CN105424428A - 自动切片与查看底部切口 - Google Patents

Abstract

提供了用于利用双射束系统对样品进行切片与查看处理的方法和装置。切片与查看处理包括提供一位置，该位置用于要收集的由切片与查看过程产生的粒子和材料而不使要查看和成像的样品面模糊。该位置形成为位于样品面下方或前方的底部切口。

Description

自动切片与查看底部切口

技术领域

本发明一般涉及用于纳米技术的带电粒子束成像，并且更具体地涉及用于改进自动3D分析期间的高品质数据的获取的方法和装置。

背景技术

电子显微术提供了以高分辨率在3D中研究材料架构的机会。该技术可以用于观察和分析各种材料并且使用在不同的应用领域中。尽管本发明通常被用在半导体（例如过孔、晶体管等）的观察和分析中，但是应当理解的是，本发明不限于半导体并且可以包括诸如例如金属、催化剂、聚合物和生物结构的其它材料。与电子显微术一起采用以用于分析材料的一项技术例如称为“切片与查看”。该技术典型地利用组合聚焦离子束（FIB）和扫描电子显微镜（SEM）的系统（诸如从本发明的受让人FEI公司商业上可得到的DualBeam®仪器）来执行。

在切片与查看技术中，如图1所图示的，通过已知的方法和技术定位和测量样品材料中的感兴趣的特征。FIB以高精度对样品进行切割和切片以显露其3D内部结构或特征。典型地，FIB暴露具有要查看的隐藏特征的、垂直于样品材料的表面顶部的横截面或面。为了进一步帮助分离，从感兴趣的区域的每一侧上的衬底材料去除切片。由于SEM射束轴典型地处于相对于FIB射束轴的锐角处，所以优选地去除在所述面前方的样品的一部分，使得SEM射束可以有机会对所述面成像。在通过SEM获得所述面的图像之后，可以使用FIB在所述面处去除另一衬底层，从而显露新的、更深的面并且因此显露特征的更深的横截面。由于仅所述面的恰好表面处的特征的部分对SEM可见，因此执行切割和成像或切片和查看的顺序重复，直到运行完成。该过程提供了将经切片的样品重构成特征的3D表示所需要的数据。3D结构然后用于分析特征。

在切片去掉衬底层的同时可能发生的一个问题是再沉积。也就是说，残余材料的粒子可能再沉积在要成像的特征的面上，阻止对要成像的面的不受阻挡的查看，从而导致不合期望的图像分辨率。这在示出标准切片与查看方法的图2中被最清楚地看到，图2中FIB正交于样品的顶表面并且SEM典型地以相对于FIB轴的大约52度成角。在该方法中，通过使用FIB去除材料以形成斜沟槽24来暴露竖直壁或面20。一旦面20被暴露，就对其进行查看以用于通过SEM成像。材料的切片26可以使用FIB来去除以暴露用于通过SEM成像的新的面。当FIB执行研磨操作时，来自被研磨区域的经烧蚀的材料28和来自离子束的镓可能在面20的前方积累并且可能再沉积回到面20上，从而更改面20或使面20模糊。图3图示了在成角切片与查看方法中的相同问题，其中SEM正交于样品的顶表面，并且FIB相对于SEM轴和样品的顶表面二者成角。在该方法中，通过使用FIB去除材料以形成沟槽32来暴露成角面30。当面30暴露时，对其进行查看以用于通过SEM成像。材料的切片34可以使用FIB去除以暴露用于通过SEM成像的新的面。当FIB执行研磨操作时，来自被研磨的区域的经烧蚀的材料36和来自离子束的镓可能在面30前方积累并且可能再沉积回到面30上，从而更改面20或使面20模糊。在图2和3二者中再沉积的材料导致不可使用的数据或失败的自动循环，其中一个欠佳质量切片或图像可能使整个运行无效。

用于根据切片与查看成像进行3D重构的软件算法一般假设通过SEM成像的每一个切片的表面是平坦的。再沉积的材料产生对比度和组分变化，其中该材料被解释为从所暴露的表面的图像形成的3D表示中的噪声（例如，降低的分辨率）。例如，图4示出典型的切片与查看样品的最终图像，其中再沉积材料38积累而使面42模糊并且将阴影40投射到面42上，从而导致有瑕疵的图像。存在对于大量无瑕疵数据的增加的需求，因为一个欠佳质量切片或图像可能使整个运行无效。因此，存在对于改进从切片与查看技术中的切片过程获取高品质数据的方法的需要。

发明内容

因此，本发明的目的是提供一种方法，用于减少或消除切片与查看过程中在要成像的样品的表面前方和/或到该表面上的经烧蚀的材料的再沉积。

本发明提供了一种用于研磨前进到横截面壁的面中的多个顺序切口的方法。在要切片和成像的感兴趣区域下方的样品衬底中制作底部切口。该底部切口提供了一物理间隔，该物理间隔将感兴趣的区域从样品衬底分离以产生用于由研磨过程产生的经烧蚀材料的“陷阱”。这防止经烧蚀的材料再沉积在使对所研磨的面的查看模糊的位置中。本发明适用于切片与查看过程的标准和成角面方法二者。

前文已经相当宽泛地概述了本发明的特征和技术优点，以便可以更好地理解随后的本发明的详细描述。以下将描述本发明的附加特征和优点。本领域技术人员应当领会到，所公开的概念和具体实施例可以容易地用作用于修改或设计用于实施本发明的相同目的的其它结构的基础。本领域技术人员还应当认识到，这样的等同构造不脱离如在所附权利要求中阐述的本发明的精神和范围。

附图说明

为了更透彻地理解本发明及其优点，现在对结合附图考虑的以下描述进行参考，其中：

图1是示出样品的切片与查看处理的图。

图2是示出沉积到样品面上的材料的、经历标准切片与查看处理的样品的侧视图。

图3是具有沉积到样品面上的材料的、经历成角切片与查看处理的样品的侧视图。

图4是具有使样品面模糊的所沉积的材料的、切片与查看处理完成时的样品的图像。

图5是根据本公开的实施例的通过切片与查看处理来处理样品的方法的流程图。

图6是具有用于所沉积的材料的底部切口的、经历标准切片与查看处理的样品的侧视图。

图7是具有用于所沉积的材料的底部切口的、经历成角切片与查看处理的样品的侧视图。

图8是类似于图7的侧视图，示出了用于所沉积的材料的可替换底部切口。

图9是依照本公开的实施例的具有底部切口的、已经被制备用于切片与查看处理的样品的图像。

图10是具有沉积在底部切口中的材料的、在完成切片与查看处理时的样品的图像。

图11示出用于切片与查看处理的双射束系统。

具体实施方式

根据本发明的优选实施例，一种方法提供了切片与查看技术，其中获得样品的清楚且不受阻挡的图像以提供用于3D成像的高质量数据。在确定要切片和成像的感兴趣区域之后，通过去除感兴趣的区域前方和每一侧上的材料来将感兴趣的区域从样品衬底分离。底部切口形成在要查看的特征下方以提供用于收集由研磨过程产生的沉积材料的区域或陷阱。

现在参考图5，示出依照本公开的实施例的方法50的流程图，该方法50用于通过利用双射束系统进行切片与查看处理来产生样品的图像。该技术可以利用组合聚焦离子束（FIB）和扫描电子显微镜（SEM）的系统（诸如从本发明的受让人FEI公司商业可得到的DualBeam®仪器）来执行。为了从样品去除材料，方法50的双射束系统利用蚀刻射束，诸如来自FIB设备的聚焦离子束或来自激光器的激光束。为了对通过蚀刻射束暴露的样品的表面成像，方法50的双射束系统利用询问射束，诸如来自SEM的电子束。在确定了感兴趣的区域之后，样品优选地安装在相对于蚀刻和询问射束可旋转和/或可平移的载台上，并且载台的旋转允许所暴露的表面的重新取向，使得FIB可以用于去除围绕要成像的特征的材料并且研磨样品的切片。此外，如果期望的话，载台旋转允许所暴露的表面的图像从不同视角取得。应当指出的是，尽管使用来自FIB设备的聚焦离子束和来自SEM的电子束、可旋转载台和其它具体元件来解释方法50，但是这样的选择仅仅是示例性的，并且可以使用能够实现等同功能的组件。

方法50可以在步骤52处通过将样品加载到双射束系统的载台上而开始。在标准切片与查看方法（图6）中，将样品60安装到典型地相对于水平倾斜大约52度的双射束系统的载台上以使得FIB正交于样品60的顶表面62进行撞击并且电子束以大约52度撞击样品表面。在成角面切片与查看方法（图7）中，SEM正交于样品72的顶表面70并且FIB相对于SEM轴和顶表面70二者成角。FIB相对于样品的角度可以是任何所期望的角度。在一个示例中，FIB可以为相对于样品的顶表面大约38度。

方法50可以继续到步骤53，其中聚焦离子束用于形成斜沟槽以显露用于查看和成像的面并且用于在感兴趣的区域的每一侧上形成侧沟槽。如图6中看到的，使用聚焦离子束将斜沟槽64形成在样品60中以暴露用于查看和成像的面66。侧沟槽也形成在感兴趣的区域的每一侧上，如在图9中最清楚看到的，图9中示出侧沟槽94。斜沟槽和侧沟槽的尺寸可以取决于感兴趣的区域的尺寸而变化。尺寸一般被描述为沿x（宽度）、y（长度）和z（深度）轴延伸，如图1中所示。在一个示例中，感兴趣的区域可以具有大约10μm的x轴宽度、大约12-15μm之间的y轴长度和大约10μm的z轴深度。斜沟槽64可以例如从包含感兴趣的特征的面66被背向研磨约35μm。包括侧沟槽的斜沟槽64的x轴宽度大于感兴趣的区域的宽度。典型地，每一个侧沟槽具有感兴趣的区域的宽度的大约30-35%的宽度。例如，在大约10μm宽度的情况下，每一个侧沟槽可以在大约3-4μm之间，使得斜沟槽具有大约16-18μm之间的总x轴宽度。斜沟槽64的角度足够使得聚焦离子束和电子束二者能够扫描斜沟槽64的端部处的面66。在该实施例中，面66典型地正交于表面62并且平行于研磨方向行进。在一些实施例中，斜沟槽64尺寸被设计成使得电子束可以完全询问来自两个或更多不同取向的面66而没有被样品的其它表面阻挡。

方法50可以继续到步骤54，其中载台相对于FIB设备被重新取向以形成面66下方的底部切口67。底部切口67的长度可以取决于感兴趣的区域的尺寸而变化。例如，如果感兴趣的区域具有大约6μm的z轴深度，则底部切口优选地背向延伸至少大约6μm。底部切口67的y轴长度也可以变化，但是优选地足以提供用于要收集的、由研磨操作产生的材料的位置而不使要查看和成像的面模糊。底部切口67可以例如形成为具有从面66的下边缘开始的大约5μm的y轴长度并且可以沿z轴深度远离面66背向延伸穿过感兴趣的特征的距离或使得底部切口67延伸到要研磨的最后一个切片以下。

方法50可以继续到步骤55，其中载台然后被定位成使得样品再次正交于FIB设备并且相对于SEM大约52度。方法50可以然后继续到步骤56，其中，如图6中所示，使用聚焦离子束来切割材料的切片68并且然后将切片68去除以显露新的面。在一些实施例中，材料的切片68通过研磨基本上平行于面66的平面行进的本质上一维线而被去除。要去除的切片厚度可以取决于在感兴趣的区域内包含的特征的大小而变化。例如，在各种实施例中，通过聚焦离子束去除的切片厚度可以在从大约20nm到大约100nm的范围中，诸如在从大约30nm到大约60nm的范围中。所去除的切片的宽度和长度尺寸可以例如在从大约10μm到大约100μm的范围中。如图6中看到的，由研磨样品的切片产生的残余材料的任何粒子或来自离子束的镓被沉积和收集在底部切口67内，从而留下未受阻挡的面66以用于通过SEM查看。

方法50可以通过以工业中已知的方式利用SEM的电子束捕获和存储面66的图像而继续到步骤57。

从步骤57开始，方法可以通过确定是否实施样品的切片与查看处理的另一迭代（例如通过重复步骤56和57）而进行到步骤58或者通过终止样品的切片与查看处理并且生成感兴趣的特征的3-D图像而继续到步骤59。为了生成特征的3-D图像，取决于特征的大小或3-D图像的所期望的细节，获得许多图像是合期望的。在块58中，切片与查看技术的迭代被看作是样品处理进展。在一个实施例中，切片与查看处理继续，直到已经实施了预确定数目的切片与查看迭代。切片与查看迭代的终止可以替换地响应于特定触发事件的发生而被发起或者可以取决于在已经实施了特定数目的切片与查看迭代之后切片与查看处理系统是否接收到附加输入。在任何情况下，如果确定应当继续样品的切片与查看处理，则方法50沿“否”路径从步骤56进行到步骤57。如果确定已经结束反复的切片过程，则方法50沿“是”路径从步骤58进行到步骤59。

在步骤59中，使用公知的技术根据样品的切片与查看处理期间收集的数据生成感兴趣的区域的3-D表示。提供用于要收集的由处理产生的粒子的位置而不使样品面模糊允许获得高质量成像以产生样品特征的精确和可用的3-D表示。

方法50等同地适用于成角切片与查看方法，如图7中看到的，其中聚焦离子束和电子束成角为相对于表面70和样品72的任何期望的角度。在该实施例中，斜沟槽74使用聚焦离子束形成以显露以任何期望的角度远离表面70延伸的成角面76。载台然后相对于FIB设备重新取向以形成在成角面76下方延伸的底部切口78。聚焦离子束然后以除了聚焦离子束和电子束的成角关系之外与以上参考图6描述的相同方式研磨切片。当研磨每一个切片时，残余材料的任何粒子79或由研磨样品的切片产生的来自离子束的镓被沉积和收集在底部切口78内，从而留下面76不受阻挡以用于通过电子束查看。

图8示出类似于如图7中示出和描述的成角切片与查看方法的成角切片与查看方法中的底部切口的替换形状。在该实施例中，样品80被处理以使得聚焦离子束（未示出）去除材料以形成斜沟槽82，从而显露用于通过电子束（未示出）查看和成像的成角面84。底部切口86形成在成角面84前方而不是如在之前的实施例中那样在其下方延伸。底部切口86提供用于要收集的由切片操作产生的粒子88的位置而不使成角面84模糊。

图9是在实施切片与查看过程之前已经为切片与查看过程制备的样品的图像。包含感兴趣特征的感兴趣区域90由暴露要查看和成像的面93的斜沟槽92定位和与样品衬底隔离。侧沟槽94将区域90从样品衬底分离并且底部切口96被形成以收集和俘获由研磨操作产生的材料。图10是在切片与查看过程完成时图9的样品的图像，其中粒子98在底部切口96中累积，从而留下没有任何材料沉积的面93，材料沉积本来将会使由电子束进行的查看模糊。

用于执行以上所描述的方法的装置在图11中示出，图11图示了典型双射束系统1110，其具有竖直安装的SEM镜筒和以相对于竖直方向的约52度角度安装的聚焦离子束（FIB）镜筒。这样的双射束系统例如从本申请的受让人俄勒冈州希尔斯伯勒的FEI公司商业上可得到。虽然以下提供合适硬件的示例，但是本发明不限于以任何特定类型的硬件实现。

在双射束系统1110的情况下提供扫描电子显微镜1141连同电源和控制单元1145。通过在阴极1152与阳极1154之间施加电压来从阴极1152发射电子束1143。借助于聚光透镜1156和物镜1158来将电子束1143聚焦到细小点。借助于偏转线圈1160在试样上使电子束1143二维扫描。聚光透镜1156、物镜1158和偏转线圈1160的操作由电源和控制单元1145控制。

电子束1143可以聚焦到衬底1122上，衬底1122位于下腔室1126内的可移动X-Y载台1125上。当电子束中的电子撞击衬底1122时，发射次级电子。这些次级电子由如以下讨论的次级电子检测器1140检测。

双射束系统1110还包括聚焦离子束（FIB）系统1111，其包括具有上颈部1112的真空腔室，上颈部1112内定位离子源1114和包括静电光学系统的聚焦镜筒1116。聚焦镜筒1116的轴相对于电子镜筒的轴倾斜52度。离子镜筒1112包括离子源1114、引出电极1115、聚焦元件1117、偏转元件1120，全部这些产生聚焦离子束1118。聚焦离子束1118从离子源1114经过聚焦镜筒1116和偏转器1120之间到达衬底1122，衬底1122包括例如定位在下腔室1126内的可移动载台1125上的半导体器件。

载台1125优选地可以在水平平面（X和Y轴）内和竖直地（Z轴）移动。载台1125还可以倾斜约六十（60）度并且绕Z轴旋转。在一些实施例中，可以使用分离的TEM样品载台（未示出）。这样的TEM样品载台也将优选地在X、Y和Z轴上可移动。门1161打开以用于将衬底1122插入到X-Y载台1125上并且还用于服务内部气体供给储存器（如果使用了内部气体供给储存器的话）。门是互锁的，使得如果系统处于真空下则其不能打开。

离子泵（未示出）被用于抽空颈部1112。利用涡轮分子和机械抽吸系统1168在真空控制器1132的控制下抽空腔室1126。真空系统在腔室1126内提供约1x10^-7托（Torr）和5x10^-4托之间的真空。如果使用蚀刻辅助、蚀刻减速气体或沉积前驱气体，腔室背景压强可能上升，典型地上升至大约1x10^-5托。

高压电源1134向聚焦镜筒1116中的电极提供适当的加速电压以用于激励和聚焦离子束1118。当离子撞击衬底1122时，材料从样品溅射，即物理喷射。替换地，离子束1118可以分解前驱气体以沉积或蚀刻材料。

高压电源1134连接到液体金属离子源1114以及连接到离子束聚焦镜筒1116中的适当电极以用于形成约1keV至60keV离子束1118并且朝向样品引导离子束1118。依照由图案生成器1138提供的规定图案操作的偏转控制器和放大器1136耦合到偏转板1120，由此离子束1118可以被手动或自动地控制以描绘出衬底1122的上表面上的对应图案。在一些系统中，偏转板放置在最后的透镜之前，如本领域中公知的那样。离子束聚焦镜筒1116内的射束消隐电极（未示出）导致当消隐控制器（未示出）向消隐电极施加消隐电压时离子束1118撞击到消隐孔（未示出）上而不是衬底1122上。

液体金属离子源1114典型地提供镓的金属离子束。该源典型地能够在衬底1122处被聚焦成亚十分之一微米宽射束以用于通过离子研磨、增强刻蚀、材料沉积修改衬底1122或用于对衬底1122成像的目的。还可以使用其它类型的离子源，诸如等离子体离子源。

用于检测次级离子或电子发射的诸如Everhart-Thornley或多通道板之类的带电粒子检测器1140连接到视频电路1142，视频电路1142向视频监视器1144供应驱动信号并且从系统控制器1119接收偏转信号。带电粒子检测器1140在下腔室1126内的位置在不同实施例中可以变化。例如，带电粒子检测器1140可以与离子束同轴并且包括用于允许离子束经过的孔洞。在其它实施例中，次级粒子可以通过最后的透镜被收集并且然后被转向离开轴以供收集。

诸如来自德克萨斯州达拉斯的Omniprobe公司的AutoProbe 1000™或来自德国罗伊特林根Kleindiek Nanotechnik的Model MM3A之类的微操纵器1147可以精确地在真空腔室内移动物体。微操纵器1147可以包括精密电动马达1148，精密电动马达1148定位在真空腔室外部以提供对定位在真空腔室内的部分1149的X、Y、Z和θ控制。微操纵器1147可以配备有用于操纵小物体的不同末端操纵器。在本文所描述的实施例中，末端操纵器是细探针1150。

气体递送系统1146延伸到下腔室1126中以用于引入和朝向衬底1122引导气态蒸汽。题为“Gas Delivery Systems for Particle Beam Processing”的、授予Casella等人的、转让给本发明的受让人的美国专利No. 5,851,413描述了合适的气体递送系统1146。另一气体递送系统被描述在题为“Gas Injection System”的授予Rasmussen的也转让给本发明的受让人的美国专利No. 5,435,850中。

系统控制器1119控制双射束系统1110的各个部分的操作。通过系统控制器1119，用户可以通过录入到常规用户接口（未示出）中的命令以期望的方式使离子束1118或电子束1143进行扫描。可替换地，系统控制器1119可以依照存储在存储器1121中的编程指令控制双射束系统1110。例如，存储器1121可以存储用于执行图5中所示的方法中的全部或部分或者本文所描述的任何方法中的全部或部分的计算机指令。在一些实施例中，双射束系统1100合并图像识别软件（诸如从马萨诸塞州纳蒂克Cognex公司商业上可得到的软件）以便自动标识感兴趣的区，并且然后系统可以依照本发明手动或自动地提取样品。例如，系统可以自动定位包括多个器件的半导体晶片上的类似特征，并且取得不同（或相同）器件上的那些特征的样品。

本发明的一些实施例提供一种利用双射束系统通过切片与查看处理来处理样品的方法，其通过下述步骤实现：在用于查看和成像的样品中定位感兴趣的区域；通过去除材料以产生沟槽来暴露样品中的面；通过去除材料以在感兴趣的区域的每一侧上形成侧沟槽来隔离感兴趣的区域；并且产生用于收集由切片与查看处理产生的粒子而不使样品面模糊的位置。在一些实施例中，用于收集粒子的位置形成为在感兴趣的区域以下延伸的底部切口。在一些实施例中，用于收集粒子的位置形成为位于感兴趣的区域前方的底部切口。一些实施例包括基本上垂直于样品的顶表面的面而其它实施例包括相对于样品的顶表面成角的样品的面。在一些实施例中，感兴趣的区域具有一深度，并且用于收集粒子的位置延伸至少感兴趣的区域的深度。

本发明的一些实施例提供了一种利用双射束系统通过切片与查看处理来处理样品的方法，其通过下述步骤实现：朝向衬底引导离子束以在衬底中研磨沟槽，沟槽暴露具有围绕要观察的特征的感兴趣的区域的壁；以及朝向衬底引导离子束以研磨用于收集由切片与查看处理产生的粒子而不使感兴趣的区域模糊的位置。在一些实施例中，用于收集粒子的位置形成为在感兴趣的区域以下延伸的底部切口，并且在其它实施例中，用于收集粒子的位置形成为位于感兴趣的区域前方的底部切口。一些实施例提供壁基本上垂直于样品的顶表面。一些实施例提供壁相对于样品的顶表面成角。

本发明的一些实施例提供了一种利用双射束系统通过切片与查看处理来处理样品的方法，其通过下述步骤实现：朝向衬底引导离子束以在衬底中形成沟槽使得沟槽暴露要观察的样品的感兴趣的区域中的面；朝向衬底引导离子束以形成低于沟槽延伸的底部切口；朝向面引导电子束以形成面的图像；并且引导离子束以通过从感兴趣的区域顺序地去除多个切片从而显露用于通过电子束查看的每一个新切片的新面来执行研磨操作；其中由研磨操作产生的粒子沉积和收集在底部切口内而不使用于通过电子束查看的面模糊。一些实施例提供面基本上垂直于样品的顶表面并且底部切口在样品的面下方延伸。一些实施例提供壁相对于样品的顶表面成角并且底部切口在面的前方延伸。

一些实施例提供了一种带电粒子束系统，包括：带电粒子的源；用于将带电粒子聚焦到工件上的聚焦镜筒；存储用于操作带电粒子束系统的计算机指令的计算机存储器；以及用于依照计算机指令控制带电粒子束系统的控制器；其中计算机存储器存储用于执行以上描述的任何方法的指令。

在一些实施例中，带电粒子的源是液体金属离子源或等离子体离子源。

一些实施例还包括电子源和电子聚焦镜筒。

尽管已经详细描述了本发明及其优点，但是应当理解的是，在本文中可以做出各种改变、替换和更改而不脱离如由所附权利要求所限定的本发明的精神和范围。而且，本申请的范围不意图限制于说明书中所描述的过程、机器、制品、物质组成、手段、方法和步骤的特定实施例。如本领域普通技术人员从本发明的公开内容将容易领会的，根据本发明，可以利用目前现有的或以后开发的、与本文所描述的对应实施例执行基本上相同功能或实现基本上相同结果的过程、机器、制品、物质组成、手段、方法或步骤。因此，所附权利要求意图在其范围内包括这样的过程、机器、制品、物质组成、手段、方法或步骤。

Claims (19)

1.一种利用双射束系统通过切片与查看处理来处理样品的方法，包括：

在用于查看和成像的样品中定位感兴趣的区域；

通过去除材料以产生沟槽来暴露样品中的面；

通过去除材料以在感兴趣的区域的每一侧上形成侧沟槽来隔离感兴趣的区域；以及

产生用于收集由切片与查看处理产生的粒子而不使样品面模糊的位置。

2.权利要求1的方法，其中用于收集粒子的所述位置形成为在感兴趣的区域以下延伸的底部切口。

3.权利要求1的方法，其中用于收集粒子的所述位置形成为位于感兴趣的区域前方的底部切口。

4.权利要求1-3中任一个的方法，其中样品的所述面基本上垂直于样品的顶表面。

5.权利要求1-3中任一个的方法，其中样品的所述面相对于样品的顶表面成角。

6.权利要求1-3中任一个的方法，其中感兴趣的区域具有一深度，并且用于收集粒子的所述位置延伸至少感兴趣的区域的所述深度。

7.一种利用双射束系统通过切片与查看处理来处理样品的方法，包括：

朝向衬底引导离子束以在衬底中研磨沟槽，所述沟槽暴露具有围绕要观察的特征的感兴趣的区域的壁；以及

朝向衬底引导离子束以研磨用于收集由切片与查看处理产生的粒子而不使感兴趣的区域模糊的位置。

8.权利要求7的方法，其中用于收集粒子的所述位置形成为在感兴趣的区域以下延伸的底部切口。

9.权利要求7的方法，其中用于收集粒子的所述位置形成为位于感兴趣的区域前方的底部切口。

10.权利要求7-9中任一个的方法，其中所述壁基本上垂直于样品的顶表面。

11.权利要求7-9中任一个的方法，其中所述壁相对于样品的顶表面成角。

12.一种利用双射束系统通过切片与查看处理来处理样品的方法，包括：

朝向衬底引导离子束以在衬底中形成沟槽，所述沟槽暴露要观察的样品的感兴趣的区域中的面；

朝向衬底引导离子束以形成低于所述沟槽延伸的底部切口；

朝向所述面引导电子束以形成所述面的图像；以及

引导离子束以通过从感兴趣的区域顺序地去除多个切片从而显露用于通过电子束查看的每一个新切片的新面来执行研磨操作；其中由研磨操作产生的粒子被沉积和收集在所述底部切口内而不使用于通过电子束查看的所述面模糊。

13.权利要求12的方法，其中所述面基本上垂直于样品的顶表面。

14.权利要求12或13的方法，其中所述底部切口在样品的所述面下方延伸。

15.权利要求12的方法，其中壁相对于样品的顶表面成角。

16.权利要求15的方法，其中所述底部切口在所述面的前方延伸。

17.一种带电粒子束系统，包括：

带电粒子的源；

用于将带电粒子聚焦到工件上的聚焦镜筒；

计算机存储器，存储用于操作带电粒子束系统的计算机指令；以及

用于依照计算机指令控制带电粒子束系统的控制器；

其中计算机存储器存储用于执行权利要求1-3，7-9，12，13或16中的任一个的方法的指令。

18.权利要求17的带电粒子束系统，其中带电粒子的源是液体金属离子源或等离子体离子源。

19.权利要求18的带电粒子束系统，还包括电子的源和电子聚焦镜筒。