JP4963830B2 - パターン形成方法 - Google Patents
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Description
図1から図9を参照して、本発明に基づく実施の形態1におけるパターン形成方法について説明する。本実施の形態においては、半導体装置の製造方法を例に採りあげて説明する。本実施の形態においては、位相シフトマスクのうちレベンソン型マスクとハーフトーン型マスクとを用いる。それぞれの位相シフトマスクを用いて、複数回の露光を行なう。
図10から図15を参照して、本発明に基づく実施の形態2におけるパターン形成方法について説明する。本実施の形態において、レベンソン型マスクを用いて露光を行なう第1露光工程と、ハーフトーン型マスクを用いて露光を行なう第2露光工程とを含むことは実施の形態1と同様である。また、第2パターンの第2最小寸法が第1パターンの第1最小寸法の1.3倍以上になるときに、第2露光工程の露光量が第1露光工程の露光量以下なるように行なうことも実施の形態1と同様である。本実施の形態においては、第2露光工程において、ハーフトーン部の透過率を下げたハーフトーン型マスクを用いることにより露光を行なう。本実施の形態においては、実施の形態1と同様の試験方法により試験を行なった。
図16から図20を参照して、本発明に基づく実施の形態3におけるパターン形成方法について説明する。本実施の形態におけるパターン形成方法において、レベンソン型マスクを用いて露光を行なう第1露光工程と、ハーフトーン型マスクを用いて露光を行なう第2露光工程とを含むことは実施の形態1と同様である。本実施の形態においては、第2パターンの第2最小寸法が第1パターンの第1最小寸法の1.0倍以上1.1倍以下の場合に、第2露光工程の露光量が第1露光工程の露光量よりも大きくなるように行なう。
図21から図26を参照して、本発明に基づく実施の形態4におけるレベンソン型マスクの製造方法について説明する。
図27から図31を参照して、本発明に基づく実施の形態5におけるパターン形成方法およびレベンソン型マスクの製造方法について説明する。
本実施の形態においては、第1パターン部13aをレベンソン型マスクで形成する。第2パターン部13bをハーフトーン型マスクで形成する。
Claims (4)
- 電界効果トランジスタのゲート電極部であり第1最小寸法を有する第1パターンと、前記ゲート電極部と同層の配線部であり第2最小寸法を有する第2パターンとを含むパターン形成方法であって、
レベンソン型マスクを用いて前記第1パターンを露光する第1露光工程と、
ハーフトーン型マスクを用いて前記第2パターンを露光する第2露光工程と
を含み、
前記第2最小寸法が前記第1最小寸法の1.3倍以上になる場合に、前記第2露光工程の露光量が前記第1露光工程の露光量以下になるように行ない、前記第1露光工程の露光量は、前記第2露光工程の露光量の1.0倍以上1.2倍以下であり、前記配線部は、前記ゲート電極部を接続するための部分を含み、
前記第2最小寸法が前記第1最小寸法の1.0倍以上1.1倍以下になる場合に、前記第2露光工程の露光量が前記第1露光工程の露光量よりも大きくなるように行ない、前記第2パターンは、複数の前記第1パターンに挟まれた分離領域上の配線部を含む、パターン形成方法。 - 前記第2最小寸法が前記第1最小寸法の1.3倍以上になる場合であって、前記第2露光工程は、前記第1露光工程の露光量よりも少ない露光量となる透過率を有する前記ハーフトーン型マスクを用いて行なう、請求項1に記載のパターン形成方法。
- 65nm以下の設計基準に基づく半導体装置の製造に用いられるパターン形成方法であって、
以下の式により求められるILS値が34以上になるように行なう、請求項2に記載のパターン形成方法。
ILS値=(1/Is)×(ΔI/Δx) ・・・(1)
(ただし、Isは、線状パターンの幅80nmのスライス値、(ΔI/Δx)は、光強度線におけるスライス値となる点の勾配である。) - 前記レベンソン型マスクおよび前記ハーフトーン型マスクのうち少なくとも一方のマスクに、光学近接効果補正を有するように形成したものを用いる、請求項1から3のいずれかに記載のパターン形成方法。
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