記底面をミリングして、前記試料の前記底面の少なくとも一部分を除去することが、前記試料の前記底面から少なくとも25nmを除去することを含む、請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。
- 前記基板が、半導体ウェーハまたは半導体ウェーハの一部分であり、抜き取る前記試料が、TEMを使用して観察する集積回路の一部分である、請求項1から5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記基板から前記試料を抜き取ることが、分離した前記試料にマイクロプローブを取り付けること、および取り付けた前記マイクロプローブを使用して前記基板から前記試料を抜き取ることを含み、前記試料を試料ホルダに取り付けることが、前記試料を試料ホルダに取り付けること、および取り付けた前記試料から前記マイクロプローブを切り離すことを含む、請求項2に記載の方法。
- 前記試料の前記垂直軸に対して垂直な軸を中心に前記試料を回転させて、前記試料の前記頂面および前記底面を逆さにすることが、前記頂面および前記底面の向きが逆になるように前記マイクロプローブを回転させることによって前記試料を逆さにすることを含む、請求項7に記載の方法。
- 一様に平らな表面を形成するために、前記試料の前記底面をミリングして、前記試料の前記底面の少なくとも一部分を除去することが、第1の加速電圧を有するイオン・ビームを使用して前記試料の前記底面をミリングし、次いで前記試料の前記底面を第2の加速電圧でミリングすることを含み、前記第2の加速電圧が、前記第1の加速電圧の1/2よりも小さい、請求項1から8のいずれか一項に記載の方法。
- 一様に平らな表面を形成するために、前記試料の前記底面をミリングして、前記試料の前記底面の少なくとも一部分を除去することが、5kV以下の加速電圧を有するイオン・ビームを使用して前記試料の前記底面をミリングすることを含む、請求項1から9のいずれか一項に記載の方法。
- 一様に平らな表面を形成するために、前記試料の前記底面をミリングして、前記試料の前記底面の少なくとも一部分を除去することが、30kV以上の加速電圧を有するイオン・ビームを使用して前記試料の前記底面をミリングすることを含む、請求項1から10のいずれか一項に記載の方法。
- 請求項2に記載の方法を実行する装置。
- コンピュータ・プログラムを含むように構成されたコンピュータ可読の非一時的記憶媒体であって、そのように構成された前記記憶媒体によって、コンピュータが、荷電粒子ビーム・システムを、請求項2に記載の方法のステップを実行するように制御するコンピュータ可読の非一時的記憶媒体。
- TEM分析用の極薄のTEM試料を調製する方法であって、
イオン・ビーム源と、イオン・ビームを一軸に沿って基板の表面に集束させる光学部品とを含むイオン・ビーム・システムに基板を装填すること、
垂直軸と、頂面と、底面とを有する試料であって、前記頂面は、前記試料の抜き取りに先立って前記イオン・ビーム源に最も近い基板表面の方を向いた前記試料の上部であり、前記底面は、前記試料の抜き取りに先立って前記イオン・ビーム源に最も近い基板表面とは反対側の方を向いた前記試料の下部であり、前記垂直軸は前記頂面に垂直な軸である、前記試料を、イオン・ビーム・ミリングによって前記基板から分離すること、
分離した前記試料にマイクロプローブを取り付けること、
取り付けた前記マイクロプローブを使用して前記基板から前記試料を抜き取ること、
前記頂面および前記底面の向きが逆になるように前記マイクロプローブを回転させることによって前記試料を逆さにすること、
逆さにした前記試料を試料ホルダに取り付け、取り付けた前記試料から前記マイクロプローブを切り離すこと、
前記イオン・ビーム軸の角度が前記試料の前記垂直軸に対して30度から90度になるように前記試料ホルダを配置すること、
前記試料の前記底面から少なくとも25nmを除去して、前記イオン・ビーム軸と平行な平らな表面を形成すること、
前記試料の前記頂面が、前記イオン・ビーム源とは反対の方を向き、前記イオン・ビーム軸が前記試料の前記垂直軸と平行になるように前記試料ホルダを配置すること、
前記試料の少なくとも一部分を厚さ30nm以下まで薄くするミリング・パターンに従って前記イオン・ビームを導くことによって前記試料を薄くすること
を含む方法。 - 極薄のTEM試料を調製する装置であって、
イオン・ビーム源と、イオン・ビームを一軸に沿って基板の表面に集束させる光学部品と、試料を操作するマイクロマニピュレータとを含むイオン・ビーム・システムと、
コンピュータ命令を記憶したコンピュータ可読メモリと
を備え、前記装置を制御し、以下のステップを前記装置に実行させるプログラムを前記命令が含む装置:
前記基板上の所望の試料部位の位置を決定するステップ、
イオン・ビーム・ミリングによって前記基板から試料を切り離すステップ、
前記基板から、垂直軸、頂面および底面を有する前記試料を抜き取るステップであって、前記頂面は、前記試料の抜き取りに先立って前記イオン・ビーム源に最も近い基板表面の方を向いた前記試料の上部であり、前記底面は、前記試料の抜き取りに先立って前記イオン・ビーム源に最も近い基板表面とは反対側の方を向いた前記試料の下部であり、前記垂直軸は前記頂面に垂直な軸であるステップ、
前記試料を試料ホルダに取り付けるステップ、
前記試料ホルダを、前記イオン・ビームが前記試料の前記垂直軸を横切るように配置するステップ、
一様に平らな表面を形成するために、前記試料の前記底面をミリングして、前記試料の前記底面の少なくとも一部分を除去するステップ、
前記試料の前記底面が前記イオン・ビーム源の方を向き、前記イオン・ビームが前記試料の前記垂直軸と平行になるように前記試料を配置するステップ、ならびに
前記試料の少なくとも一部分を厚さ30nm以下まで薄くするミリング・パターンに従って前記イオン・ビームを導くことによって前記試料を薄くするステップ。
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