KR950000091B1 - 위상 천이기가 있는 레티클과 그 제조방법 및 수정방법 - Google Patents

위상 천이기가 있는 레티클과 그 제조방법 및 수정방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음.

Description

위상 천이기가 있는 레티클과 그 제조방법 및 수정방법
제 1 도는 퇴적형(이하, 포지티브(positive)형이라고함) 위상 천이기(phase shifter)가 레티클(reticle) 기판상에 형성되는 종래의 위상 천이기가 있는 레티클의 횡단면도.
제 2 도는 홈형(이하, 네가티브(negative)형이라고함) 위상 천이기가 레티클 기판에 형성되는 종래의 위상 천이기가 있는 레티클의 횡단면도.
제 3 도는 본 발명의 위상 천이기가 있는 레티클을 제조하는데 사용된 접속이온빔(FIB)장치의 개략적인 단면도.
제 4a, b 도는 레티클 기판상에 형성된 위상 천이기 및 차폐층의 평면도로서, 제 4a 도는 올바른 패턴이 형성되는 경우를 도시한 도이고, 제 4b 도는 차폐층이 결합을 가진다는 것을 보인도.
제 5a, d 도는 제 4b 도와 같은 결함을 갖는 레디클을 순차적인 단계로 수정할 때의 위상 천이기가 있는 레티클의 횡단면도(제 1 실시예).
제 6a,b 도는 포지티브형 위상 천이기가 있는 레티클의 횡단면도로서, 제 6a 도에서는 결점을 갖는 레티클을, 제 6b 도에서는 수정된 레티클을 도시한 도(제 2 실시예).
제 7a,b 도는 본 발명에 따라 홈을 수정하는 방법을 설명하는 확대된 홈의 단면도.
제 8a 도는 네가티브형 위상 천이기가 있는 레티클의 횡단면도로서, 제 8a 도에서는 결함을 갖는 레티클을, 제 8b 도에서는 수정된 레티클을 도시한도(제 3 실시예).
제 9a, b 도는 위상 천이기가 기판상에 형성되며 차폐층이 그 위에 퇴적되는 포지티브형 위상 천이기가 있는 레티클의 횡단면도로서, 제 9a 도는 결함을 갖는 레티클을, 제 9b 도에서는 수정된 레티클을 도시한 도(제 4 실시예).
제 10 도는 위상 천이기의 포지티브 및 네가티브형이 모두 형성되고 차폐층이 사용되지 않는 포지티브 및 네가티브형 위상 천이기가 있는 레티클의 횡단면도(제 5 실시예).
본 발명은 포토리소그래피(photolithography)법으로 반도체 기판상에 미세한 패턴을 투사하는데 사용되는 레티클에 관한 것으로, 특히 위상 천이기가 있는 레티클과 제조방법 및 그 수정방법에 관한 것이다.
집적회로가 고집적화되는 추세에 따라, 포토리소그래피법으로 반도체 기판상에 형성된 패턴을 점점 더 미세하고 정확하게 하는 것이 요구된다. 위상 천이기를 갖는 레티클은 상기 사항들에 대한 해결방법 중의 하나이다.
약 1 내지 10의 배율로 확대된 패턴을 레티클에 형성하는 것과, 소위 스텝퍼(stepper)를 사용하는 스텝방법 및 반복방법으로 반도체 기판에 감소된 실상(real image)을 형성하여서 레티클 패턴을 투사하는 것은 공지되어 있다.
반도체 기판에 패턴을 구성하는 치수가 1μ이하정도로 감소될 때, 좁은 줄무늬 부분으로 분리되는 레티클 패턴의 2개의 인접한 투명부분을 통해 통과하는 2개의 광이 서로 간섭을 일으키게 되며, 정밀한 줄무늬 패턴이 반도체 기판에 형성되지 않은 문제가 발생한다.
2개의 인접한 광들 사이의 간섭문제를 해결하기 위해 위상 천이기 기술이 레티클 제조방법에 소개되었었다.
위상 천이기가 있는 전형적인 공지의 레티클 구조를 여기에서 설명한다. 제 1 도는 위상 천이기가 있는 공지의 레티클 구조의 횡단면도이다. 유리나 석영의 레티클 기판상에 보통 크롬(Cr)층 또는 크롬 화합물층을 사용하는 광차폐층 2(이하, 간단히 차폐층이라함)가 종래 방법으로 형성된다. 2개의 인접개구 30 및 31중에, 차폐층 2 및 2'사이의 하나의 개구 31이 포토리소그래피법으로 해상도를 개선하는 기능을 가진 위상천이층 3(이하, 위상 천이기라고함)으로 덮혀져 있다.
레티클의 밑면에 조사하여 거리 t를 통과하는 광 33 및 34는 위상 천이층의 존재(실제 경우에, 레티클이 스텝퍼에서 거꾸로 배열된다)에 기인하여 다른 위상 천이를 일으킨다. 위상 천이층의 두께가 적당하게 선택됐을 때, 레티클을 통해 투과된 두광이 서로 반대의 위상(180°위상 천이)을 갖도록 만들어 질 수 있다. 이로인해 양측으로부터 인접광의 효과가 상쇄되기 때문에 중간 Cr층 2'의 뚜렷한 화상패턴을 반도체 기판상에 형성한다.
제 2 도는 위상 천이기를 갖는 다른 공지의 레티클 구조의 횡단면도이다. 제 1 도에서와 같은 방법으로 광차폐층 2의 패턴을 유리기판 1에 형성한다. 그러나 이 경우에 위상 천이기 3'는 두 인접한 광 차폐층 2 및 2'사이에 있는 윈도우 31아래에 형성된 홈 또는 우물의 모양을 갖는다. 기판 1을 RIE(반응 이온에칭)와 같은 종래의 비등방성 에칭처리를 하여 홈을 형성하여서, 홈 형성 영역에 대한 기판표면만이 노출되고 다른 영역들은 레지스트층으로 덮혀져 있다. 위상 천이기 3'의 기능은 제 1 도의 위상 천이기 3과 거의 같다. 그러나, 이 경우에, 기판내에서 거리 d를 통과하는 광 33은 기판 물질이 없는 홈내에 동일한 거리 d를 통과하는 광 34와 180°의 위상차를 일으킨다.
위상 천이기를 갖는 레티클의 경우에, 미세하고 복잡한 패턴이 그 위에 형성된다. 레티클 제조 공정시에, 위상 천이기 3의 차폐층 2의 패턴에 결함이 형성되는 경우가 있다. 그러나, 다른 경우에, 위상 천이기를 갖는 레티클이 완결되더라도, 패턴의 작은 부분을 변경하고 변화시키는 것이 필요하다. 그러므로, 레티클 패턴이 수정되거나 변경될 수 있는지 유무는 중요한 문제이다.
위상 천이기를 형성하기 전에 그 패턴안에 차폐층 2가 누락(missing)부분이나 빈(void)부분, 또는 불필요한 여분부분을 포함하고 있다는 것이 발견되었을 때, 이들 결함 부분들은 집속 이온빔(이하, FIB라고함)장치를 사용하여 비교적 쉽게 수정된다.
위상 천이기 3이 형성되고 그 패턴내에 누락 부분이나 불필요한 여분부분을 포함될 때, 상기 FIB장치를 사용해서, 여분부분을 제거하여 레티클을 수정할 수 있다. 그러나, 결함이 위상 천이기 패턴내에서 누락 부분이라면, 레티클은 쉽게 수정될 수 없다.
여기에서, FIB장치의 개략도를 간단히 설명한다. 제 3 도는 FIB장치의 개략적인 단면도이다. 이온들이 이온총 6으로부터 방사되는데 보통 갈륨(Ga)이온이 사용된다. 방사된 이온은 콘덴서렌즈 7에 의해 집속되고 또 블랭킹(blanking)전극 8 및 블랭킹 개구 9에 의해 on-off제어된다. 대물렌즈 10 및 편향렌즈 11은 피처리물 14의 특정의 주사위치로 이온빔을 집속하여 주사하는 기능을 갖는다. 피처리물은 XY테이블 15에 의해 이동될 수 있다. 이온빔에 의해서 피처리물에 스퍼터-에칭(sputter-etch)을 행하는 것이 가능하고, 2차 이온 검출기 12는 피처리물을 검출할 수 있고 이온빔 위치를 확인하기 위해 사용된다. 가스가 가스주입총 13으로부터 주입될 때, 이온빔에 의해 가스가 분해되고 가스의 분해물을 피처리물 14의 표면에 퇴적하는 것이 가능하다.
차폐층 2 또는 위상 천이기 3의 불필요한 여분부분을 제거하기 위해서, 불필요한 부분들은 XY테이블을 이동하여 이온빔을 주사함으로써 상기 이온빔이 조사되게 한다. 그러나, 제 1 도의 위상 천이기 3이 누락부분을 가질 때 또는 제 2 도의 홈모양의 위상 천이기 3'가 제거해서는 안될 여분의 홈부분을 포함할 때는, 위상천이기 물질 또는 기판 물질을 퇴적시키고 위상 천이기의 빈 부분을 수정하는 과정이 매우 어렵다. 그것에 대한 이유는 위상 천이기 3의 두께나 위상 천이기 3'의 깊이가 FIB장치로 빈 부분을 메우기에 너무 깊기(수 1000Å) 때문이다. 위상 천이기에 일반적으로 쓰이는 물질인 이산화실리콘(SiO2)를 FIB장치에 의해 퇴적할지라도, 퇴적된 위상 천이기는 갈륨을 함유한다. SiO2를 함유하는 갈륨은 투명하지 않아서 위상 천이기로서의 역할을 하지 않는다.
그러므로 본 발명의 일반적인 목적은 적어도 2종류의 위상 천이기를 포함하는 레티클을 제공하는 것이다.
본 발명의 더 특수한 목적은 레티클 제조를 완료한 후에 작은 패턴변화의 요구를 쉽게 만족시킬 수 있는 위상 천이기를 갖는 레티클을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 어떠한 패턴의 결함의 수정요구를 쉽게 만족시킬 수 있는 위상 천이기를 갖는 레티클을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 위상 천이기를 갖는 상기 레티클을 제조하는 방법을 제공하는 것이며 또한 위상 천이기를 갖는 상기 레티클의 패턴을 수정하는 방법을 제공하는 것이다.
상술된 목적들은 투명기판; 투명기판을 통해 투과하는 광과 위상 천이기가 없는 다른 영역을 통해 투과하는 광사이에 위상차를 발생하여 기판상에 선택적으로 패턴화되어 퇴적하는 제 1 위상 천이기; 및 투명기판을 투과하는 광과 위상 천이기가 없는 다른 영역을 통해 투과하는 광과의 사이에 위상차를 발생하여 기판내에 선택적으로 패턴화되어 홈을 형성하는 제 2 위상 천이기를 포함하는 레티클의 발명에 의해 달성될 수 있다. 레티클은 광의 투과를 가로막는 패턴화된 차폐층을 더 포함할 수도 있으며, 제 1 및 제 2 위상 천이기의 위상차는 실제 광의 1/2파장과 같게 선택되는 경우가 많다.
본 발명의 레티클의 다른 형태는 투명기판; 제 1 홈을 통해 투과하는 광과 위상 천이기가 없는 다른 영역을 통해 투과하는 광사이의 위상차를 발생하여 기판내에 제 1 홈을 형성하고 선택적으로 패턴화되는 위상 천이기; 및 제 1 홈의 영역내에 형성되고 선택적으로 패턴화되고, 제 2 홈을 통해 투과하는 광과 제 1 홈을 통해 투과하는 광사이에 다른 위상차를 발생하여 제 2의 더깊은 홈을 형성하는 다른 위상 천이기를 포함한다.
홈형태의 위상 천이기를 갖는 본 발명의 레티클을 제조하는 방법은 집속이온빔 장치를 사용하여 실행될 수 있으며, 여기서 할로겐 함유 가스가 장치에 구비된 가스주입총을 통해 홈 형성영역에 주입되고 동시에 홈 형성영역은 장치의 이온빔 조사를 받는다.
이들 변경은 도면과 관련해서 본 발명의 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다.
[실시예 1]
본 발명의 제 1 실시예에 대하여 제 4a,b 도, 제 5a,d 도를 참조하여 설명한다.
제 4a 도는 직사각형 윤곽을 갖는 차폐층 2와 직사각형 개구 30의 올바른 패턴을 갖는 위상 천이기를 포함하는 레티클의 평면도이다. 종래의 포토리소그래피 기술에 의해 순차적으로 패턴화되고 600 내지 800Å의 두께를 갖는 Cr층을 퇴적하여 차폐층 2가 형성된다. 제 1 실시예는 포지티브형 위상 천이기 3을 사용하므로, 이산화실리콘(SiO2)층을 퇴적하여 위상 천이기 3을 형성한후에 SiO2층이 패턴화된다. 위상 천이기 3의 두께는 i-라인 광이 스텝퍼에서 사용될 때 약 300Å이다. 위상 천이기 3의 두께는 차폐층 2의 두께보다 휠씬 크다.
제 4b 도는 제 4a 도와 같은 위상 천이기를 갖는 레티클의 평면도이다. 그러나 이 경우에 차폐층 2는 결함이 있는 부분 2a 및 2b를 갖는다. 부분 2a는 여분의 돌출부분이고 부분 2b는 누락부분이며, 모두 정상적으로 직선의 주변으로부터 변형되어 있다. 도면에서 결함의 모양은 도식적이고 이들 결함은 위상 천이기 3의 차폐층 2상에 형성되지 않는 경우에 쉽게 수정될 수 있다.
위상 천이기 3의 형성후에, 여분부분 2a가 제거되고 누락부분 2b가 메꿔지도록 결함 부분들이 수정되어지는 것이 필요하다. 결함부분을 수정하는 방법은 제 5a,d 도와 참조하여 다음에 설명한다.
제 5a,d 도는 제 4b 도에서 선 A-A를 따라서 수정의 순차적인 단계를 보인 단면도들이다. 제 5a 도는 수정과정전의 초기 스테이지에서의 단면을 도시한 것으로서, 차폐층 2에서의 결함부분 2a 및 2b가 점선으로 나타내어진다. 우선 제 5b 도에 도시된 바와 같이, 차폐층의 부분 2b와 여분부분 2a에 놓여있는 위상 천이기 3의 부분이 개구 37을 형성하게 이전에 설명된 제 3 도의 FIB장치에 의해 스퍼터 및 에칭방법으로 제거된다. 그후 빈 부분 2b를 메꾸고 그위에 놓인 위상 천이기 부분과 차폐층 2에 인접하는 부분들은 개구 38을 형성하는 같은 장치를 사용하여 제거된다.
다음에, 제 3 도의 FIB장치에서 가스주입총 13을 통해 텅스텐-헥사카르보닐[W(CO)6]을 개구 38안으로 주입하여 텅스텐층 4가 제 5c 도에 도시된 바와 같이 퇴적된다.
그 다음에, 개구 37에서 레티클 기판 1의 노출된 표면이 FIB장치에 의해 스퍼터 및 에칭처리를 함으로써 제 5d 도에 도시된 깊이 d를 갖는 홈을 형성한다. 필요한 깊이 d는 다음식에 의해 주어진다.
(nd/i)-(d/i)=(1+2m/2), 또는 d=λ(1+2m)/2(n-1)‥‥‥‥‥‥‥(1)
여기서 n은 기판 물질의 굴절률이고, λ는 스텝퍼에서 사용된 광의 파장이고, m은 0, 1, 2, ‥‥등과 같은 정수이다.
상기 공식은 홈형 위상 천이기(네가티브형 위상 천이기)의 깊이에 대해 주어지나 비슷한 공식이 퇴적형 위상 천이기(포지티브형 위상 천이기)의 두께 t에 대해 주어져서, 깊이 d가 두께 t로 대치되고 굴절률 n이 퇴적된 위상 천이기의 물질에 대해 사용된다.
계산에 의해, 석영이나 유리 기판에 대한 깊이 d는 약 3900Å으로 주어지며, 포지티브형인 퇴적된 SiO2위상 천이기의 두께 t와 실제로 같다.
그러나, 본 발명의 위상 천이기의 두께 t 및 깊이 d가 공식에 의해 주어진 값으로만 제한되지는 않는다. 위상 천이기에 대한 두께 또는 깊이의 다른 값이 피처리물에 형성된 패턴을 개선하는데 충분한 효과를 갖는다.
[실시예 2]
다음, 본 발명의 제 2 실시예를 제 6a,b 도와 참조하여 설명한다. 제 6a 도는 포지티브형인 위상 천이기를 갖는 레티클의 단면도이고, 위상 천이기 3은 빈 부분 3a의 결함을 포함한다. 위상 천이기 3의 두께 t는 공식(1)을 사용하여 상기 변경된 계산에 의해 주어지고, 제 6a 도의 실시예에서는 SiO2층이 위상 천이기 3으로 사용되기 때문에 이 경우 두께 t는 약 3900Å이다.
요구된 두께가 너무 두껍고 퇴적된 층이 투명하지 않기 때문에, 결함부분 3a를 수정하기 위해서 FIB장치의 사용으로 SiO2층을 퇴적하는 것은 어렵다. 본 발명에 따라, 네가티브형 위상 천이기 3'를 의미하는 깊이 d를 갖는 홈을 제 6b 도에 도시한 바와 같이 레티클 기판 1에 형성하여 결함부분 3a가 수정된다. 깊이 d는 이전의 공식(1)에 의해 주어진다. 네가티브형 위상 천이기 3'가 FIB장치를 사용하는 스퍼터 및 에칭처리로 형성될 수 있다.
홈을 형성하는데 있어서, 홈의 밑면과 측벽이 가능한한 기판 표면과 나란히 수직이 되게하는 것이 바람직하다. 제 7a 도는 홈 부분 46만을 크게 나타낸 단면도이며, 혹은 예를들어 약 0.2 내지 0.4㎛의 폭과 약 0.39㎛의 깊이를 가지는 다소 뾰족한 트랜지(trench)형태를 보인다. Ga이온이 기판상의 영역을 형성하는 홈에 조사될 때, 석영이나 유리와 같은 기판 물질이 기판으로부터 스퍼터링되어 스퍼터링된 피처리물이 다시 제 7a 도에 도시된 바와 같이 홈 46의 측벽에 퇴적된다.
제 7b 도에 도시된 실시예에서, 사불화탄소 기체(CF4), 불화질소 기체(NF3), 불소기체(F2), 불화황 기체(SF6), 불화수소기체(HF) 및 염소기체(Cl2)의 그룹중에서 선택된 임의의 기체가 FIB장치의 가스 주입총 13으로부터 적절하게 주입된다. 그 때문에 피처리물은 물화실리콘(SiF4)과 같은 휘발성 실리콘 화합물에서 기판물질을 제거하는데 있다. 이 방법은 기판물질이 홈의 측벽에 퇴적되는 것을 막아준다.
[실시예 3]
본 발명의 제 3 실시예를 제 8a,b 도와 참조하여 설명한다. 제 8a 도는 위상 천이기를 갖는 레티클의 단면을 나타내고, 네가티브형 위상 천이기 3이 차폐층 2사이의 레티클 기판 1에 형성된다. 위상 천이기 3은 결함부분 3b를 가지는데, 올바른 위상 천이기 패턴을 형성하는 경우에 제거되서는 안된다.
기판물질(유리)을 빈 부분 3b에 퇴적하여 빈 부분을 메꾸는 과정이 그곳의 깊이 및 투명도가 커서 어렵기 때문에, 네가티브형 위상 천이기를 빈 부분 3b아래에 부가할 때 빈 부분이 퇴적된 물질로 메꾸어지는 것과 같은 효과를 갖는다. 결함부분의 깊이는 정상 위상 천이기의 깊이 d에 2배인 2d로 증가된다. 깊이 2d는 거리 2d를 통과하는 광이 완전한 1파장(360°위상 천이)의 위상 천이를 하는 것을 의미하므로, 위상 천이기가 빈 부분 3b에 형성된지 않는 것과 같은 특성을 나타낸다.
[실시예 4]
본 발명의 제 4 실시예는 제 9a, b 도와 참조하여 설명한다. 제 9a 도는 레티클 기판 1상에 포지티브형 위상 천이기 3을 형성하고 그 위에 Cr차폐층 2를 퇴적하는 레티클의 단면을 도시한 것이다. 위상 천이기 3은 차폐층 2의 쇼울더(shoulder) 부분 42를 가지는데, 하나의 쇼울더부분은 올바른 위상 천이기 패턴이 형성될 때 제거되서는 안되는 결함부분 3c를 갖는다.
SiO2와 같은 천이물질을 빈 부분 3c상에 퇴적하여 그 빈 부분을 메꾸는 처리는 퇴적된 층의 두께 및 투명도가 크기 때문에 어렵다. 그러므로, 포지티브형 위상 천이기 즉, 홈 40이 빈 부분 3c아래에 형성될 때 빈 부분이 퇴적된 위상 천이기로 수정되는 것과 같은 효과를 갖는다. 형성되어야 하는 홈의 깊이가 d이기 때문에, 거리 d의 홈을 통해 통과하는 광은 위상 천이기 3에 의해 발생되는 것과 같은 180°의 위상차를 받는다.
[실시예 5]
상술한 실시예들을 통해 모든 레티클들이 패턴화된 차폐층을 포함한다. 그러나, 본 발명의 레티클이 이들 형태에 제한되지 않고, 차폐층이 없는 레티클 구조에도 본 발명을 적용할 수 있다. 제 10 도는 위상 천이기가 있는 레티클의 단면도인데, 포지티브 및 네가티브형 위상천이기가 형성되고 차폐층은 사용하지 않는다.
포지티브형 위상 천이기 3이 레티클 기판 1에 형성되고 네가티브형 위상 천이기 3'는 포지티브형 위상 천이기 3의 양측에 형성된다.
본 발명은 본 발명의 정신이나 필수적인 특성으로부터 벗어나지 않는한 다른 특수한 형태에도 적용할 수 있다. 상술한 실시예들은 설명한 바와 같이 모든 점에서 고려되어야 하고 제한되지 않으며, 상술한 설명보다는 청구범위에 의해 지시되는 본 발명의 범위와, 청구범위와 동등한 범위에 속하는 모든 변화가 그 범위내에서 채택될 수 있다.

Claims (18)

  1. 레티클을 통하여 광을 조사하여 피처리물에 미세패턴을 형성하기 위한 포토리소그래피용 레티클에 있어서, 투명한 기판(1)과, 투광을 방지하는 물질로 구성되고 상기 기판(1)상에 선택적으로 패턴화되어 배치되는 차폐층(2)과, 상기 차폐층(2)에 인접하고 상기 기판(1)상에 선택적으로 패턴화되어 배치되는 제 1 위상 천이기(3)와, 상기 제 1 위상 천이기(3)은 상기 기판(1)과 상기 제 1 위상 천이기(3)를 모두 통과하는 광과 위상천이 없는 기판영역을 통과하는 광사이에 제 1 위상차를 일으키는데 충분한 두께(t)를 갖는 위상천이 물질로 구성되고, 상기 차폐층(2)에 인접하고 상기 기판(1)내에 홈(3',40)을 갖도록 상기 기판(1)에서 선택적으로 패턴화되는 제 2 위상 천이기 (3',40)를 포함하고, 상기 홈이 상기 홈과 나머지 기판 모두를 통과하는 광과 위상 천이기 없는 기판 영역을 통과하는 사이에 제 2 위상차를 일으키는데 충분한 깊이(d)를 가져, 상기 제 1 위상과 제 2 위상차가 실제 광의 1/2파장과 같은 레티클.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 위상 천이기(3)와 제 2 위상 천이기(3')가 상기 제 1 위상 천이기와 상기 제 2 위상 천이기 사이에 위치된 주변의 인접부를 공유하도록 나란히 배열된 레티클.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 차폐층(2)이 상기 기판(1)상에 직접 위치되며, 상기 제 1 위상 천이기(3)의 일부와 상기 제 2 위상 천이기(3')의 전부가 상기 차폐층이 없는 기판영역에 위치되는 레티클.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 차폐층(2)이 상기 제 1 위상 천이기(3)상에 위치되는 레티클.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 기판(1)이 석영과 유리중 하나인 레티클.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 차폐층(2)이 크롬으로 구성되는 레티클.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 위상 천이물질이 이산화실리콘(SiO2)인 레티클.
  8. 레티클을 통하여 광을 조사하여 피처리물에 미세패턴을 형성하는 포토리소그래피용 레티클에 있어서, 투명한 기판(1)과, 투광을 방지하는 물질로 구성되고 상기 기판(1)상에 선택적으로 패턴화되어 배치되는 차폐층(2)과, 상기 차폐층(2)에 인접하고 상기 기판(1)에 제 1 홈을 갖도록 상기 기판(1)에서 선택적으로 패턴화되는 제 1 위상 천이기(3)와, 상기 제 1 홈은 제 1 홈과 제 1 나머지 기판 모두를 통과하는 광과 위상 천이기없는 기판영역을 통과하는 광사이에 제 1 위상차를 일으키는데 충분한 깊이 (d)를 가지며, 상기 차폐층(2)에 인접하고 제 2 홈(36)을 갖도록 상기 제 1 홈내에 선택적으로 패턴화되는 제 2 위상천이기(36)를 포함하고 상기 제 2 홈은 제 2홈과 제 2 나머지 기판 모두를 통과하는 광과 제 1 홈과 제 1 나머지 기판을 통과하는 광사이에 제 2 위상차를 일으키는데 충분한 깊이(2d)를 가져, 상기 제 1 및 제 2 위상차가 실제 광의 1/2파장과 같은 레티클.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 기판(1)이 석영과 유리중 하나인 레티클.
  10. 제 8 항에 있어서, 상기 차폐층(2)이 크롬으로 구성되는 레티클.
  11. 레티클을 통하여 광을 조사하여 피처리물에 미세패턴을 형성하기 위한 포토리소그래피용 레티클에 있어서, 투명한 기판(1)과, 상기 기판(1)에 선택적으로 패턴화되어 배치되며, 상기 기판(1)과 제 1 위상 천이기(3)를 모두 통과하는 광과 위상 천이기 없는 기판영역을 통과하는 광사이에 제 1 위상차를 일으키는데 충분한 두께(t)를 갖는 위상천이 물질로 구성되는 제 1 위상 천이기(3), 및 상기 기판(1)내에 홈(3')을 갖도록 상기 기판(1)에서 선택적으로 패턴화되는 제 2 위상 천이기(3',40)를 포함하고, 상기 홈이 상기 홈과 나머지 기판 모두를 통과하는 광과 위상 천이기 없는 기판영역을 통과하는 광사이의 제 2 위상차를 일으키는데 충분한 깊이(d)를 가져, 상기 제 1 및 제 2 위상 천이기가 서로 인접하게 배열되고 실제 상기 광의 1/2파장이고 상기 제 1 위상 천이기(3)의 일부를 통과하는 광이 상기 제 2 위상 천이기(3')의 인접부를 통과하는 광과 간섭하여, 피처리물에 미세패턴상의 해상도를 향상시키는 레티클.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 기판(1)이 석영과 유리중 하나인 레티클.
  13. 제 11 항에 있어서, 상기 위상 천이 물질이 이산화실리콘(SiO2)인 레티클.
  14. 투명한 기판(1), 차폐층(2), 및 기판상에 형성된 제 1 위상 천이기(3)와 제 2 위상 천이기(3')로 구성되는 레티클의 제조방법에 있어서, 차폐층(2)과 제 1 위상 천이기(3)이 형성되어 선택적으로 패턴화되는 기판(1)을 제공하고, 상기 기판(1)을 가스주입총을 구비하는 집속이온빔 장치내에 배치하며, 제 2 위상 천이기를 형성하기 위한 영역에 이온빔을 조사하여, 제 1 위상 천이기(3), 차폐층(2) 및 기판(1)이 스퍼터에칭으로 제거되며, 상기 제 2 위상 천이기의 홈(3',40)이 형성되는 레티클의 제조방법.
  15. 제 14 항에 있어서, 이온빔의 조사단계시에 제 2 위상 천이기를 형성하기 위한 영역에 가스주입총(13)으로부터 할로겐 함유가스를 주입하는 단계를 더 포함하는 레티클의 제조방법.
  16. 제 15 항에 있어서, 상기 할로겐 함유가스가 사불화 탄소기체(CF4), 불화질소기체(NF3), 불소기체(F2), 불화황기체(SF6), 불화수소기체(HF), 및 염소기체(Cl2)의 군에서 선택되는 레티클의 제조방법.
  17. 제 14 항에 있어서, 상기 제 1 위상 천이기(3)가 상기 기판(1)과 상기 제 1 위상 천이기(3) 모두를 통과하는 광과 위상 천이기 없는 기판영역을 통과하는 광사이에 제 1 위상차를 일으키는 데 충분한 두께(t)를 갖는 위상 천이물질로 구성되고, 상기 제 2 위상 천이기의 홈(3',40)이 상기 홈과 나머지 기판 모두를 통과하는 광과 위상 천이기 없는 기판영역을 통과하는 광사이에서 제 2 위상차를 일으키는데 충분한 깊이(d)를 갖고, 상기 제 1 및 제 2 위상차가 실제 광의 1/2파장과 같은 레티클의 제조방법.
  18. 투명한 기판(1), 차폐층(2) 및 제 1 위상 천이기(3)으로 구성되고 차폐층과 제 1 위상 천이기 모두가 기판(1)상에 선택적으로 패턴화되어 배치되어 차폐층 또는 제 1 위상 천이기 중 어느 하나가 형성된 패턴에 결함부를 포함하는 레티클의 수정방법에 있어서, 상기 기판(1)을 가스주입총(13)을 구비하는 접속이온빔 장치내에 배치하며, 이온빔을 제 1 위상 천이기(3)와 차폐층(2)의 어느 한쪽의 패턴의 상기 결함부에 조사하여, 제 1 위상 천이기(3), 차폐층(2) 및 기판(1)의 일부가 스퍼터에칭으로 제거되며, 제 2 위상 천이기의 홈(3',40)이 기판에 형성되는 레티클의 수정방법.
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