JPH0588347A

JPH0588347A - レチクル及びその製造方法

Info

Publication number: JPH0588347A
Application number: JP14511491A
Authority: JP
Inventors: Kenji Nakagawa; 健二中川
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1990-06-20
Filing date: 1991-06-18
Publication date: 1993-04-09

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明は、位相シフトレチクルに関し、位相シ
フタの欠陥の修復が容易な位相シフトレチクルとその製
造方法を提供することを目的とする。【構成】光透過領域を、光の入射方向に略垂直な第１表
面を有する第１の透過領域と、第１表面に略平行かつ第
１表面とは高さが異なる第２表面を有する第２の透過領
域と、第１表面に略平行かつ第１および第２表面とは高
さが異なる第３表面を有する第３の透過領域とを具備す
るように形成し、そして、第１の透過領域を透過する第
１の光は、第２の透過領域を透過する第２の光とはその
位相を異にし、かつ、第３の透過領域を透過する第３の
光とは実質的に同一の位相となるように形成して構成す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、レチクルに係り、特に
位相シフト領域を有するレチクルとその製造方法に関す
るものである。

【０００２】半導体装置の高集積化の進行に伴い、半導
体装置を構成する素子の微細化がはかられ、最小部分の
寸法が０．５μｍ以下のものが試作されるにいたってい
る。かかる微細なパタ−ンを形成するために、フォトリ
ソグラフィ−の工程で、透明基板上に遮光膜パタ−ンを
形成したレチクルを用い、このレチクルのパタ−ンを基
板上に投影露光することが広くおこなわれている。

【０００３】パタ−ンの微細化に伴い、遮光膜の縁での
光の回折によって生ずる光の回り込みが解像度に与える
影響が無視できなくなってきた。そこで、光の干渉を利
用して基板上に微細なパタ−ンをより鮮明に投影すべ
く、レチクルの遮光膜パタ−ンに隣接する透過領域に透
明部材を被着形成するなどして、レチクルの透過領域を
透過する光に位相差を導入する位相シフタを設けること
が提案されている。

【０００４】

【従来の技術】図７（ａ）は、従来の位相シフトレチク
ルの一例を示す図で、図において、１は低膨張ガラスや
石英からなる透明基板、２はクロムもしくは酸化クロム
等からなる遮光膜、３は二酸化シリコンなどからなる位
相シフタ、２０および３０はそれぞれレチクルの透過領
域を透過する光を示している。

【０００５】さて、このレチクルに図に示したごとく、
光２０および３０がレチクルの下側から入射すると、位
相シフタ３のない部分を透過する光２０と位相シフタの
ある部分を透過する光３０との間には、光の波長λと位
相シフタ３を構成する材料の屈折率ｎおよび厚さｔで定
まる位相差が生ずる。例えば略１８０度（π）の位相差
をつけると、遮光膜パタ−ン２の両側のエッジでの光の
回折により本来遮光されるべきパタ−ンの内側に光がま
わりこんできても、その両側からきた光が互いに打ち消
し合うようになるので、遮光膜パタ−ン２の形状がより
鮮明に投影されることになる。

【０００６】図７（ｂ）は、従来の別の位相シフトレチ
クルを示す図である。この位相シフトレチクルが図７
（ａ）のそれと大きく異なるのは、位相シフタ３が透明
基板に一定の深さに堀りこんだ溝状凹部で形成されてい
る点である。この構成では、レチクルを透過する光２０
と光３０との間には、位相シフタの凹部の深さに等しい
厚さｄの透明基板の有無に相当する位相差がつくので、
この位相差を調整することにより、図７（ａ）の位相シ
フトレチクルと全く同様の効果を得ることができる。

【０００７】さて、かかる位相シフトレチクルを用いる
ことにより、微細なパタ−ンを鮮明に投影することがで
きるのであるが、このような位相シフトレチクルを構成
する遮光膜や位相シフタ自身にその欠落や逆に不要な部
分への形成などの欠陥があると当然のこととしてその欠
陥のあるパタ−ンが投影されてしまうので、レチクルを
製造する際に、かかる欠陥部を修復する必要がある。

【０００８】位相シフトレチクルの欠陥には種々のもの
があるが、主なものは、不要遮光膜の形成遮光膜の欠落不要シフタの形成シフタの欠落の４種の欠陥である。

【０００９】図８（ａ）は、図７（ａ）の構造の凸状の
シフタを有する位相シフトレチクルにおいて、遮光膜２
に接して不要遮光膜２ａが形成され、また、遮光膜２の
一部が欠落し欠落部２ｂが生じてできた欠陥を示す図で
ある。

【００１０】図８（ｂ）は、レチクルの光透過領域に不
要シフタ３ａが形成された例を示す図である。なお、位
相シフトレチクルが図７（ａ）のごとき凸状のシフタを
有する場合は、この不要シフタ３ａは透明基板上に透明
部材が付着するなどした凸状の欠陥となり、また、レチ
クルが図７（ｂ）のごとき凹状の位相シフタを有するも
のの場合は、基板の対応する部分が除去されて凹状の欠
陥が形成される。

【００１１】図８（ｃ）は、レチクルの凸状の位相シフ
タ３の一部が欠落してシフタ欠落部３ｂが形成された欠
陥の一例を示す図である。従来、レチクルの欠陥部分の
修復には、局部的なエッチングおよび局部的堆積が可能
ないわゆるFocused Ion Beam（ＦＩＢ）装置が広く用い
られている。ＦＩＢ装置の概略構成を図９に示す。なお
図において、装置を構成する真空排気可能な容器は省略
してある。イオン銃６から射出した例えばガリウム（Ｇ
ａ）イオン等のイオンをコンデンサレンズ７で収斂し、
このイオンビ−ムのオン・オフを制御するブランキング
電極８およびブランキングアパ−チャ９を通した後対物
レンズ１０と偏向レンズ１１とにより、ＸＹテ−ブル１
５上に載置した被処理物１４面上の所定の位置に、集束
したイオンビ−ムを照射するように構成されており、こ
のイオンビ−ムによって約０．１μｍ程度の精度で被処
理物１４を局部的にエッチングすることが可能である。

【００１２】二次イオン検出器１２は、イオンビ−ム照
射によって被処理物１４から発生する二次イオンを検出
するもので、二次イオンの変化からエッチングの終点を
決定したり、また、イオンビ−ムの走査と組み合わせて
被処理物１４のイオン照射面の二次イオン像が得られる
ようになっている。また、ガス銃１３は、必要に応じて
ＦＩＢ装置内にガスを導入するためのもので、ここから
例えばタングステン・ヘキサカルボニル（Ｗ（Ｃ
Ｏ）₆）等の堆積性ガスを導入しつつイオンビ−ムを照
射することにより、被処理物１４上にタングステン
（Ｗ）等の堆積物を選択的に被着形成できるようになっ
ている。

【００１３】さて、前記のレチクルの欠陥のうち、位相
シフタを形成する前に上記の不要遮光膜の形成や遮
光膜の欠落による欠陥が発見された場合は、上記のＦＩ
Ｂ装置を用いることにより、比較的容易に修復すること
ができる。

【００１４】即ち、形成された不要遮光膜２ａは、ＦＩ
Ｂ装置でイオンビ−ムを照射してスパッタエッチングす
ることにより容易にこれを除去することができ、また、
遮光膜の欠落部２ｂの修復は、例えば、ＦＩＢ装置にタ
ングステン・ヘキサカルボニル（Ｗ（ＣＯ）₆）等のガ
スを導入した状態でイオンビ−ムを照射して、前記欠落
部２ｂの部分に局部的にタングステン（Ｗ）等を堆積さ
せることにより、容易に行うことができる。

【００１５】また、図８（ｂ）に示すがごとき不要な部
分に被着形成された不要凸状シフタの除去も、上記のＦ
ＩＢ装置を用いイオンビ−ム照射してエッチングするこ
とにより容易に行うことができる。

【００１６】図８（ｃ）に示すような凸状シフタ３に欠
落部３ｂが生じた場合や、図７（ｂ）の構造のレチクル
の凹状シフタ３が不要な部分に形成されてしまった場合
は、これを修復するためにシフタ３もしくは透明基板１
とそれぞれ同じ透明材料を局部的に被着形成する必要が
ある。シフタ３または透明基板１が二酸化シリコン（Ｓ
ｉＯ₂）からなるｉ線ステッパ−用レチクルの場合、シ
フタ３の厚さまたは深さは約３９００Åであるが、局所
的にこれだけの厚さの二酸化シリコンを均一に被着形成
することは、ＦＩＢ装置をもってしても極めて困難であ
る。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】上記したごとく、従来
の位相シフトレチクルにおいては、位相シフタの欠陥の
修復が困難なため製造歩留りが極めて低いという問題点
があり、これが位相シフトレチクルを実用化する上での
大きなネックになっていた。

【００１８】本発明は、かかる従来の位相シフトレチク
ルの有する問題点を解消すべく創作されたもので、不要
遮光膜の形成、遮光膜の欠落および不要シフタの被着形
成による欠陥のみならず凸状シフタの欠落部や不要凹状
シフタの形成等のシフタの欠陥の修復をも容易に可能な
らしむる位相シフトレチクルとその製造方法を提供する
ことをその目的とする。

【００１９】

【課題を解決するための手段】本発明の第１のレチクル
は、透明基板上に形成された遮光膜によって画定されて
なる光透過領域を有し、該光透過領域は、光の入射方向
に略垂直な第１表面を有する第１の透過領域と、第１表
面に略平行かつ第１表面とは高さが異なる第２表面を有
する第２の透過領域と、第１表面に略平行かつ第１およ
び第２表面とは高さが異なる第３表面を有する第３の透
過領域を具備してなり、第１の透過領域を透過する第１
の光は、第２の透過領域を透過する第２の光とはその位
相を異にし、かつ、第３の透過領域を透過する第３の光
とは実質的に同一の位相となるように構成する。

【００２０】また、本発明の第２のレチクルは、上記第
１のレチクルの、第２の透過領域が第１の透過領域に対
して凸状に形成され、かつ、第３の透過領域が第１の透
過領域に対して凹状に形成されてなる構成を採用した。

【００２１】更に、本発明の第３のレチクルは、上記第
１のレチクルの、第２の透過領域と第３の透過領域とが
ともに第１の透過領域に対して凹状に形成されてなる構
成を採用した。

【００２２】そして、本発明にかかるレチクルを製造す
るに際し、その第１の製造方法は、透明基板上に遮光膜
を選択的に被着形成して、レチクルの光透過領域を画定
する工程と、光透過領域の透明基板上に透明膜を選択的
に被着形成して、光透過領域を構成する第１の透過領域
と第２の透過領域を形成する工程と、光透過領域の透明
基板を選択的に除去して、光透過領域を構成する第３の
透過領域を形成する工程とを含むように構成する。

【００２３】また、その第２の製造方法として、透明基
板上に透明膜を被着形成する工程と、該透明膜上に遮光
膜を選択的に被着形成して、レチクルの光透過領域を画
定する工程と、光透過領域内の該透明膜を選択的に除去
して、光透過領域を構成する第１の透過領域と第２の透
過領域を形成する工程と、光透過領域の透明基板を選択
的に除去して、光透過領域を構成する第３の透過領域を
形成する工程とを含む構成を採用した。

【００２４】更に、その第３の製造方法として、透明基
板上に遮光膜を選択的に被着形成して、レチクルの光透
過領域を画定する工程と、光透過領域の透明基板を選択
的に第１の深さに除去して、光透過領域を構成する第１
の透過領域と第２の透過領域を形成する工程と、光透過
領域の透明基板を選択的に第２の深さに除去して、光透
過領域を構成すする第３の透過領域を形成する工程とを
含む構成を採用した。

【００２５】加えて、上記の製造方法において、光透過
領域の透明基板を選択的に除去するに際し、透明基板を
構成する材料と反応して揮発性生成物を形成する元素を
含むガス雰囲気中で、該透明基板に荷電粒子を照射する
よう構成する。

【００２６】

【作用】図１（ａ）〜（ｂ）は、本発明の位相シフトレ
チクルの構成を示す図で、図において、１は透明基板、
２は遮光膜、３は位相シフタ、３′は第２の位相シフタ
を構成する凹部、５は第２の凹部である。

【００２７】本発明の位相シフトレチクルにおいては、
位相シフタ等の光透過領域の一部をその底面が光透過領
域の他の部分の表面より低くなるように透明基板に堀り
込んだ凹部で形成し、その凹部の深さを透過光に対し光
透過領域の他の部分と実質的に同一の位相差をもたせる
ようにしているので、その製造の過程で凸状位相シフタ
の欠落部を生じた場合でも、そのシフタの欠落部の透明
基板をＦＩＢ装置等を用いて上記光透過領域の一部を構
成する凹部と同じ深さまで堀り込むことにより、その欠
落部にシフタと同じ材質を均一な厚さに堆積させたのと
同一の効果が得られるので、容易に位相シフタの欠陥の
修復をすることができる。

【００２８】また、製造の過程で透明基板に不要シフタ
等にあたる凹部が形成された場合でも、その凹部の部分
の透明基板をＦＩＢ装置等を用いて、他の部分と実質的
に同一の位相差を生ずる深さにいたるまで更に堀り込む
ことにより、光に対してかかる凹部がなかったのと同一
の状態にすることができ、凹部を基板と同じ材質で埋め
たのと全く同一の効果が得られるので、容易にその欠陥
を修復することができる。

【００２９】さらに、ＦＩＢ装置等を用いて透明基板等
を選択的に除去して凹部を形成する際に、除去すべき透
明基板やシフタを構成する材料と反応して揮発性生成物
を形成するガスを用いるので、エッチング中にスパッタ
された部材が凹部の側面に再付着してその形状が劣化す
ることもないので、微細なパタ−ンを有するレチクルを
再現性よく形成することができる。

【００３０】

【実施例】

（第１実施例）透明基板上に透明膜を被着形成してなる
位相シフト領域を有する水銀のｉ線用レチクルで、凸状
位相シフタの欠落部を修複して、本発明の位相シフトレ
チクルを製造する例につき、図を参照しつつ以下に詳し
く説明する。

【００３１】図２（ａ）〜（ｂ）は、本発明の第１実施
例の位相シフトレチクルの製造工程説明図である。この
図において、１は透明基板、２は遮光膜、３は第１の位
相シフタ、３ａは第１の位相シフタの欠落部，3 ′は第
２の位相シフタである。第１工程（図２（ａ）参照）まず、両面鏡面研磨した透明石英もしくは低膨張ガラス
からなる透明基板１上に、クロム（Ｃｒ）もしくは酸化
クロム（Ｃｒ_xＯ_y）など遮光膜を形成すべき膜をを公
知のスパッタリング法などにより被着形成する。なお、
この膜の形成に先立って、位相シフタをパタ−ニングす
る際にエッチングストッパ−として働く窒化シリコン膜
等を被着形成しておくこともある。

【００３２】このあと、このＣｒ膜等の上に例えば電子
線レジスト膜を塗布形成しついで電子線露光装置により
所望のパタ−ンを描画し、現像して、レジストマスクを
形成する。しかる後、公知の反応性イオンエッチング
（ＲＩＥ）法を用いて、マスクに覆われていない部分の
Ｃｒ等を除去して、遮光膜２を形成する。

【００３３】ついで、公知の手法により、二酸化シリコ
ン膜を例えば厚さ約３９００Å被着形成する。この厚さ
は、ｉ線に対して１８０度すなわちπだけ位相をずらす
ように設定したものであるが、使用する光の波長とシフ
トさせる位相の量に応じて適宜設定すべきものであるこ
とは言うまでもない。

【００３４】その後、公知のフォトリソグラフィの手法
で位相シフタを形成すべき領域をおおうレジストマスク
を形成し、ＲＩＥ法などにより不要部分の二酸化シリコ
ン膜を除去して、第１の位相３シフタを形成する。ここ
までは、基本的には従来の位相シフタの製造方法と変わ
らない。

【００３５】さて、ここで第１の位相シフタに欠落部３
ｂがあったとする。先にも述べたように、この部分に二
酸化シリコン膜を選択的に形成して、二酸化シリコン膜
からなる一体化された位相シフタを形成することは、極
めて困難である。本実施例では、以下に述べるごとく、
第１の位相シフタの欠落部３ｂの透明基板を逆にエッチ
ング除去して第２の位相シフタ３′を形成することによ
り、この部分に二酸化シリコン膜を選択的に形成したの
と全く同一の効果を得ることができる。第２工程（図２（ｂ）参照）このために、第１の位相３シフタを形成した透明基板
を、図９に示すがごときＦＩＢ装置にセットし、ガス銃
１３から例えば三弗化窒素（ＮＦ₃）を吹きつけるよう
にした状態で、第１の位相シフタの欠落部３ｂに選択的
にＧａイオンを照射して、その部分の透明基板を選択的
に除去し、その側面が略垂直でかつその底面がシフタの
形成されてない部分の透明基板面および第１のシフタの
表面と略平行な平面をなすような凹部を形成し、第２の
位相シフタ３′を形成すると、図２（ｂ）に示すがごと
き位相シフトレチクルが完成する。

【００３６】この第２のシフタを構成する凹部の深さｄ
は、（ｎｄ／λ）−（ｄ／λ）＝（１＋２ｍ）／２・・・・・（１）又は、ｄ＝λ（１＋２ｍ）／２（ｎ−１）・・・・・（２）で与えられる。ここで、ｎは透明基板の屈折率、λはレ
チクルに入射する光の波長、ｍは０，１，２，・・・の
整数である。

【００３７】このようにすると、この第２の位相シフタ
３′を透過した光は第１の位相シフタ３を透過した光と
位相が同一になるため、光に対してあたかも欠落部３ｂ
がなかったのと同等になり、第１の位相シフタの欠落部
３ｂに第１のシフタと同じ材料である二酸化シリコン膜
を選択的に形成して、一体化された第１の位相シフタを
形成したのと全く同じ効果を得ることができる。

【００３８】ところで、第１の位相シフタ３と第２の位
相シフタ３′との間の側面が傾斜していたり、側面に遮
光性の堆積物が形成されていたりすると、この部分で光
が反射されたり吸収されたりして第１の位相シフタと第
２の位相シフタとが一体化された一つの位相シフタとし
て機能する上で不都合が生ずるので、第２の位相シフタ
を構成する凹部の側面、特にその第１の位相シフタの境
界をなす側面はできるだけ垂直（入射光に対しては平
行）であることが好ましい。

【００３９】本実施例では、この凹部を形成するにあた
り、三弗化窒素（ＮＦ₃）を導入した状態でＧａイオン
を照射することにより、基板を構成するシリコン（Ｓ
ｉ）を揮発性生成物であるＳｉＦ₄の形にしてエッチン
グ除去するようにしたので、その側面に付着物を生成す
ることなく垂直な側面を有する凹部を再現性良く形成す
ることが出来た。

【００４０】図３（ａ）〜（ｂ）は、本実施例における
凹部形成のエッチングの機構を説明する図である。エッ
チングにＧａイオンの照射だけによるスパッタエッチン
グを用いると、図３（ａ）に示したごとく、凹部の側面
にはスパッタされたＳｉＯ₂等の側面への再付着などに
より堆積物４０が形成される。

【００４１】一方、本実施例のごとくＮＦ₃を供給しつ
つＧａイオンの照射を行うと、図３（ｂ）のごとく、基
板を構成するＳｉはイオン照射によってＮＦ₃が分解し
て生じた弗素（Ｆ）と反応して揮発性生成物であるＳｉ
Ｆ₄として除去されるので、側面に堆積物が形成される
ことはない。この方法により、最小部分の幅が０．２μ
m 程度で深さが０．４μm 程度の微細な凹部をその側面
が略垂直でかつ底面が平坦になるように形成することが
できる。

【００４２】本実施例では、ＮＦ₃を用いたが、これに
かえて基板を構成する材料と反応して揮発性生成物を形
成する元素を含むガスを用いると同様の効果を得ること
ができる。かかるガスとしては、四弗化炭素（Ｃ
Ｆ₄）、六弗化イオウ（ＳＦ₆）、弗化水素（ＨＦ）、
弗素（Ｆ₂）、塩素（Ｃｌ₂）などを用いることができ
る。（第２実施例）透明基板上に透明膜を被着形成してなる
凸状位相シフト領域を有する水銀のｉ線用レチクルで、
凸状位相シフタ形成後に発見された遮光膜の欠陥を修複
して、本発明の位相シフトレチクルを製造する例につ
き、図４を参照しつつ以下に詳しく説明する。

【００４３】図４（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第２実施
例の位相シフトレチクルの製造工程説明図である。図に
おいて、図１〜２と同一もしくはそれに対応する部分に
は同一符号を付してある。

【００４４】第１工程（図４（ａ）参照）先にのべた第１実施例の第１工程と同一の工程で、石英
からなる透明基板１上にＣｒ膜からなる遮光膜２および
二酸化シリコン膜からなる凸状位相シフタ３を形成す
る。なお、図において２ａは不要部に形成された不要遮
光膜、２ｂは遮光膜の欠落部を示している。さて、凸状
位相シフタ３を形成後に発見されたかかる遮光膜の欠陥
部の修復は以下のごとく行う。第２工程（図４（ｂ）参照）基板をＦＩＢ装置内にセットし、第１の実施例の第２工
程と同一の条件でＧａイオンを照射して、不要遮光膜２
ａおよび遮光膜の欠落部２ｂの上に形成さた二酸化シリ
コン膜と不要遮光膜２ａを除去し、透明基板を露出させ
る。この段階で基板はちょうど第１実施例で位相シフタ
の欠落が生じた状態に相当する状態になっている。第３工程（図４（ｃ）参照）ついで、ＦＩＢ装置にＮＦ₃にかえてタングステン・ヘ
キサカルボニル（Ｗ（ＣＯ）₆）等のガスを導入し、こ
の状態で遮光膜の欠落部２ｂの部分にＧａイオンビ−ム
を照射して、前記欠落部２ｂの部分と隣接する遮光膜上
に局部的にタングステン（Ｗ）膜４を５００〜６００Å
堆積させる。第４工程（図４（ｄ）参照）さて、不要遮光膜２ａを除去した部分は、この除去の過
程で本来そこにあるべき位相シフタをも除去されてい
る。この部分の修復は、位相シフタの欠落部がある場合
と全く同様のやり方で行う。即ち、第１実施例と全く同
じやり方でＦＩＢ装置を用いて透明基板１をエッチング
除去し凹部からなる第２の位相シフタ３′を形成する
と、図４（ｄ）のごとき本発明の位相シフトレチクルが
完成する。

【００４５】なお、この実施例では、遮光膜の欠落部分
の修復を先に行っているが、上記第３工程と第４工程と
を入替えても良い。こうすると、凸状位相シフタ３およ
ひ不要遮光膜２ａの除去と第２の位相シフタ３′の形成
のエッチングを連続して行うことができ、ＦＩＢ装置に
供給するガスの切替えを少なくすることができるので、
スル−プットがより向上する。（第３実施例）透明基板上に形成した遮光膜パタ−ン２
の間に基板に堀り込むように形成された凹状位相シフタ
３を有する水銀のｉ線用レチクルで、不要凹状位相シフ
タ部を修複して、本発明の位相シフトレチクルを製造す
る例につき、図を参照しつつ以下に詳しく説明する。

【００４６】図５（ａ）〜（ｂ）は、本発明の第３実施
例の位相シフトレチクルの製造工程説明図である。図に
おいて、図１〜３と同一もしくはそれに対応する部分に
は同一符号を付してある。第１工程（図５（ａ）参照）第１および第２実施例と同様にして、石英からなる透明
基板１上にＣｒ膜からなる遮光膜２を形成した後、公知
のフォトリソグラフィの手法により位相シフタを形成す
べき部分に開口部を有するレジストなどからなるマスク
を形成し、ついで公知のＲＩＥ法により、深さ（ｄ）約
３９００Åエッチングし、ついで不要マスクを除去して
凹状位相シフタ３を形成する。この深さは、水銀ランプ
のｉ線に対して１８０度（π）の位相差を生ずるように
設定した。なお、図中３ａは不要部分に形成されてしま
った不要凹状シフタである。第２工程（図５（ｂ）参照）さて、この不要凹状シフタ部分を基板とおなじ二酸化シ
リコンで埋めもどして修復するのは困難である。この不
要凹状シフタ部分は本来あるべき透明基板部分の欠落部
に他ならないので、第１実施例で凸状位相シフタの欠落
部の修復のやり方で容易にその修復をすることができ
る。

【００４７】即ち、ＦＩＢ装置を用い第１実施例のエッ
チング条件と全く同じ条件で不要凹状シフタ部分を更に
ｄ即ち３９００Å選択的に堀りこんで、基板表面から２
ｄ約７８００Åの深さの第２の凹部５を形成する。

【００４８】このようにすると、この第２の凹部５を透
過した光は位相シフタが形成されてない部分の透明基板
１を透過した光に対して３６０度（２π）位相がずれて
実質的にその位相が同一になるため、不要凹状シフタ３
ａがなかったのと同等になり、不要凹状シフタ３ｂに基
板と同じ材料である二酸化シリコン膜を選択的に形成し
て埋めもどしたのと全く同じ効果を得ることができる。（第４実施例）透明基板上に透明膜を被着形成してなる
凸状位相シフト領域とこの透明膜上に形成した遮光膜２
とを有する水銀のｉ線用レチクルで、凸状位相シフタの
欠落部を修複して、本発明の位相シフトレチクルを製造
する例につき、図を参照しつつ以下に詳しく説明する。

【００４９】図６（ａ）〜（ｂ）は、本発明の第４実施
例の位相シフトレチクルの製造工程説明図である。図に
おいて、図１〜３と同一もしくはそれに対応する部分に
は同一符号を付してある。第１工程（図６（ａ）参照）石英からなる透明基板１上に、公知の手法により位相シ
フタとなるべき二酸化シリコン膜を約３９００Åの厚さ
堆積する。なおこれに先立ってこの二酸化シリコン膜を
エッチングする際にエッチングストッパ−となる窒化シ
リコンなどの膜を基板面の全面に被着形成しておいても
よい。

【００５０】この二酸化シリコン膜の上に、前記の実施
例と同様にしてＣｒなどからなる遮光膜２を形成した
後、公知のフォトリソグラフィの手法により位相シフタ
を形成すべき部分を覆うレジストなどからなるマスクを
形成し、ついで公知のＲＩＥ法により、二酸化シリコン
膜を下地の基板が露出するまで除去し、ついで不要マス
クを除去して凸状位相シフタ３を形成する。なお、図中
３ｂは凸状位相シフタの欠落部分を示している。第２工程（図６（ｂ）参照）さて、この凸状位相シフタの欠落部に位相シフタとおな
じ二酸化シリコンを均一な厚さに選択的に被着形成して
修復するのは困難であるが、第１実施例と全く同じ手法
で修復することができる。

【００５１】即ち、凸状位相シフタの欠落部３ｂの部分
の基板を、ＦＩＢ装置を用い第１実施例のエッチング条
件と全く同じ条件で（１）もしくは（２）式で与えられ
る深さｄだけエッチングして、凹状の第２の位相シフタ
３′を形成する。こうすると第１実施例の場合と全く同
様に、光に対し位相シフタに欠落部３ｂがなかったのと
同一の効果を与えることができる。

【００５２】

【発明の効果】本発明の位相シフトレチクルは、その製
造の過程で位相シフタの欠落部や不要シフタの形成等の
シフタの欠陥を生じた場合でも、ＦＩＢ装置等を用い
て、容易に位相シフタの欠陥の修復をすることができる
ので、その製造歩留りが著しく向上する。

【００５３】また、ＦＩＢ装置等を用いて透明基板等を
選択的に除去して凹部を形成する際に、エッチング中に
スパッタされた部材が凹部の側面に再付着してその形状
が劣化することもないので、微細なパタ−ンを有する位
相シフトレチクルを再現性よく形成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）〜（ｂ）は、本発明の位相シフトレチク
ルの断面構成図である。

【図２】（ａ）〜（ｂ）は、本発明の第１実施例の位相
シフトレチクルの製造工程説明図である。

【図３】（ａ）〜（ｂ）は、本発明の製造方法における
凹部形成の機構を説明する図である。

【図４】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第２実施例の位相
シフトレチクルの製造工程説明図である。

【図５】（ａ）〜（ｂ）は、本発明の第３実施例の位相
シフトレチクルの製造工程説明図である。

【図６】（ａ）〜（ｂ）は、本発明の第４実施例の位相
シフトレチクルの製造工程説明図である。

【図７】（ａ）〜（ｂ）は、従来の位相シフトレチクル
の断面構成図である。

【図８】（ａ）〜（ｃ）は、位相シフトレチクルの欠陥
を示す図である。

【図９】ＦＩＢ装置の概略構成図である。

【符号の説明】

１透明基板２遮光膜２ａ不要遮光膜２ｂ遮光膜欠落部３，３′位相シフタ３ａ不要位相シフタ３ｂ位相シフタ欠落部４タングステン膜５凹部６イオン銃７コンデンサレンズ８ブランキング電極９ブランキングアパ−チャ１０対物レンズ１１偏向レンズ１２二次イオン検出器１３ガス銃１４被処理物１５ＸＹテ−ブル２０，３０透過光４０堆積物

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透明基板上に形成された遮光膜によって画
定されてなる光透過領域を有するレチクルであって、該光透過領域は、光の入射方向に略垂直な第１表面を有
する第１の透過領域と、第１表面に略平行かつ第１表面
とは高さが異なる第２表面を有する第２の透過領域と、
第１表面に略平行かつ第１および第２表面とは高さが異
なる第３表面を有する第３の透過領域を具備してなり、第１の透過領域を透過する第１の光は、第２の透過領域
を透過する第２の光とはその位相を異にし、かつ、第３
の透過領域を透過する第３の光とは実質的に同一の位相
となるように構成されてなることを特徴とするレチク
ル。
【請求項２】第２の透過領域が第１の透過領域に対して
凸状に形成され、かつ、第３の透過領域が第１の透過領
域に対して凹状に形成されてなることを特徴とする請求
項１記載のレチクル。
【請求項３】第２の透過領域と第３の透過領域とがとも
に第１の透過領域に対して凹状に形成されてなることを
特徴とする請求項１記載のレチクル。
【請求項４】請求項１記載のレチクルを製造するに際
し、透明基板上に遮光膜を選択的に被着形成して、レチクル
の光透過領域を画定する工程と、光透過領域の透明基板上に透明膜を選択的に被着形成し
て、光透過領域を構成する第１の透過領域と第２の透過
領域を形成する工程と、光透過領域の透明基板を選択的に除去して、光透過領域
を構成する第３の透過領域を形成する工程とを含むこと
を特徴とするレチクルの製造方法。
【請求項５】請求項１記載のレチクルを製造するに際
し、透明基板上に透明膜を被着形成する工程と、該透明膜上に遮光膜を選択的に被着形成して、レチクル
の光透過領域を画定する工程と、光透過領域内の該透明膜を選択的に除去して、光透過領
域を構成する第１の透過領域と第２の透過領域を形成す
る工程と、光透過領域の透明基板を選択的に除去して、光透過領域
を構成する第３の透過領域を形成する工程とを含むこと
を特徴とするレチクルの製造方法。
【請求項６】請求項１記載のレチクルを製造するに際
し、透明基板上に遮光膜を選択的に被着形成して、レチクル
の光透過領域を画定する工程と、光透過領域の透明基板を選択的に第１の深さに除去し
て、光透過領域を構成する第１の透過領域と第２の透過
領域を形成する工程と、光透過領域の透明基板を選択的に第２の深さに除去し
て、光透過領域を構成すする第３の透過領域を形成する
工程とを含むことを特徴とするレチクルの製造方法。
【請求項７】前記の光透過領域の透明基板を選択的に除
去するに際し、透明基板を構成する材料と反応して揮発
性生成物を形成する元素を含むガス雰囲気中で、該透明
基板に荷電粒子を照射することを特徴とする請求項４乃
至６のいずれかに記載のレチクルの製造方法。