JP2016058383A - 自動スライス・アンド・ビュー下部切削 - Google Patents
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Abstract
Description
1111 集束イオン・ビーム(FIB)システム
1114 イオン源
1116 集束カラム
1118 集束イオン・ビーム
1122 基板
1125 可動式X−Yステージ
1134 高圧電源
1141 走査電子顕微鏡
Claims (19)
- デュアル・ビーム・システムを用いたスライス・アンド・ビュー処理によって試料を処理する方法であって、
観察し画像化する前記試料中の関心領域の位置を特定することと、
材料を除去してトレンチを形成することによって前記試料の面を露出させることと、
材料を除去して、前記関心領域の両側に側方トレンチを形成することによって、前記関心領域を分離することと、
前記試料面を不明瞭にすることなく、前記スライス・アンド・ビュー処理の結果生じた粒子を集める場所を形成することと
を含む方法。 - 粒子を集める前記場所が、前記関心領域の下方に広がる下部切削部として形成される、請求項1に記載の方法。
- 粒子を集める前記場所が、前記関心領域の前方に位置する下部切削部として形成される、請求項1に記載の方法。
- 前記試料の前記面が、前記試料の上面に対して実質的に直角である、請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。
- 前記試料の前記面が、前記試料の上面に対して傾斜している、請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。
- 前記関心領域がある深さを有し、粒子を集める前記場所が、少なくとも前記関心領域の前記深さまで延びる、請求項1から5のいずれか一項に記載の方法。
- デュアル・ビーム・システムを用いたスライス・アンド・ビュー処理によって試料を処理する方法であって、
基板にトレンチをミリングするために、前記基板に向かってイオン・ビームを導くことであり、前記トレンチが、観察する特徴部分を取り囲む関心領域を有する壁を露出させることと、
前記関心領域を不明瞭にすることなく、前記スライス・アンド・ビュー処理の結果生じた粒子を集める場所をミリングするために、前記基板に向かって前記イオン・ビームを導くことと
を含む方法。 - 粒子を集める前記場所が、前記関心領域の下方に広がる下部切削部として形成される、請求項7に記載の方法。
- 粒子を集める前記場所が、前記関心領域の前方に位置する下部切削部として形成される、請求項7に記載の方法。
- 前記壁が、前記試料の上面に対して実質的に直角である、請求項7から9のいずれか一項に記載の方法。
- 前記壁が、前記試料の上面に対して傾斜している、請求項7から9のいずれか一項に記載の方法。
- デュアル・ビーム・システムを用いたスライス・アンド・ビュー処理によって試料を処理する方法であって、
基板にトレンチを形成するために、前記基板に向かってイオン・ビームを導くことであり、前記トレンチが、観察する前記試料の関心領域の面を露出させることと、
前記トレンチよりも低い位置に広がる下部切削部を形成するために、前記基板に向かって前記イオン・ビームを導くことと、
前記面の画像を形成するために、前記面に向かって電子ビームを導くことと、
ミリング操作を実行するために、前記イオン・ビームを導くことであり、前記ミリング操作が、前記関心領域から複数のスライスを順次除去し、それにより、新たなスライスごとに、前記電子ビームによって観察する新たな面を露出させることによって実行されることと
を含み、前記ミリング操作の結果生じた粒子が堆積し、前記下部切削部内に集められて、前記電子ビームによって観察する前記面が不明瞭にならない
方法。 - 前記面が、前記試料の上面に対して実質的に直角である、請求項12に記載の方法。
- 前記下部切削部が、前記試料の前記面の下に広がる、請求項12または13に記載の方法。
- 前記壁が、前記試料の上面に対して傾斜している、請求項12または13に記載の方法。
- 前記下部切削部が、前記面の前方に広がる、請求項15に記載の方法。
- 荷電粒子の源と、
前記荷電粒子を加工物上に集束させる集束カラムと、
荷電粒子ビーム・システムを動作させるためのコンピュータ命令を記憶したコンピュータ記憶装置と、
荷電粒子ビーム・システムを前記コンピュータ命令に従って制御するコントローラと
を備え、
前記コンピュータ記憶装置が、請求項1から16のいずれか一項に記載の方法を実行するための命令を記憶した
荷電粒子ビーム・システム。 - 荷電粒子の前記源が、液体金属イオン源またはプラズマ・イオン源である、請求項17に記載の荷電粒子ビーム・システム。
- 電子源および電子集束カラムをさらに備える、請求項18に記載の荷電粒子ビーム・システム。
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