JP2002229185A - フォトマスクの修正方法 - Google Patents

フォトマスクの修正方法

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JP2002229185A JP2001028553A JP2001028553A JP2002229185A JP 2002229185 A JP2002229185 A JP 2002229185A JP 2001028553 A JP2001028553 A JP 2001028553A JP 2001028553 A JP2001028553 A JP 2001028553A JP 2002229185 A JP2002229185 A JP 2002229185A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 位相シフトマスクを用いた場合に適正な転写
像を得ることが可能なフォトマスクの修正方法を提供す
る。 【解決手段】 基板上に形成されたパターン１２の一部
を除去して開口部１３を形成する工程と、開口部を含む
領域１４にイオンビームを照射し、開口部から放出され
た２次荷電粒子を検出することで、開口部の位置を認識
する工程と、認識された開口部の位置と、パターンの修
正箇所の位置との相対的な位置関係に基づき、修正箇所
にイオンビームを照射して修正箇所の欠陥を修正する工
程とを有するフォトマスクの修正方法であって、フォト
マスクは位相シフトマスクであり、基板の上面に対して
垂直な方向から見た開口部の平面的なパターンを長方形
状パターンにするとともに、基板上に形成された位相シ
フト用パターンの長手方向と長方形状パターンの長手方
向とが平行になるように開口部を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路等
の製造に用いるフォトマスクの修正方法、特にフォトマ
スクの欠陥箇所に集束イオンビーム（ＦＩＢ）を照射し
て欠陥の修復を行うフォトマスクの修正方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】集束イオンビームを用いたフォトマスク
の欠陥修正では、チャージアップ等によるイメージのド
リフトや、マスク或いはマスクホルダー等の熱膨張によ
るドリフトをトータルに補正するために、ワンポイント
ドリフト補正が用いられている。このワンポイントドリ
フト補正では、フォトマスクのパターン内にピンホール
を形成し、このピンホールを参照点として修正箇所にビ
ームを移動させることで、修正精度を高めている。以
下、ワンポイントドリフト補正の具体的な例について、
図６〜図８を参照して簡単に説明する。
【０００３】まず、フォトマスク用の基板１１上に形成
されたパターン１２の一部に集束イオンビーム２２ａを
照射して、参照点となるピンホール１３を形成する。続
いて、このピンホール１３を含むスキャン領域１４にイ
オンビーム源２１からイオンビーム２２ｂを照射し、ピ
ンホール１３が形成された箇所から放出される２次イオ
ン（２次荷電粒子）２３を検出器２４で検出すること
で、参照点を認識する。さらに、検出されたピンホール
１３の位置すなわち参照点の位置と、予め認識されてい
る修正箇所との相対的な位置関係を算出し、再びピンホ
ール１３の位置を確認した後、修正箇所にイオンビーム
を照射して欠陥の修復を行う。以後、参照点確認のため
のイオンビーム照射と欠陥修正のためのイオンビーム照
射とを複数回交互に行い、欠陥修正を完了させる。この
ようにして、欠陥修正処理の直前に参照点を確認するこ
とにより、ドリフトの影響を最小限にとどめることが可
能である。
【０００４】上述したようなワンポイントドリフト補正
を用いて欠陥修正を行う場合、従来は参照点となるピン
ホールの平面的なパターン形状は理想的には円形がよい
とされていた（例えば、特公平５−４６６０号公報）。
このような観点から従来は、縦方向及び横方向で等ドッ
ト数（例えば４×４ドット）となるように正方形状にイ
オンビームを照射してピンホールを形成していた。
【０００５】しかしながら、フォトマスクとして位相シ
フトマスクを用いる場合、ピンホールが形成された箇所
では適切な位相シフト作用（位相効果）を得ることがで
きないため、パターンに対して相対的にピンホールが大
きくなると転写像に悪影響を与える領域が広くなってし
まう。また、ピンホールが大きいと参照点となるピンホ
ールを検出のためのスキャン領域を広くしなければなら
ないため、ビームスキャンによるパターンへのダメージ
が広い領域に及ぶこととなり、パターンが小さくなって
くると転写像のライン寸法が減少するといった問題が生
じてくる。さらに、ピンホール跡の修正を行う場合に
も、修正用に堆積するカーボン膜は位相シフト作用を持
たないため、パターンが小さくなってくると転写像に悪
影響を与える領域が広くなってしまう。
【０００６】また、図８に示すように、検出器２４は一
般的にピンホール１３の斜め上方に配置されるが、ピン
ホールのパターンが正方形状であると、以下のような問
題が生じる。ピンホール１３から生じる２次イオン２３
は、検出器２４がピンホール１３の斜め上方に配置され
ていることから、検出器２４側の側壁（図８の向かって
左側の側壁）によってある程度遮られると考えられる。
そのため、図８に示したピンホール１３のＸ方向の長さ
をある程度長くする必要性があるが、このときピンホー
ル１３が正方形状パターンであると、ピンホール１３の
Ｙ方向の長さもＸ方向の長さと同等になる。Ｘ方向につ
いては、ピンホール１３の向かって左側の側壁によって
２次イオンの検出器２４への到達が制限されると考えら
れるため、２次イオンの収率がピンホール１３の向かっ
て右側の領域に偏り、一定の位置精度は得られるが、Ｙ
方向についてはそのような状況は起こり難いため、Ｙ方
向におけるピンホールの位置精度（認識精度）を大きく
取ることが困難になる。実際、図９に示すように、ピン
ホールに対応する２次イオン像３１はＹ方向に縦長なイ
メージとなる。
【０００７】また、上述したように、従来は検出器２４
側の側壁によって多くの２次イオンが遮られることか
ら、ピンホール底部すなわち基板の露出面からの２次イ
オンを効率よく検出器に到達させることができないとい
う問題もあった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】このように、ワンポイ
ントドリフト補正を用いた従来のフォトマスクの修正方
法では、フォトマスクとして位相シフトマスクを用いた
場合に位相シフト作用（位相効果）が得られない領域が
大きくなって適正な転写像が得られないといった問題、
参照用のピンホール（開口部）の位置精度（認識精度）
を大きく取れないといった問題、ピンホールからの２次
イオン（２次荷電粒子）を効率よく検出器に入射させる
ことができないといった問題があった。
【０００９】本発明は上記従来の課題に対してなされた
ものあり、フォトマスクとして位相シフトマスクを用い
た場合に適正な転写像を得ることが可能なフォトマスク
の修正方法を提供することを第１の目的、参照用の開口
部の認識精度を向上させることが可能なフォトマスクの
修正方法を提供することを第２の目的、参照用の開口部
からの２次荷電粒子を効率よく検出器に入射させること
が可能なフォトマスクの修正方法を提供することを第３
の目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明に係るフォトマス
クの修正方法は、フォトマスク用の基板上に形成された
パターンの一部を除去して参照用の開口部を形成する工
程と、前記開口部を含む領域にイオンビーム源からイオ
ンビームを照射し、前記開口部から放出された２次荷電
粒子を検出器によって検出することで、前記開口部の位
置を認識する工程と、前記２次荷電粒子を検出すること
で認識された前記開口部の位置と、前記基板上に形成さ
れたパターンの修正箇所の位置との相対的な位置関係に
基づき、前記イオンビーム源から前記修正箇所にイオン
ビームを照射して前記修正箇所の欠陥を修正する工程
と、を有するフォトマスクの修正方法であって、前記フ
ォトマスクは位相シフトマスクであり、前記基板の上面
に対して垂直な方向から見た前記開口部の平面的なパタ
ーンを長方形状パターンにするとともに、前記基板上に
形成された位相シフト用パターンの長手方向と前記長方
形状パターンの長手方向とが平行になるように前記開口
部を形成することを特徴とする。
【００１１】本発明によれば、位相シフト用パターンの
長手方向と開口部の長方形状パターンの長手方向とが平
行であることから、長方形状パターンの短辺の幅が狭く
なっている。すなわち、位相シフト作用（位相効果）に
よって露光時（パターン転写時）に光強度分布が生じる
方向で、長方形状パターンの幅が狭くなっている。した
がって、位相効果を減少させる領域を小さくすることが
でき、参照用の開口部が転写像に与える悪影響を低減す
ることができる。また、長方形状パターンの幅が狭いこ
とから、開口部検出時におけるイオンビームの照射領域
を狭くすることができ、パターンに与えるダメージを低
減することができる他、開口部の修復によって生じ得る
位相効果への悪影響を低減することができる。このよう
に本発明では、参照用の開口部を形成したことの影響を
最小限に抑えて、効果的にワンポイントドリフト補正を
行うことが可能となる。
【００１２】本発明に係るフォトマスクの修正方法は、
フォトマスク用の基板上に形成されたパターンの一部を
除去して参照用の開口部を形成する工程と、前記開口部
を含む領域にイオンビーム源からイオンビームを照射
し、前記開口部から放出された２次荷電粒子を検出器に
よって検出することで、前記開口部の位置を認識する工
程と、前記２次荷電粒子を検出することで認識された前
記開口部の位置と、前記基板上に形成されたパターンの
修正箇所の位置との相対的な位置関係に基づき、前記イ
オンビーム源から前記修正箇所にイオンビームを照射し
て前記修正箇所の欠陥を修正する工程と、を有するフォ
トマスクの修正方法であって、前記検出器の入射部は前
記開口部の斜め上方に位置しており、前記基板の上面に
対して垂直な方向から見た前記開口部の平面的なパター
ンを長方形状パターンにするとともに、前記入射部と前
記開口部とを結ぶ直線を前記基板の上面に投影した線分
と前記長方形状パターンの長手方向とが平行になるよう
にすることを特徴とする。
【００１３】本発明では、２次荷電粒子を検出する検出
器の入射部と参照用の開口部とを結ぶ直線を基板上面に
投影した線分の方向（Ｘ方向とする）と、開口部の長方
形状パターンの長手方向とが平行になるようにしてい
る。すなわち、長方形状パターンの寸法が、Ｘ方向にお
いては相対的に長く、Ｘ方向と直交するＹ方向において
は相対的に短い。したがって、Ｘ方向においては従来と
同様、検出器に入射する２次荷電粒子をある程度以上確
保する、すなわちある程度以上の検出強度を得ることが
可能であるとともに、位置検出精度もある程度確保する
ことが可能であり、Ｙ方向においては、パターンの寸法
の短縮化によって従来よりも位置検出精度を高めること
が可能である。このように本発明では、検出器への２次
荷電粒子の入射量を確保しつつ、開口部の位置検出精度
を向上させることができる。
【００１４】なお、本発明は、位相シフトマスクに限ら
ず、位相シフト作用を用いない通常のマスク（いわゆる
バイナリマスク、代表的にはクロムマスク）についても
同様に適用可能である。
【００１５】本発明に係るフォトマスクの修正方法は、
フォトマスク用の基板上に形成されたパターンの一部を
除去して参照用の開口部を形成する工程と、前記開口部
を含む領域にイオンビーム源からイオンビームを照射
し、前記開口部から放出された２次荷電粒子を検出器に
よって検出することで、前記開口部の位置を認識する工
程と、前記２次荷電粒子を検出することで認識された前
記開口部の位置と、前記基板上に形成されたパターンの
修正箇所の位置との相対的な位置関係に基づき、前記イ
オンビーム源から前記修正箇所にイオンビームを照射し
て前記修正箇所の欠陥を修正する工程と、を有するフォ
トマスクの修正方法であって、前記検出器の入射部は前
記開口部の斜め上方に位置しており、前記開口部は前記
入射部が位置する側の第１の側壁部と第１の側壁部に対
向する第２の側壁部とを有し、前記第１の側壁部が下端
から上端に向かって連続的又は段階的に後退するととも
に、前記第１の側壁部の下端と上端を結ぶ平面と前記基
板の上面のなす角度が前記第２の側壁部の下端と上端を
結ぶ平面と前記基板の上面のなす角度よりも小さくなる
ように前記開口部を形成することを特徴とする。
【００１６】本発明では、開口部の検出器側の側壁が連
続的又は段階的に傾斜し、その平均的な傾斜が緩くなっ
ているため、検出器側の側壁によって遮られる２次荷電
粒子の割合を低減させることが可能である。したがっ
て、開口部の底部すなわち基板の露出部を小さくしても
２次荷電粒子を効率よく検出器に入射させることが可能
となる。
【００１７】なお、本発明も位相シフトマスクに限ら
ず、位相シフト作用を用いない通常のマスク（いわゆる
バイナリマスク、代表的にはクロムマスク）についても
同様に適用可能である。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態に係るワ
ンポイントドリフト補正を用いたフォトマスクの修正方
法を図面を参照して説明する。
【００１９】図１はフォトマスクの一例を示した平面
図、図２は図１に示したピンホール（開口部）の近傍を
示した平面図、図３は図１に示したピンホールの形成方
法を示した断面図（図２のＸ方向の断面図）、図４は図
１に示したピンホールの検出方法を示した図である。
【００２０】まず、フォトマスクとして、ハーフトーン
位相シフトマスク或いはエンベディッド位相シフトマス
ク等の位相シフトマスクを用意し、修正装置内にセット
する。この位相シフトマスクは、クオーツ基板１１上に
ＭｏＳｉ膜からなる位相シフト用パターン１２（位相効
果を生じさせるためのパターン）が形成されたものであ
る。
【００２１】フォトマスクをセットした後、イオンビー
ム源の出射部から集束イオンビームを基板１１上に照射
し、パターン１２の内側に参照点となるピンホール１３
を形成する。
【００２２】このとき、図２に示すように、ピンホール
１３の平面的なパターンが実質的にほぼ長方形状パター
ンとなり、かつ位相シフト用パターン１２の長手方向
（Ｘ方向）とピンホール１３のパターンの長手方向とが
実質的にほぼ平行になるようにする。例えば、Ｘ方向に
４ドットでＹ方向に１ドットとなるように長方形状にイ
オンビームを照射する。
【００２３】また、ピンホール１３は、図３（ａ）及び
（ｂ）に示すように、２段階に分けて形成する。すなわ
ち、図３（ａ）に示すように、集束イオンビーム２２ａ
によってパターン１２形成用の膜を膜厚方向に半分程度
削り、その後、図３（ｂ）に示すように、ビームの照射
領域をＸ方向に狭め、ピンホール１３の紙面向かって右
側の領域を選択的に削り、基板１１の表面を露出させ
る。その結果、ピンホール１３の向かって左側の側壁部
は、側壁部の下端から上端に向かって段階的に後退した
形状となる。なお、図３に示した例では側壁部を２段階
に後退させるようにしたが、３段階以上でもよく、また
連続的に後退させるようにしてもよい。
【００２４】以上のようにしてピンホール１３を形成し
た後、ピンホール１３を含むスキャン領域１４（図２参
照）内にイオンビームを照射して、参照点となるピンホ
ールの位置を検出（認識）する。すなわち、図４に示す
ように、ピンホール１３の形成に用いたイオンビーム源
２１の出射部からイオンビーム２２ｂをピンホール１３
の底面すなわち基板１１の露出面に照射し、ピンホール
１３の底面から放出された２次イオン（２次シリコンイ
オン）２３を、ピンホール１３の斜め上方に配置された
検出器２４によって検出する。検出器２４の先端は筒状
となっており、この先端部すなわち２次イオン入射部と
ピンホール１３のビーム照射部とを結ぶ直線を基板１１
表面に投影した線分と、ピンホール１３の長方形状パタ
ーンの長手方向とが平行になるようにする。言い換える
と、そのような平行関係が得られるように、位相シフト
用パターン１２が形成された基板１１を装置内に予めセ
ットしておく。
【００２５】検出器２４によって得られた２次イオン像
３１は、図５に示すように点状のものであり、この２次
イオン像３１から求められるピンホール１３の位置と予
め求められている修正箇所１５の位置（図１参照）に基
づいて、ピンホール１３と修正箇所１５との相対的な位
置関係が図示しない制御装置内で算出される。例えば、
図１に示すように、ピンホール１３の位置をＲ（０，
０）として、修正箇所１５の位置Ｄ（ｘ，ｙ）が求めら
れる。
【００２６】次に、イオンビーム源２１から出射される
イオンビームの照射位置をピンホール１３の位置に戻し
た後、上述したようにして求められた位置関係に基づ
き、イオンビームの照射位置を修正箇所１５の位置に移
動させ、イオンビーム源２１から修正箇所１５にイオン
ビームを照射して、修正箇所１５の欠陥修正を行う。修
正箇所１５の欠陥が図１に示すようなパターン欠損であ
る場合には、欠損部分にイオンビームを照射しながらカ
ーボン膜等を堆積することで修正を行う。また、修正箇
所１５の欠陥がパターン剰余である場合には、剰余部分
にイオンビームを照射してエッチングを行うことで修正
を行う。
【００２７】以後、上述したピンホール１３の認識処理
と修正箇所１５の欠陥修正処理とを交互に必要回数行う
ことで、最終的に欠陥の修正が完了する。さらに、必要
に応じてピンホール１３の修復処理も行う。
【００２８】以上述べたように、本実施形態によれば、
長方形状のピンホールパターンの長手方向と位相シフト
用パターンの長手方向とが平行であるため、ピンホール
によって位相効果を減少させる領域を狭くすることがで
きる。そのため、位相シフト用パターンの寸法（線幅）
がある程度小さくなってもピンホール跡の修正が不要と
なり、またピンホール跡の修正を行う場合にも、修正用
に堆積するカーボン膜によって位相効果が悪影響を受け
る領域を最小限にとどめることができる。さらに、ピン
ホールの幅が狭くなるため、ピンホール検出の際のスキ
ャン領域も狭くなり、ビームスキャンによるパターンへ
のダメージを最小限にとどめることができる。
【００２９】また、本実施形態では、ピンホールの平面
パターンの寸法がＸ方向で相対的に長くＹ方向で相対的
に短いため、検出器への２次イオンの到達量をある程度
確保しつつ、ピンホールの位置検出精度を向上させるこ
とができる。すなわち、Ｘ方向については、従来と同様
にある程度の位置検出精度及び２次イオンの到達量が得
られ、Ｙ方向についてはピンホールの幅を狭くすること
で従来に比べて大幅に位置検出精度を向上させることが
できる。
【００３０】また、例えば図３及び図４に示すように、
ピンホール１３の検出器２４側の側壁に傾斜も持たせ
る、好ましく側壁の上端と下端を結ぶ平面の傾斜角が検
出器２４の先端とピンホール１３を結ぶ直線の傾斜角と
同等にすることで、２次イオンを効率よく検出器に到達
させることができる。そのため、ピンホール１３の底面
すなわち基板１１の露出面を小さくしても２次イオンの
収率低減を抑えることができるため、基板がダメージを
受ける領域を低減させることができる。
【００３１】以上、本発明の実施形態を説明したが、本
発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣
旨を逸脱しない範囲内において種々変形して実施するこ
とが可能である。さらに、上記実施形態には種々の段階
の発明が含まれており、開示された構成要件を適宜組み
合わせることによって種々の発明が抽出され得る。例え
ば、開示された構成要件からいくつかの構成要件が削除
されても、所定の効果が得られるものであれば発明とし
て抽出され得る。
【００３２】
【発明の効果】本発明によれば、フォトマスクとして位
相シフトマスクを用いた場合に、開口部の平面的なパタ
ーン形状及び該パターン形状と位相シフト用パターンと
の関係を最適化することで、参照用の開口部を形成した
ことの影響を最小限に抑えて、適正な転写像を得ること
が可能となる。
【００３３】また、本発明によれば、開口部の平面的な
パターン形状及び開口部と検出器の位置関係を最適化す
ることで、開口部の位置検出精度を向上させることがで
き、開口部の認識精度を向上させることが可能となる。
【００３４】また、本発明によれば、開口部の形状を最
適化することで、開口部からの２次荷電粒子を効率よく
検出器に入射させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係るフォトマスクの一例を
示した平面図。
【図２】図１に示したピンホールの近傍を示した平面
図。
【図３】図１に示したピンホールの形成方法を示した断
面図。
【図４】図１に示したピンホールの検出方法を示した
図。
【図５】本発明の実施形態に係る方法によって得られる
２次イオン像を示した図。
【図６】従来技術に係るフォトマスクにおけるピンホー
ルの近傍を示した平面図。
【図７】従来技術に係るピンホールの形成方法を示した
断面図。
【図８】従来技術に係るピンホールの検出方法を示した
図。
【図９】従来技術に係る方法によって得られる２次イオ
ン像を示した図。
【符号の説明】
１１…基板 １２…位相シフト用パターン １３…ピンホール １４…スキャン領域 １５…修正箇所 ２１…イオンビーム源 ２２ａ、２２ｂ…イオンビーム ２３…２次イオン ２４…検出器 ３１…２次イオン像

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】フォトマスク用の基板上に形成されたパタ
    ーンの一部を除去して参照用の開口部を形成する工程
    と、 前記開口部を含む領域にイオンビーム源からイオンビー
    ムを照射し、前記開口部から放出された２次荷電粒子を
    検出器によって検出することで、前記開口部の位置を認
    識する工程と、 前記２次荷電粒子を検出することで認識された前記開口
    部の位置と、前記基板上に形成されたパターンの修正箇
    所の位置との相対的な位置関係に基づき、前記イオンビ
    ーム源から前記修正箇所にイオンビームを照射して前記
    修正箇所の欠陥を修正する工程と、 を有するフォトマスクの修正方法であって、 前記フォトマスクは位相シフトマスクであり、前記基板
    の上面に対して垂直な方向から見た前記開口部の平面的
    なパターンを長方形状パターンにするとともに、前記基
    板上に形成された位相シフト用パターンの長手方向と前
    記長方形状パターンの長手方向とが平行になるように前
    記開口部を形成することを特徴とするフォトマスクの修
    正方法。
  2. 【請求項２】フォトマスク用の基板上に形成されたパタ
    ーンの一部を除去して参照用の開口部を形成する工程
    と、 前記開口部を含む領域にイオンビーム源からイオンビー
    ムを照射し、前記開口部から放出された２次荷電粒子を
    検出器によって検出することで、前記開口部の位置を認
    識する工程と、 前記２次荷電粒子を検出することで認識された前記開口
    部の位置と、前記基板上に形成されたパターンの修正箇
    所の位置との相対的な位置関係に基づき、前記イオンビ
    ーム源から前記修正箇所にイオンビームを照射して前記
    修正箇所の欠陥を修正する工程と、 を有するフォトマスクの修正方法であって、 前記検出器の入射部は前記開口部の斜め上方に位置して
    おり、前記基板の上面に対して垂直な方向から見た前記
    開口部の平面的なパターンを長方形状パターンにすると
    ともに、前記入射部と前記開口部とを結ぶ直線を前記基
    板の上面に投影した線分と前記長方形状パターンの長手
    方向とが平行になるようにすることを特徴とするフォト
    マスクの修正方法。
  3. 【請求項３】フォトマスク用の基板上に形成されたパタ
    ーンの一部を除去して参照用の開口部を形成する工程
    と、 前記開口部を含む領域にイオンビーム源からイオンビー
    ムを照射し、前記開口部から放出された２次荷電粒子を
    検出器によって検出することで、前記開口部の位置を認
    識する工程と、 前記２次荷電粒子を検出することで認識された前記開口
    部の位置と、前記基板上に形成されたパターンの修正箇
    所の位置との相対的な位置関係に基づき、前記イオンビ
    ーム源から前記修正箇所にイオンビームを照射して前記
    修正箇所の欠陥を修正する工程と、 を有するフォトマスクの修正方法であって、 前記検出器の入射部は前記開口部の斜め上方に位置して
    おり、前記開口部は前記入射部が位置する側の第１の側
    壁部と第１の側壁部に対向する第２の側壁部とを有し、
    前記第１の側壁部が下端から上端に向かって連続的又は
    段階的に後退するとともに、前記第１の側壁部の下端と
    上端を結ぶ平面と前記基板の上面のなす角度が前記第２
    の側壁部の下端と上端を結ぶ平面と前記基板の上面のな
    す角度よりも小さくなるように前記開口部を形成するこ
    とを特徴とするフォトマスクの修正方法。
  4. 【請求項４】前記検出器の入射部は前記開口部の斜め上
    方に位置しており、前記基板の上面に対して垂直な方向
    から見た前記開口部の平面的なパターンを長方形状パタ
    ーンにするとともに、前記入射部と前記開口部とを結ぶ
    直線を前記基板の上面に投影した線分と前記長方形状パ
    ターンの長手方向とが平行になるようにすることを特徴
    とする請求項１に記載のフォトマスクの修正方法。
  5. 【請求項５】前記検出器の入射部は前記開口部の斜め上
    方に位置しており、前記開口部は前記入射部が位置する
    側の第１の側壁部と第１の側壁部に対向する第２の側壁
    部とを有し、前記第１の側壁部が下端から上端に向かっ
    て連続的又は段階的に後退するとともに、前記第１の側
    壁部の下端と上端を結ぶ平面と前記基板の上面のなす角
    度が前記第２の側壁部の下端と上端を結ぶ平面と前記基
    板の上面のなす角度よりも小さくなるように前記開口部
    を形成することを特徴とする請求項１、２又は４のいず
    れかに記載のフォトマスクの修正方法。
  6. 【請求項６】前記参照用の開口部は、前記イオンビーム
    源から前記フォトマスク用の基板上に形成されたパター
    ンの一部にイオンビームを照射することで形成されるこ
    とを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載のフォ
    トマスクの修正方法。
  7. 【請求項７】前記開口部の位置を認識する工程と、前記
    修正箇所の欠陥を修正する工程とを、交互に複数回行う
    ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載のフ
    ォトマスクの修正方法。
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