JP2006084534A - 露光用マスクとその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】 シフター部と非シフター部の位相差を精度良く測定することができる露光用マスクとその製造方法を提供すること。
【解決手段】 デバイス領域Iにおける石英基板（透明基板）１０上に第１の間隔W1をおいて形成され、第１凹部１０ａに張り出す二つの第１デバイス用遮光パターン１０ｃと、第１デバイス用遮光パターン１０ｃから第２の間隔W2で隔てられた第２デバイス用遮光パターン１０ｄと、モニター領域IIにおける石英基板１０上に第１の間隔W1よりも広い第３の間隔W3をおいて形成され、第２凹部１０ｂに張り出す二つの第１モニター用遮光パターン１１ｅと、第１モニター用遮光パターン１１ｅから第２の間隔W2よりも広い第４の間隔W4で隔てられた第２モニター用遮光パターン１１ｅとを有し、第１モニター用遮光パターン１１ｅの寸法L2が、第１デバイス用遮光パターン１１ｃの寸法L1以下である露光用マスクによる。
【選択図】 図５

Description

本発明は、露光用マスクとその製造方法に関する。
近年、LSI等の半導体素子は微細化の一途を辿っており、ゲート電極等のデバイスパターンの最小寸法は９０nmにまで達している。このような微細化を実現するには、フォトリソグラフィ工程で使用される露光機の解像度を向上させる必要があり、位相シフトマスクを使用した超解像技術が盛んに研究されている。その位相シフトマスクの先駆的な例では、特許文献１に開示されるように、遮光パターンの間の光透過部に位相をシフトさせるためのλ/２板を設けている。
図１は、位相シフトマスクの一種である掘り込み型のレベンソンマスクの断面図である。
従来例に係るレベンソンマスク３は、透明基板１の上に第１、第２遮光パターン２ａ、２ｂを間隔をおいて形成してなり、シフター部Ａの透明基板１には、第１遮光パターン２ａよりも側面が後退した凹部１ａが形成される。このように側面を後退させることで、透明基板１に対して斜めに入射する露光光の間口が広がり、点線に示すような凹部１ａの側面による露光光のケラレが防止される。
また、このレベンソンマスク３では、凹部１ａを透過した露光光と、凹部１ａが無く非シフター部Ｂとなる透明基板１を透過した露光光との位相差が丁度１８０°だけずれるように凹部１ａの深さが決定される。このようにすると、シフター部Ａと非シフター部Ｂとの境界付近の光路において、透明基板１を透過した露光光同士が干渉して打ち消し合い、その部分でのコントラストか向上し、高解像度の露光パターンをウエハ上に転写することが可能となる。
但し、これができるためには、マスク３の製造時に、上記の露光光の位相差が実際に１８０°になることを確認しなければならない。
この点に鑑み、特許文献２では、デバイス用のパターンを投影するためのデバイス用パターンの他に、位相差を測定するための位相差評価用パターンを別に設け、光学的な位相差測定装置により位相差評価用パターンの位相差が１８０°であることを確認し、それによりデバイス用パターンにおける位相差を保証している。
特開昭６２−５０８１１号公報 特開平９−２５８４２７号公報
ところが、特許文献２の方法では、位相差評価用のパターンをデバイス用のパターンと同じデザインルールで形成しているため、デザインルールが微細な場合、位相差測定装置で発生される光束が位相差評価用のパターンによってケラレてしまい、位相差を精度良く測定するのが困難となる。
本発明の目的は、シフター部と非シフター部の位相差を精度良く測定することができる露光用マスクとその製造方法を提供することにある。
本発明の一観点によれば、デバイス領域に第１凹部を有し、モニター領域に第２凹部を有する透明基板と、前記デバイス領域における前記透明基板上に第１の間隔をおいて形成され、前記第１凹部の両側からそれぞれ該第１凹部に張り出す二つの第１デバイス用遮光パターンと、前記デバイス領域における前記透明基板の平坦面上に形成され、前記第１デバイス用遮光パターンから第２の間隔で隔てられた第２デバイス用遮光パターンと、前記モニター領域における前記透明基板上に前記第１の間隔よりも広い第３の間隔をおいて形成され、前記第２凹部の両側からそれぞれ該第２凹部に張り出す二つの第１モニター用遮光パターンと、前記モニター領域における前記透明基板の平坦面上に形成され、前記第１モニター用遮光パターンから前記第３の間隔よりも広い第４の間隔で隔てられた第２モニター用遮光パターンと、を有し、前記第１モニター用遮光パターンの寸法が、前記第１デバイス用遮光パターンの寸法以下である露光用マスクが提供される。
本発明の別の観点によれば、デバイス領域に第１凹部を有し、モニター領域に第２凹部を有する透明基板と、前記デバイス領域における前記透明基板上に第１の間隔をおいて形成され、前記第１凹部の両側からそれぞれ該第１凹部に張り出す二つの第１デバイス用遮光パターンと、前記デバイス領域における前記透明基板の平坦面上に形成され、前記第１デバイス用遮光パターンから第２の間隔で隔てられた第２デバイス用遮光パターンと、前記モニター領域における前記透明基板上に前記第１の間隔よりも広い第３の間隔をおいて形成され、前記第２凹部の両側からそれぞれ該第２凹部に張り出す二つの第１モニター用遮光パターンと、前記モニター領域における前記透明基板の平坦面上に形成され、前記第１モニター用遮光パターンから前記第２の間隔よりも広い第４の間隔で隔てられた第２モニター用遮光パターンと、を有し、前記第２デバイス用遮光パターン寄りの前記第１デバイス用遮光パターンの端面から第１の距離にある前記第１デバイス用遮光パターンの上面に段が形成され、該段から前記第１凹部に張り出る部分の前記第１デバイス用遮光パターンの上面の高さが、該段より前記第１デバイス用遮光パターンの前記端面寄りの部分の高さよりも低くされていると共に、前記第２モニター用遮光パターン寄りの前記第１モニター用遮光パターンの端面から前記第１の距離よりも短い第２の距離にある前記第１モニター用遮光パターンの上面に段が形成され、該段から前記第２凹部に張り出る部分の前記第１モニター用遮光パターンの上面の高さが、該段より前記第１モニター用遮光パターンの前記端面寄りの部分の高さよりも低くされている露光用マスクが提供される。
本発明の他の観点によれば、透明基板の上に遮光膜を形成する工程と、前記遮光膜をパターニングすることにより、前記透明基板のデバイス領域に、第１の間隔で隔てられた二つの第１デバイス用遮光パターンと、該第１デバイス用遮光パターンから第２の間隔がおかれた第２デバイス用遮光パターンを形成すると共に、前記透明基板のモニター領域に、前記第１の間隔よりも広い第３の間隔で隔てられ、且つ前記第１デバイス用遮光パターンの寸法以下の寸法の二つの第１モニター用遮光パターンと、該第１モニター用遮光パターンから前記第２の間隔よりも広い第４の間隔がおかれた第２デバイス用遮光パターンを形成する工程と、前記第２デバイス用遮光パターンと前記第２モニター用遮光パターンを覆うと共に、前記二つの第１デバイス用遮光パターンの上面の一部が露出する第１窓と、前記二つの第１モニター用遮光パターンの上面の一部が露出する第２窓とを有するレジストパターンを形成する工程と、前記第１、第２窓を通じて前記透明基板をエッチングすることにより、前記二つの第１デバイス用遮光パターンの間の前記石英基板に第１凹部を形成すると共に、前記二つの第１モニター用遮光パターンの間の前記石英基板に第２凹部を形成する工程と、前記第１、第２窓を通じて前記透明基板をウエットエッチングして前記第１、第２凹部の幅を拡張することにより、前記第１デバイス用遮光パターンを前記第１凹部に張り出させると共に、前記第１モニター用遮光パターンを前記第２凹部に張り出させる工程と、前記レジストパターンを除去する工程と、前記二つの第１モニター用遮光パターンの間の前記第２凹部と、前記第１モニター用遮光パターンと前記第２モニター用遮光パターンの間の部分の透明基板のそれぞれに光を通すことにより、前記第２凹部と前記基板とでの透過光の位相差を第１の位相差として測定して、該第１の位相差が１８０°になっているか否かを確認する工程と、を有する露光用マスクの製造方法が提供される。
本発明によれば、モニター領域におけるパターン間隔を、デバイス領域におけるパターン間隔よりも広くしたので、光学的な位相差測定装置の光束が第１、第２モニター用遮光パターンでケラレ難くなり、位相差の測定精度が向上する。
また、第１モニター用遮光パターンの寸法を第１デバイス用遮光パターンの寸法以下としたので、レジストパターンと第１モニター用遮光パターンとのオーバーラップ量が、該レジストパターンと第１デバイス用遮光パターンとのオーバーラップ量以下となる。従って、レジストパターンが位置ずれしたり、第１、第２凹部のエッチング時にレジストパターンの側面が後退したりして、上記のオーバーラップ量が不十分となった場合、第１、第２凹部を拡張するためのエッチング液のしみ込みにより、デバイス領域とモニター領域の両方の非シフター部の透明基板に侵食が発生する。そのため、侵食による位相のずれ量がデバイス領域とモニター領域とで同じになるので、モニター領域の第１の位相差を測定することで、デバイス領域の位相差を精度良く保証することが可能となる。
本発明の更に他の観点によれば、透明基板の上に遮光膜を形成する工程と、前記遮光膜をパターニングすることにより、前記透明基板のデバイス領域に、第１の間隔で隔てられた二つの第１デバイス用遮光パターンと、該第１デバイス用遮光パターンから第２の間隔がおかれた第２デバイス用遮光パターンを形成すると共に、前記透明基板のモニター領域に、前記第１の間隔よりも広い第３の間隔で隔てられた二つの第１モニター用遮光パターンと、該第１モニター用遮光パターンから前記第２の間隔よりも広い第４の間隔がおかれた第２デバイス用遮光パターンを形成する工程と、前記第２デバイス用遮光パターンと前記第２モニター用遮光パターンとを覆うと共に、前記二つの第１デバイス用遮光パターンが露出する第１窓と、前記二つの第１モニター用遮光パターンが露出する第２窓とを有して、前記第１デバイス用遮光パターンと第１のオーバーラップ量で重なり、且つ前記第１モニター用遮光パターンと前記第１のオーバーラップ量よりも小さい第２のオーバーラップ量で重なるレジストパターンを形成する工程と、前記第１、第２窓を通じて前記透明基板をエッチングすることにより、前記二つの第１デバイス用遮光パターンの間の前記石英基板に第１凹部を形成すると共に、前記二つの第１モニター用遮光パターンの間の前記石英基板に第２凹部を形成する工程と、前記第１、第２窓を通じて前記透明基板をウエットエッチングして前記第１、第２凹部の幅を拡張することにより、前記第１デバイス用遮光パターンを前記第１凹部に張り出させると共に、前記第１モニター用遮光パターンを前記第２凹部に張り出させる工程と、前記レジストパターンを除去する工程と、前記二つの第１モニター用遮光パターンの間の前記第２凹部と、前記第１モニター用遮光パターンと前記第２モニター用遮光パターンの間の部分の透明基板のそれぞれに光を通すことにより、前記第２凹部と前記基板とでの透過光の位相差を第１の位相差として測定して、該第１の位相差が１８０°になっているか否かを確認する工程と、を有する露光用マスクの製造方法が提供される。
本発明によれば、第１デバイス用遮光パターンと第１のオーバーラップ量で重なり、且つ第１モニター用遮光パターンと第１のオーバーラップ量よりも小さい第２のオーバーラップ量で重なるようにレジストパターンを形成する。これによると、レジストパターンの位置ずれや側面の後退によって第１のオーバーラップ量が減少した場合、第２のオーバーラップ量も減少するので、第１、第２凹部を拡張するためのエッチング液のしみ込みにより、デバイス領域とモニター領域の両方の非シフター部の透明基板に侵食が発生する。そのため、侵食による位相のずれ量がデバイス領域とモニター領域とで同じになるので、モニター領域の第１の位相差を測定することで、デバイス領域の位相差を精度良く保証することが可能となる。
更に、モニター領域に、第１の間隔よりも広い第５の間隔で隔てられた二つの第３モニター用遮光パターンと、該第３モニター用遮光パターンから第２の間隔よりも広い第６の間隔がおかれた第４モニター用遮光パターンとを形成し、二つの第３モニター用遮光パターンの間の透明基板に第３凹部を形成してもよい。その場合は、上記したレジストパターンを形成する工程において、第３モニター用遮光パターンとレジストパターンとのオーバーラップ量を、前記第１１デバイス用遮光パターンとのオーバーラップ量よりも大きくするのが好ましい。
このようにすると、第３モニター用遮光パターンとレジストパターンとの大きなオーバーラップ量により、第３モニター用遮光パターンの横の透明基板に上記した侵食が発生し難くなる。従って、二つの第３モニター用遮光パターンの間の第３凹部と、第３モニター用遮光パターンと第４モニター用遮光パターンの間の部分の透明基板の位相差を第２の位相差として測定し、その値が上記した第１の位相差と同じか否かによって、透明基板の侵食の有無を判断することが可能となる。
本発明によれば、モニター領域におけるパターン間隔を、デバイス領域におけるパターン間隔よりも広くしたので、光学的な位相差測定装置の光束が第１、第２モニター用遮光パターンでケラレ難くなり、位相差の測定精度を向上させることができる。
また、第１モニター用遮光パターンの寸法を第１デバイス用遮光パターンの寸法以下としたので、デバイス領域の透明基板に侵食が発生した場合にはモニター領域にもその侵食が発生するようになり、モニター領域における位相差でデバイス領域における位相差を精度良く保証することができる。
或いは、これに代えて、第１デバイス用遮光パターンと第１のオーバーラップ量で重なり、且つ第１モニター用遮光パターンと第１のオーバーラップ量よりも小さい第２のオーバーラップ量で重なるようにレジストパターンを形成しても、位相差を精度良く保証できる。
次に、本発明を実施するための最良の形態について説明する。以下の各実施形態では、掘り込み型のレベンソンマスクが作製される。
（１）第１実施形態
図２〜図６は、本発明の第１実施形態に係る露光用マスクの製造途中の断面図である。
最初に、図２（ａ）に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。
まず、デバイス用遮光パターンが形成されるデバイス領域Iと、露光光の位相差を測定するためのモニター領域IIとを有する石英基板（透明基板）１０を不図示のスパッタチャンバ内に入れる。なお、デバイス領域Iとは、金属配線、ゲート電極、又は絶縁膜のホール等をパターニングする際の露光パターンを得るための領域である。
また、その石英基板１０のサイズは特に限定されないが、本実施形態では、一辺の長さが６インチで厚さが０．２５インチの基板を採用する。そして、Ar（アルゴン）ガスを用いたスパッタ法により、石英基板１０上にクロム層１１ａを約７０nmの厚さに形成する。
これに引き続いてO2（酸素）をスパッタチャンバ内に導入し、Ar+O2でCrターゲットをスパッタリングする。これにより、気相中でクロムと酸素とが反応し、クロム層１１ａの上に酸化クロム層１１ｂが約３０nmの厚さに形成される。そのようなスパッタ法は、反応性スパッタ法と呼ばれる。
以上により、クロム層１１ａと酸化クロム層１１ｂとで構成される厚さ約１００nmの遮光膜１１が形成されたことになる。その遮光膜１１を構成する酸化クロム層１１ｂは、最終的に完成する露光用マスクを露光器内で使用する際に、露光光の反射を防止する反射防止膜として機能する。
遮光膜１１の層構造はこれに限定されない。例えば、反応性スパッタ法により、石英基板１０と酸化クロム層１１ａとの間に密着層として酸化クロム層を形成してもよい。
その後に、スピンコート法により遮光膜１１の上に第１ポジ型電子線フォトレジスト１２を約４００nmの厚さに形成する。
なお、石英基板１０と遮光膜１１は、それらを合わせてブランクスと呼ばれるが、そのブランクスの上に第１フォトレジスト１２が形成されたものをブランクスメーカから購入し、以下の工程を行ってもよい。
更に、デバイス領域Iとモニター領域IIの配置の仕方も特に限定されない。例えば、図８（ａ）に示すように、石英基板１０の四隅にモニター領域IIを配置し、モニター領域IIに形成される遮光パターンがウエハに転写されないようにしてもよい。或いは、その遮光パターンの転写が問題にならない場合には、図８（ｂ）に示すように、デバイス領域Iの中にモニター領域IIを配置してもよい。
続いて、図２（ｂ）に示すように、EB(Electron Beam)露光装置を用いて第１フォトレジスト１２を露光した後、それを現像して、遮光膜１１の上に第１レジストパターン１２ａを形成する。
次に、図３（ａ）に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。
まず、不図示のICP(Inductively Coupled Plasma)エッチング装置により、第１レジストパターン１２ａをマスクにして遮光膜１１をドライエッチングする。
これにより、石英基板１０のデバイス領域Iに、少なくとも二つの第１デバイス用遮光パターン１１ｃが第１の間隔W1をおいて形成されると共に、この第１デバイス用遮光パターン１１ｃから第２の間隔W2をおいて第２デバイス用遮光パターン１１ｄが形成される。
同様に、石英基板１０のモニター領域IIには、第３の幅W3をおいて二つの第１モニター用遮光パターン１１ｅが形成されると共に、この第１モニター用遮光パターン１１ｅから第４の間隔W4をおいて第２モニター用遮光パターン１１ｆが形成される。
第１〜第４の間隔W1〜W4のうち、デバイス領域Iにおけるパターン間隔W1、W2としては、デバイスの設計ルールに則した値が採用され、本実施形態では例えばW1＝W2＝０．５６μmとする。
これに対し、モニター領域IIでは、後で光学的な位相差測定装置の光束を石英基板１０に通す際に、第１、第２モニターパターン１１ｅ、１１ｆによる光束のケラレ量を小さくする必要がある。そこで、本実施形態では、モニター領域IIでの間隔W3、W4がデバイス領域Iでの間隔W1、W2よりも大きくなるように、W1＜W3、W2＜W4とする。各間隔W3、W4は、２〜５μmとするのが好ましく、本実施形態では３．７６μmとする。
更に、各パターン１１ｃ〜１１ｆの寸法に関しては、デバイス領域にある第１デバイス用遮光パターン１１ｃの寸法L1を、デバイスの設計ルールに則してL1＝０．２４μmとする。
一方、モニター領域IIにある第１モニター用遮光パターン１１ｅの寸法L2としては、上記したデバイス用遮光パターン１１ｃの寸法L1と同じかそれよりも小さい値が採用され、本実施形態ではL1と同じ０．２４μmを採用する。
この後に、第１レジストパターン１２ａを酸素プラズマによってアッシングして除去し、ウエット処理により基板１０を洗浄する。
次に、図３（ｂ）に示すように、石英基板１０上と各遮光パターン１１ｃ〜１１ｅ上に、スピンコート法により第２ポジ型電子線フォトレジスト１３を約４００nmの厚さに形成し、更にその上に、aquaSAVE（三菱レイヨン株式会社製）等の帯電防止材をスピンコート法により塗布することにより、厚さ約１００nmの帯電防止層１４を形成する。
次いで、図４（ａ）に示すように、EB露光装置を用いて第２フォトレジスト１３を露光した後、それを現像して第２レジストパターン１３ｄとする。
その第２レジストパターン１３ｄは、第２デバイス用遮光パターン１１ｄと第２モニター用遮光パターン１１ｆを覆う。そして、後でシフター用の凹部が形成される領域上の第２レジストパターン１３ｄには、第１、第２窓１３ａ、１３ｂが形成される。
但し、次のエッチング工程において、第１デバイス用遮光パターン１１ｃや第１モニター用遮光パターン１１ｅと自己整合的にシフター用の凹部が形成されるため、これらのパターン１１ｃ、１１ｅが第２レジストパターン１３ｄで完全に覆われると、シフター用の凹部の幅が予定よりも狭くなり、その加工精度が低下する。
そこで、本実施形態では、第１窓１３ａの側面を、第１デバイス用遮光パターン１１ｃの側面からΔ1＝５０nmだけ後退させ、第１デバイス用遮光パターン１１ｃの上面の一部を第１窓１３ａから露出させる。同様に、第２窓１３ｂの側面も、第１モニター用遮光パターン１１ｅの側面からΔ2＝５０nmだけ後退させて、第１モニター用遮光パターン１１ｅの上面の一部を第２窓１３ｂから露出させる。
このようにすると、各遮光パターン１１ｃ〜１１ｆと第２レジストパターン１３ｄとの位置合わせが多少ずれても、第２レジストパターン１３ｄによって第１デバイス用遮光パターン１１ｃと第１モニター用遮光パターン１１ｅが完全に覆われないので、シフター用の凹部を精度良く加工することができる。
上記のように各窓１３ａ、１３ｂの側面を後退させる方法は特に限定されない。例えば、EB露光機の露光データに後退量を加えたり、或いは、窓１３ａ、１３ｂを形成する際の露光量を意図的にオーバードーズにして窓１３ａ、１３ｂを太らせたりすることで、上記の後退量Δ1、Δ2を得てもよい。
次に、図４（ｂ）に示すように、CF4ガスをエッチングガスとするRIE(Reactive Ion Etching)により、第１、第２窓１３ａ、１３ｂを通じて石英基板１０をドライエッチングすることにより、深さ約７０nmのシフター用の第１、第２凹部１０ａ、１０ｂを石英基板１０に形成する。このようなエッチングの条件としては、例えば、CF4ガスの流量１００sccm、高周波電力の周波数１３．５６Hz、高周波電力のパワー２００W、圧力６Pa、及びエッチング時間２４０秒が採用される。
ところで、このエッチングでは、石英基板１０の主面と垂直な方向に運動するプラズマによって石英基板１０が略垂直にエッチングされる。しかし、プラズマの中には、石英基板１０の主面と平行な方向の運動成分を有するものがあり、このようなプラズマによって各窓１３ａ、１３ｂの側面がダメージを受け、これらの側面がΔ3、Δ4だけ後退することになる。その後退量Δ3、Δ4は、エッチング条件によっても異なるが、典型的には約２０nmとなる。
更に、このエッチングでは、石英基板１０の他に、第１、第２窓１３ａ、１３ｂから部分的に露出する第１デバイス用遮光パターン１１ｃと第１モニター用遮光パターン１１ｅの上面もプラズマによって僅かにエッチングされる。
その結果、図４（ｂ）のデバイス領域Iにおける点線円内に示されるように、第２デバイス用遮光パターン１１ｄ寄りの第１デバイス用遮光パターン１１ｃの端面から第１の距離d1にある第１デバイス用遮光パターン１１ｃの上面に段１１ｊが形成される。その距離d1は、第２レジストパターン１３ｄの位置ずれが無い場合にはL1−Δ1−Δ3となる。そして、段１１ｊから第１凹部１０ａに至る部分の第１デバイス用遮光パターン１１ｃの上面の高さが、第２デバイス用遮光パターン１１ｄ寄りの部分と比較して低くなる。
これと同様に、モニター領域IIにおける点線円内に示されるように、第２モニター用遮光パターン１１ｆ寄りの第１モニター用遮光パターン１１ｅの端面から第２の距離d2にある第１モニター用遮光パターン１１ｅの上面に段１１ｋが形成され、該段１１ｋから第２凹部１０ｂに至る部分の第１モニター用遮光パターン１１ｅの上面の高さが低くなる。
この距離d2は、第２レジストパターン１３ｄの位置ずれが無い場合にはL2−Δ2−Δ4となる。そして、既述のように、第１モニター用遮光パターン１１ｅの寸法L2を第１デバイス用遮光パターン１１ｃの寸法L1以下とし、且つ、Δ1＝Δ2、Δ3＝Δ4となるので、第２の距離d2は第１の距離d1（＝L1−Δ1−Δ3）以下の値となる。更に、レジストパターン１２ｃが全体的に位置ずれしても、その位置ずれ量はデバイス領域Iとモニター領域IIとで同じになるので、やはり第２の距離d2は第１の距離d1以下となる。
次いで、図５（ａ）に示すように、エッチング液として緩衝フッ酸を用い、第１、第２窓１３ａ、１３ｂを通じて石英基板１０を等方的にウエットエッチングすることにより、第１、第２凹部１０ａ、１０ｂの幅と深さをそれぞれ約１００nmだけ拡張し、各凹部１０ａ、１０ｂの深さを約１７０nmとする。このようなエッチングの結果、第１デバイス用遮光パターン１１ｃが第１凹部１０ａの両側から張り出すと共に、第１モニター用遮光パターン１１ｅが第２凹部１０ｂの両側から張り出す構造が得られることになる。
その後に、図５（ｂ）に示すように、酸素プラズマによるアッシングとウエット処理により、第２レジストパターン１３ｄを除去し、本実施形態に係る露光用マスク１５の基本構造を完成させる。
その露光用マスク１５は、第１、第２凹部１０ａ、１０ｂにより厚さが薄くなった部分の石英基板１０で構成されるシフター部Aと、凹部１０ａ、１０ｂが形成されずに厚さが薄くされていない石英基板１０で構成される非シフター部Bとを有する。
この後は、デバイス領域Iにおけるシフター部Aと非シフター部Bを通る露光光の位相差が実際に１８０°となっていることを確かめる検査工程に移る。
その検査工程では、露光用マスク１５で使用が予定されている露光光と同じ波長の二つの光束をシフター部Aと非シフター部Bに通し、受光部によって各光束の位相差を測定する。その光束の直径は、通常は数μmであるため、デバイス領域Iにおける遮光パターン１１ｃ、１１ｄの間隔も数μm程度必要となる。しかし、デバイス領域Iでは、デザインルールの縮小化に伴い各遮光パターン１１ｃ、１１ｄ同士の間隔が密になっているので、遮光パターンによる光束のケラレが生じる。こうなると、受光部が受ける光束の強度が減少し、受光部から出力される信号のS/N比が小さくなり、位相差を精度良く測定するのが困難となる。
そこで、本実施形態では、デバイス領域Iよりもパターン間隔の広いモニター領域IIにおいて上記の位相差を測定する。
この測定では、図６に示されるように、モニター領域IIにおけるシフター部Aと非シフター部Bのそれぞれに、露光波長と同じ１９３nmのArFエキシマレーザの光束２０ａ、２０ｂを通し、各光束２０ａ、２０ｂに対して個別に設けられた受光部２１ａ、２１ｂにより各光束２０ａ、２０ｂの位相差を測定する。このような測定は、例えばレーザーテック株式会社製のMPM248等の位相差測定装置を用いて行うことができる。
そして、この測定により得られた位相差が１８０°となっている場合には、上記のプロセス条件が適切であると判断される。一方、その位相差が１８０°からずれている場合には、例えば図４（ａ）における第１、第２凹部１０ａ、１０ｂのエッチング量に過不足があると判断され、そのエッチング条件の変更を試みる。
ところで、図６に示した位相差の測定では、本来求めるべきデバイス領域Iでの位相差をモニター領域IIの位相差で保証しているので、各領域I、IIでの位相差が同じであることを前提としている。
デバイス領域Iのシフター部Aと非シフター部Bにおける位相差は、本来なら第１凹部１０ａのエッチング深さによって定まる。しかし、図７に示すように、第２レジストパターン１３ｄの全体的な位置ずれにより、第１窓１３ａが第２デバイス用遮光パターン１１ｄ側にシフトする場合がある。こうなると、図５（ａ）で説明した第１、第２凹部１０ａ、１０ｂの幅を拡げるウエットエッチングの際、デバイス領域Iの非シフター部Bの石英基板１０に第１窓１３ａの側面からウエットエッチング液が浸入し、図７に示すように、非シフター部Bにおける石英基板１０がエッチングされて侵食１０ｄが発生してしまう。その結果、たとえ第１凹部１０ａの深さが適切であっても、デバイス領域Iのシフター部Aと非シフター部Bにおける位相差が１８０°からずれることになる。このような現象は、第２レジストパターン１３ｄの位置ずれの他に、図４（ｂ）で説明したドライエッチングでの第１窓１３ａの後退量Δ3、Δ4が予定よりも大きい場合にも発生する。
但し、このような非シフター部Bの侵食１０ｄが発生しても、それを発見することができれば、第２レジストパターン１３ｄの位置ずれを修正する等の対策を行うことで、特に問題は無い。
そこで、このような現象を図６の位相差測定工程において確実に発見するために、本実施形態では、図３（ａ）で説明した工程において、モニター領域IIにある第１モニター用遮光パターン１１ｅの寸法L2として、デバイス用遮光パターン１１ｃの寸法L1以下の寸法を採用した。このようにすると、図７に示すように、第２レジストパターン１３ｄが全体的に位置ずれして第２レジストパターン１３ｄと第１デバイス用遮光パターン１１ｃとのオーバーラップ量がd1となった場合、第２レジストパターン１３ｄと第１モニター用遮光パターン１１ｅとのオーバーラップ量d2は必ずd1以下の値となる。従って、不十分なオーバーラップ量d1に起因してデバイス領域Iの非シフター部Bに侵食１０ｄが発生した場合、オーバーラップ量d2がd1以下のモニター領域でも、非シフター部Bに確実に侵食１０ｄが発生する。
従って、デバイス領域Iにおける位相差と、モニター領域IIにおける位相差とが、各領域に発生した侵食１０ｄによって同じ値になるので、デバイス領域Iにおける位相差をモニター領域IIでの位相差で精度良く保証することが可能となる。
図９は、上記のような本実施形態に反し、第１モニター用遮光パターン１１ｅの寸法L2を第１モニター用遮光パターン１１ｃの遮光パターンの寸法L1より広くとった比較例に係る断面図である。
そのような比較例でも、第１デバイス用遮光パターン１１ｃと第２レジストパターン１３ｄとのオーバーラップ量d1が不十分な場合に、デバイス領域Iの非シフター部Bにエッチング液のしみ込みによる侵食１０ｄが発生する。しかし、モニター領域IIでは、第１モニター用遮光パターン１１ｅの寸法L2を大きくしたため、その第１モニター用遮光パターン１１ｅと第２レジストパターン１３ｄとのオーバーラップ量d2が、デバイス領域Iにおけるd1よりも大きくなる。その結果、モニター領域IIの非シフター部Bでは、石英基板１０の侵食１０ｄが発生し難くなる。こうなると、侵食１０ｄの有無により、デバイス領域Iとモニター領域IIとで位相差が異なってしまうので、本実施形態のようにデバイス領域Iの位相差をモニター領域IIで保証することが困難となる。
（２）第２実施形態
図１０〜図１３は、本発明の第２実施形態に係る露光用マスクの製造途中の断面図である。これらの図において、第１実施形態で説明した要素には第１実施形態と同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。
第１実施形態では、モニター領域IIにおける第１モニター用遮光パターン１１ｅの寸法L2を、デバイス領域Iにおける第１デバイス用遮光パターン１１ｃの寸法L1以下とすることで、デバイス領域Iの位相差をモニター領域IIの位相差で保証した。
これに対し、本実施形態では、レジストパターンと遮光パターンとのオーバーラップ量を以下のように設定することで、第１実施形態と同様の利点を得るようにする。
まず、第１実施形態で説明した図２（ａ）〜図３（ｂ）の工程を行うことにより、図１０（ａ）に示すように、石英基板１０の上に遮光パターン１１ｃ〜１１ｆを形成する。
本実施形態では、第１モニター用遮光パターン１１ｅの寸法L2は、第１デバイス用遮光パターン１１ｃの寸法L1とは関係無く設定することが可能であり、例えばL2＝２．０μm、L1＝０．２４μmとする。また、各遮光パターン１１ｃ〜１１ｆ同士の間隔W1〜W4については第１実施形態と同様であり、例えばW1＝W2＝０．５６μm、W3＝W4＝３．７６μmとする。
次に、第１実施形態で説明した図４（ａ）と同じ工程を行うことにより、図１０（ｂ）に示すように、各遮光パターン１１ｃ〜１１ｆの上に第２レジストパターン１３ｄを形成する。
但し、第１実施形態では、第２レジストパターン１３ｄの第１、第２窓１３ａ、１３ｂのそれぞれの後退量Δ1、Δ2として同じ値を採用したが、本実施形態では、例えばΔ1＝５０nm、Δ2＝１．８１μmとする。その結果、この時点での第２レジストパターン１３ｄと第１モニター用遮光パターン１１ｅとのオーバーラップ量d4が０．１９μ（＝２．０μm−１．８１μm）となって、第１デバイス用遮光パターン１１ｃにおけるオーバーラップ量d3（＝０．２４μm−５０nm）と同じになる。なお、本実施形態はこれに限定されず、後退量Δ1、Δ2を上記よりも更に大きくして、d4≦d3としてよい。
その後に、第１実施形態で説明した図４（ｂ）の工程を行うことにより、図１１（ａ）に示すように、ドライエッチングにより、深さが約７０nmのシフター用の第１、第２凹部１０ａ、１０ｂを石英基板１０に形成する。
このドライエッチングでは、第１実施形態と同様に、石英基板１０の主面と平行な方向の運動成分を有するプラズマによって、第１、第２窓１３ａ、１３ｂの側面が略同じ値のΔ3、Δ4だけ後退し、その後退量Δ3、Δ4は典型的には約２０nmとなる。これにより、第１デバイス用遮光パターン１１ｃと第２レジストパターン１３ｄとのオーバーラップ量は、元々のオーバーラップ量であるd3よりもさらに小さなd5（＝d3−Δ3）となる。同様に、第１モニター用遮光パターン１１ｅと第２レジストパターン１３ｄとのオーバーラップ量も、元々のオーバーラップ量であるd4よりもさらに小さなd6（＝d4−Δ4）となる。
また、このドライエッチングにより、第２デバイス用遮光パターン１１ｄ寄りの第１デバイス用遮光パターン１１ｃの端面から距離d5にある第１デバイス用遮光パターン１１ｃの上面に段１１ｊが形成され、該段１１ｊから第１凹部１０ａに至る部分の第１デバイス用遮光パターン１１ｃの上面の高さが低くなる。
同様に、第２モニター用遮光パターン１１ｆ寄りの第１モニター用遮光パターン１１ｅの端面から距離d5よりも短い距離d6にある第１モニター用遮光パターン１１ｅの上面に段１１ｋが形成され、該段１１ｋから第２凹部１１ｂに至る部分の第１モニター用遮光パターン１１ｅの上面の高さが低くなる。
この後に、第１実施形態で説明した図５（ａ）の工程を行うことにより、図１１（ｂ）に示すように、ウエットエッチングによって第１、第２凹部１０ａ、１０ｂの側面を約１００nmだけ拡張すると共に、その深さを約１７０nmとする。
続いて、図１２に示すように、酸素アッシングとウエット処理によって第２レジストパターン１３ｄを除去することにより、本実施形態に係る露光用マスク１６の基本構造を完成させる。
この後は、図１３に示すように、例えばレーザーテック株式会社製のMPM248等の位相差測定装置を用いることにより、モニター領域IIにおけるシフター部Aと非シフター部Bのそれぞれに、ArFエキシマレーザの光束２０ａ、２０ｂを通し、各光束２０ａ、２０ｂに対して個別に設けられた受光部２１ａ、２１ｂにより各光束２０ａ、２０ｂの位相差を測定する。そして、その位相差が１８０°となっているか否かに応じ、上記のプロセスが適切であるかどうかが判断される。
以上説明した本実施形態によれば、図１０（ｂ）に示した工程において、第１モニター用遮光パターン１１ｅと第２レジストパターン１３ｄとのオーバーラップ量d4を、第１デバイス用遮光パターン１１ｃと第２レジストパターン１３ｄとのオーバーラップ量d3以下の値とした。
このようにすると、図１１（ａ）のドライエッチング工程で第２レジストパターン１３ｄの側面が後退した後でも、各遮光パターン１１ｅ、１１ｃと第２レジストパターン１３ｄとのオーバーラップ量d5、d6の大小関係は、エッチングの前（d4≦d3）と同じくd6≦d5となる。
その結果、図１４に示すように、例えば第２レジストパターン１３ｄの全体的な位置ずに起因してデバイス領域Iでのオーバーラップ量d5が不十分となり、図１０（ｂ）のウエットエッチング工程でデバイス領域Iの非シフター部Bがエッチングされて侵食１０ｄが発生しても、モニター領域IIでのオーバーラップ量d6もやはり不十分となるので、モニター領域IIの非シフター部Bにも石英基板１０の侵食１０ｄが発生する。
従って、たとえ上記のように第２レジストパターン１３ｄが位置ずれしても、モニター領域IIの位相差がデバイス領域Iの位相差と同じになるので、モニター領域IIにおいて位相差を測定することでデバイス領域Iの位相差を確実に把握することができる。
図１５は、遮光パターンの寸法とピッチ（パターン同士の中心間距離）により、非シフター部Bにおける石英基板１０の侵食量（エッチング深さ）にどのような変化が見られるのかを調査して得られたグラフである。
図１５の横軸は、遮光パターンとレジストパターンとのオーバーラップ量（上記のd3、d4に相当）を示し、縦軸は、エッチング液のしみ込みによる石英基板１０の侵食量（侵食１０ｄの深さ）をAFM(Atomic Force Microscope)によって測定した値を示す。
この調査では、ピッチが２．０μmで寸法が１．０μmの遮光パターンと、ピッチが０．８μmで寸法が０．２μmの遮光パターンについて調査された。前者の遮光パターンは、第１モニター用遮光パターン１１ｅを想定し、後者は、６５nmルールのロジックデバイスにおけるゲート電極パターンを想定したものである。
図１５に示されるように、いずれの遮光パターンでも結果が良好に一致した。このことから、石英基板１０の侵食量は、遮光パターン１１ｃ〜１１ｆのレイアウトによらず、これらの遮光パターン１１ｃ〜１１ｆと第２レジストパターン１３ｄとのオーバーラップ量にのみ依存することが明らかとなった。
（３）第３実施形態
上記した第１実施形態では、モニター領域IIにある第１モニター用遮光パターン１１ｅの寸法L2として、デバイス用遮光パターン１１ｃの寸法L1以下の寸法を採用することで、デバイス領域Iの非シフター部Bに石英基板１０の侵食１０ｄが発生した場合に、モニター領域Iの非シフター部Bにも同じようにして侵食１０ｄが発生するようにした。これにより、モニター領域IIとデバイス領域Iのそれぞれの位相差を一致させることができ、モニター領域IIの位相差でデバイス領域Iの位相差を保証することができた。
但し、実際にモニター領域IIの位相差が１８０°からずれていた場合、そのずれが、第２凹部１０ｂのエッチングの過不足に起因するのか、或いは各領域I、IIの石英基板１０の侵食１０ｄに起因するものなのか判断に迷う。
その判断を容易にするため、本実施形態では、以下のような露光用マスクを作製する。
図１６〜図１８は、本実施形態に係る露光用マスクの製造途中の断面図である。これらの図において、第１、第２実施形態で説明した要素にはこれらの実施形態と同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。
まず、第１実施形態で説明した図２（ａ）〜図３（ｂ）の工程を行うことにより、図１６（ａ）に示すように、石英基板１０の上に遮光パターン１１ｃ〜１１ｆを形成する。これらの遮光パターン１１ｃ〜１１ｆは、遮光膜１１をパターニングして形成されるが、そのパターニング工程では、二つの第３モニター用遮光パターン１１ｇと第４モニター用遮光パターン１１ｈとがモニター領域IIに更に形成される。そして、二つの第３モニター用遮光パターン１１ｇは、第１デバイス用遮光パターン１１ｃ同士の第１の間隔W1よりも広い第５の間隔W5で互いに隔てられる。一方、第３モニター用遮光パターン１１ｇと第４モニター遮光１１ｈとは、第１デバイス用遮光パターン１１ｃと第２デバイス用遮光パターン１１ｄ同士の第２の間隔W2よりも広い第６の間隔W6で互いに隔てられる。このような条件を満たす限りこれらの間隔W5、W6は特に限定されることはなく、例えばW5＝２．０μm、W6＝２．０μmとされる。
このように、デバイス領域Iと比較して間隔W5、W6を広めることで、後で光学的な位相差測定装置で位相差を測定する際、その装置の光束が各遮光パターン１１ｇ、１１ｈでケラレるのを防ぐことができる。
また、第１デバイス用遮光パターン１０ｃの寸法L1と第１モニター用遮光パターン１０ｅの寸法L2については、第１実施形態と同様にL2≦L1であれば特に限定されず、例えばL1＝L2＝０．２４μmとされる。
そして、第３モニター用遮光パターン１１ｇの寸法L3も特に限定されず、例えば２．０μmとする。
次に、第１実施形態で説明した図４（ａ）と同じ工程を行うことにより、図１６（ｂ）に示すように、各遮光パターン１１ｃ〜１１ｆの上に第２レジストパターン１３ｄを形成する。
その第２レジストパターン１３ｄを形成する工程では、第２レジストパターン１３ｄで第４モニター用遮光パターン１１ｈを覆い、且つ二つの第３モニター用遮光パターン１１ｇの上面の一部が露出する第３窓１３ｃを第２レジストパターン１３ｄに形成する。
そして、第３モニター用遮光パターン１１ｇと第２レジストパターン１３ｄとのオーバーラップ量d7を、第１デバイス用遮光パターン１１ｃとのオーバーラップ量d3よりも大きくし、例えばd7＝１．８μmとする。
その後に、第１実施形態で説明した図４（ｂ）の工程を行うことにより、図１７（ａ）に示すように、ドライエッチングにより、深さが約７０nmのシフター用の第１、第２凹部１０ａ、１０ｂを石英基板１０に形成する。
これら第１、第２凹部１０ａ、１０ｂを形成する工程では、第２レジストパターン１３ｄの第３窓１３ｃを通じて石英基板１０をドライエッチングすることにより、二つの第３モニター用遮光パターン１１ｇの間の石英基板１０に第３凹部１０ｃを形成する。
また、このドライエッチングでは、エッチング雰囲気中のプラズマにより、第１〜第３窓１３ａ〜１３ｃの側面がそれぞれΔ3〜Δ5だけ後退する。その後退量Δ3〜Δ5は典型的には約２０nmとなる。
そして、このように第１〜第３窓１３ａ〜１３ｃの側面が後退することで、第３モニター用遮光パターン１１ｇと第２レジストパターン１３ｄとのオーバーラップ量が、元々のオーバーラップ量であるd7よりも減少してd8（＝d7−Δ5）となる。
更に、このドライエッチングにより、第４モニター用遮光パターン１１ｈ寄りの第３モニター用遮光パターン１１ｇの端面から距離d2よりも長い距離d8にある第３モニター用遮光パターン１１ｇの上面に段１１ｍが形成され、該段１１ｍから第３凹部１０ｃに至る部分の第３モニター用遮光パターン１１ｇの上面の高さが低くなる。
その後に、第１実施形態で説明した図５（ａ）の工程を行うことにより、図１６（ｂ）に示すように、ウエットエッチングによって第１〜３凹部１０ａ〜１０ｃの側面を約１００nmだけ拡張すると共に、その深さを約１７０nmとする。
続いて、図１８に示すように、酸素アッシングとウエット処理によって第２レジストパターン１３ｄを除去することにより、本実施形態に係る露光用マスク１７の基本構造を完成させる。
ところで、第１、第２実施形態で説明したように、図１９のように第２レジストパターン１３ｄが全体的に位置ずれし、第２レジストパターン１３ｄと第１デバイス用遮光パターン１１ｃとのオーバーラップ量が不十分となると、図１６（ｂ）のウエットエッチング工程において、デバイス領域Iの非シフター部Bにおける石英基板１０にエッチング液が浸入し、この部分の石英基板１０が図示のようにエッチングされて侵食１０ｄが発生する。
同様に、モニター領域IIにおいて、寸法L2が第１デバイス用遮光パターン１１ｃの寸法L1以下の第１モニター用遮光パターン１１ｅの側方でも、第２レジストパターン１３ｄとのオーバーラップ量が不足してやはり侵食１０ｄが発生する。
これに対し、同じモニター領域IIでも、第３モニター用遮光パターン１１ｇと第２レジストパターン１３ｄとのオーバーラップ量d7（図１６（ｂ）参照）は、第１デバイス用遮光パターン１１ｃとのオーバーラップ量d3よりも大きくしてある。従って、上記のように第２レジストパターン１３ｄが位置ずれした後でも、第３モニター用遮光パターン１１ｇと第２レジストパターン１３ｄとのオーバーラップ量が十分確保されるので、第３モニター用遮光パターン１１ｇと第４モニター用遮光パターン１１ｈとの間の石英基板１０にはエッチング液がしみ込まず、その部分の石英基板１０に侵食は発生しない。
特に、第３モニター用遮光パターン１１ｇと第２レジストパターン１３ｄとのオーバーラップ量d7として、第１〜第３凹部１０ａ〜１０ｂを形成する工程でのエッチングによる第２レジストパターン１３ｄの後退量Δ5と、第２レジストパターン１３ｄの考えられる最大の位置ずれ量との和よりも大きい値を採用することで、エッチング液のしみ込みを防止し易くなる。
更に、そのエッチング液のしみ込みは、オーバーラップ量d7を２００μm以上とすることで確実に防止することが可能となる。
本実施形態では、このようなモニター領域IIでの侵食１０ｄの有無を利用して、デバイス領域Iに侵食１０ｄがあるか否かが次のようにして判断される。
まず、図２０（ａ）に示すように、例えばレーザーテック株式会社製のMPM248等の位相差測定装置を使用して、二つの第１モニター用遮光パターン１１ｅの間と、第１、第２モニター用遮光パターン１１ｅ、１１ｄとの間にArFエキシマレーザの光束２０ａ、２０ｂを通し、これらの光束２０ａ、２０ｂの位相差を受光部２１ａ、２１ｂで第１の位相差として測定する。
次いで、図２０（ｂ）に示すように、今度は二つの第３モニター用遮光パターン１１ｇの間と、第３、第４遮光パターン１１ｇ、１１ｈとの間に上記の光束２０ａ、２０ｂを通し、これらの光束の位相差を第２の位相差として測定する。
第２、第３凹部１０ａ、１０ｂの深さは同じなので、上記した第１の位相差と第２の位相差が違う場合には、第１モニター用遮光パターン１１ｅと第２モニター用遮光パターン１１ｄとの間の侵食１０ｄによって位相差の違いが発生したと判断できる。
一方、第２の位相差が第１の位相差と同じである場合には、上記の侵食１０ｄが発生していないと判断することができる。
従って、第１の位相差が１８０°からずれ、且つ第２の位相差とは異なる値となった場合には、侵食１０ｄによって第１の位相差が１８０°からずれたと判断できる。
一方、第１の位相差が１８０°からずれていても、その値が第２の位相差と同じである場合には、侵食１０ｄが発生しておらず、第１〜第３凹部１０ａ〜１０ｃのエッチングの過不足によって第１の位相差が１８０°からずれたと判断できる。
本願発明者は、このような判断の妥当性を確かめるために次のような実験を行った。
この実験では、第２レジストパターン１３ｄの位置ずれを意図的に起こし、デバイス領域Iにおける位相差と、モニター領域IIにおける第１、第２の位相差を測定した。
このうち、デバイス領域Iにおける位相差は、一般的に使用される光学的な位相差測定装置では測定するのが困難なため、カールツァイス株式会社製のシミュレーション顕微鏡MSM193により得られた光学像より導いた。
その結果、デバイス領域Iにおける位相差と、モニター領域IIにおける第１の位相差は共に１７５°となった。一方、モニター領域IIにおける第２の位相差は、これよりずれた１８０°となった。このように、第１の位相差と第２の位相差が異なるので、上で説明したように、第１モニター用遮光パターン１１ｅと第２モニター用遮光パターン１１ｄとの間に侵食１０ｄが発生していると考えられる。
そこで、AFMにより石英基板１０の上面を実際に測定したところ、第１〜第３凹部１０ａ〜１０ｃは目標通りの深さに加工されていたが、侵食１０ｄが図２０（ａ）、（ｂ）に示した通りに発生していた。
上記のように、モニター領域IIにおける第１の位相差と第２の位相差が同じ場合には侵食１０ｄが発生していないので、第１〜第３凹部１０ａ〜１０ｃの深さを目標値にまで掘り下げる等の追加工によって、設計通りの露光用マスク１７を得ることができる。しかし、第１の位相差と第２の位相差が異なる場合には、侵食１０ｄが発生しており、露光用マスク１５を再利用することが困難なので、露光用マスク１７を不良と判断することができる。
（４）第４実施形態
第３実施形態では、第１実施形態で説明した露光用マスクに対し更に第３、第４モニター用遮光パターン１１ｇ、１１ｈを形成することにより、侵食１０ｄの有無の判断を可能にした。
このような利点は、第２実施形態の露光用マスクに第３、第４モニター用遮光パターン１１ｇ、１１ｈを形成しても得ることができる。
図２１（ａ）、（ｂ）は、本実施形態に係る露光用マスクの製造途中の断面図である。これらの図において、第１〜第３実施形態で説明した要素にはこれらの実施形態と同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。
まず、第２実施形態で説明した図１０（ａ）、（ｂ）の工程を行うことにより、図２１（ａ）に示すように、各遮光パターン１１ｃ〜１１ｈの上に第２レジストパターン１３ｄを形成する。
本実施形態では、第２実施形態と同じように、第１モニター用遮光パターン１１ｅの寸法L2を、第１デバイス用遮光パターン１１ｃの寸法L1とは関係無く設定することが可能であり、例えばL2＝２．０μm、L1＝０．２４μmとされる。そして、第３モニター用遮光パターン１１ｇの寸法L3も特に限定されず、第３実施形態と同様に２．０μmとしてよい。
更に、各遮光パターン１１ｃ〜１１ｅ同士の間隔（W1〜W6）についても第１〜第３実施形態と同じ値を採用してよい。
また、各遮光パターン１１ｃ、１１ｅの第２レジストパターン１３ｄとのオーバーラップ量d3、d4についても、第２実施形態で説明した理由によりd4≦d3である限り特に限定されることは無く、本実施形態では第２実施形態と同様にd3＝d4＝０．１９μとする。
一方、第３モニター用遮光パターン１１ｇと第２レジストパターン１３ｄとのオーバーラップ量d7は、第３実施形態と同様に、第１デバイス用遮光パターン１１ｃとのオーバーラップ量d3よりも大きくし、１．８μmとする。
この後は、第３実施形態で説明した図１７〜図１８の工程を行うことにより、図１９（ｂ）に示す露光用マスク１８の基本構造を完成させる。
このような露光用マスク１８は、図２０（ａ）、（ｂ）で説明したように、モニター領域IIにおいて第１の位相差と第２の位相差とを測定し、これらの値が同じであるか否かにより、侵食１０ｄの有無を判断することが可能となる。
以下に、本発明の特徴を付記する。
（付記１） デバイス領域に第１凹部を有し、モニター領域に第２凹部を有する透明基板と、
前記デバイス領域における前記透明基板上に第１の間隔をおいて形成され、前記第１凹部の両側からそれぞれ該第１凹部に張り出す二つの第１デバイス用遮光パターンと、
前記デバイス領域における前記透明基板の平坦面上に形成され、前記第１デバイス用遮光パターンから第２の間隔で隔てられた第２デバイス用遮光パターンと、
前記モニター領域における前記透明基板上に前記第１の間隔よりも広い第３の間隔をおいて形成され、前記第２凹部の両側からそれぞれ該第２凹部に張り出す二つの第１モニター用遮光パターンと、
前記モニター領域における前記透明基板の平坦面上に形成され、前記第１モニター用遮光パターンから前記第２の間隔よりも広い第４の間隔で隔てられた第２モニター用遮光パターンと、
を有し、
前記第１モニター用遮光パターンの寸法が、前記第１デバイス用遮光パターンの寸法以下であることを特徴とする露光用マスク。
（付記２） 前記第１モニター用遮光パターンの寸法と前記第１デバイス用遮光パターンの寸法とは、同一の断面における寸法であることを特徴とする付記１に記載の露光用マスク。
（付記３） 前記第２デバイス用遮光パターン寄りの前記第１デバイス用遮光パターンの端面から第１の距離にある前記第１デバイス用遮光パターンの上面に段が形成され、該段から前記第１凹部に張り出る部分の前記第１デバイス用遮光パターンの上面の高さが低くされていると共に、
前記第２モニター用遮光パターン寄りの前記第１モニター用遮光パターンの端面から前記第１の距離よりも短い第２の距離にある前記第１モニター用遮光パターンの上面に段が形成され、該段から前記第２凹部に張り出る部分の前記第１モニター用遮光パターンの上面の高さが低くされていることを特徴とする付記１に記載の露光用マスク。
（付記４） デバイス領域に第１凹部を有し、モニター領域に第２凹部を有する透明基板と、
前記デバイス領域における前記透明基板上に第１の間隔をおいて形成され、前記第１凹部の両側からそれぞれ該第１凹部に張り出す二つの第１デバイス用遮光パターンと、
前記デバイス領域における前記透明基板の平坦面上に形成され、前記第１デバイス用遮光パターンから第２の間隔で隔てられた第２デバイス用遮光パターンと、
前記モニター領域における前記透明基板上に前記第１の間隔よりも広い第３の間隔をおいて形成され、前記第２凹部の両側からそれぞれ該第２凹部に張り出す二つの第１モニター用遮光パターンと、
前記モニター領域における前記透明基板の平坦面上に形成され、前記第１モニター用遮光パターンから前記第２の間隔よりも広い第４の間隔で隔てられた第２モニター用遮光パターンと、
を有し、
前記第２デバイス用遮光パターン寄りの前記第１デバイス用遮光パターンの端面から第１の距離にある前記第１デバイス用遮光パターンの上面に段が形成され、該段から前記第１凹部に張り出る部分の前記第１デバイス用遮光パターンの上面の高さが、該段より前記第１デバイス用遮光パターンの前記端面寄りの部分の高さよりも低くされていると共に、
前記第２モニター用遮光パターン寄りの前記第１モニター用遮光パターンの端面から前記第１の距離よりも短い第２の距離にある前記第１モニター用遮光パターンの上面に段が形成され、該段から前記第２凹部に張り出る部分の前記第１モニター用遮光パターンの上面の高さが、該段より前記第１モニター用遮光パターンの前記端面寄りの部分の高さよりも低くされていることを特徴とする露光用マスク。
（付記５） 前記モニター領域の前記透明基板に形成された第３凹部の両側から張り出すようにして形成され、前記第１の間隔よりも広い第５の間隔をおいて形成された二つの第３モニター用遮光パターンと、
前記第３モニター用遮光パターンから前記第２の間隔よりも広い第６の間隔をおいて前記モニター領域における前記透明基板の平坦面上に形成された第４モニター用遮光パターンとを有し、
前記第４モニター用遮光パターン寄りの前記第３モニター用遮光パターンの端面から前記第２の距離よりも長い第３の距離にある前記第３モニター用遮光パターンの上面に段が形成され、該段から前記第３凹部に張り出る部分の前記第３モニター用遮光パターンの上面の高さが低くされていることを特徴とする付記３又は付記４に記載の露光用マスク。
（付記６） 透明基板の上に遮光膜を形成する工程と、
前記遮光膜をパターニングすることにより、前記透明基板のデバイス領域に、第１の間隔で隔てられた二つの第１デバイス用遮光パターンと、該第１デバイス用遮光パターンから第２の間隔がおかれた第２デバイス用遮光パターンを形成すると共に、前記透明基板のモニター領域に、前記第１の間隔よりも広い第３の間隔で隔てられ、且つ前記第１デバイス用遮光パターンの寸法以下の寸法の二つの第１モニター用遮光パターンと、該第１モニター用遮光パターンから前記第２の間隔よりも広い第４の間隔がおかれた第２デバイス用遮光パターンを形成する工程と、
前記第２デバイス用遮光パターンと前記第２モニター用遮光パターンを覆うと共に、前記二つの第１デバイス用遮光パターンの上面の一部が露出する第１窓と、前記二つの第１モニター用遮光パターンの上面の一部が露出する第２窓とを有するレジストパターンを形成する工程と、
前記第１、第２窓を通じて前記透明基板をエッチングすることにより、前記二つの第１デバイス用遮光パターンの間の前記石英基板に第１凹部を形成すると共に、前記二つの第１モニター用遮光パターンの間の前記石英基板に第２凹部を形成する工程と、
前記第１、第２窓を通じて前記透明基板をウエットエッチングして前記第１、第２凹部の幅を拡張することにより、前記第１デバイス用遮光パターンを前記第１凹部に張り出させると共に、前記第１モニター用遮光パターンを前記第２凹部に張り出させる工程と、
前記レジストパターンを除去する工程と、
前記二つの第１モニター用遮光パターンの間の前記第２凹部と、前記第１モニター用遮光パターンと前記第２モニター用遮光パターンの間の部分の透明基板のそれぞれに光を通すことにより、前記第２凹部と前記基板とでの透過光の位相差を第１の位相差として測定して、該第１の位相差が１８０°になっているか否かを確認する工程と、
を有することを特徴とする露光用マスクの製造方法。
（付記７） 前記第１デバイス用遮光パターンの寸法と前記第１モニター用遮光パターンの寸法として、同一の断面で測定された寸法を採用することを特徴とする付記６に記載の露光用マスクの製造方法。
（付記８） 透明基板の上に遮光膜を形成する工程と、
前記遮光膜をパターニングすることにより、前記透明基板のデバイス領域に、第１の間隔で隔てられた二つの第１デバイス用遮光パターンと、該第１デバイス用遮光パターンから第２の間隔がおかれた第２デバイス用遮光パターンを形成すると共に、前記透明基板のモニター領域に、前記第１の間隔よりも広い第３の間隔で隔てられた二つの第１モニター用遮光パターンと、該第１モニター用遮光パターンから前記第２の間隔よりも広い第４の間隔がおかれた第２デバイス用遮光パターンを形成する工程と、
前記第２デバイス用遮光パターンと前記第２モニター用遮光パターンとを覆うと共に、前記二つの第１デバイス用遮光パターンが露出する第１窓と、前記二つの第１モニター用遮光パターンが露出する第２窓とを有して、前記第１デバイス用遮光パターンと第１のオーバーラップ量で重なり、且つ前記第１モニター用遮光パターンと前記第１のオーバーラップ量よりも小さい第２のオーバーラップ量で重なるレジストパターンを形成する工程と、
前記第１、第２窓を通じて前記透明基板をエッチングすることにより、前記二つの第１デバイス用遮光パターンの間の前記石英基板に第１凹部を形成すると共に、前記二つの第１モニター用遮光パターンの間の前記石英基板に第２凹部を形成する工程と、
前記第１、第２窓を通じて前記透明基板をウエットエッチングして前記第１、第２凹部の幅を拡張することにより、前記第１デバイス用遮光パターンを前記第１凹部に張り出させると共に、前記第１モニター用遮光パターンを前記第２凹部に張り出させる工程と、
前記レジストパターンを除去する工程と、
前記二つの第１モニター用遮光パターンの間の前記第２凹部と、前記第１モニター用遮光パターンと前記第２モニター用遮光パターンの間の部分の透明基板のそれぞれに光を通すことにより、前記第２凹部と前記基板とでの透過光の位相差を第１の位相差として測定して、該第１の位相差が１８０°になっているか否かを確認する工程と、
を有することを特徴とする露光用マスクの製造方法。
（付記９） 前記遮光膜をパターニングする工程において、前記透明基板のモニター領域に、前記第１の間隔よりも広い第５の間隔で隔てられた二つの第３モニター用遮光パターンと、該第３モニター用遮光パターンから前記第２の間隔よりも広い第６の間隔がおかれた第４モニター用遮光パターンとを形成し、
前記レジストパターンを形成する工程において、前記レジストパターンで前記第４モニター用遮光パターンを覆い、且つ前記二つの第３モニター用遮光パターンの上面の一部が露出する第３窓を前記レジストパターンに形成して、前記第３モニター用遮光パターンと前記レジストパターンとのオーバーラップ量を、前記第１デバイス用遮光パターンとのオーバーラップ量よりも大きくし、
前記第１、第２凹部を形成する工程において、前記第３窓を通じて前記透明基板をエッチングすることにより、前記二つの第３モニター用遮光パターンの間の前記透明基板に第３凹部を形成し、
前記第１、第２凹部の幅を拡張する工程において、前記第３凹部の幅も拡張して、前記第３モニター用遮光パターンを前記第３凹部に張り出させ、
前記二つの第３モニター用遮光パターンの間の前記第３凹部と、前記第３モニター用遮光パターンと前記第４モニター用遮光パターンの間の部分の透明基板のそれぞれに光を通すことにより、前記第３凹部と前記基板とでの透過光の位相差を第２の位相差として測定して、前記第１の位相差と前記第２の位相差が同じか否かにより、前記第１〜第３凹部を拡張する工程で前記透明基板に侵食が発生したかどうかを判断する工程を更に有することを特徴とする付記６又は付記８に記載の露光用マスクの製造方法。
（付記１０） 前記第３モニター用遮光パターンと前記レジストパターンとのオーバーラップ量として、前記第１〜第３凹部を形成する工程でのエッチングによる前記レジストパターンの後退量と、前記レジストパターンの最大位置ずれ量との和よりも大きい値を採用することを特徴とする付記７に記載の露光用マスクの製造方法。
（付記１１） 前記第３モニター用遮光パターンと前記レジストパターンとのオーバーラップ量として２００nm以上の値を採用することを特徴とする付記７に記載の露光用マスクの製造方法。
図１は、従来例に係る掘り込み型のレベンソンマスクの断面図である。 図２（ａ）、（ｂ）は、本発明の第１実施形態に係る露光用マスクの製造途中の断面図（その１）である。 図３（ａ）、（ｂ）は、本発明の第１実施形態に係る露光用マスクの製造途中の断面図（その２）である。 図４（ａ）、（ｂ）は、本発明の第１実施形態に係る露光用マスクの製造途中の断面図（その３）である。 図５（ａ）、（ｂ）は、本発明の第１実施形態に係る露光用マスクの製造途中の断面図（その４）である。 図６は、本発明の第１実施形態に係る露光用マスクの製造途中の断面図（その５）である。 図７は、本発明の第１実施形態に係る露光用マスクにおいて、デバイス領域Iとモニター領域IIの両方の石英基板に侵食が発生することを示す断面図である。 図８（ａ）、（ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係る露光用マスクにおいて、デバイス領域Iとモニター領域IIの配置を示す平面図である。 図９は、比較例に係る露光用マスクの断面図である。 図１０（ａ）、（ｂ）は、本発明の第２実施形態に係る露光用マスクの製造途中の断面図（その１）である。 図１１（ａ）、（ｂ）は、本発明の第２実施形態に係る露光用マスクの製造途中の断面図（その２）である。 図１２は、本発明の第２実施形態に係る露光用マスクの製造途中の断面図（その３）である。 図１３は、本発明の第２実施形態に係る露光用マスクの製造途中の断面図（その４）である。 図１４は、本発明の第２実施形態に係る露光用マスクにおいて、デバイス領域Iとモニター領域IIの両方の石英基板に侵食が発生することを示す断面図である。 図１５は、本発明の第２実施形態において、遮光パターンの寸法とピッチにより、非シフター部における石英基板の侵食量にどのような変化が見られるのかを調査して得られたグラフである。 図１６（ａ）、（ｂ）は、本発明の第３実施形態に係る露光用マスクの製造途中の断面図（その１）である。 図１７（ａ）、（ｂ）は、本発明の第３実施形態に係る露光用マスクの製造途中の断面図（その２）である。 図１８は、本発明の第３実施形態に係る露光用マスクの製造途中の断面図（その３）である。 図１９は、本発明の第３実施形態に係る露光用マスクにおいて、第２レジストパターンが位置ずれした場合の断面図である。 図２０（ａ）、（ｂ）は、本発明の第３実施形態に係る露光用マスクにおいて、位相差測定装置で位相差を測定する場合の断面図である。 図２１（ａ）、（ｂ）は、本発明の第４実施形態に係る露光用マスクの製造途中の断面図である。
符号の説明
１、１０…透明基板、１０ａ〜１０ｃ…第１〜第３凹部、２ａ…第１遮光パターン、２ｂ…第２遮光パターン、３…レベンソンマスク、１１ａ…クロム層、１１ｂ…酸化クロム層、１１ｃ…第１デバイス用遮光パターン、１１ｄ…第２デバイス用遮光パターン、１１ｅ…第１モニター用遮光パターン、１１ｆ…第２モニター用遮光パターン、１１ｇ…第３モニター用遮光パターン、１１ｈ…第４モニター用遮光パターン、１１ｊ、１１ｋ…段、１１…遮光膜、１２…第１ポジ型電子線フォトレジスト、１２ａ…第１レジストパターン、１３…第２ポジ型電子線フォトレジスト、１３ａ〜１３ｃ…第１〜第３窓、１３ｄ…第２レジストパターン、１４…帯電防止層、１５〜１８…露光用マスク、I…デバイス領域、II…モニター領域、A…シフター部、B…非シフター部。

Claims (10)

  1. デバイス領域に第１凹部を有し、モニター領域に第２凹部を有する透明基板と、
    前記デバイス領域における前記透明基板上に第１の間隔をおいて形成され、前記第１凹部の両側からそれぞれ該第１凹部に張り出す二つの第１デバイス用遮光パターンと、
    前記デバイス領域における前記透明基板の平坦面上に形成され、前記第１デバイス用遮光パターンから第２の間隔で隔てられた第２デバイス用遮光パターンと、
    前記モニター領域における前記透明基板上に前記第１の間隔よりも広い第３の間隔をおいて形成され、前記第２凹部の両側からそれぞれ該第２凹部に張り出す二つの第１モニター用遮光パターンと、
    前記モニター領域における前記透明基板の平坦面上に形成され、前記第１モニター用遮光パターンから前記第２の間隔よりも広い第４の間隔で隔てられた第２モニター用遮光パターンと、
    を有し、
    前記第１モニター用遮光パターンの寸法が、前記第１デバイス用遮光パターンの寸法以下であることを特徴とする露光用マスク。
  2. 前記第１モニター用遮光パターンの寸法と前記第１デバイス用遮光パターンの寸法とは、同一の断面における寸法であることを特徴とする請求項１に記載の露光用マスク。
  3. 前記第２デバイス用遮光パターン寄りの前記第１デバイス用遮光パターンの端面から第１の距離にある前記第１デバイス用遮光パターンの上面に段が形成され、該段から前記第１凹部に張り出る部分の前記第１デバイス用遮光パターンの上面の高さが低くされていると共に、
    前記第２モニター用遮光パターン寄りの前記第１モニター用遮光パターンの端面から前記第１の距離よりも短い第２の距離にある前記第１モニター用遮光パターンの上面に段が形成され、該段から前記第２凹部に張り出る部分の前記第１モニター用遮光パターンの上面の高さが低くされていることを特徴とする請求項１に記載の露光用マスク。
  4. デバイス領域に第１凹部を有し、モニター領域に第２凹部を有する透明基板と、
    前記デバイス領域における前記透明基板上に第１の間隔をおいて形成され、前記第１凹部の両側からそれぞれ該第１凹部に張り出す二つの第１デバイス用遮光パターンと、
    前記デバイス領域における前記透明基板の平坦面上に形成され、前記第１デバイス用遮光パターンから第２の間隔で隔てられた第２デバイス用遮光パターンと、
    前記モニター領域における前記透明基板上に前記第１の間隔よりも広い第３の間隔をおいて形成され、前記第２凹部の両側からそれぞれ該第２凹部に張り出す二つの第１モニター用遮光パターンと、
    前記モニター領域における前記透明基板の平坦面上に形成され、前記第１モニター用遮光パターンから前記第２の間隔よりも広い第４の間隔で隔てられた第２モニター用遮光パターンと、
    を有し、
    前記第２デバイス用遮光パターン寄りの前記第１デバイス用遮光パターンの端面から第１の距離にある前記第１デバイス用遮光パターンの上面に段が形成され、該段から前記第１凹部に張り出る部分の前記第１デバイス用遮光パターンの上面の高さが、該段より前記第１デバイス用遮光パターンの前記端面寄りの部分の高さよりも低くされていると共に、
    前記第２モニター用遮光パターン寄りの前記第１モニター用遮光パターンの端面から前記第１の距離よりも短い第２の距離にある前記第１モニター用遮光パターンの上面に段が形成され、該段から前記第２凹部に張り出る部分の前記第１モニター用遮光パターンの上面の高さが、該段より前記第１モニター用遮光パターンの前記端面寄りの部分の高さよりも低くされていることを特徴とする露光用マスク。
  5. 前記モニター領域の前記透明基板に形成された第３凹部の両側から張り出すようにして形成され、前記第１の間隔よりも広い第５の間隔をおいて形成された二つの第３モニター用遮光パターンと、
    前記第３モニター用遮光パターンから前記第２の間隔よりも広い第６の間隔をおいて前記モニター領域における前記透明基板の平坦面上に形成された第４モニター用遮光パターンとを有し、
    前記第４モニター用遮光パターン寄りの前記第３モニター用遮光パターンの端面から前記第２の距離よりも長い第３の距離にある前記第３モニター用遮光パターンの上面に段が形成され、該段から前記第３凹部に張り出る部分の前記第３モニター用遮光パターンの上面の高さが低くされていることを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の露光用マスク。
  6. 透明基板の上に遮光膜を形成する工程と、
    前記遮光膜をパターニングすることにより、前記透明基板のデバイス領域に、第１の間隔で隔てられた二つの第１デバイス用遮光パターンと、該第１デバイス用遮光パターンから第２の間隔がおかれた第２デバイス用遮光パターンを形成すると共に、前記透明基板のモニター領域に、前記第１の間隔よりも広い第３の間隔で隔てられ、且つ前記第１デバイス用遮光パターンの寸法以下の寸法の二つの第１モニター用遮光パターンと、該第１モニター用遮光パターンから前記第２の間隔よりも広い第４の間隔がおかれた第２デバイス用遮光パターンを形成する工程と、
    前記第２デバイス用遮光パターンと前記第２モニター用遮光パターンを覆うと共に、前記二つの第１デバイス用遮光パターンの上面の一部が露出する第１窓と、前記二つの第１モニター用遮光パターンの上面の一部が露出する第２窓とを有するレジストパターンを形成する工程と、
    前記第１、第２窓を通じて前記透明基板をエッチングすることにより、前記二つの第１デバイス用遮光パターンの間の前記石英基板に第１凹部を形成すると共に、前記二つの第１モニター用遮光パターンの間の前記石英基板に第２凹部を形成する工程と、
    前記第１、第２窓を通じて前記透明基板をウエットエッチングして前記第１、第２凹部の幅を拡張することにより、前記第１デバイス用遮光パターンを前記第１凹部に張り出させると共に、前記第１モニター用遮光パターンを前記第２凹部に張り出させる工程と、
    前記レジストパターンを除去する工程と、
    前記二つの第１モニター用遮光パターンの間の前記第２凹部と、前記第１モニター用遮光パターンと前記第２モニター用遮光パターンの間の部分の透明基板のそれぞれに光を通すことにより、前記第２凹部と前記基板とでの透過光の位相差を第１の位相差として測定して、該第１の位相差が１８０°になっているか否かを確認する工程と、
    を有することを特徴とする露光用マスクの製造方法。
  7. 前記第１デバイス用遮光パターンの寸法と前記第１モニター用遮光パターンの寸法として、同一の断面で測定された寸法を採用することを特徴とする請求項６に記載の露光用マスクの製造方法。
  8. 透明基板の上に遮光膜を形成する工程と、
    前記遮光膜をパターニングすることにより、前記透明基板のデバイス領域に、第１の間隔で隔てられた二つの第１デバイス用遮光パターンと、該第１デバイス用遮光パターンから第２の間隔がおかれた第２デバイス用遮光パターンを形成すると共に、前記透明基板のモニター領域に、前記第１の間隔よりも広い第３の間隔で隔てられた二つの第１モニター用遮光パターンと、該第１モニター用遮光パターンから前記第２の間隔よりも広い第４の間隔がおかれた第２デバイス用遮光パターンを形成する工程と、
    前記第２デバイス用遮光パターンと前記第２モニター用遮光パターンとを覆うと共に、前記二つの第１デバイス用遮光パターンが露出する第１窓と、前記二つの第１モニター用遮光パターンが露出する第２窓とを有して、前記第１デバイス用遮光パターンと第１のオーバーラップ量で重なり、且つ前記第１モニター用遮光パターンと前記第１のオーバーラップ量よりも小さい第２のオーバーラップ量で重なるレジストパターンを形成する工程と、
    前記第１、第２窓を通じて前記透明基板をエッチングすることにより、前記二つの第１デバイス用遮光パターンの間の前記石英基板に第１凹部を形成すると共に、前記二つの第１モニター用遮光パターンの間の前記石英基板に第２凹部を形成する工程と、
    前記第１、第２窓を通じて前記透明基板をウエットエッチングして前記第１、第２凹部の幅を拡張することにより、前記第１デバイス用遮光パターンを前記第１凹部に張り出させると共に、前記第１モニター用遮光パターンを前記第２凹部に張り出させる工程と、
    前記レジストパターンを除去する工程と、
    前記二つの第１モニター用遮光パターンの間の前記第２凹部と、前記第１モニター用遮光パターンと前記第２モニター用遮光パターンの間の部分の透明基板のそれぞれに光を通すことにより、前記第２凹部と前記基板とでの透過光の位相差を第１の位相差として測定して、該第１の位相差が１８０°になっているか否かを確認する工程と、
    を有することを特徴とする露光用マスクの製造方法。
  9. 前記遮光膜をパターニングする工程において、前記透明基板のモニター領域に、前記第１の間隔よりも広い第５の間隔で隔てられた二つの第３モニター用遮光パターンと、該第３モニター用遮光パターンから前記第２の間隔よりも広い第６の間隔がおかれた第４モニター用遮光パターンとを形成し、
    前記レジストパターンを形成する工程において、前記レジストパターンで前記第４モニター用遮光パターンを覆い、且つ前記二つの第３モニター用遮光パターンの上面の一部が露出する第３窓を前記レジストパターンに形成して、前記第３モニター用遮光パターンと前記レジストパターンとのオーバーラップ量を、前記第１デバイス用遮光パターンとのオーバーラップ量よりも大きくし、
    前記第１、第２凹部を形成する工程において、前記第３窓を通じて前記透明基板をエッチングすることにより、前記二つの第３モニター用遮光パターンの間の前記透明基板に第３凹部を形成し、
    前記第１、第２凹部の幅を拡張する工程において、前記第３凹部の幅も拡張して、前記第３モニター用遮光パターンを前記第３凹部に張り出させ、
    前記二つの第３モニター用遮光パターンの間の前記第３凹部と、前記第３モニター用遮光パターンと前記第４モニター用遮光パターンの間の部分の透明基板のそれぞれに光を通すことにより、前記第３凹部と前記基板とでの透過光の位相差を第２の位相差として測定して、前記第１の位相差と前記第２の位相差が同じか否かにより、前記第１〜第３凹部を拡張する工程で前記透明基板に侵食が発生したかどうかを判断する工程を更に有することを特徴とする請求項６又は請求項８に記載の露光用マスクの製造方法。
  10. 前記第３モニター用遮光パターンと前記レジストパターンとのオーバーラップ量として２００nm以上の値を採用することを特徴とする請求項７に記載の露光用マスクの製造方法。
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